- •1.1 Классификация передатчиков
- •1.2. Требования к выходным сигналам и параметрам передатчика
- •1.3. Структурные схемы передатчиков
- •1.4. Структурные схемы основных функциональных узлов и общие сведения о них
- •2.1. Статические характеристики активных элементов
- •2.2. Классификация режимов активных элементов в усилителях мощности
- •2.3. Гармонический анализ косинусоидальных импульсов
- •2.4. Другие формы импульсов тока и их гармонический анализ
- •2.5. Нелинейная модель биполярного транзистора и аппроксимация ее характеристик
- •2.6. Формы токов биполярного транзистора с учетом его инерционности при возбуждении от источника напряжения
- •2.7. Гармонический анализ токов. Расчет у-параметров транзистора в режиме большого сигнала
- •2.8. Гармонический анализ токов и напряжений в биполярном транзисторе при возбуждении от
- •§ 2.7, Выражаем комплексные амплитуды первых гармоник напряжения на входе и тока на выходе ik1 ( через комплексные амплитуды тока базы и напряжения на коллекторе :
- •3.1. Задачи проектирования и реализации
- •3.2. Выбор режима активного элемента в усилителе мощности
- •3.3. Выбор активного элемента для усилителя
- •3.4. Выбор угла отсечки
- •3.5. Расчет усилителя в критическом режиме на заданную мощность в нагрузке
- •3.6. Нагрузочные характеристики усилителя мощности
- •3.7. Влияние амплитуды напряжения возбуждения, питающих напряжений и температуры на режим усилителя мощности
- •3.8. Простые цепи согласования в усилителях мощности
- •3.9. Оценка фильтрации высших гармоник
- •3.10. Учет потерь в простых цепях согласования и общий кпд коллекторной цепи
- •§ 3.8 Уже было
- •3.11. Принципиальные схемы усилителей мощности
- •4.1. Общие соотношения при амплитудной
- •4.2. Модуляция смещением
- •4.3. Усиление модулированных колебаний
- •4.4. Коллекторная модуляция
- •4.5. Комбинированная коллекторная модуляция
- •4.6. Расчет усилителя мощности при коллекторной
- •4.7. Схемы выходных каскадов при коллекторной и комбинированной модуляции
- •5.1. Общие сведения
- •5.2. Параллельное включение активных элементов
- •5.3. Двухтактное включение активных элементов
- •5.4. Мостовое включение активных элементов
- •6.1. Общие сведения о ключевых
- •6.2. Двухтактный кум с переключением напряжения на биполярных транзисторах
- •6.3. Порядок расчета двухтактного кум
- •6.4. Однотактные кум
- •6.5. Расчет режима транзистора в однотактном кум
- •7.1. Общие сведения
- •7.2. Основные уравнения автогенератора
- •7.2.1. Уравнения стационарного режима
- •7.2.2. Расчет частоты автоколебаний. Необходимое условие фазовой устойчивости стационарного режима
- •7.2.3. Расчет амплитуды автоколебаний. Условия амплитудной устойчивости
- •7.3. Расчет и обеспечение устойчивости стационарных колебаний в автогенераторе при кусочно-линейных вольт-амперных характеристиках активного элемента
- •7.3.1. Колебательные характеристики активного элемента с кусочно-линейными вольт-амперными характеристиками в автогенераторе
- •7.3.2. Стационарные режимы в автогенераторах с цепями автоматического смещения. Применение диаграмм срыва и диаграмм смещения для расчета стационарных режимов
- •7.3.3. Анализ устойчивости стационарных режимов в автогенераторах с автосмещением. Режимы прерывистой генерации и самомодуляции
- •7.3.4. Нагрузочные характеристики автогенератора
- •7.3.5. Подход к выбору и расчету режима автогенератора
- •7.4. Схемы автогенераторов
- •7.4.1. Принципы построения схем автогенераторов
- •7.4.2. Высокочастотная эквивалентная схема с идеальным трансформатором
- •7.4.3. Обобщенная трехточечная схема
- •7.4.4. Емкостная и индуктивная трехточки
- •7.4.5. Цепи питания, смещения и связи с нагрузкой в схемах автогенераторов
- •7.5. Регулировочные характеристики автогенераторов
- •7.6. Нестабильность частоты автоколебаний
- •7.7. Кварцевая стабилизация частоты
