- •1.1 Классификация передатчиков
- •1.2. Требования к выходным сигналам и параметрам передатчика
- •1.3. Структурные схемы передатчиков
- •1.4. Структурные схемы основных функциональных узлов и общие сведения о них
- •2.1. Статические характеристики активных элементов
- •2.2. Классификация режимов активных элементов в усилителях мощности
- •2.3. Гармонический анализ косинусоидальных импульсов
- •2.4. Другие формы импульсов тока и их гармонический анализ
- •2.5. Нелинейная модель биполярного транзистора и аппроксимация ее характеристик
- •2.6. Формы токов биполярного транзистора с учетом его инерционности при возбуждении от источника напряжения
- •2.7. Гармонический анализ токов. Расчет у-параметров транзистора в режиме большого сигнала
- •2.8. Гармонический анализ токов и напряжений в биполярном транзисторе при возбуждении от
- •§ 2.7, Выражаем комплексные амплитуды первых гармоник напряжения на входе и тока на выходе ik1 ( через комплексные амплитуды тока базы и напряжения на коллекторе :
- •3.1. Задачи проектирования и реализации
- •3.2. Выбор режима активного элемента в усилителе мощности
- •3.3. Выбор активного элемента для усилителя
- •3.4. Выбор угла отсечки
- •3.5. Расчет усилителя в критическом режиме на заданную мощность в нагрузке
- •3.6. Нагрузочные характеристики усилителя мощности
- •3.7. Влияние амплитуды напряжения возбуждения, питающих напряжений и температуры на режим усилителя мощности
- •3.8. Простые цепи согласования в усилителях мощности
- •3.9. Оценка фильтрации высших гармоник
- •3.10. Учет потерь в простых цепях согласования и общий кпд коллекторной цепи
- •§ 3.8 Уже было
- •3.11. Принципиальные схемы усилителей мощности
- •4.1. Общие соотношения при амплитудной
- •4.2. Модуляция смещением
- •4.3. Усиление модулированных колебаний
- •4.4. Коллекторная модуляция
- •4.5. Комбинированная коллекторная модуляция
- •4.6. Расчет усилителя мощности при коллекторной
- •4.7. Схемы выходных каскадов при коллекторной и комбинированной модуляции
- •5.1. Общие сведения
- •5.2. Параллельное включение активных элементов
- •5.3. Двухтактное включение активных элементов
- •5.4. Мостовое включение активных элементов
- •6.1. Общие сведения о ключевых
- •6.2. Двухтактный кум с переключением напряжения на биполярных транзисторах
- •6.3. Порядок расчета двухтактного кум
- •6.4. Однотактные кум
- •6.5. Расчет режима транзистора в однотактном кум
- •7.1. Общие сведения
- •7.2. Основные уравнения автогенератора
- •7.2.1. Уравнения стационарного режима
- •7.2.2. Расчет частоты автоколебаний. Необходимое условие фазовой устойчивости стационарного режима
- •7.2.3. Расчет амплитуды автоколебаний. Условия амплитудной устойчивости
- •7.3. Расчет и обеспечение устойчивости стационарных колебаний в автогенераторе при кусочно-линейных вольт-амперных характеристиках активного элемента
- •7.3.1. Колебательные характеристики активного элемента с кусочно-линейными вольт-амперными характеристиками в автогенераторе
- •7.3.2. Стационарные режимы в автогенераторах с цепями автоматического смещения. Применение диаграмм срыва и диаграмм смещения для расчета стационарных режимов
- •7.3.3. Анализ устойчивости стационарных режимов в автогенераторах с автосмещением. Режимы прерывистой генерации и самомодуляции
- •7.3.4. Нагрузочные характеристики автогенератора
- •7.3.5. Подход к выбору и расчету режима автогенератора
- •7.4. Схемы автогенераторов
- •7.4.1. Принципы построения схем автогенераторов
- •7.4.2. Высокочастотная эквивалентная схема с идеальным трансформатором
- •7.4.3. Обобщенная трехточечная схема
- •7.4.4. Емкостная и индуктивная трехточки
- •7.4.5. Цепи питания, смещения и связи с нагрузкой в схемах автогенераторов
- •7.5. Регулировочные характеристики автогенераторов
- •7.6. Нестабильность частоты автоколебаний
