- •1.1 Классификация передатчиков
- •1.2. Требования к выходным сигналам и параметрам передатчика
- •1.3. Структурные схемы передатчиков
- •1.4. Структурные схемы основных функциональных узлов и общие сведения о них
- •2.1. Статические характеристики активных элементов
- •2.2. Классификация режимов активных элементов в усилителях мощности
- •2.3. Гармонический анализ косинусоидальных импульсов
- •2.4. Другие формы импульсов тока и их гармонический анализ
- •2.5. Нелинейная модель биполярного транзистора и аппроксимация ее характеристик
- •2.6. Формы токов биполярного транзистора с учетом его инерционности при возбуждении от источника напряжения
- •2.7. Гармонический анализ токов. Расчет у-параметров транзистора в режиме большого сигнала
- •2.8. Гармонический анализ токов и напряжений в биполярном транзисторе при возбуждении от
- •§ 2.7, Выражаем комплексные амплитуды первых гармоник напряжения на входе и тока на выходе ik1 ( через комплексные амплитуды тока базы и напряжения на коллекторе :
- •3.1. Задачи проектирования и реализации
- •3.2. Выбор режима активного элемента в усилителе мощности
- •3.3. Выбор активного элемента для усилителя
- •3.4. Выбор угла отсечки
- •3.5. Расчет усилителя в критическом режиме на заданную мощность в нагрузке
- •3.6. Нагрузочные характеристики усилителя мощности
- •3.7. Влияние амплитуды напряжения возбуждения, питающих напряжений и температуры на режим усилителя мощности
- •3.8. Простые цепи согласования в усилителях мощности
- •3.9. Оценка фильтрации высших гармоник
- •3.10. Учет потерь в простых цепях согласования и общий кпд коллекторной цепи
- •§ 3.8 Уже было
- •3.11. Принципиальные схемы усилителей мощности
- •4.1. Общие соотношения при амплитудной
- •4.2. Модуляция смещением
- •4.3. Усиление модулированных колебаний
- •4.4. Коллекторная модуляция
- •4.5. Комбинированная коллекторная модуляция
- •4.6. Расчет усилителя мощности при коллекторной
- •4.7. Схемы выходных каскадов при коллекторной и комбинированной модуляции
- •5.1. Общие сведения
- •5.2. Параллельное включение активных элементов
- •5.3. Двухтактное включение активных элементов
- •5.4. Мостовое включение активных элементов
- •6.1. Общие сведения о ключевых
- •6.2. Двухтактный кум с переключением напряжения на биполярных транзисторах
- •6.3. Порядок расчета двухтактного кум
- •6.4. Однотактные кум
- •6.5. Расчет режима транзистора в однотактном кум
- •7.1. Общие сведения
- •7.2. Основные уравнения автогенератора
- •7.2.1. Уравнения стационарного режима
- •7.2.2. Расчет частоты автоколебаний. Необходимое условие фазовой устойчивости стационарного режима
- •7.2.3. Расчет амплитуды автоколебаний. Условия амплитудной устойчивости
- •7.3. Расчет и обеспечение устойчивости стационарных колебаний в автогенераторе при кусочно-линейных вольт-амперных характеристиках активного элемента
- •7.3.1. Колебательные характеристики активного элемента с кусочно-линейными вольт-амперными характеристиками в автогенераторе
- •7.3.2. Стационарные режимы в автогенераторах с цепями автоматического смещения. Применение диаграмм срыва и диаграмм смещения для расчета стационарных режимов
- •7.3.3. Анализ устойчивости стационарных режимов в автогенераторах с автосмещением. Режимы прерывистой генерации и самомодуляции
- •7.3.4. Нагрузочные характеристики автогенератора
- •7.3.5. Подход к выбору и расчету режима автогенератора
- •7.4. Схемы автогенераторов
- •7.4.1. Принципы построения схем автогенераторов
- •7.4.2. Высокочастотная эквивалентная схема с идеальным трансформатором
- •7.4.3. Обобщенная трехточечная схема
- •7.4.4. Емкостная и индуктивная трехточки
- •7.4.5. Цепи питания, смещения и связи с нагрузкой в схемах автогенераторов
- •7.5. Регулировочные характеристики автогенераторов
- •7.6. Нестабильность частоты автоколебаний
