- •1.1 Классификация передатчиков
- •1.2. Требования к выходным сигналам и параметрам передатчика
- •1.3. Структурные схемы передатчиков
- •1.4. Структурные схемы основных функциональных узлов и общие сведения о них
- •2.1. Статические характеристики активных элементов
- •2.2. Классификация режимов активных элементов в усилителях мощности
- •2.3. Гармонический анализ косинусоидальных импульсов
- •2.4. Другие формы импульсов тока и их гармонический анализ
- •2.5. Нелинейная модель биполярного транзистора и аппроксимация ее характеристик
- •2.6. Формы токов биполярного транзистора с учетом его инерционности при возбуждении от источника напряжения
- •2.7. Гармонический анализ токов. Расчет у-параметров транзистора в режиме большого сигнала
- •2.8. Гармонический анализ токов и напряжений в биполярном транзисторе при возбуждении от
- •§ 2.7, Выражаем комплексные амплитуды первых гармоник напряжения на входе и тока на выходе ik1 ( через комплексные амплитуды тока базы и напряжения на коллекторе :
- •3.1. Задачи проектирования и реализации
- •3.2. Выбор режима активного элемента в усилителе мощности
- •3.3. Выбор активного элемента для усилителя
- •3.4. Выбор угла отсечки
- •3.5. Расчет усилителя в критическом режиме на заданную мощность в нагрузке
- •3.6. Нагрузочные характеристики усилителя мощности
- •3.7. Влияние амплитуды напряжения возбуждения, питающих напряжений и температуры на режим усилителя мощности
- •3.8. Простые цепи согласования в усилителях мощности
- •3.9. Оценка фильтрации высших гармоник
- •3.10. Учет потерь в простых цепях согласования и общий кпд коллекторной цепи
- •§ 3.8 Уже было
- •3.11. Принципиальные схемы усилителей мощности
- •4.1. Общие соотношения при амплитудной
- •4.2. Модуляция смещением
- •4.3. Усиление модулированных колебаний
- •4.4. Коллекторная модуляция
- •4.5. Комбинированная коллекторная модуляция
- •4.6. Расчет усилителя мощности при коллекторной
- •4.7. Схемы выходных каскадов при коллекторной и комбинированной модуляции
- •5.1. Общие сведения
- •5.2. Параллельное включение активных элементов
- •5.3. Двухтактное включение активных элементов
- •5.4. Мостовое включение активных элементов
- •6.1. Общие сведения о ключевых
- •6.2. Двухтактный кум с переключением напряжения на биполярных транзисторах
- •6.3. Порядок расчета двухтактного кум
- •6.4. Однотактные кум
- •6.5. Расчет режима транзистора в однотактном кум
- •7.1. Общие сведения
- •7.2. Основные уравнения автогенератора
- •7.2.1. Уравнения стационарного режима
- •7.2.2. Расчет частоты автоколебаний. Необходимое условие фазовой устойчивости стационарного режима
- •7.2.3. Расчет амплитуды автоколебаний. Условия амплитудной устойчивости
- •7.3. Расчет и обеспечение устойчивости стационарных колебаний в автогенераторе при кусочно-линейных вольт-амперных характеристиках активного элемента
- •7.3.1. Колебательные характеристики активного элемента с кусочно-линейными вольт-амперными характеристиками в автогенераторе
- •7.3.2. Стационарные режимы в автогенераторах с цепями автоматического смещения. Применение диаграмм срыва и диаграмм смещения для расчета стационарных режимов
- •7.3.3. Анализ устойчивости стационарных режимов в автогенераторах с автосмещением. Режимы прерывистой генерации и самомодуляции
- •7.3.4. Нагрузочные характеристики автогенератора
- •7.3.5. Подход к выбору и расчету режима автогенератора
- •7.4. Схемы автогенераторов
- •7.4.1. Принципы построения схем автогенераторов
- •7.4.2. Высокочастотная эквивалентная схема с идеальным трансформатором
- •7.4.3. Обобщенная трехточечная схема
- •7.4.4. Емкостная и индуктивная трехточки
- •7.4.5. Цепи питания, смещения и связи с нагрузкой в схемах автогенераторов
- •7.5. Регулировочные характеристики автогенераторов
- •7.6. Нестабильность частоты автоколебаний
- •7.7. Кварцевая стабилизация частоты
- •8.1. Основные характеристики радиосигналов с угловой модуляцией
- •8.2. Структурные схемы передатчиков с угловой модуляцией
- •8.3. Характеристики передатчиков с угловой модуляцией
- •8.4. Методы получения чм- и фм-сигналов
- •8.5. Частотная модуляция в автогенераторах с помощью варикапа
- •8.6. Модуляторы фазы
- •8.7. Интегральные генераторы, управляемые по частоте
- •9.1. Требования к синтезаторам частот
