- •1.1 Классификация передатчиков
- •1.2. Требования к выходным сигналам и параметрам передатчика
- •1.3. Структурные схемы передатчиков
- •1.4. Структурные схемы основных функциональных узлов и общие сведения о них
- •2.1. Статические характеристики активных элементов
- •2.2. Классификация режимов активных элементов в усилителях мощности
- •2.3. Гармонический анализ косинусоидальных импульсов
- •2.4. Другие формы импульсов тока и их гармонический анализ
- •2.5. Нелинейная модель биполярного транзистора и аппроксимация ее характеристик
- •2.6. Формы токов биполярного транзистора с учетом его инерционности при возбуждении от источника напряжения
- •2.7. Гармонический анализ токов. Расчет у-параметров транзистора в режиме большого сигнала
- •2.8. Гармонический анализ токов и напряжений в биполярном транзисторе при возбуждении от
- •§ 2.7, Выражаем комплексные амплитуды первых гармоник напряжения на входе и тока на выходе ik1 ( через комплексные амплитуды тока базы и напряжения на коллекторе :
- •3.1. Задачи проектирования и реализации
- •3.2. Выбор режима активного элемента в усилителе мощности
- •3.3. Выбор активного элемента для усилителя
- •3.4. Выбор угла отсечки
- •3.5. Расчет усилителя в критическом режиме на заданную мощность в нагрузке
- •3.6. Нагрузочные характеристики усилителя мощности
- •3.7. Влияние амплитуды напряжения возбуждения, питающих напряжений и температуры на режим усилителя мощности
- •3.8. Простые цепи согласования в усилителях мощности
- •3.9. Оценка фильтрации высших гармоник
- •3.10. Учет потерь в простых цепях согласования и общий кпд коллекторной цепи
- •§ 3.8 Уже было
- •3.11. Принципиальные схемы усилителей мощности
- •4.1. Общие соотношения при амплитудной
- •4.2. Модуляция смещением
- •4.3. Усиление модулированных колебаний
- •4.4. Коллекторная модуляция
- •4.5. Комбинированная коллекторная модуляция
- •4.6. Расчет усилителя мощности при коллекторной
- •4.7. Схемы выходных каскадов при коллекторной и комбинированной модуляции
- •5.1. Общие сведения
- •5.2. Параллельное включение активных элементов
- •5.3. Двухтактное включение активных элементов
- •5.4. Мостовое включение активных элементов
- •6.1. Общие сведения о ключевых
- •6.2. Двухтактный кум с переключением напряжения на биполярных транзисторах
- •6.3. Порядок расчета двухтактного кум
- •6.4. Однотактные кум
- •6.5. Расчет режима транзистора в однотактном кум
- •7.1. Общие сведения
- •7.2. Основные уравнения автогенератора
- •7.2.1. Уравнения стационарного режима
- •7.2.2. Расчет частоты автоколебаний. Необходимое условие фазовой устойчивости стационарного режима
- •7.2.3. Расчет амплитуды автоколебаний. Условия амплитудной устойчивости
- •7.3. Расчет и обеспечение устойчивости стационарных колебаний в автогенераторе при кусочно-линейных вольт-амперных характеристиках активного элемента
- •7.3.1. Колебательные характеристики активного элемента с кусочно-линейными вольт-амперными характеристиками в автогенераторе
- •7.3.2. Стационарные режимы в автогенераторах с цепями автоматического смещения. Применение диаграмм срыва и диаграмм смещения для расчета стационарных режимов
- •7.3.3. Анализ устойчивости стационарных режимов в автогенераторах с автосмещением. Режимы прерывистой генерации и самомодуляции
- •7.3.4. Нагрузочные характеристики автогенератора
- •7.3.5. Подход к выбору и расчету режима автогенератора
- •7.4. Схемы автогенераторов
- •7.4.1. Принципы построения схем автогенераторов
- •7.4.2. Высокочастотная эквивалентная схема с идеальным трансформатором
- •7.4.3. Обобщенная трехточечная схема
- •7.4.4. Емкостная и индуктивная трехточки
- •7.4.5. Цепи питания, смещения и связи с нагрузкой в схемах автогенераторов
- •7.5. Регулировочные характеристики автогенераторов
- •7.6. Нестабильность частоты автоколебаний
- •7.7. Кварцевая стабилизация частоты
- •8.1. Основные характеристики радиосигналов с угловой модуляцией
- •8.2. Структурные схемы передатчиков с угловой модуляцией
- •8.3. Характеристики передатчиков с угловой модуляцией
- •8.4. Методы получения чм- и фм-сигналов
- •8.5. Частотная модуляция в автогенераторах с помощью варикапа
- •8.6. Модуляторы фазы
- •8.7. Интегральные генераторы, управляемые по частоте
- •9.1. Требования к синтезаторам частот
- •9.2. Структуры синтезаторов частот
- •9.3. Источники опорных высокостабильных колебаний
- •9.4 Цифровые вычислительные синтезаторы
- •9.5. Синтезаторы на основе кольца фазовой
- •9.6. Интегральные синтезаторы частот