- •7.7. Кварцевая стабилизация частоты
- •8.1. Основные характеристики радиосигналов с угловой модуляцией
- •8.2. Структурные схемы передатчиков с угловой модуляцией
- •8.3. Характеристики передатчиков с угловой модуляцией
- •8.4. Методы получения чм- и фм-сигналов
- •8.5. Частотная модуляция в автогенераторах с помощью варикапа
- •8.6. Модуляторы фазы
- •8.7. Интегральные генераторы, управляемые по частоте
- •9.1. Требования к синтезаторам частот
- •9.2. Структуры синтезаторов частот
- •9.3. Источники опорных высокостабильных колебаний
- •9.4 Цифровые вычислительные синтезаторы
- •9.5. Синтезаторы на основе кольца фазовой
- •9.6. Интегральные синтезаторы частот
- •10.1. Конструкция биполярных свч-транзисторов
- •10.1.1. Структура биполярных свч-транзисторов
- •10.1.2. Оксибериллиевый изолятори внутреннее устройство мощного бт свч
- •10.1.3. Паразитные индуктивности и емкости выводов
- •10.1.4. Специализация биполярных свч-транзисторов
- •10.2. Режимы и параметры биполярных транзисторов
- •10.2.1. Питающее напряжение
- •10.2.2. Отсечка тока в биполярных свч-транзисторах
- •10.2.3. Система параметров биполярных свч -транзисторов
- •10.2.4. Модель биполярного свч-транзистора
- •10.3. Свойства биполярных свч-транзисторов в схемах резонансных усилителей с общим эмиттером и общей базой
- •10.4. Схемы усилителей мощности на биполярных свч-транзисторах
- •10.5. Конструкции транзисторных свч-устройств
- •11.1. Общие сведения о пролетных клистронах
- •11.2. Принцип действия пролетного клистрона
- •11.3. Теория группирования
- •11.4. Характеристики пролетного клистрона и способы их улучшения
- •12.1. Общие сведения
- •12.2. Устройство и принцип действия лбв-о
- •12.3. Рабочие характеристики лбв-о
- •12.4. Лампы обратной волны
- •13.1. Общие сведения
- •13.2. Движение электронов в скрещенных электрическом и магнитном полях
- •13.3. Структура поля и электронного потока при генерации свч-мощности
- •13.4. Характеристики и параметры магнетронных
- •13.4.1. Коэффициент полезного действия
- •13.4.2. Рабочие характеристики
- •13.4.3. Нагрузочные характеристики
- •13.5. Виды магнетронных автогенераторов и усилителей мощности
- •13.5.1. Основные сведения
- •13.5.2. Митрон — магнетрон, перестраиваемый по частоте напряжением
- •13.5.3. Амплитрон — магнетронный усилитель мощности
- •13.5.4. Генераторы на лампах бегущей и обратной волны типа м
- •13.6. Формирование модулированных колебаний в приборах типа м
- •14.1. Основные классы и области применения полупроводниковых диодных генераторов
- •14.2. Принцип действия и характеристики лавинно-пролетного диода
- •14.2.1. Общие сведения
- •14.2.2. Статический режим лпд
- •14.2.3. Понятие о слое умножения и пролетном
- •14.2.4. Пролетный режим лпд
- •14.3. Принцип действия и характеристики диода Ганна
- •14.3.1. Общие сведения
- •14.3.2. Механизм возникновения отрицательной проводимости в дг
- •14.3.3. Домены сильного поля. Динамика доменов
- •14.3.4. Режимы работы дг в генераторной схеме
- •14.4. Конструкции и эквивалентные схемы диодных генераторов
- •14.5. Управление колебаниями диодных генераторов
- •14.6. Способы повышения кпд диодных генераторов
- •Кулешов Валентин Николаевич, Удалов Николай Николаевич, Богачёв Вячеслав Михайлович, Белов Леонид Алексеевич, Коптев Глеб Иванович, Царапкин Дмитрий Петрович, Хрюнов Анатолий Васильевич
8.5. Частотная модуляция в автогенераторах с помощью варикапа
Проектирование АГ, управляемых по частоте, кроме расчета энергетического режима и параметров контура сводится к выбору УЧ и схемы его подключения к контуру АГ так, чтобы полученная СМХ
удовлетворяла требованиям к максимальной девиации, уровню нелинейных искажений и допустимой ПАМ. Ограничимся рассмотрением двух схем АГ с варикапом: транзисторного АГ по схеме Клаппа (рис. 8.12) и КАГ с КР в контуре (рис. 8.13).