- •7.7. Кварцевая стабилизация частоты
- •8.1. Основные характеристики радиосигналов с угловой модуляцией
- •8.2. Структурные схемы передатчиков с угловой модуляцией
- •8.3. Характеристики передатчиков с угловой модуляцией
- •8.4. Методы получения чм- и фм-сигналов
- •8.5. Частотная модуляция в автогенераторах с помощью варикапа
- •8.6. Модуляторы фазы
- •8.7. Интегральные генераторы, управляемые по частоте
- •9.1. Требования к синтезаторам частот
- •9.2. Структуры синтезаторов частот
- •9.3. Источники опорных высокостабильных колебаний
- •9.4 Цифровые вычислительные синтезаторы
- •9.5. Синтезаторы на основе кольца фазовой
- •9.6. Интегральные синтезаторы частот
- •10.1. Конструкция биполярных свч-транзисторов
- •10.1.1. Структура биполярных свч-транзисторов
- •10.1.2. Оксибериллиевый изолятори внутреннее устройство мощного бт свч
- •10.1.3. Паразитные индуктивности и емкости выводов
- •10.1.4. Специализация биполярных свч-транзисторов
- •10.2. Режимы и параметры биполярных транзисторов
- •10.2.1. Питающее напряжение
- •10.2.2. Отсечка тока в биполярных свч-транзисторах
- •10.2.3. Система параметров биполярных свч -транзисторов
- •10.2.4. Модель биполярного свч-транзистора
- •10.3. Свойства биполярных свч-транзисторов в схемах резонансных усилителей с общим эмиттером и общей базой
- •10.4. Схемы усилителей мощности на биполярных свч-транзисторах
- •10.5. Конструкции транзисторных свч-устройств
- •11.1. Общие сведения о пролетных клистронах
- •11.2. Принцип действия пролетного клистрона
- •11.3. Теория группирования
- •11.4. Характеристики пролетного клистрона и способы их улучшения
- •12.1. Общие сведения
- •12.2. Устройство и принцип действия лбв-о
- •12.3. Рабочие характеристики лбв-о
- •12.4. Лампы обратной волны
- •13.1. Общие сведения
- •13.2. Движение электронов в скрещенных электрическом и магнитном полях
- •13.3. Структура поля и электронного потока при генерации свч-мощности
- •13.4. Характеристики и параметры магнетронных
- •13.4.1. Коэффициент полезного действия
- •13.4.2. Рабочие характеристики
- •13.4.3. Нагрузочные характеристики
- •13.5. Виды магнетронных автогенераторов и усилителей мощности
- •13.5.1. Основные сведения
- •13.5.2. Митрон — магнетрон, перестраиваемый по частоте напряжением
- •13.5.3. Амплитрон — магнетронный усилитель мощности
- •13.5.4. Генераторы на лампах бегущей и обратной волны типа м
- •13.6. Формирование модулированных колебаний в приборах типа м
- •14.1. Основные классы и области применения полупроводниковых диодных генераторов
- •14.2. Принцип действия и характеристики лавинно-пролетного диода
- •14.2.1. Общие сведения
- •14.2.2. Статический режим лпд
- •14.2.3. Понятие о слое умножения и пролетном
- •14.2.4. Пролетный режим лпд
- •14.3. Принцип действия и характеристики диода Ганна
- •14.3.1. Общие сведения
- •14.3.2. Механизм возникновения отрицательной проводимости в дг
- •14.3.3. Домены сильного поля. Динамика доменов
- •14.3.4. Режимы работы дг в генераторной схеме
- •14.4. Конструкции и эквивалентные схемы диодных генераторов
- •14.5. Управление колебаниями диодных генераторов
- •14.6. Способы повышения кпд диодных генераторов
- •Кулешов Валентин Николаевич, Удалов Николай Николаевич, Богачёв Вячеслав Михайлович, Белов Леонид Алексеевич, Коптев Глеб Иванович, Царапкин Дмитрий Петрович, Хрюнов Анатолий Васильевич
11.3. Теория группирования
Проведем расчет, который позволит получить приближенное выражение для тока, питающего выходной резонатор. Идея расчета состоит в том, чтобы сначала определить, в какой момент времени t2 электрон, пролетевший через первый резонатор в момент времени t1, достигает выходного резонатора (точнее, плоскости у = s), а затем вычислить мгновенный ток i2(t2) как производную от пространственного заряда q по времени.