- •8.1. Основные характеристики радиосигналов с угловой модуляцией
- •8.2. Структурные схемы передатчиков с угловой модуляцией
- •8.3. Характеристики передатчиков с угловой модуляцией
- •8.4. Методы получения чм- и фм-сигналов
- •8.5. Частотная модуляция в автогенераторах с помощью варикапа
- •8.6. Модуляторы фазы
- •8.7. Интегральные генераторы, управляемые по частоте
- •9.1. Требования к синтезаторам частот
- •9.2. Структуры синтезаторов частот
- •9.3. Источники опорных высокостабильных колебаний
- •9.4 Цифровые вычислительные синтезаторы
- •9.5. Синтезаторы на основе кольца фазовой
- •9.6. Интегральные синтезаторы частот
- •10.1. Конструкция биполярных свч-транзисторов
- •10.1.1. Структура биполярных свч-транзисторов
- •10.1.2. Оксибериллиевый изолятори внутреннее устройство мощного бт свч
- •10.1.3. Паразитные индуктивности и емкости выводов
- •10.1.4. Специализация биполярных свч-транзисторов
- •10.2. Режимы и параметры биполярных транзисторов
- •10.2.1. Питающее напряжение
- •10.2.2. Отсечка тока в биполярных свч-транзисторах
- •10.2.3. Система параметров биполярных свч -транзисторов
- •10.2.4. Модель биполярного свч-транзистора
- •10.3. Свойства биполярных свч-транзисторов в схемах резонансных усилителей с общим эмиттером и общей базой
- •10.4. Схемы усилителей мощности на биполярных свч-транзисторах
- •10.5. Конструкции транзисторных свч-устройств
- •11.1. Общие сведения о пролетных клистронах
- •11.2. Принцип действия пролетного клистрона
- •11.3. Теория группирования
- •11.4. Характеристики пролетного клистрона и способы их улучшения
- •12.1. Общие сведения
- •12.2. Устройство и принцип действия лбв-о
- •12.3. Рабочие характеристики лбв-о
- •12.4. Лампы обратной волны
- •13.1. Общие сведения
- •13.2. Движение электронов в скрещенных электрическом и магнитном полях
- •13.3. Структура поля и электронного потока при генерации свч-мощности
- •13.4.1. Коэффициент полезного действия
- •13.4. Характеристики и параметры магнетронных
- •13.4.2. Рабочие характеристики
- •13.4.3. Нагрузочные характеристики
- •13.5. Виды магнетронных автогенераторов и усилителей мощности
- •13.5.1. Основные сведения
- •13.5.2. Митрон — магнетрон, перестраиваемый по частоте напряжением
- •13.5.3. Амплитрон — магнетронный усилитель мощности
- •13.5.4. Генераторы на лампах бегущей и обратной волны типа м
- •13.6. Формирование модулированных колебаний в приборах типа м
- •14.1. Основные классы и области применения полупроводниковых диодных генераторов
- •14.2. Принцип действия и характеристики лавинно-пролетного диода
- •14.2.1. Общие сведения
- •14.2.2. Статический режим лпд
- •14.2.3. Понятие о слое умножения и пролетном
- •14.2.4. Пролетный режим лпд
- •14.3. Принцип действия и характеристики диода Ганна
- •14.3.1. Общие сведения
- •14.3.2. Механизм возникновения отрицательной проводимости в дг
- •14.3.3. Домены сильного поля. Динамика доменов
- •14.3.4. Режимы работы дг в генераторной схеме
- •14.4. Конструкции и эквивалентные схемы диодных генераторов
- •14.5. Управление колебаниями диодных генераторов
- •14.6. Способы повышения кпд диодных генераторов
- •Кулешов Валентин Николаевич, Удалов Николай Николаевич, Богачёв Вячеслав Михайлович, Белов Леонид Алексеевич, Коптев Глеб Иванович, Царапкин Дмитрий Петрович, Хрюнов Анатолий Васильевич
7.4.5. Цепи питания, смещения и связи с нагрузкой в схемах автогенераторов
Как отмечено в п. 7.4.1, цепи питания и смещения должны быть подключены к части схемы АГ, предназначенной для генерации высокочастотных колебаний так, чтобы обеспечить протекание необходимых в соответствии с расчетным режимом постоянных составляющих коллекторного и базового токов. (Если это требование выполнено для названных токов, то оно выполнено и для тока эмиттера.) При этом подключение цепей питания и смещения не должно заметно изменять параметры высокочастотной эквивалентной схемы.