- •9.2. Структуры синтезаторов частот
- •9.3. Источники опорных высокостабильных колебаний
- •9.4 Цифровые вычислительные синтезаторы
- •9.5. Синтезаторы на основе кольца фазовой
- •9.6. Интегральные синтезаторы частот
- •10.1. Конструкция биполярных свч-транзисторов
- •10.1.1. Структура биполярных свч-транзисторов
- •10.1.2. Оксибериллиевый изолятори внутреннее устройство мощного бт свч
- •10.1.3. Паразитные индуктивности и емкости выводов
- •10.1.4. Специализация биполярных свч-транзисторов
- •10.2. Режимы и параметры биполярных транзисторов
- •10.2.1. Питающее напряжение
- •10.2.2. Отсечка тока в биполярных свч-транзисторах
- •10.2.3. Система параметров биполярных свч -транзисторов
- •10.2.4. Модель биполярного свч-транзистора
- •10.3. Свойства биполярных свч-транзисторов в схемах резонансных усилителей с общим эмиттером и общей базой
- •10.4. Схемы усилителей мощности на биполярных свч-транзисторах
- •10.5. Конструкции транзисторных свч-устройств
- •11.1. Общие сведения о пролетных клистронах
- •11.2. Принцип действия пролетного клистрона
- •11.3. Теория группирования
- •11.4. Характеристики пролетного клистрона и способы их улучшения
- •12.1. Общие сведения
- •12.2. Устройство и принцип действия лбв-о
- •12.3. Рабочие характеристики лбв-о
- •12.4. Лампы обратной волны
- •13.1. Общие сведения
- •13.2. Движение электронов в скрещенных электрическом и магнитном полях
- •13.3. Структура поля и электронного потока при генерации свч-мощности
- •13.4.1. Коэффициент полезного действия
- •13.4. Характеристики и параметры магнетронных
- •13.4.2. Рабочие характеристики
- •13.4.3. Нагрузочные характеристики
- •13.5. Виды магнетронных автогенераторов и усилителей мощности
- •13.5.1. Основные сведения
- •13.5.2. Митрон — магнетрон, перестраиваемый по частоте напряжением
- •13.5.3. Амплитрон — магнетронный усилитель мощности
- •13.5.4. Генераторы на лампах бегущей и обратной волны типа м
- •13.6. Формирование модулированных колебаний в приборах типа м
- •14.1. Основные классы и области применения полупроводниковых диодных генераторов
- •14.2. Принцип действия и характеристики лавинно-пролетного диода
- •14.2.1. Общие сведения
- •14.2.2. Статический режим лпд
- •14.2.3. Понятие о слое умножения и пролетном
- •14.2.4. Пролетный режим лпд
- •14.3. Принцип действия и характеристики диода Ганна
- •14.3.1. Общие сведения
- •14.3.2. Механизм возникновения отрицательной проводимости в дг
- •14.3.3. Домены сильного поля. Динамика доменов
- •14.3.4. Режимы работы дг в генераторной схеме
- •14.4. Конструкции и эквивалентные схемы диодных генераторов
- •14.5. Управление колебаниями диодных генераторов
- •14.6. Способы повышения кпд диодных генераторов
- •Кулешов Валентин Николаевич, Удалов Николай Николаевич, Богачёв Вячеслав Михайлович, Белов Леонид Алексеевич, Коптев Глеб Иванович, Царапкин Дмитрий Петрович, Хрюнов Анатолий Васильевич
8.6. Модуляторы фазы
Модуляторы фазы широко используются в системах УКВ-связи, телевизионных передатчиках СВЧ, в передатчиках радиолокационных станций для формирования радиосигналов ЧМ, ФМ и ФМн при высоких требованиях к стабильности частоты несущего колебания. Кроме того, модуляторы фазы применяются для управления диаграммами направленности фазированных антенных решеток.
В идеальном случае модулятор фазы обеспечивает линейную зависимость девиации фазы Дф от управляющего напряжения при постоянстве амплитуды ФМ-колебаний на выходе модулятора и отсутствии ПАМ.
Существует множество принципов и схем для получения ФМ. В радиопередающих устройствах часто применяются схемы, приведенные на рис. 8.17, а и 8.18, а. В основе обеих схем фазовращатели на резонансных контурах.
В контуры введены варикапы В, емкости которых меняются модулирующим напряжением. Это приводит к расстройке контуров
Рис. 8.17. Фазовый модулятор с двойным Т-мостом (а) и эквивалентная схема его колебательной системы (б)
Рис. 8.18. Модулятор фазы с двумя резонансными контурами (а) и частотные характеристики фазовращателя с двумя резонансными контурами {б)
относительно частоты f0 колебаний, генерируемых возбудителем. Расстройка контуров при постоянной рабочей частоте f0 сопровождается изменением фазы колебаний на выходе модулятора, т. е. появлением ФМ.