Высокочастотные зазоры резонаторов имеют пространственную протяженность. Поэтому электроны затрачивают некоторое время на пролет через резонаторы. При средней скорости на пролет входного зазора шириной d1 затрачивается dx/ , с, на пролет выходного шириной d2 — соответственно d2/ . В теории ПК момент пролета через резонатор принято соотносить с пересечением середины высокочастотного зазора. Именно так расположены отсчетные плоскости на рис. 11.2.
Скорость электронов, покидающих входной резонатор, определяется соотношением
(11.6)
Амплитуда возбуждения UB заменена в (11.6) ее эквивалентным значением U1э< Uv чтобы учесть изменение высокочастотного поля за то время, пока электрон пересекает зазор резонатора,
.
(11.7)
Величину
М1
называют
коэффициентом
эффективности модуляции. Для
зазора с сетками М1
=
sin
,
где
=
—
угол пролета электронов между сетками
входного резонатора. Типичны значения
=
/2...
,
рад, которым соответствуют М1
= 0,90...0,64.
Введем коэффициент глубины модуляции равенством
/Ep.
(11.8)
Положим
для простоты
<<1.
В этом случае (11.6) преобразуется в
выражение
,
(11.9)
т. е.
меняется
по синусоидальному закону.
Зная скорость электрона можем определить момент пролета t2 электроном выходного (второго) резонатора как
(11.10)
Здесь t0 = s/ — среднее время пролета электронов между резонаторами. При приближенной записи в (11.10) опять использовано условие малости .
Умножая
далее обе части (11.10) на круговую частоту
со и вводя обозначения:
=
—
угол пролета электронов между
резонаторами; Х=
/2
— параметр группирования;
=
,
получаем искомое соотношение
2 = 1,-Xsin 1. (11.11)
Если электроны не оседают на сетках резонаторов и на поверхности трубки дрейфа (последнее обеспечивается хорошей магнитной или электростатической фокусировкой луча), то действует закон сохранения заряда. Аналитически он записывается как
(11.12)
где
= i1(t1)
= I0
(поскольку
в первый резонатор поступает
немодулированный луч); dq2
= i2(t2)dt2.
Отсюда
конвекционный ток, поступающий во второй
резонатор,
dt2=
(11.13)
Используя (11.11), находим окончательно
(11.14)
На
рис. 11.6, а представлены графики импульсов
конвекционного тока через второй
резонатор при различных значениях
параметра группирования X,
полученные
подсчетом количества электронов,
пересекающих плоскость выходного зазора
в момент
.
При
X
< 1
единственный на каждом периоде колебаний
максимум мгновенного тока i2м
достигается в точках, где значение
кратно 2
.
При X
1
значение i2м
неограниченно возрастает, график тока
приобретает разрыв. Разрывов становится
два на период, если Х>
1.
Реально /2м сохраняет конечное значение благодаря электростатическому расталкиванию электронов, в результате которого не происходит формирование так называемых сгустков электронов с бесконечно большой плотностью. Тем не менее острые пики импульсов тока конвекции являются характерной особенностью клистронов. Собственно, отсюда прибор и получил свое название («клизо» означает по-гречески «морской прибой»).