- •10.1. Конструкция биполярных свч-транзисторов
- •10.1.1. Структура биполярных свч-транзисторов
- •10.1.2. Оксибериллиевый изолятори внутреннее устройство мощного бт свч
- •10.1.3. Паразитные индуктивности и емкости выводов
- •10.1.4. Специализация биполярных свч-транзисторов
- •10.2. Режимы и параметры биполярных транзисторов
- •10.2.1. Питающее напряжение
- •10.2.2. Отсечка тока в биполярных свч-транзисторах
- •10.2.3. Система параметров биполярных свч -транзисторов
- •10.2.4. Модель биполярного свч-транзистора
- •10.3. Свойства биполярных свч-транзисторов в схемах резонансных усилителей с общим эмиттером и общей базой
- •10.4. Схемы усилителей мощности на биполярных свч-транзисторах
- •10.5. Конструкции транзисторных свч-устройств
- •11.1. Общие сведения о пролетных клистронах
- •11.2. Принцип действия пролетного клистрона
- •11.3. Теория группирования
- •11.4. Характеристики пролетного клистрона и способы их улучшения
- •12.1. Общие сведения
- •12.2. Устройство и принцип действия лбв-о
- •12.3. Рабочие характеристики лбв-о
- •12.4. Лампы обратной волны
- •13.1. Общие сведения
- •13.2. Движение электронов в скрещенных электрическом и магнитном полях
- •13.3. Структура поля и электронного потока при генерации свч-мощности
- •13.4.1. Коэффициент полезного действия
- •13.4. Характеристики и параметры магнетронных
- •13.4.2. Рабочие характеристики
- •13.4.3. Нагрузочные характеристики
- •13.5. Виды магнетронных автогенераторов и усилителей мощности
- •13.5.1. Основные сведения
- •13.5.2. Митрон — магнетрон, перестраиваемый по частоте напряжением
- •13.5.3. Амплитрон — магнетронный усилитель мощности
- •13.5.4. Генераторы на лампах бегущей и обратной волны типа м
- •13.6. Формирование модулированных колебаний в приборах типа м
- •14.1. Основные классы и области применения полупроводниковых диодных генераторов
- •14.2. Принцип действия и характеристики лавинно-пролетного диода
- •14.2.1. Общие сведения
- •14.2.2. Статический режим лпд
- •14.2.3. Понятие о слое умножения и пролетном
- •14.2.4. Пролетный режим лпд
- •14.3. Принцип действия и характеристики диода Ганна
- •14.3.1. Общие сведения
- •14.3.2. Механизм возникновения отрицательной проводимости в дг
- •14.3.3. Домены сильного поля. Динамика доменов
- •14.3.4. Режимы работы дг в генераторной схеме
- •14.4. Конструкции и эквивалентные схемы диодных генераторов
- •14.5. Управление колебаниями диодных генераторов
- •14.6. Способы повышения кпд диодных генераторов
- •Кулешов Валентин Николаевич, Удалов Николай Николаевич, Богачёв Вячеслав Михайлович, Белов Леонид Алексеевич, Коптев Глеб Иванович, Царапкин Дмитрий Петрович, Хрюнов Анатолий Васильевич
6.1. Общие сведения о ключевых
усилителях мощности
Название этого класса устройств объясняется тем, что активные элементы — транзисторы, тиристоры, лампы — в ключевых усилителях мощности (КУМ) работают в режиме электронных ключей, замыкаемых и размыкаемых с частотой напряжения возбуждения. В идеальном случае ключ должен иметь нулевое сопротивление в замкнутом состоянии и бесконечное в разомкнутом. Для БТ замкнутому состоянию ключа наиболее соответствует состояние насыщения, разомкнутому — состояние отсечки.
Транзисторные усилители мощности, работающие без отсечки либо с отсечкой коллекторного тока и гармоническим напряжением на коллекторе (усилители классов А, В и С) в отличие от ключевых будем называть гармоническими УМ.
Среди КУМ различают резистивные усилители, цепи связи которых представляют собой широкополосные трансформаторы, и резонансные. Токи и напряжения на выходах резистивных КУМ имеют почти прямоугольную форму, а при необходимости подавления высших гармоник в спектре выходного сигнала на выходе схемы включают полосовые фильтры или ФНЧ.
Резонансные КУМ подразделяют на усилители классов D и Е. К классу D обычно относят двухтактные схемы, подразделяемые на переключатели напряжения и переключатели тока, к классу Е — однотактные схемы с формирующим контуром (хотя в принципе они могут быть и двухтактными). Усилители класса Е по схеме повторяют гармонические УМ с той лишь разницей, что выходной контур имеет низкую нагруженную добротность (около 1...2) и настраивается на частоту, примерно в 1,5 раза превышающую рабочую. При таких параметрах ЦС возникает ключевой режим, а сама цепь называется формирующим контуром. Она формирует на коллекторе напряжение с малым остаточным значением на этапе протекания коллекторного тока и без так называемых коммутационных потерь.
