- •1.1 Классификация передатчиков
- •1.2. Требования к выходным сигналам и параметрам передатчика
- •1.3. Структурные схемы передатчиков
- •1.4. Структурные схемы основных функциональных узлов и общие сведения о них
- •2.1. Статические характеристики активных элементов
- •2.2. Классификация режимов активных элементов в усилителях мощности
- •2.3. Гармонический анализ косинусоидальных импульсов
- •2.4. Другие формы импульсов тока и их гармонический анализ
- •2.5. Нелинейная модель биполярного транзистора и аппроксимация ее характеристик
- •2.6. Формы токов биполярного транзистора с учетом его инерционности при возбуждении от источника напряжения
- •2.7. Гармонический анализ токов. Расчет у-параметров транзистора в режиме большого сигнала
- •2.8. Гармонический анализ токов и напряжений в биполярном транзисторе при возбуждении от
- •§ 2.7, Выражаем комплексные амплитуды первых гармоник напряжения на входе и тока на выходе ik1 ( через комплексные амплитуды тока базы и напряжения на коллекторе :
- •3.1. Задачи проектирования и реализации
- •3.2. Выбор режима активного элемента в усилителе мощности
- •3.3. Выбор активного элемента для усилителя
- •3.4. Выбор угла отсечки
- •3.5. Расчет усилителя в критическом режиме на заданную мощность в нагрузке
- •3.6. Нагрузочные характеристики усилителя мощности
- •3.7. Влияние амплитуды напряжения возбуждения, питающих напряжений и температуры на режим усилителя мощности
- •3.8. Простые цепи согласования в усилителях мощности
- •3.9. Оценка фильтрации высших гармоник
- •3.10. Учет потерь в простых цепях согласования и общий кпд коллекторной цепи
- •§ 3.8 Уже было
- •3.11. Принципиальные схемы усилителей мощности
- •4.1. Общие соотношения при амплитудной
- •4.2. Модуляция смещением
- •4.3. Усиление модулированных колебаний
- •4.4. Коллекторная модуляция
- •4.5. Комбинированная коллекторная модуляция
- •4.6. Расчет усилителя мощности при коллекторной
- •4.7. Схемы выходных каскадов при коллекторной и комбинированной модуляции
- •5.1. Общие сведения
- •5.2. Параллельное включение активных элементов
- •5.3. Двухтактное включение активных элементов
- •5.4. Мостовое включение активных элементов
- •6.1. Общие сведения о ключевых
- •6.2. Двухтактный кум с переключением напряжения на биполярных транзисторах
- •6.3. Порядок расчета двухтактного кум
- •6.4. Однотактные кум
- •6.5. Расчет режима транзистора в однотактном кум
- •7.1. Общие сведения
- •7.2. Основные уравнения автогенератора
- •7.2.1. Уравнения стационарного режима
- •7.2.2. Расчет частоты автоколебаний. Необходимое условие фазовой устойчивости стационарного режима
- •7.2.3. Расчет амплитуды автоколебаний. Условия амплитудной устойчивости
- •7.3. Расчет и обеспечение устойчивости стационарных колебаний в автогенераторе при кусочно-линейных вольт-амперных характеристиках активного элемента
- •7.3.1. Колебательные характеристики активного элемента с кусочно-линейными вольт-амперными характеристиками в автогенераторе
- •7.3.2. Стационарные режимы в автогенераторах с цепями автоматического смещения. Применение диаграмм срыва и диаграмм смещения для расчета стационарных режимов
- •7.3.3. Анализ устойчивости стационарных режимов в автогенераторах с автосмещением. Режимы прерывистой генерации и самомодуляции
- •7.3.4. Нагрузочные характеристики автогенератора
- •7.3.5. Подход к выбору и расчету режима автогенератора
- •7.4. Схемы автогенераторов
- •7.4.1. Принципы построения схем автогенераторов
- •7.4.2. Высокочастотная эквивалентная схема с идеальным трансформатором
- •7.4.3. Обобщенная трехточечная схема
- •7.4.4. Емкостная и индуктивная трехточки
- •7.4.5. Цепи питания, смещения и связи с нагрузкой в схемах автогенераторов
- •7.5. Регулировочные характеристики автогенераторов
- •7.6. Нестабильность частоты автоколебаний
- •7.7. Кварцевая стабилизация частоты
- •8.1. Основные характеристики радиосигналов с угловой модуляцией
- •8.2. Структурные схемы передатчиков с угловой модуляцией
- •8.3. Характеристики передатчиков с угловой модуляцией
- •8.4. Методы получения чм- и фм-сигналов
- •8.5. Частотная модуляция в автогенераторах с помощью варикапа
- •8.6. Модуляторы фазы