Кроме того, как часть более общей схемы АГ должен иметь некоторую точку «заземления» по высокой частоте, т. е. точку, высокочастотное напряжение которой относительно линии нулевого потенциала общей схемы (т.е. относительно земли), равно нулю. К этой точке в большинстве случаев подключен один вывод цепи внешней нагрузки АГ, в которую должно передаваться колебание. Точка заземления АГ по высокой частоте должна быть выбрана.
Питание АГ в большинстве случаев обеспечивается от общего с другими функциональными узлами источника, и полярность напряжения питания относительно земли, как правило, задана. Чаще всего заземляется отрицательный полюс источника напряжения питания. Полярность питающего напряжения Еп в этом случае является положительной.
Рассмотрим несколько примеров построения полных схем АГ.
Предположим, что в схеме ИТ используется АЭ в виде транзистора с дополнительным сопротивлением в цепи эмиттера (см. рис. 7.17), внешний вывод которого предполагается заземлить по высокой частоте. Тогда точка соединения индуктивностей Lx и L2 также должна быть заземлена по высокой частоте. Если источник питания Еп имеет положительную полярность, то простейший вариант полной схемы выглядит так, как показано на рис. 7.22.
В этой схеме используется последовательное включение источника питания цепи коллектора. При этом ток колебательного контура
Рис. 7.22. Пример автогенератора по схеме индуктивной трехточки с общим эмиттером, последовательным питанием цепей коллектора и базы и емкостной связью с нагрузкой
протекает через блокировочную емкость Сбл. Для подачи напряжения начального смещения на цепь базы (см. рис. 7.8) также используется последовательная схема. Напряжение начального смещения задается общим источником питания Еи и делителем напряжения на сопротивлениях Яд j и йд2. Точка подключения выхода делителя к индуктивности L2 заземлена по высокой частоте через емкость Свх 0, через которую так же, как и через Сбл, протекает контурный ток.
Параметры цепи базового автосмещения, показанные на рис. 7.8, в данной схеме определяется формулами:
Заземление эмиттера (точнее, нижнего вывода резистора R3) по высокой частоте реализовано через емкость Сэ 0.
В АГ с перестройкой по частоте емкостью С3 часто требуется обеспечить заземление одного из выводов этой емкости как по постоянному напряжению, так и по высокочастотному. Это требование выполняется в схеме рис. 7.23. В этой схеме коллектор транзистора заземлен по высокой частоте через блокировочную емкость Сбл, так что питание цепи коллектора является последовательным. Однако подключить источник начального смещения в точку почти нулевого высокочастотного напряжения в этой схеме не удается. Поэтому
Рис. 7.23. Пример автогенератора по схеме индуктивной трехточки с общим коллектором, последовательным питанием цепи коллектора, параллельным питанием цепи базы и трансформаторной связью с нагрузкой
выход делителя напряжения на сопротивлениях Rr\Rr2 следует подключать к индуктивности L2 через блокировочную индуктивность (вариант параллельного питания). В противном случае выходное сопротивление делителя будет подключено по высокой частоте параллельно индуктивности + L2 и внесет дополнительные потери в колебательный контур. В этой схеме использована трансформаторная связь с нагрузкой ZH, которая подключена параллельно индуктивности связи LCB.
Схема емкостной трехточки, аналогичная показанной на рис. 7.23, приведена на рис. 7.24. В этой схеме приходится использовать параллельное подключение цепей питания и начального смещения через блокировочные индуктивности Lбл х и Lбjl 2. Блокировочная индук-
Рис. 7.24. Пример автогенератора по схеме емкостной трехточки с общим коллектором, параллельным питанием цепей коллектора и базы и емкостной связью с нагрузкой
тивность L6л 1 обеспечивает прохождение постоянной составляющей тока эмиттера и предотвращает шунтирование емкости Сх колебательного контура сопротивлением автосмещения R30. В этих условиях нет необходимости в емкости Сэ 0, шунтирующей R3 0. Однако на инерционность цепей автосмещения влияют емкости С1, С2 и С3. Здесь, как и в схеме рис. 7.22, использована емкостная связь с нагрузкой.
Приведенные примеры иллюстрируют принципы построения схем АГ.
Принципы выбора параметров блокировочных элементов аналогичны изложенным в параграфах, посвященных схемам генераторов с внешним возбуждением: должно быть оценено влияние подключаемых элементов на работу АГ по высокой частоте и обеспечено малое изменение параметров высокочастотной эквивалентной схемы. Кроме того, необходимо оценивать влияние выбора блокировочных элементов на инерционность цепей автосмещения для обеспечения устойчивости стационарного режима (см. п. 7.3.3).