Зависимость емкости варикапа Св от напряжения на переходе ип определяется формулой (8.11) и показана на рис. 8.14.
Мгновенное напряжение на переходе состоит из суммы напряжений:
un = E0 + UΩ cos Ω t + Ucos ωt. (8.13)
Рис. 8.12. Управляемый по частоте автогенератор по схеме Клаппа с заземленной базой (а) и эквивалентная схема его контура (б)
Рис. 8.13. Управляемый по частоте автогенератор с КР в контуре, построенный по схеме с заземленным коллектором (я) и эквивалентная схема его контура (б)
Рис. 8.14. Вольт-фарадная характеристика варикапа и приложенные к переходу напряжения
Подбирая постоянное напряжение
устанавливаем начальную емкость варикапа Св.н = С0 в центре рабочего участка характеристики
Е0 = 0,5ип.mах, (8.14)
где ип мах — максимальное напряжение на переходе, превышение которого вызывает лавинное нарастание тока через диод (пробой). Модулирующий сигнал
∆E=UΩcos Ωt
задается в виде гармонического колебания низкой частоты.
К варикапу также приложено высокочастотное напряжение с частотой со, подаваемое на него с контура через элементы связи. Напряжение на контуре с нелинейной емкостью отличается от гармонического. Но если энергия, накопленная в варикапе, мала по сравнению с энергией емкости контура, то этим отличием можно пренебречь и считать высокочастотное напряжение на варикапе также гармониче-
Рис. 8.15. Схема автогенератора, управляемого по частоте варикапами (емкостная трехточка — схема Клаппа с заземленным коллектором)
ским U cos&t. Усредненная за период высокой частоты емкость варикапа при U Ф 0 несколько меньше емкости Св при U=0. Эта разница
пропорциональна U и при Umax ≈ 0,5| uп.max | не превышает 10%.
При расчете СМХ ее можно не учитывать. Более существенно увеличение нестабильности средней частоты АГ со0, связанное с зависимостью емкости варикапа Св от амплитуды высокочастотного напряжения U. Паразитная амплитудная модуляция, сопровождающая ЧМ, в этом случае непосредственно преобразуется в паразитную частотную модуляцию. При повышенных требованиях к стабильности ω0
используют два варикапа, включенных последовательно навстречу один другому (рис. 8.15). При этом изменение амплитуды высокочастотного тока в контуре слабее сказывается на усредненной за период емкости и соответственно на средней частоте ω0 так как амплитуда высокочастотного напряжения на каждом из последовательно включенных одинаковых варикапов падает вдвое. На рис. 8.15 изображен автогенератор по схеме емкостной трехточки (схема Клаппа) с модулятором на двух встречно включенных варикапах и с заземленным коллектором. Схема содержит все требуемые блокировочные элементы и источники питания.
На рис. 8.14 отмечены границы, в которых может меняться напряжение на переходе:
Условие (8.15) выполняется, если
(8.16)
Пределы изменения модулирующего напряжения симметричны относительно Е0 и находятся из (8.14), (8.16):
.
(8.17)
В одноконтурных АГ изменение частоты колебаний связано с параметрами его колебательной системы выражением
(8.18)
Рассмотрим управление частотой АГ по схеме Клаппа (см. рис. 8.12, а). Схема включения варикапа в контур (рис. 8.12, б) позволяет найти связь между ∆СК и АСВ:
(8.19)
где 1/Ск‘= 1/C1 + 1/С2 + 1/С3’ ; р1 = С0/(С3'' + С0) — коэффициент включения С0; р2 = С'К/(С'К + С3 + С0) — коэффициент
включения варикапа; С3', С3''— емкости контура АГ, показанные на
рис. 8.12, а. Требования к характеристикам АГ с ЧМ во многом противоречивы. Так, чем больше девиация частоты, тем хуже линейность СМХ и выше уровень ПАМ. В каждом конкретном случае должны быть установлены приоритетные требования. Управляемый АГ в радиорелейных линиях связи должен обладать высокой линейностью СМХ. Если АГ с ЧМ используется в системе автоматической подстройки частоты, то высокая линейность СМХ не нужна, а главным требованием является широкий диапазон перестройки частоты.
