- •1.1 Классификация передатчиков
- •1.2. Требования к выходным сигналам и параметрам передатчика
- •1.3. Структурные схемы передатчиков
- •1.4. Структурные схемы основных функциональных узлов и общие сведения о них
- •2.1. Статические характеристики активных элементов
- •2.2. Классификация режимов активных элементов в усилителях мощности
- •2.3. Гармонический анализ косинусоидальных импульсов
- •2.4. Другие формы импульсов тока и их гармонический анализ
- •2.5. Нелинейная модель биполярного транзистора и аппроксимация ее характеристик
- •2.6. Формы токов биполярного транзистора с учетом его инерционности при возбуждении от источника напряжения
- •2.7. Гармонический анализ токов. Расчет у-параметров транзистора в режиме большого сигнала
- •2.8. Гармонический анализ токов и напряжений в биполярном транзисторе при возбуждении от
- •§ 2.7, Выражаем комплексные амплитуды первых гармоник напряжения на входе и тока на выходе ik1 ( через комплексные амплитуды тока базы и напряжения на коллекторе :
- •3.1. Задачи проектирования и реализации
- •3.2. Выбор режима активного элемента в усилителе мощности
- •3.3. Выбор активного элемента для усилителя
- •3.4. Выбор угла отсечки
- •3.5. Расчет усилителя в критическом режиме на заданную мощность в нагрузке
- •3.6. Нагрузочные характеристики усилителя мощности
- •3.7. Влияние амплитуды напряжения возбуждения, питающих напряжений и температуры на режим усилителя мощности
- •3.8. Простые цепи согласования в усилителях мощности
- •3.9. Оценка фильтрации высших гармоник
- •3.10. Учет потерь в простых цепях согласования и общий кпд коллекторной цепи
- •§ 3.8 Уже было
- •3.11. Принципиальные схемы усилителей мощности
- •4.1. Общие соотношения при амплитудной
- •4.2. Модуляция смещением
- •4.3. Усиление модулированных колебаний
- •4.4. Коллекторная модуляция
- •4.5. Комбинированная коллекторная модуляция
- •4.6. Расчет усилителя мощности при коллекторной
- •4.7. Схемы выходных каскадов при коллекторной и комбинированной модуляции
- •5.1. Общие сведения
- •5.2. Параллельное включение активных элементов
- •5.3. Двухтактное включение активных элементов
- •5.4. Мостовое включение активных элементов
- •6.1. Общие сведения о ключевых
- •6.2. Двухтактный кум с переключением напряжения на биполярных транзисторах
- •6.3. Порядок расчета двухтактного кум
- •6.4. Однотактные кум
- •6.5. Расчет режима транзистора в однотактном кум
- •7.1. Общие сведения
- •7.2. Основные уравнения автогенератора
- •7.2.1. Уравнения стационарного режима
- •7.2.2. Расчет частоты автоколебаний. Необходимое условие фазовой устойчивости стационарного режима
- •7.2.3. Расчет амплитуды автоколебаний. Условия амплитудной устойчивости
- •7.3. Расчет и обеспечение устойчивости стационарных колебаний в автогенераторе при кусочно-линейных вольт-амперных характеристиках активного элемента
- •7.3.1. Колебательные характеристики активного элемента с кусочно-линейными вольт-амперными характеристиками в автогенераторе
- •7.3.2. Стационарные режимы в автогенераторах с цепями автоматического смещения. Применение диаграмм срыва и диаграмм смещения для расчета стационарных режимов
- •7.3.3. Анализ устойчивости стационарных режимов в автогенераторах с автосмещением. Режимы прерывистой генерации и самомодуляции
- •7.3.4. Нагрузочные характеристики автогенератора
- •7.3.5. Подход к выбору и расчету режима автогенератора
- •7.4. Схемы автогенераторов
- •7.4.1. Принципы построения схем автогенераторов
- •7.4.2. Высокочастотная эквивалентная схема с идеальным трансформатором
- •7.4.3. Обобщенная трехточечная схема
- •7.4.4. Емкостная и индуктивная трехточки
- •7.4.5. Цепи питания, смещения и связи с нагрузкой в схемах автогенераторов
- •7.5. Регулировочные характеристики автогенераторов
