- •1.1 Классификация передатчиков
- •1.2. Требования к выходным сигналам и параметрам передатчика
- •1.3. Структурные схемы передатчиков
- •1.4. Структурные схемы основных функциональных узлов и общие сведения о них
- •2.1. Статические характеристики активных элементов
- •2.2. Классификация режимов активных элементов в усилителях мощности
- •2.3. Гармонический анализ косинусоидальных импульсов
- •2.4. Другие формы импульсов тока и их гармонический анализ
- •2.5. Нелинейная модель биполярного транзистора и аппроксимация ее характеристик
- •2.6. Формы токов биполярного транзистора с учетом его инерционности при возбуждении от источника напряжения
- •2.7. Гармонический анализ токов. Расчет у-параметров транзистора в режиме большого сигнала
- •2.8. Гармонический анализ токов и напряжений в биполярном транзисторе при возбуждении от
- •§ 2.7, Выражаем комплексные амплитуды первых гармоник напряжения на входе и тока на выходе ik1 ( через комплексные амплитуды тока базы и напряжения на коллекторе :
- •3.1. Задачи проектирования и реализации
- •3.2. Выбор режима активного элемента в усилителе мощности
- •3.3. Выбор активного элемента для усилителя
- •3.4. Выбор угла отсечки
- •3.5. Расчет усилителя в критическом режиме на заданную мощность в нагрузке
- •3.6. Нагрузочные характеристики усилителя мощности
- •3.7. Влияние амплитуды напряжения возбуждения, питающих напряжений и температуры на режим усилителя мощности
- •3.8. Простые цепи согласования в усилителях мощности
- •3.9. Оценка фильтрации высших гармоник
- •3.10. Учет потерь в простых цепях согласования и общий кпд коллекторной цепи
- •§ 3.8 Уже было
- •3.11. Принципиальные схемы усилителей мощности
- •4.1. Общие соотношения при амплитудной
- •4.2. Модуляция смещением
- •4.3. Усиление модулированных колебаний
- •4.4. Коллекторная модуляция
- •4.5. Комбинированная коллекторная модуляция
- •4.6. Расчет усилителя мощности при коллекторной
- •4.7. Схемы выходных каскадов при коллекторной и комбинированной модуляции
- •5.1. Общие сведения
- •5.2. Параллельное включение активных элементов
- •5.3. Двухтактное включение активных элементов
- •5.4. Мостовое включение активных элементов
- •6.1. Общие сведения о ключевых
- •6.2. Двухтактный кум с переключением напряжения на биполярных транзисторах
- •6.3. Порядок расчета двухтактного кум
- •6.4. Однотактные кум
- •6.5. Расчет режима транзистора в однотактном кум
- •7.1. Общие сведения
- •7.2. Основные уравнения автогенератора
- •7.2.1. Уравнения стационарного режима
- •7.2.2. Расчет частоты автоколебаний. Необходимое условие фазовой устойчивости стационарного режима
- •7.2.3. Расчет амплитуды автоколебаний. Условия амплитудной устойчивости
- •7.3. Расчет и обеспечение устойчивости стационарных колебаний в автогенераторе при кусочно-линейных вольт-амперных характеристиках активного элемента
- •7.3.1. Колебательные характеристики активного элемента с кусочно-линейными вольт-амперными характеристиками в автогенераторе
- •7.3.2. Стационарные режимы в автогенераторах с цепями автоматического смещения. Применение диаграмм срыва и диаграмм смещения для расчета стационарных режимов
- •7.3.3. Анализ устойчивости стационарных режимов в автогенераторах с автосмещением. Режимы прерывистой генерации и самомодуляции
- •7.3.4. Нагрузочные характеристики автогенератора
- •7.3.5. Подход к выбору и расчету режима автогенератора
- •7.4. Схемы автогенераторов
- •7.4.1. Принципы построения схем автогенераторов
- •7.4.2. Высокочастотная эквивалентная схема с идеальным трансформатором
- •7.4.3. Обобщенная трехточечная схема
- •7.4.4. Емкостная и индуктивная трехточки
- •7.4.5. Цепи питания, смещения и связи с нагрузкой в схемах автогенераторов
- •7.5. Регулировочные характеристики автогенераторов
- •7.6. Нестабильность частоты автоколебаний
- •7.7. Кварцевая стабилизация частоты
- •8.1. Основные характеристики радиосигналов с угловой модуляцией
- •8.2. Структурные схемы передатчиков с угловой модуляцией
- •8.3. Характеристики передатчиков с угловой модуляцией
- •8.4. Методы получения чм- и фм-сигналов
