- •1.1 Классификация передатчиков
- •1.2. Требования к выходным сигналам и параметрам передатчика
- •1.3. Структурные схемы передатчиков
- •1.4. Структурные схемы основных функциональных узлов и общие сведения о них
- •2.1. Статические характеристики активных элементов
- •2.2. Классификация режимов активных элементов в усилителях мощности
- •2.3. Гармонический анализ косинусоидальных импульсов
- •2.4. Другие формы импульсов тока и их гармонический анализ
- •2.5. Нелинейная модель биполярного транзистора и аппроксимация ее характеристик
- •2.6. Формы токов биполярного транзистора с учетом его инерционности при возбуждении от источника напряжения
- •2.7. Гармонический анализ токов. Расчет у-параметров транзистора в режиме большого сигнала
- •2.8. Гармонический анализ токов и напряжений в биполярном транзисторе при возбуждении от
- •§ 2.7, Выражаем комплексные амплитуды первых гармоник напряжения на входе и тока на выходе ik1 ( через комплексные амплитуды тока базы и напряжения на коллекторе :
- •3.1. Задачи проектирования и реализации
- •3.2. Выбор режима активного элемента в усилителе мощности
- •3.3. Выбор активного элемента для усилителя
- •3.4. Выбор угла отсечки
- •3.5. Расчет усилителя в критическом режиме на заданную мощность в нагрузке
- •3.6. Нагрузочные характеристики усилителя мощности
- •3.7. Влияние амплитуды напряжения возбуждения, питающих напряжений и температуры на режим усилителя мощности
- •3.8. Простые цепи согласования в усилителях мощности
- •3.9. Оценка фильтрации высших гармоник
- •3.10. Учет потерь в простых цепях согласования и общий кпд коллекторной цепи
- •§ 3.8 Уже было
- •3.11. Принципиальные схемы усилителей мощности
- •4.1. Общие соотношения при амплитудной
- •4.2. Модуляция смещением
- •4.3. Усиление модулированных колебаний
- •4.4. Коллекторная модуляция
- •4.5. Комбинированная коллекторная модуляция
- •4.6. Расчет усилителя мощности при коллекторной
- •4.7. Схемы выходных каскадов при коллекторной и комбинированной модуляции
- •5.1. Общие сведения
- •5.2. Параллельное включение активных элементов
- •5.3. Двухтактное включение активных элементов
- •5.4. Мостовое включение активных элементов
- •6.1. Общие сведения о ключевых
- •6.2. Двухтактный кум с переключением напряжения на биполярных транзисторах
- •6.3. Порядок расчета двухтактного кум
- •6.4. Однотактные кум
- •6.5. Расчет режима транзистора в однотактном кум
- •7.1. Общие сведения
- •7.2. Основные уравнения автогенератора
- •7.2.1. Уравнения стационарного режима
- •7.2.2. Расчет частоты автоколебаний. Необходимое условие фазовой устойчивости стационарного режима
- •7.2.3. Расчет амплитуды автоколебаний. Условия амплитудной устойчивости
- •7.3. Расчет и обеспечение устойчивости стационарных колебаний в автогенераторе при кусочно-линейных вольт-амперных характеристиках активного элемента
- •7.3.1. Колебательные характеристики активного элемента с кусочно-линейными вольт-амперными характеристиками в автогенераторе
- •7.3.2. Стационарные режимы в автогенераторах с цепями автоматического смещения. Применение диаграмм срыва и диаграмм смещения для расчета стационарных режимов
- •7.3.3. Анализ устойчивости стационарных режимов в автогенераторах с автосмещением. Режимы прерывистой генерации и самомодуляции
- •7.3.4. Нагрузочные характеристики автогенератора
- •7.3.5. Подход к выбору и расчету режима автогенератора
- •7.4. Схемы автогенераторов
- •7.4.1. Принципы построения схем автогенераторов
- •7.4.2. Высокочастотная эквивалентная схема с идеальным трансформатором
- •7.4.3. Обобщенная трехточечная схема
- •7.4.4. Емкостная и индуктивная трехточки
- •7.4.5. Цепи питания, смещения и связи с нагрузкой в схемах автогенераторов
- •7.5. Регулировочные характеристики автогенераторов
- •7.6. Нестабильность частоты автоколебаний
- •7.7. Кварцевая стабилизация частоты
- •8.1. Основные характеристики радиосигналов с угловой модуляцией
- •8.2. Структурные схемы передатчиков с угловой модуляцией