- •7.6. Нестабильность частоты автоколебаний
- •7.7. Кварцевая стабилизация частоты
- •8.1. Основные характеристики радиосигналов с угловой модуляцией
- •8.2. Структурные схемы передатчиков с угловой модуляцией
- •8.3. Характеристики передатчиков с угловой модуляцией
- •8.4. Методы получения чм- и фм-сигналов
- •8.5. Частотная модуляция в автогенераторах с помощью варикапа
- •8.6. Модуляторы фазы
- •8.7. Интегральные генераторы, управляемые по частоте
- •9.1. Требования к синтезаторам частот
- •9.2. Структуры синтезаторов частот
- •9.3. Источники опорных высокостабильных колебаний
- •9.4 Цифровые вычислительные синтезаторы
- •9.5. Синтезаторы на основе кольца фазовой
- •9.6. Интегральные синтезаторы частот
- •10.1. Конструкция биполярных свч-транзисторов
- •10.1.1. Структура биполярных свч-транзисторов
- •10.1.2. Оксибериллиевый изолятори внутреннее устройство мощного бт свч
- •10.1.3. Паразитные индуктивности и емкости выводов
- •10.1.4. Специализация биполярных свч-транзисторов
- •10.2. Режимы и параметры биполярных транзисторов
- •10.2.1. Питающее напряжение
- •10.2.2. Отсечка тока в биполярных свч-транзисторах
- •10.2.3. Система параметров биполярных свч -транзисторов
- •10.2.4. Модель биполярного свч-транзистора
- •10.3. Свойства биполярных свч-транзисторов в схемах резонансных усилителей с общим эмиттером и общей базой
- •10.4. Схемы усилителей мощности на биполярных свч-транзисторах
- •10.5. Конструкции транзисторных свч-устройств
- •11.1. Общие сведения о пролетных клистронах
- •11.2. Принцип действия пролетного клистрона
- •11.3. Теория группирования
- •11.4. Характеристики пролетного клистрона и способы их улучшения
- •12.1. Общие сведения
- •12.2. Устройство и принцип действия лбв-о
- •12.3. Рабочие характеристики лбв-о
- •12.4. Лампы обратной волны
- •13.1. Общие сведения
- •13.2. Движение электронов в скрещенных электрическом и магнитном полях
- •13.3. Структура поля и электронного потока при генерации свч-мощности
- •13.4.1. Коэффициент полезного действия
- •13.4. Характеристики и параметры магнетронных
- •13.4.2. Рабочие характеристики
- •13.4.3. Нагрузочные характеристики
- •13.5. Виды магнетронных автогенераторов и усилителей мощности
- •13.5.1. Основные сведения
- •13.5.2. Митрон — магнетрон, перестраиваемый по частоте напряжением
- •13.5.3. Амплитрон — магнетронный усилитель мощности
- •13.5.4. Генераторы на лампах бегущей и обратной волны типа м
- •13.6. Формирование модулированных колебаний в приборах типа м
- •14.1. Основные классы и области применения полупроводниковых диодных генераторов
- •14.2. Принцип действия и характеристики лавинно-пролетного диода
- •14.2.1. Общие сведения
- •14.2.2. Статический режим лпд
- •14.2.3. Понятие о слое умножения и пролетном
- •14.2.4. Пролетный режим лпд
- •14.3. Принцип действия и характеристики диода Ганна
- •14.3.1. Общие сведения
- •14.3.2. Механизм возникновения отрицательной проводимости в дг
- •14.3.3. Домены сильного поля. Динамика доменов
- •14.3.4. Режимы работы дг в генераторной схеме
- •14.4. Конструкции и эквивалентные схемы диодных генераторов
- •14.5. Управление колебаниями диодных генераторов
- •14.6. Способы повышения кпд диодных генераторов
- •Кулешов Валентин Николаевич, Удалов Николай Николаевич, Богачёв Вячеслав Михайлович, Белов Леонид Алексеевич, Коптев Глеб Иванович, Царапкин Дмитрий Петрович, Хрюнов Анатолий Васильевич
6.2. Двухтактный кум с переключением напряжения на биполярных транзисторах
Пояснить принцип работы КУМ проще всего на примере двухтак-ой схемы с переключением напряжения (рис. 6.1, а). При малой мощности (до единиц ватт), пока не требуются радиаторы, в этой "еме могут быть применены практически любые транзисторы.