- •8.5. Частотная модуляция в автогенераторах с помощью варикапа
- •8.6. Модуляторы фазы
- •8.7. Интегральные генераторы, управляемые по частоте
- •9.1. Требования к синтезаторам частот
- •9.2. Структуры синтезаторов частот
- •9.3. Источники опорных высокостабильных колебаний
- •9.4 Цифровые вычислительные синтезаторы
- •9.5. Синтезаторы на основе кольца фазовой
- •9.6. Интегральные синтезаторы частот
- •10.1. Конструкция биполярных свч-транзисторов
- •10.1.1. Структура биполярных свч-транзисторов
- •10.1.2. Оксибериллиевый изолятори внутреннее устройство мощного бт свч
- •10.1.3. Паразитные индуктивности и емкости выводов
- •10.1.4. Специализация биполярных свч-транзисторов
- •10.2. Режимы и параметры биполярных транзисторов
- •10.2.1. Питающее напряжение
- •10.2.2. Отсечка тока в биполярных свч-транзисторах
- •10.2.3. Система параметров биполярных свч -транзисторов
- •10.2.4. Модель биполярного свч-транзистора
- •10.3. Свойства биполярных свч-транзисторов в схемах резонансных усилителей с общим эмиттером и общей базой
- •10.4. Схемы усилителей мощности на биполярных свч-транзисторах
- •10.5. Конструкции транзисторных свч-устройств
- •11.1. Общие сведения о пролетных клистронах
- •11.2. Принцип действия пролетного клистрона
- •11.3. Теория группирования
- •11.4. Характеристики пролетного клистрона и способы их улучшения
- •12.1. Общие сведения
- •12.2. Устройство и принцип действия лбв-о
- •12.3. Рабочие характеристики лбв-о
- •12.4. Лампы обратной волны
- •13.1. Общие сведения
- •13.2. Движение электронов в скрещенных электрическом и магнитном полях
- •13.3. Структура поля и электронного потока при генерации свч-мощности
- •13.4.1. Коэффициент полезного действия
- •13.4. Характеристики и параметры магнетронных
- •13.4.2. Рабочие характеристики
- •13.4.3. Нагрузочные характеристики
- •13.5. Виды магнетронных автогенераторов и усилителей мощности
- •13.5.1. Основные сведения
- •13.5.2. Митрон — магнетрон, перестраиваемый по частоте напряжением
- •13.5.3. Амплитрон — магнетронный усилитель мощности
- •13.5.4. Генераторы на лампах бегущей и обратной волны типа м
- •13.6. Формирование модулированных колебаний в приборах типа м
- •14.1. Основные классы и области применения полупроводниковых диодных генераторов
- •14.2. Принцип действия и характеристики лавинно-пролетного диода
- •14.2.1. Общие сведения
- •14.2.2. Статический режим лпд
- •14.2.3. Понятие о слое умножения и пролетном
- •14.2.4. Пролетный режим лпд
- •14.3. Принцип действия и характеристики диода Ганна
- •14.3.1. Общие сведения
- •14.3.2. Механизм возникновения отрицательной проводимости в дг
- •14.3.3. Домены сильного поля. Динамика доменов
- •14.3.4. Режимы работы дг в генераторной схеме
- •14.4. Конструкции и эквивалентные схемы диодных генераторов
- •14.5. Управление колебаниями диодных генераторов
- •14.6. Способы повышения кпд диодных генераторов
- •Кулешов Валентин Николаевич, Удалов Николай Николаевич, Богачёв Вячеслав Михайлович, Белов Леонид Алексеевич, Коптев Глеб Иванович, Царапкин Дмитрий Петрович, Хрюнов Анатолий Васильевич
4.5. Комбинированная коллекторная модуляция
Достоинства и недостатки коллекторной модуляции предопределяются работой АЭ в ПР. В ПР высокий электронный КПД сочетается с недостаточно линейными модуляционными характеристиками Iк1(Eк), Iк0(Eк) и резкой зависимостью коэффициента усиления по мощности КР от Ек. В пренебрежении реакцией напряжения питания на амплитуду первой гармоники входного тока Iб1 (EK) и при линейной аппроксимации Iк1 (ЕК)
Кр = Кр max(EK/EK max) 2 (4.19)
т.е. в режиме молчания КР мол = КР mах / (1 + т ) 2 уменьшается в 4 раза при т = 1 и лишь незначительно возрастает режиме модуляции:
КР мод = КР мол (1+m2ср / 2) mср =0,3…0,5.
Кроме того, в процессе модуляции меняется входная проводимость АЭ, что приводит к паразитной амплитудной и фазовой модуляции входного напряжения, а следовательно, и радиосигнала на выходе передатчика. Для компенсации этого эффекта ослабляют связь между каскадами (уменьшают КПД цепи связи), что еще больше уменьшает коэффициент усиления.