В настоящем учебном пособии рассматриваются два типа КУМ, оба на БТ — двухтактный класса D с переключением напряжения и однотактный класса Е. Принципиальные схемы рассматриваемых усилителей будут рассмотрены далее.
Выходной цепью связи КУМ могут служить простые резонансные контуры (а также более сложные фильтрующие цепи) с оконечной резистивной нагрузкой. В таких схемах ключ, выходная ЦС, сопротивление нагрузки и источник питания образуют последовательную цепь, в которой при замкнутом ключе напряжение питания практически целиком (за вычетом незначительного падения напряжения на открытом ключе) приложено к нагрузке, а при разомкнутом — к ключу. Таким образом, в любой момент времени произведение мгновенных значений тока ключа и напряжения на нем близко к нулю, т. е. на ключе рассеивается весьма малая (в идеале — нулевая) мощность. Поэтому если ключ идеальный, то энергия источника питания может быть без потерь, т. е. с электронным КПД, равным 100 %, преобразована в высокочастотную энергию.
В реальных устройствах электронный КПД достигает 98 % на частотах около десятков килогерц и снижается примерно до 80 % на Частоте 100... 150 МГц. Это объясняется неидеальностью ключевых свойств АЭ, имеющих потери как в открытом, так и в закрытом состоянии, а также так называемые коммутационные потери на интервалах переключения. Природа коммутационных потерь определяется типом применяемого АЭ, а их доля зависит от типа схемы КУМ. Высокий электронный КПД — главное достоинство КУМ. Это означает, что в ключевом режиме по сравнению с гармоническим можно получить в несколько раз (а иногда и на порядок) большую ходную мощность при той же мощности, рассеиваемой на АЭ, и соответственно ту же (и даже большую) выходную мощность при значительно меньшей рассеиваемой на АЭ мощности. Это существенно облегчает охлаждение.
Исторически первыми стали успешно применять КУМ на БТ. лектронный КПД двухтактных усилителей класса D на БТ сущест-нно зависит от коммутационных потерь, связанных с конечным менем накопления и рассасывания носителей в базе и перезаря-м емкостей переходов. Коммутационные потери растут пропорцио-ально частоте, поэтому появившиеся позже мощные полевые транзисторы типа МДП, в которых явления накопления и рассасывания зарядов отсутствуют, оказались более перспективными для применения в ключевых режимах. Процессы накопления и рассасывания зарядов в этих АЭ проявляются лишь при сильном рассогласовании, т. е. нерабочих режимах, причем они связаны с наличием паразитного БТ в структуре МДП. В настоящее время мощные МДП-транзисторы лируют по энергетическим показателям усилителей класса D в диапазоне частот до 30 МГц. Более высокий частотный потолок
достигнут в КУМ на ПТ с барьером Шотки: известны двухтактные усилители класса D с рабочей частотой 175 МГц.
Частотный потолок КУМ на БТ, максимальный в однотактных усилителях класса Е с формирующим контуром, составляет 100... 150 МГц. В двухтактных усилителях класса D он ниже на один-два порядка. Это объясняется тем, что в усилителях класса Е коммутационные потери пренебрежимо малы по сравнению с потерями на этапе протекания коллекторного тока (т.е. при открытом ключе).
Принципиальным недостатком ключевого режима является невозможность усиления амплитудно-модулированных колебаний. Это связано с тем, что при открытом ключе транзистор находится в режиме насыщения и коллекторный ток почти не зависит от амплитуды входного воздействия. Зато по сравнению с гармоническими УМ в недонапряженном режиме выходная мощность КУМ гораздо менее чувствительна к вариации входного воздействия и температурным изменениям параметров АЭ.
Другой крупный недостаток КУМ — значительно большая, чем у гармонических УМ, опасность мгновенного пробоя АЭ при коротком замыкании коллектор—эмиттер по высокой частоте. В усилителе, работающем в критическом режиме, это приводит к увеличению мощности, рассеиваемой на АЭ, не более чем в несколько раз. При разумном выборе запаса по мощности АЭ может выдерживать такую перегрузку сколь угодно долго. В ключевом усилителе (рис. 6.1, а) при коротком замыкании выходной ЦС транзисторы выходят из области насыщения. Выходной ток и рассеиваемая на коллекторах мощность увеличиваются на один-два порядка, что приводит к практически мгновенному разрушению обоих транзисторов. Поэтому в КУМ обычно применяются схемы быстродействующей электронной защиты, снимающие возбуждение или напряжение питания при резком возрастании потребляемого тока.
Рис. 6.1. Двухтактный КУМ с переключателем напряжения (а) и эквивалентная схема его выходной цепи (б)