Недостаток схемы в том, что при значительных уровнях мощности, когда необходимо применение радиаторов, в ней могут быть использованы только транзисторы в универсальных корпусах со всеми изолированными от корпуса выводами. Между тем номенклатура таких транзисторов весьма немногочисленна. Многие мощные транзисторы СВЧ, пригодные по частотным свойствам для двухтактной схемы КУМ диапазона до
2 МГц, имеют соединенный с корпусом эмиттер. Большинство мощных ВЧ-транзисторов, пригодных по своим Частотным свойствам для двухтактных КУМ диапазона до 0,1 МГц, имеют соединенный с корпусом коллектор.
Эквивалентная схема выходной цепи двухтактного КУМ приведена на рис. 6.1, б. Транзисторы VT1 и VT2 на эквивалентной схеме рис. 6.1, б заменены ключами К1 и К2 и сопротивлением насыщения rнас.
Временные диаграммы напряжений и токов в КУМ показаны на рис. 6.2, а-л. Источник возбуждения на рис. 6.1, а представлен генератором гармонического тока iв. Ключевой режим усилителя возможен и при других формах этого тока. Однако форма должна быть симметричной (синус, меандр и др.), чтобы длительность открытого состояния каждого транзистора равнялась длительности паузы, т. е. угол отсечки входного тока каждого транзистора должен быть равен 90°. Значение этого тока должно быть достаточным для введения открытого транзистора в состояние насыщения в течение практически всего полупериода колебания.
В любой момент под действием противофазных напряжений на рторичных обмотках трансформатора один транзистор открыт, а другой закрыт. Соответственно один из ключей на схеме рис. 6.1, б замкнут, а другой разомкнут. Действие ключей и источника питания ек для выходной цепи КУМ, состоящей из последовательного контура L, С с сопротивлением потерь r = rнас + rL, настроенного в резонанс на частоту входного сигнала f и полезной нагрузки RH, равно-
ильно воздействию ЭДС e'K(t) прямоугольной формы с частотой
Рис. 6.2 Временные характиристики токов и напряжений КУМ
поврения f При этом e'K(t) = Ек, когда открыт транзистор VT1 (закнут ключ К1), и ек = 0, когда открыт транзистор VT2 (замкнут ключ К2).
С учетом временных диаграмм (рис. 6.2) отметим следующие особенности двухтактного КУМ. При разомкнутой цепи нагрузки напряжение, которое можно наблюдать на коллекторе VT2 относительно земли, равно e'K(t) и представляет собой меандр с размахом от нуля до Ек (рис. 6.2, а). Его можно представить в виде ряда Фурье I амплитудами гармоник:
(6.1)
где п — номер гармоники.
Величину Uk1 = 2Ек/π будем называть амплитудой первой гармоники ЭДС e'K(t) на коллекторах VT1 и VT2. Ей соответствует колебательная мощность
Р1
=
где R1,
— полное активное резонансное
сопротивление коллекторной цепи L,
С, r,
RH,
rнас.
При
подключенной нагрузке форма напряжения
eK(t)
несколько
отличается от меандра e'K(t)
«вмятинами»
из-за падения напряжения на rнас,
создаваемого
контурным током (рис. 6.2, б). Этот ток
одновременно есть и коллекторный
ток, и ток нагрузки. Если добротность
контура с учетом нагрузки достигает
хотя бы нескольких единиц, формы
контурного тока и напряжения на нагрузке
(рис. 6.2, д)
близки
к гармоническим. Полупериоды тока
являются почти косинусоидальными
импульсами коллекторных токов транзисторов
VT1
и
VT2
с
углами отсечки 90° (рис. 6.2, в,
г). Заметим,
что в отличие от гармонических УМ,
также часто работающих с косинусоидальными
импульсами коллекторного тока, в КУМ
форма импульса определяется не формой
входного воздействия и видом проходной
характеристики АЭ, а фильтрующим
действием последовательного контура,
сопротивление которого для высших
гармоник тока велико по сравнению с
сопротивлением для тока первой гармоники.