- •8.3. Характеристики передатчиков с угловой модуляцией
- •8.4. Методы получения чм- и фм-сигналов
- •8.5. Частотная модуляция в автогенераторах с помощью варикапа
- •8.6. Модуляторы фазы
- •8.7. Интегральные генераторы, управляемые по частоте
- •9.1. Требования к синтезаторам частот
- •9.2. Структуры синтезаторов частот
- •9.3. Источники опорных высокостабильных колебаний
- •9.4 Цифровые вычислительные синтезаторы
- •9.5. Синтезаторы на основе кольца фазовой
- •9.6. Интегральные синтезаторы частот
- •10.1. Конструкция биполярных свч-транзисторов
- •10.1.1. Структура биполярных свч-транзисторов
- •10.1.2. Оксибериллиевый изолятори внутреннее устройство мощного бт свч
- •10.1.3. Паразитные индуктивности и емкости выводов
- •10.1.4. Специализация биполярных свч-транзисторов
- •10.2. Режимы и параметры биполярных транзисторов
- •10.2.1. Питающее напряжение
- •10.2.2. Отсечка тока в биполярных свч-транзисторах
- •10.2.3. Система параметров биполярных свч -транзисторов
- •10.2.4. Модель биполярного свч-транзистора
- •10.3. Свойства биполярных свч-транзисторов в схемах резонансных усилителей с общим эмиттером и общей базой
- •10.4. Схемы усилителей мощности на биполярных свч-транзисторах
- •10.5. Конструкции транзисторных свч-устройств
- •11.1. Общие сведения о пролетных клистронах
- •11.2. Принцип действия пролетного клистрона
- •11.3. Теория группирования
- •11.4. Характеристики пролетного клистрона и способы их улучшения
- •12.1. Общие сведения
- •12.2. Устройство и принцип действия лбв-о
- •12.3. Рабочие характеристики лбв-о
- •12.4. Лампы обратной волны
- •13.1. Общие сведения
- •13.2. Движение электронов в скрещенных электрическом и магнитном полях
- •13.3. Структура поля и электронного потока при генерации свч-мощности
- •13.4. Характеристики и параметры магнетронных
- •13.4.1. Коэффициент полезного действия
- •13.4.2. Рабочие характеристики
- •13.4.3. Нагрузочные характеристики
- •13.5. Виды магнетронных автогенераторов и усилителей мощности
- •13.5.1. Основные сведения
- •13.5.2. Митрон — магнетрон, перестраиваемый по частоте напряжением
- •13.5.3. Амплитрон — магнетронный усилитель мощности
- •13.5.4. Генераторы на лампах бегущей и обратной волны типа м
- •13.6. Формирование модулированных колебаний в приборах типа м
- •14.1. Основные классы и области применения полупроводниковых диодных генераторов
- •14.2. Принцип действия и характеристики лавинно-пролетного диода
- •14.2.1. Общие сведения
- •14.2.2. Статический режим лпд
- •14.2.3. Понятие о слое умножения и пролетном
- •14.2.4. Пролетный режим лпд
- •14.3. Принцип действия и характеристики диода Ганна
- •14.3.1. Общие сведения
- •14.3.2. Механизм возникновения отрицательной проводимости в дг
- •14.3.3. Домены сильного поля. Динамика доменов
- •14.3.4. Режимы работы дг в генераторной схеме
- •14.4. Конструкции и эквивалентные схемы диодных генераторов
- •14.5. Управление колебаниями диодных генераторов
- •14.6. Способы повышения кпд диодных генераторов
- •Кулешов Валентин Николаевич, Удалов Николай Николаевич, Богачёв Вячеслав Михайлович, Белов Леонид Алексеевич, Коптев Глеб Иванович, Царапкин Дмитрий Петрович, Хрюнов Анатолий Васильевич
11.1. Общие сведения о пролетных клистронах
Пролетный клистрон (ПК) —типичный представитель электровакуумных приборов СВЧ типа О, особенность которых — наличие протяженного прямолинейного электронного потока.
Пролетный клистрон изобретен в США братьями Вариан (Varian) в 1939 г. Работа ПК основана на использовании инерции электронов, т. е. в данном случае явление, мешающее работе привычных активных приборов, положено в основу принципа действия ПК. В наше время ПК применяется в основном как усилитель мощности, хотя вполне возможно организовать внешнюю либо внутреннюю цепь обратной связи и запустить ПК в автогенераторном режиме. В радиолокационных и других радиосистемах ПК нередко используется в качестве преобразователя сдвига частоты и умножителя частоты.