Максимальный диапазон перестройки для схемы АГ на рис. 8.12 найдем при следующих допущениях. Кривизну СМХ не учитываем, полагая
∆ω/ω0 = S1∆E/(φк - Е0). (8.20)
Средняя частота АГ ω0, соответствующая режиму молчания (∆Е = 0), при изменении коэффициента включения варикапа в контур р2
должна оставаться постоянной. Для выполнения последнего условия следует общую емкость контура АГ Ск 0 поддерживать неизменной:
(8.21)
Это означает, что коэффициент должен меняться одновременно с р2 в соответствии с (8.21). Для этого случая СМХ может быть получена из (8.20) с учетом (8.19) и (8.21):
(8.22)
Максимальный диапазон перестройки при Е = ∆Emax
,
(8.23)
где UK = U/p2 — полное напряжение на контуре АГ.
Наибольшая девиация ∆ωmах = ∆ωопт достигается выбором оптимального коэффициента включения варикапа р2. Значение р2 находится из (8.23) при условии d∆ωmax/dp2 = 0:
(8.24)
Подставляя (8.23) в (8.22), находим максимально возможную девиацию частоты Асо/го0 АГ с варикапом:
(8.25)
Из полученных выражений следует, что большую девиацию частоты ©о можно получить в маломощных АГ. Для расширения пределов изменения частоты при ЧМ, т.е. увеличения С0/Ск0 следует выбирать варикап, у которого емкость в рабочей точке С0 достаточно велика.
Следует отметить, что даже при выполнении неравенств (8.16) изменение добротности варикапа QB в зависимости от запирающего напряжения и изменения характеристического сопротивления кон-
тура приводит к возникновению ПАМ, которая преобразуется в паразитную ЧМ.
Уровень ПАМ, возникающий за счет модуляции добротности Qv оценивается коэффициентом модуляции
где ∆ωЧМ — девиация частоты; Qн — добротность нагруженного контура АГ; Qв — добротность варикапа в режиме молчания.
Изменение характеристического сопротивления контура АГ при модуляции дополнительно вызывает ПАМ с коэффициентом модуляции mПАМ
Как уже отмечалось, паразитная AM, вызываемая модуляцией добротности варикапа модулирующим сигналом, а также превышением мгновенным напряжением на переходе еп пробивного напряжения Uобр.mах или изменением его знака (еп > 0), приводит к появлению паразитной частотной модуляции (ПЧМ). Это происходит из-за влияния амплитуды колебаний АГ с модулятором на варикапе на частоту автоколебаний, как это было показано выше.
Следует отметить, что паразитная ЧМ в этом случае практически не может быть устранена никакими способами и проявляется как нелинейные искажения при ЧМ. В связи с этим требования к коэффициенту ПАМ в управляемых по частоте варикапами автогенераторах всегда чрезвычайно высоки. Например, в системах низовой связи его значение должно быть не выше нескольких процентов.
Нелинейные искажения при узкополосной ЧМ, вызываемые нелинейным преобразованием ПАМ в ПЧМ, рассчитываются по формуле
(8.25)
Основной причиной нелинейных искажений при ЧМ является нелинейность СМХ управляемого по частоте АГ. Для расчета коэффициента нелинейных искажений по второй гармонике можно использовать формулу
(8.26)
Смещение центральной частоты колебаний при модуляции определяется выражением
(8.27)
Между относительной номинальной девиацией частоты ∆ωчм/∆ω0, коэффициентом второй гармоники К2 и относительным средним сдвигом частоты при модуляции ∆ω0/ω0 существует следующая связь:
∆ω0/ω0 = K2(∆ωЧM/∆ω0).
Уменьшение значения К2, определяемого нелинейностью СМХ, в принципе возможно при использовании специальных корректоров модулирующего сигнала для внесения в него предыскажений, компенсирующих нелинейность модуляционной характеристики.
Для ряда областей применения сигналов ЧМ, например подвижной связи в УКВ-диапазоне, где необходимая девиация частоты ∆ωчм достаточно мала (∆ωчм/2R ≈ 5...10 кГц), что соответствует на рабочей частоте f0 > 30 МГц значению ∆ωчм/R0 ≈ 10-4, широко применяются модулируемые по частоте КАГ При этом возможно увеличение ∆ωчм на выходе передающего устройства благодаря применению каскадов умножения частоты, входящих обычно в его состав.
При таком способе получения ЧМ существуют особенности построения схем модуляторов на варикапе, так как при его проектировании возникает противоречие: с одной стороны, частота АГ стабилизируется кварцевым резонатором, а с другой стороны, необходимо изменять частоту по закону модуляции.