Однако коллекторный ток имеет такую форму, если транзисторы открываются поочередно, причем без паузы. Если же они оказываются открытыми в течение части периода одновременно, появляются «сквозные» токи, протекающие через оба транзистора и источник питания, минуя выходной контур. На осциллограмме они наблюдаются в виде всплесков на краях рабочих импульсов коллекторных токов (рис. 6.2, е, ж). Это вредные токи, ибо они не создают полезной мощности, а лишь увеличивают потребляемую усилителем мощ-
ность и перегружают транзисторы. Обычно причиной появления сквозных токов в двухтактных КУМ на БТ является запоздалое выключение транзисторов из-за конечного времени рассасывания носителей заряда в базе, которое тем больше, чем глубже насыщение транзистора к моменту запирания, т.е. чем больше мощность возбуждения и выше сопротивление нагрузки, а также чем ниже граничная частота транзистора. Один из транзисторов не успевает закрыться, когда уже открывается другой. Отсюда следует, что для достижения максимума КПД и надежности КУМ следует правильно выбирать уровень возбуждения транзисторов. Недовозбуждение вызывает, как следует из статических характеристик БТ, повышение напряжения насыщения коллектор—эмиттер, т.е. сопротивления гнас, и снижение КПД из-за роста потерь в БТ на этапах насыщения. Перевозбуждение увеличивает сквозные токи и снижает КПД из-за роста потерь на этапах переключения. Влияет на значение сквозных токов и форма тока возбуждения. Например, при прямоугольной форме возбуждающего тока БТ быстрее отпирается и медленнее запирается, что приводит к росту сквозного тока.
Если усилитель (см. рис. 6.1, а) возбуждается гармоническим током
(рис. 6.2, з), то импульсы базовых токов имеют форму, близкую к косинусоидальной (рис. 6.2, и, к), а входное напряжение в моменты переключения плеч претерпевает скачки, преодолевающие начальный сдвиг статических характеристик транзисторов Е' (рис. 6.2, л).
Расчет оптимального уровня и формы тока возбуждения даже с помощью ЭВМ весьма труден, ибо требует учета многих факторов. Однако можно привести некоторые соображения по выбору формы тока возбуждения. Поскольку коллекторный ток имеет косинусои-дальную форму, то для поддержания примерно одинакового уровня насыщения в течение рабочего полупериода базовый ток также должен быть косинусоидальным. Слишком глубокое насыщение при выходе из открытого состояния, которое получится, если возбуждать БТ, например, током в форме меандра, увеличит сквозные токи из-за ускоренного включения одного транзистора и замедленного выключения другого, что весьма нежелательно.
Таким образом, для возбуждения двухтактного КУМ целесообразно использовать генератор гармонического тока, который достаточно легко сформировать. Например, предыдущий каскад (возбудитель) можно выполнить также по двухтактной схеме, а его выходную цепь построить в виде Т-образного инвертора на двух катушках, подавляющего высшие гармоники тока (рис. 6.3, б). Рекомендуется весь мощный тракт усиления выполнять двухтактным для более симметричного возбуждения выходного каскада.
Рис. 6.3. Ключевой усилитель мощности с трансформирующими цепями связи: выходной (а) и межкаскадной (б)
Если заданы напряжение питания Еп, сопротивление нагрузки Rн и мощность Рн, то в общем случае невозможно обойтись простейшей выходной цепью в виде последовательного контура (см. рис. 6.1, а), так как требуется трансформация сопротивления в выходной цепи. При относительно низких напряжениях питания и больших мощностях требуется понижение сопротивления от нагрузки к коллекторам. Тогда можно использовать схему выходной цепи, показанную на рис. 6.3, а. Она кроме трансформации сопротивления позволяет улучшить фильтрацию высших гармоник.
При любом соотношении RK и RH в двухтактном КУМ — переключателе напряжения — может использоваться Т-образная трансформирующая и фильтрующая цепь связи
(рис. 6.3, б). В простейшем для расчета частном случае (инвертор комплексного сопротивления) все три элемента цепи имеют одинаковые по модулю реактивные сопротивления ωLl = ωL2 = l/(ωC = X, а значение X определяется из формулы
(6.2)
с использованием которой при расчете находятся Ll, =L2 и С.