Пролетные клистроны выпускаются в диапазоне частот от 200 МГц (длина волны 0= 1,5 м) до примерно 24 ГГц ( 0 1,25 см). Выходная мощность ПК может составлять от единиц ватт до 1 МВт в непрерывном режиме и до 100 МВт в импульсном режиме. В настоящее время ПК — это самый мощный усилитель СВЧ.
У мощных ПК полный КПД достигает 70 % при коэффициенте усиления по мощности 30...60 дБ и полосе пропускания 1...10%. Сравнительно узкая полоса пропускания — основной недостаток УМ на ПК.
Пролетный клистрон в отличие от УМ на транзисторах и лампах бегущей волны (последние рассматриваются в следующей главе) обеспечивает практически полную развязку между высокочастотными входом и выходом прибора. Это достоинство превращает ПК в прекрасный буферный усилитель.
11.2. Принцип действия пролетного клистрона
Структурная схема ПК (рис. 11.1) включает в себя три основных блока: электронную пушку (ЭП), блок резонаторов (БР) и коллектор (К).
Электронная пушка формирует прямолинейный пучок электронов (либо несколько параллельных пучков), движущихся через блок резонаторов, где они взаимодействуют с высокочастотным полем и далее попадают на коллектор.
Постоянный ток на входе БР (он же — ток катода; ток на выходе ЭП) будем обозначать как I0. При пролете через БР часть электронов оседает на элементах конструкции, поэтому средний ток коллектора Iкол несколько меньше I0. Потери тока в БР характеризуются коэффициентом токопрохождения kT. Для современных ПК типичны значения kT 0,90...0,95.
Скорость
электронов,
влетающих в БР, определяется разностью
потенциалов между БР и катодом ЭП,
называемой напряжением
на резонаторах Ер.
На
практике БР гальванически соединяется
с внешним кожухом прибора (если
последний имеется) и заземляется, а
отрицательное напряжение Ер
подается
на катод.
Формула для расчета vQ, м/с, следует из закона сохранения энергии:
(11.1)
Здесь Е в киловольтах.
Несложно подсчитать, что, например, при Ер = 2,5 кВ значение
составляет около 30 тыс. км/с, т. е. примерно 1/10 скорости света в вакууме.
Рассмотрим более детально конструкцию и принцип действия ПК на примере простейшего двухрезонаторного клистрона (рис. 11.2).
Электронная пушка в данном случае включает в себя оксидный катод, подогреваемый нитью накала, и вспомогательный управляющий электрод (УЭ) типа диафрагмы, служащий для формирования электронного луча заданного диаметра и его фокусировки. На управляющий электрод подается небольшое (обычно в пределах 0...100 В) напряжение Еу, отрицательное по отношению к катоду.
Колебательная система ПК представлена на рис. 11.2 двумя тороидальными резонаторами с сетками, закрывающими центральную часть. Обмен энергией между электронным потоком и высокочастотным полем происходит именно в центральной части резонаторов (пространстве взаимодействия), где существует сильное продольное электрическое поле. Важно подчеркнуть, что в отличие от обычных
Рис. 11.1. Структурная схема пролетного клистрона
Рис. 11.2. Эскиз конструкции и схема питания двухрезонаторного пролетного клистрона:
S — расстояние между отсчетными плоскостями резонаторов — длина пространства группирования; dp d2 — расстояние между сетками резонаторов
радиоламп или транзисторов для осуществления энергетического взаимодействия в данном случае не требуется попадания электронов на электроды, поэтому пары сеток выполняются по возможности «прозрачными» для потока электронов.
Эквивалентная схема тороидального резонатора по отношению к его центральной части (рис. 11.3) имеет вид параллельного колебательного контура с магнитной связью с внешним трактом. Индуктивность контура L ассоциируется с тороидальной полостью, емкость С — с емкостью высокочастотного зазора между сетками резонатора, индуктивность LCB — с входной петлей связи, резистор R0 отображает резонансное сопротивление контура на холостом ходу при отключенном электронном луче, элемент Ye = Ge + jBe описывает электронную нагрузку, возникающую вследствие шунтирующего воздействия электронного луча на параметры резонатора.
Рис. 11.3. Эквивалентная схема резонатора пролетного клистрона при учете электронной нагрузки
Резонансная
частота контура f0
.
Знак
приближенного равенства поставлен,
чтобы подчеркнуть отсутствие учета
влияния Ве
и
реактивности, вносимой из внешнего
тракта. Характеристическое
сопротивление
эквивалентного контура
=
=
100...
120 Ом.
Собственная добротность резонатора Q0 обычно равна 200...500 для резонатора с сетками и (1…4)10 для современных резонаторов без сеток.