Качественные и энергетические показатели передатчика можно существенно улучшить, применив комбинированную коллекторную модуляцию. Комбинированная модуляция осуществляется синфазным изменением коллекторного напряжения в двух или трех оконечных каскадах передатчика. При этом в маломощном каскаде осуществляется простая коллекторная модуляция, а в последующих — коллекторная модуляция с одновременным усилением АМ-колебаний.
Рассмотрим выбор и расчет режима оконечного каскада. Коллекторное напряжение каскада меняется по закону
Ек(Ωt)= Eк мол,(1+m cosΩt) (4.20)
на его вход подается высокочастотное АМ-колебание с амплитудой
Uб(Ωt)= Uб мол,(1+mв cosΩt) (4.21)
Модуляционную характеристику предвыходного каскада считаем линейной. В этом случае коэффициенты модуляции коллекторного напряжения предвыходного каскада Ек.п и напряжения Uб совпадают:
.
(4.22)
Коэффициенты модуляции т и тв выберем так, чтобы режим был близок к критическому во всех точках модуляционной характеристики. Этого можно добиться, если настроить усилитель на критический режим при максимальном напряжении на коллекторе, а в режиме молчания амплитуду возбуждения подобрать гак, чтобы выполнялось равенство
Iк1 мол = Iк1max/(1 + т), т.е. чтобы точки зависимости Iк1 (Eк) в режимах максимальном и молчания точно соответствовали линейной модуляционной характеристике.
Оценим требуемое значение тъ. Считаем, что коэффициент т задан и что из расчета в максимальном режиме известны амплитуды Iк1 max , Uб max и смещение Ес, т.е. известен косинус угла отсечки
cosΘ max = -( EK – E’)/ Uб max
С амплитудой возбуждения ток связан соотношением
Iк1 max = S Uб мол γ 1(Θ mол) (4.23)
Необходимый ток в режиме молчания следует получить с помощью регулировки амплитуды возбуждения. Предполагая (для упрощения расчетов), что верхний угол отсечки пренебрежимо мал, записываем
Iк1 мол = S Uб мол γ 1(Θ mол)= Iк1 max /(1+m) (4.24)
Исключив из (4.23), (4.24) Iк1 мах, получим трансцендентное уравнение для определения U5 мол:
(4.25)
где амплитуды напряжения дополнительно связаны соотношением
(4.26)
Поскольку обычно углы отсечки Θмах, Θмол лежат в диапазоне 60...90°, т.е на линейном участке зависимости γ 1(cosΘ), примем линейную аппроксимацию:
γ1(cosΘ) = 0,5-(2/π)cosΘ. (4.27)
Подставив (4.27) в (4.25), с учетом (4.26) получим
(4.28)
Отсюда, учитывая, что Uб тах / Uб мол = 1 + тв, находим
(4.29)
Полученная оценка свидетельствует о резкой зависимости оптимального (по критерию линейности модуляционных характеристик) коэффициента модуляции тв от угла отсечки, причем чем ближе 9тах к 90°, тем выше требования к линейности модуляционных характеристик предвыходного каскада.
Зависимость глубины модуляции (4.29) от угла отсечки
Θmах, град........... 70 75 80 85 90
mв ........................ 0,3 0,505 0,640 0,800 1,000
Решение тв = 1 при Θmах = 90° можно назвать ожидаемым. Действительно, в этом случае угол отсечки не зависит от амплитуды Uб и при пропорциональном изменении напряжения на коллекторе Ек в той же пропорции изменяется амплитуда UK = Iк1 RK = 0,5S Uб Rk. Это означает, что сохраняется постоянным отношение ζ, = UK/EK = ζкр , модуляционные характеристики Iк1, Uk(Uб , Ек) остаются линейными, а режим — всюду критическим (рис. 4.10, а).
Получить аналогичный результат при Θмах < 90° не удается. В этом случае режим получается слабо перенапряженным, близким к
критическому, в большей части модуляционных характеристик Ек < <Ектах (рис. 4.10, б), а модуляционная характеристика весьма близка к линейной. Максимальное отклонение h = ∆ Iк1 / Iк1 мах зависимости Iк1(ЕК) от линейной при Θмах > 75° и ζкр > 0,75 не превышает 0,01, т. е. коэффициент гармоник Кг < 0,5 % при т = 1.
Заметим, что выбор коэффициента модуляции тв не столь критичен (см. выше). Дело в том, что искомый оптимум весьма плавный, поскольку даже при тв = 0, т. е. при простой коллекторной модуляции, модуляционные характеристики близки к линейным. К примеру, если при Θмах = 90° выбрать тв = 0,7, то режим при всех Ек < Ек тах будет слабо перенапряженным, зависимость Iк1 (EK) — выпуклой, но максимальное отклонение h = ∆ Iк1/ Iк1 мах не превысит 0,02.