Принципы построения и схемы КАГ весьма разнообразны, но подавляющее их большинство выполняется по осцилляторным схемам, в которых кварц играет роль индуктивности контура АГ. При этом генерируемая частота оказывается между частотами последовательного ωкв и параллельного ωпар
резонансов кварца, но ближе к первому.
Поскольку параметры кварцевых резонаторов таковы, что С0 >> Скв, разница между этими частотами ∆ωп.п = ωпар-ωкв мала и определяется соотношением
.
Изменение частоты КАГ возможно в еще меньших пределах:
∆ωчм/ω0 < 0,З∆ωп п/ωкв,
что составляет приблизительно (2...3) 10 -4.
Но даже такие значения относительных изменений частоты оказываются достаточными в ряде практических случаев.
Управляемую реактивность, например варикапа, следует подключать к элементу контура АГ, в основном определяющему частоту колебаний, т. е. к кварцевому резонатору. Это включение может быть как последовательным, так и параллельным.
Возможные четыре варианта подключения управляющей емкости Су или индуктивности Ly к кварцевому резонатору показаны на рис. 8.16, а.
Влияние этих управляющих реактивностей на резонансные частоты кварцевого резонатора и максимально возможную девиацию частоты А©ЧМп]ах иллюстрируется рис. 8.16, б. Коротко проанализируем способы подключения управляющей емкости для выбора наилучшего.
1. При подключении Су параллельно резонатору понижается частота параллельного резонанса и уменьшается максимальная ∆ωчм.mах.
2. Последовательное включение Су повышает частоту последовательного резонанса ωкв и также уменьшает ∆ωчм.mах.
3. Последовательное включение Ьу понижает частоту последовательного резонанса ωкв и увеличивает ∆ωчм mах.
Рис. 8.16. Варианты подключения управляемых реактивностей к КР (я) и диаграмма, характеризующая их влияние на частоты резонансов кварца (б)
4. Параллельное включение L повышает частоту ωпар и увеличивает
∆ωчм.maх, но мало влияет на характеристику Хкв(ω) в области последовательного резонанса, вблизи которого и расположена частота колебаний АГ. Это не позволяет на практике реализовать преимущества влияния Ьу на резонансные частоты ωкв и ωпар при управлении частотой колебаний.
Таким образом, наиболее эффективным способом получения ЧМ в КАГ оказывается последовательное подключение к кварцевому резонатору Ly.
При использовании в качестве модулятора варикапа управляющий индуктивный элемент реализуется включением последовательно с варикапом такой корректирующей индуктивности Lкор, чтобы
ωLкop > 1 / (ωСв). При этом эквивалентная индуктивность такой цепи
L3 = Lкоp - 1 /ω Св(еп) зависит от запирающего напряжения на варикапе еи.
Известно, что частота генерируемых колебаний близка к частоте последовательного резонанса ωкв (при этом в осцилляторной схеме рис. 7.28 ω > ωкв). Подключение последовательно с КР цепочки Zкop, Св(еп), эквивалентной индуктивности Lэ понижает частоту колебаний ω, и при определенных значениях Lкор она может оказаться ниже частоты ωкв — частоты кварцевого резонатора (ω < ωкв).
Анализ такой схемы управления частотой КАГ приводит к следующим выражениям для расчета девиации частоты и коэффициента нелинейных искажений:
∆ωчм/ω0 = 0,25(1 - v)2 (C/Cкв(En 0))UΩ/ (φк+Еп ); (8.28)
К2 = (∆ωчм/ω0)(С0/Скв)[0,5 + (1 - v)(С0 / Св)]/[1 -v)2 (С0/Св)], (8.29)
где v= (ω0 - ωкв)/(ωпар - ωкв) — нормированная частота колебаний.
Из (8.28) и (8.29) следует, что при и < 0 достигается большая девиация частоты и уменьшаются нелинейные искажения, этому соответствует режим работы с частотой колебаний ω0 < ω
кв.
В заключение следует отметить, что в КАР с возбуждением на механических гармониках кварца возможности управления частотой уменьшаются, так как сокращается относительная полоса частот между параллельным ωпар и последовательным сокв резонансами
кварца. Это происходит из-за того, что в кварцевом резонаторе
С0 ≈ const на гармониках и основной частоте, а Скв уменьшается с уве-
личением номера гармоники и (при этом Скв(п)/ С0 ≈1/п ).