На
рис. 11.4 представлена полная эквивалентная
схема двухрезонаторного ПК. Чтобы
не загромождать рисунок, электронные
нагрузки отнесены к собственным
параметрам эквивалентных контуров.
Напоминанием об их существовании служит
замена индекса «0» при резонансном
сопротивлении контура на индекс «э».
Усилительные свойства ПК имитируются
управляемым источником тока первой
гармоники
;
RBX
—
внутреннее сопротивление возбудителя;
RH
—
сопротивление полезной нагрузки.
Очевидно,
что схема на рис. 11.4 описывает простой
однокаскад-ный резонансный усилитель.
Принципиальное отличие от обычного
усилителя заключается лишь в способе
получения высокочастотного тока
,
питающего выходной контур. В радиолампе
или транзисторе переменный ток на
выходе активного элемента получается
благодаря тому, что переменное
напряжение на управляющем электроде
меняет значение протекающего тока с
частотой сигнала возбуждения. В клистроне
ток катода постоянен, периодическое
изменение выходного тока достигается
использованием иного физического
механизма. Рассмотрим этот вопрос.
От внешнего источника на вход ПК поступает сигнал возбуждения, имеющий мощность Рвх. Потери во входной цепи согласования, как и в первой части книги, будем характеризовать КПД входной ЦС
Рис. 11.4. Эквивалентная схема усилителя мощности на двухрезонаторном пролетном клистроне
вх.
Соответственно мощность возбуждения
Рв,
непосредственно
рассеиваемая во входном резонаторе ПК,
составит
(11.2)
Резонансное сопротивление и добротность входного резонатора, нагруженного внутренним сопротивлением возбудителя, будут равны:
(11.3)
(11.4)
Используя (11.2), (11.3), можно рассчитать амплитуду синусоидального переменного напряжения на входном резонаторе, полагая его настроенным на частоту сигнала возбуждения:
(11.5)
Пусть,
например,
= 1
Вт,
= 5 кОм. Тогда, очевидно,
= 100 В.
Под
воздействием переменного напряжения
uB(t)
= UB
sin(
на зазоре входного резонатора половина
пролетающих через него электронов
дополнительно ускоряется, а другая
половина — замедляется, т. е. в первом
резонаторе происходит модуляция
электронного потока по скорости.
Резонаторы на рис. 11.2 соединены между собой металлической трубкой, называемой трубкой дрейфа. Пространство внутри трубки дрейфа экранировано от внешних электрических полей. Поэтому, если отвлечься от сил взаимного отталкивания электронов, можно принять, что электроны в
этой зоне движутся по инерции. Это позволяет наглядно представить их движение после вылета из первого резонатора с помощью пространственно-временной диаграммы на рис. 11.5, на котором по оси абсцисс отложено время t, а по оси ординат — пройденное электронами расстояние у по направлению ко второму резонатору.
Электроны, пролетевшие через первый резонатор в момент перехода иъ через нуль, не меняют скорости. Если перед сменой знака ив имело положительную полярность, то ранее пролетевшие электроны дополнительно ускоряются и в процессе дальнейшего движения все более удаляются от своих соседей, сохранивших скорость. В противоположной ситуации, т. е. при смене знака ив с отрицательного на положительный, модуляция скорости электронов СВЧ-полем приводит к сближению траекторий электронов в процессе их дальнейшего движения в сторону второго резонатора. Иначе говоря, происходит группирование электронов, приводящее к периодическому изменению мгновенной плотности электронного потока в каждом конкретном сечении ПК. Поэтому участок между резонаторами называется
Рис. 11.5. Пространственно-временная диаграмма движения электронов в пролетном клистроне
пространством группирования или пространством группировки. Сам первый резонатор часто называют группирователем.
В результате пролета сгустков электронов между сетками второго резонатора в нем индуцируется высокочастотный ток с периодом сигнала возбуждения, что и обеспечивает в конечном счете появление усиленного сигнала на выходе прибора. В этом смысле выходной резонатор иногда называют улавливателем. Однако напомним еще раз, что для передачи энергии от сгруппированного электронного луча СВЧ-полю, возбуждаемому в выходном резонаторе, не требуется оседание электронов на его правой (см. рис. 11.2) сетке. Достаточно того, что электроны здесь двигаются в тормозящем высокочастотном поле.
Объясняя коротко суть физических процессов, обеспечивающих функционирование ПК, часто говорят об использовании принципа преобразования модуляции по скорости в модуляцию по плотности, основанного на инерции электронов.