Рис. 11.6. Импульсы конвекционного тока через выходной резонатор двухрезона-торного пролетного клистрона, рассчитанные с использованием линеаризации зависимости времени пролета электронов между резонаторами от uB(i) (a), и уточненная форма импульса, найденная без использования линеаризации (б)
Согласно
(11.14) форма импульсов тока конвекции
полностью определена значением параметра
группирования X
=
/2.
Таким образом, в рамках изложенной
приближенной теории степень группирования
электронов в сгустки одинаково зависит
от уровня напряжения на входном
резонаторе и времени формирования
сгустков. Более детальный анализ приводит
к выводу, что максимальное усиление в
ПК достигается, если время пролета
электронов между резонаторами составляет
два-три периода высокой частоты, т. е.
при
и 10.. .20 рад. Именно такие значения
обычно используются на практике.
Отказ от линеаризации зависимости времени пролета электронов между резонаторами от uB(t) приводит к заметной асимметрии формы импульса выходного тока (рис. 11.6, б), наблюдаемой в реальных ПК. Это явление порождает зависимость фазы первой гармоники выходного тока ПК от уровня возбуждения.
Еще
одно неявное допущение проведенного
анализа — взаимная однозначность
соответствия между
и
Это
допущение справедливо
Рис. 11.7. К формированию конвекционного тока на выходе ПК при Х> 1
при X
< 1.
Однако при Х>
1
зависимость
становится немонотонной (рис. 11.7, X
= 3). Поэтому в один и тот же интервал
времени d
могут попасть электроны, пролетевшие
через первый резонатор в разнесенных
интервалах d
,
d
,
d
.
Таким образом, в этой ситуации следовало бы вместо (11.13) писать
(11.15)
К счастью, пренебрежение этим обстоятельством мало влияет на конечные результаты.
Конвекционный ток i2, пересекающий емкостный зазор выходного резонатора ПК, периодичен во времени, поэтому он может быть разложен в ряд Фурье в целях определения амплитуд гармонических составляющих. Выполняя необходимые математические процедуры (см. [4]), находим
Jn(nX),
(11.16)
где п = 1,2,3, ... — номер гармоники; Jn(nX) — функция Бесселя первого рода порядка п. Сравнение относительного уровня первой и некоторых высших гармоник конвекционного тока (рис. 11.8) показывает, что ПК в принципе может быть эффективен как умножитель частоты, поскольку максимум десятой гармоники лишь примерно вдвое меньше максимальной амплитуды основной составляющей.
Наведенный в резонаторе ток получается умножением амплитуды соответствующей составляющей тока конвекции на коэффициент М2, аналогичный ранее введенному М1 [см. (11.7)], т. е.
Рис. 11.8. Иллюстрация соотношения амплитуд гармоник конвекционного тока в пролетном клистроне
(11.17)
С учетом номера гармоники для зазора с сетками
(11.18)
где
.
Для дальнейшего
анализа усилительного режима ПК стоит
запомнить, что j1(X)
достигает максимума при X =
1,84; J1(l,84)
= J1m
= 0,583;
первый нуль
функции j1(X)
имеет место при Х=3,83.
Средняя крутизна
ПК по первой гармонике определяется,
как обычно, отношением
Используя
рис. 11.5 и формулу (11.17), находим:
.
(11.19)
,
(11.20)
где S0
= у MxM2t0G0
— малосигнальная
крутизна; G0
- I0/Ep
— проводимость
луча по постоянному току;
—
нелинейная поправка.
Оценим значение
S0.
Пусть: М1=М2
= 0,8; I0
= 100 мА; Ер
= 2
кВ. Тогда
согласно (11.20)
0,3 мА/В, т. е. ПК обладает крохотной по
сравнению с транзисторами крутизной.
Рис. 11.9. Зависимость нормированной средней крутизны ПК от параметра группирования
График
функции
(Х)
построен
на рис. 11.9. Очевидно, что ПК имеет мягкую
колебательную характеристику. При
максимальном выходном токе первой
гармоники усиление по напряжению
составляет 0,63 его значения на малом
сигнале, т.е. снижается на 4 дБ.