- •8.7. Интегральные генераторы, управляемые по частоте
- •9.1. Требования к синтезаторам частот
- •9.2. Структуры синтезаторов частот
- •9.3. Источники опорных высокостабильных колебаний
- •9.4 Цифровые вычислительные синтезаторы
- •9.5. Синтезаторы на основе кольца фазовой
- •9.6. Интегральные синтезаторы частот
- •10.1. Конструкция биполярных свч-транзисторов
- •10.1.1. Структура биполярных свч-транзисторов
- •10.1.2. Оксибериллиевый изолятори внутреннее устройство мощного бт свч
- •10.1.3. Паразитные индуктивности и емкости выводов
- •10.1.4. Специализация биполярных свч-транзисторов
- •10.2. Режимы и параметры биполярных транзисторов
- •10.2.1. Питающее напряжение
- •10.2.2. Отсечка тока в биполярных свч-транзисторах
- •10.2.3. Система параметров биполярных свч -транзисторов
- •10.2.4. Модель биполярного свч-транзистора
- •10.3. Свойства биполярных свч-транзисторов в схемах резонансных усилителей с общим эмиттером и общей базой
- •10.4. Схемы усилителей мощности на биполярных свч-транзисторах
- •10.5. Конструкции транзисторных свч-устройств
- •11.1. Общие сведения о пролетных клистронах
- •11.2. Принцип действия пролетного клистрона
- •11.3. Теория группирования
- •11.4. Характеристики пролетного клистрона и способы их улучшения
- •12.1. Общие сведения
- •12.2. Устройство и принцип действия лбв-о
- •12.3. Рабочие характеристики лбв-о
- •12.4. Лампы обратной волны
- •13.1. Общие сведения
- •13.2. Движение электронов в скрещенных электрическом и магнитном полях
- •13.3. Структура поля и электронного потока при генерации свч-мощности
- •13.4.1. Коэффициент полезного действия
- •13.4. Характеристики и параметры магнетронных
- •13.4.2. Рабочие характеристики
- •13.4.3. Нагрузочные характеристики
- •13.5. Виды магнетронных автогенераторов и усилителей мощности
- •13.5.1. Основные сведения
- •13.5.2. Митрон — магнетрон, перестраиваемый по частоте напряжением
- •13.5.3. Амплитрон — магнетронный усилитель мощности
- •13.5.4. Генераторы на лампах бегущей и обратной волны типа м
- •13.6. Формирование модулированных колебаний в приборах типа м
- •14.1. Основные классы и области применения полупроводниковых диодных генераторов
- •14.2. Принцип действия и характеристики лавинно-пролетного диода
- •14.2.1. Общие сведения
- •14.2.2. Статический режим лпд
- •14.2.3. Понятие о слое умножения и пролетном
- •14.2.4. Пролетный режим лпд
- •14.3. Принцип действия и характеристики диода Ганна
- •14.3.1. Общие сведения
- •14.3.2. Механизм возникновения отрицательной проводимости в дг
- •14.3.3. Домены сильного поля. Динамика доменов
- •14.3.4. Режимы работы дг в генераторной схеме
- •14.4. Конструкции и эквивалентные схемы диодных генераторов
- •14.5. Управление колебаниями диодных генераторов
- •14.6. Способы повышения кпд диодных генераторов
- •Кулешов Валентин Николаевич, Удалов Николай Николаевич, Богачёв Вячеслав Михайлович, Белов Леонид Алексеевич, Коптев Глеб Иванович, Царапкин Дмитрий Петрович, Хрюнов Анатолий Васильевич
3.9. Оценка фильтрации высших гармоник
Для расчета фильтрации высших гармоник в ЦС необходимо знать входное сопротивление фидера (или антенны) и элементов ЦС на основной частоте и частотах гармоник. Мощности, отдаваемые
2
АЭ на
гармониках
п =
2, 3, при малых потерях в ЦС можно считать
равными излучаемой мощности, и их
нужно сравнивать с допустимой мощностью излучения на каждой гармонике. Введем обозначение Zнп = Zн(jnω0) и рассмотрим отношение
(3.20)
Коэффициент Iкп/Iк1 характеризует вес n-й гармоники в выходном токе АЭ. Его можно оценить по отношению соответствующих коэффициентов разложения: Iкn/Iк1 ≈ αn(Θ)/ α1(Θ). Например, при Θ = 90°, n = 2 имеем Iк2/I7к1 ≈ 0,42, причем с увеличением п вес гармоник быстро падает.
Для оценки второго сомножителя в (3.20) введем коэффициент фильтрации ЦС для и-й гармоники тока
(3.21)
найденный
при условии, что сопротивления фидера
(или антенны) для первой и и-й гармоник
одинаковы, т. е. R2n
= R2.
В
этом случае вместо (3.20) получаем
Значение отношения R2n/R2 зависит от свойств антенны и фидера, соединяющего антенну с выходной цепью связи. Коэффициент Фп характеризует собственно фильтрующие свойства ЦС: чем больше Фп ,тем лучше фильтрация.