Модулятор на рис. 8.17, а содержит два резонансных контура включенных по Т-образной схеме (рис. 8.17, б). В этих контурах эквивалентные емкость С1э и индуктивность L2 изменяются с помощью варикапов B1, B2 под действием модулирующего сигнала Uп,
напряжение которого прикладывается через сопротивления к варикапам В2 и В2. Сравнивая схемы рис. 8.17, а и б, находим
(8.30)
Фазовращатель, показанный на рис. 8.17, б, имеет следующие свойства:
1) если контуры одинаковы и настроены в резонанс на частоту входного напряжения f0, а сопротивление нагрузки RH равно при этом характеристическому сопротивлению контуров:
(8.31)
то выходное напряжение оказывается сдвинутым по фазе относительно входного на 180° и равным ему по амплитуде;
2) если одновременно пропорционально изменять С1э и L2э в пределах ±50 % их значения при резонансе, то изменение фазы выходного напряжения достигнет ±90°;
3) входное сопротивление фазовращателя (см. рис. 8.17, б) при изменении С1э и L2э остается активным, постоянным и равным RH.
Коэффициент передачи напряжения также остается постоянным, равным единице.
При постоянстве входного сопротивления фазовращателя и коэффициента передачи напряжения обеспечивается отсутствие ПАМ.
К сожалению, зависимость фазы от изменения С1э, L2э оказывается существенно нелинейной. К тому же существует нелинейная зависимость С1э и L2э от модулирующего напряжения Еу. В результате близкую к линейной статическую модуляционную характеристику φ(Еу) при отсутствии ПАМ удается получить при небольшой девиации фазы — порядка 10°. На практике требуется большая девиация фазы. Анализ схемы рис. 8.17, б показывает, что можно, уменьшив R приблизительно до 0,4г, получить частичную взаимную компенсацию нелинейности зависимостей φ(С1э, L2э) и С1э(Еу), L2э(Еу) и достигнуть приемлемого уровня нелинейных искажений статической модуляционной характеристики (Кг в пределах единиц процентов) при девиации фазы до ±70°. При этом, однако, возникает ПАМ с глубиной около 70 %. Для ее устранения после модулятора приходится включать усилитель-ограничитель.
Попутно усилитель увеличивает амплитуду модулированного сигнала, которая значительно снижается из-за включения аттенюатора (резисторы R5, Re на рис. 8.17, а).
Аттенюатор необходим для обеспечения оптимального значения сопротивления нагрузки Rн фазовращателя, на которое не должно
заметно влиять возможное изменение входного сопротивления последующих цепей. Конденсаторы С4—С7 — разделительные.
При работе на частоте десятки мегагерц типичное значение напряжения смещения Е0, задающее начальную емкость варикапов, выбирается в пределах 1,5...2,5 В, а амплитуда модулирующего напряжения — около 1 В. Напряжение несущей частоты на входе модулятора устанавливается в доли вольта.
На рис. 8.18, а показан модулятор на основе квазиполиномиального фильтра, состоящего из пары связанных контуров. Такой модулятор предназначен для работы на частотах нижней части СВЧ-диапазона (сотни мегагерц).
Емкость каждого контура складывается из емкости варикапа и последовательно включенного с ним конденсатора, который можно использовать для подстройки контура. В качестве контурной индуктивности применен заземленный на одном конце и разомкнутый на другом отрезок полосковой линии длиной меньше четверти волны.
Параметры схемы можно подобрать так, чтобы при изменении фазы Аф примерно на ±60° амплитуда напряжения на нагрузке изменялась незначительно, в пределах единиц процентов (рис. 8.18, б).
Система из нескольких связанных контуров (см. рис. 8.11) часто используется в качестве полосового фильтра. Как известно, в полосе пропускания фаза коэффициента передачи изменяется в зависимости от частоты почти по линейному закону, а входное сопротивление и модуль коэффициента передачи остаются примерно постоянными. Вполне очевидно, что эти свойства системы связанных контуров сохраняются и в том случае, когда частота колебаний остается постоянной, а изменяется собственная частота контуров. На этом основано использование такой системы в МФ. Для перестройки контуров, как и в предыдущей схеме, применяются варикапы.
Зависимость фазы напряжения на нагрузке от расстройки контурных емкостей, а также затухание в децибелах показаны на рис. 8.19. Максимальное изменение фазы равно п • 90°, где п — число контуров.
При п = 3 пределы перестройки фазы равны ±270°. Из рис. 8.19, а видно, что рабочая область изменения фазы должна быть не выше ±120°. За пределами этой области резко растет затухание, а кроме того, сильно изменяется входное сопротивление фильтра.
Расчет показывает, что коэффициент передачи и входное сопротивление трехконтурного фазовращателя почти постоянны в пределах
Рис.
8.19. Зависимости фазы напряжения на
нагрузке модулятора фазы φмф
(а)
и
затухания коэффициента передачи Кмф
(б)
от
изменения контурных емкостей
изменения фазы ±120°, если характеристические сопротивления кон-ров и сопротивления емкостных связей выбраны из соотношений:
p = ωL= 1/(ωСв0)≈5,5Rн/Qх; (8.32)
(8.33)
Здесь Qx — собственная добротность контуров.
Максимальное изменение емкости варикапов в схеме рис. 8.11, ограниченное областью с незначительной ПАМ,
∆Св/Св0 ≈ ±(4,4/Qх), (8.34)
где Св0 — значение емкости варикапа при напряжении смещения Ев0. Максимальная амплитуда модулирующего напряжения должна быть не выше значения
.
(8.35)
Коэффициент нелинейных искажений такого МФ составляет единицы процентов.