Выражение (3.21) можно записать в более удобной для расчетов форме, если учесть, что для цепи без потерь мощность, поступающая на ее вход, равна мощности, рассеиваемой на нагрузке:
Отсюда следует одно из фундаментальных свойств цепей без потерь:
(3.22)
где
(3.23)
— коэффициент передачи ЦС по току. Таким образом, в соответствии с (3.22) и (3.23) нормированное значение входного комплексного сопротивления цепи без потерь равно модулю ее коэффициента передачи по току в квадрате. В частности, если при п = 1 ЦС настроена в
резонанс,
то согласно (3.22)
=
R
1
/R2
и
(3.19) можно переписать в виде
(3.24)
Рассмотрим несколько примеров. Начнем с расчета Фп для простых Г-образных звеньев типа фильтров нижних и верхних частот (см. рис. 3.14). При Q > 3 каждую из этих цепей можно рассматривать как настроенный колебательный контур. Коэффициент передачи по току такой ЦС имеет вид
где Х1п = -1/(пω0С1) = -p/n, Х2п = пω0L2) = np для схемы на рис. 3.14, a; Х1п = nω0L1 = рп, Х2п = - 1/(ω0С2) = -p/n — для схемы на рис. 3.14, б; R2 = p/Q — для обеих схем; здесь р — характеристические сопротивления контуров, показанных на рис. 3.14, а, б. Для первой схемы имеем
Отсюда
в частности при n = 1
|KI1|2 = Q2 = R1/R2. (3.26)
Поделив (3.26) на (3.25), найдем в соответствии с (3.21) коэффициент фильтрации Г-звена типа ФНЧ
(3.28)
Аналогично для второй схемы (Г-звена типа ФВЧ) находим Фп = Q2(1 - 1/n2)2 + 1/n2. Таким образом, фильтрация в первой схеме 4
почти в п раз выше, чем во второй.
Полученный результат объясняется тем, что каждый элемент типа параллельной емкости (Ср) или последовательной индуктивности (Ls) вносит в фильтрацию вклад, пропорциональный п2 . Г-звено типа ФНЧ содержит два таких элемента, поэтому в формуле (3.27) Фn oͼ п4 . Г-звено типа ФВЧ содержит только элементы Cs, Lp, «свободно» пропускающие высокие частоты, поэтому коэффициент
фильтрации высших гармоник для такой цепи практически не зависит от п. Зато ситуация меняется, если в схеме (например, в каскаде умножения частоты) ток АЭ содержит субгармоники основной частоты ωs. Для этих частот
n = ωs/ω0 < 1 и Г-звено типа ФВЧ обеспечивает более эффективную фильтрацию, чем Г-звено типа ФНЧ, в котором Фп при п < 1/2 практически не зависит от частоты.
При расчете коэффициента передачи по току в схеме Г-звена с дополнительным фильтром (см. рис. 3.16, б) пренебрежем сопротивлением нагрузки R2 и примем, как и прежде, Q > 3. В результате получим приближенно
Фп=
п>2,
(3.28)
где
.
Как
видим, фильтрация в схеме повысилась в
связи с увеличением в (1 + Lф/IL2)
раз
добротности контура. Зависимость от
п
осталась
прежней, поскольку число реактивных
элементов
типа Ср , Ls, не изменилось.
Обратимся к изучению фильтрующих свойств П-контура (схема 1, табл. 3.1). Будем считать, что добротность первого Г-звена Q1 > 3, а добротность второго может быть любой Q2 ≥ 0. При Q2 = 0 П-контур
превращается в обычное Г-звено типа ФНЧ. Ток и-й гармоники в индуктивной ветви П-контура определяется выражением
где
Пересчитаем
комплексное сопротивление Z2n
в
последовательный эквивалент, пренебрежем
его активной составляющей и учтем, что
на основной частоте (при п
=
1) в цепи (ZL
+
Z1
+ ImZ2)
имеет место резонанс, т.е. выполняется
равенство ωL3
= 1/(ω0С1э),
где
Пренебрегая изменением эквивалентной емкости С1э при переходе на частоту n-й гармоники, получаем приближенно
Учитывая,
что ток в нагрузке связан с током в
индуктивной ветви соотношением
,
находим
коэффициент передачи по току
и далее по формуле (3.24) коэффициент фильтрации
(3.30)
Принимая во внимание расчетные формулы для элементов П-контура (см. табл. 3.1), получаем окончательно
(3.31)
Отметим, что по сравнению с Г-звеном типа ФНЧ при Q2 > 1 фильтрация высших гармоник улучшилась: Фп ≈ Q2 п6 . Это обусловлено появлением третьего фильтрующего элемента — емкости С2, включенной параллельно нагрузке.
Полученное
соотношение (3.31) остается верным (с
учетом принятых при выводе предпосылок)
и для П-схемы с дополнительным фильтрующим
контуром (схема 2, табл. 3.1). Как и для
Г-звена с улучшенной фильтрацией, под
Q
здесь
следует понимать добротность суммарной
индуктивности
