- •1.1 Классификация передатчиков
- •1.2. Требования к выходным сигналам и параметрам передатчика
- •1.3. Структурные схемы передатчиков
- •1.4. Структурные схемы основных функциональных узлов и общие сведения о них
- •2.1. Статические характеристики активных элементов
- •2.2. Классификация режимов активных элементов в усилителях мощности
- •2.3. Гармонический анализ косинусоидальных импульсов
- •2.4. Другие формы импульсов тока и их гармонический анализ
- •2.5. Нелинейная модель биполярного транзистора и аппроксимация ее характеристик
- •2.6. Формы токов биполярного транзистора с учетом его инерционности при возбуждении от источника напряжения
- •2.7. Гармонический анализ токов. Расчет у-параметров транзистора в режиме большого сигнала
- •2.8. Гармонический анализ токов и напряжений в биполярном транзисторе при возбуждении от
- •§ 2.7, Выражаем комплексные амплитуды первых гармоник напряжения на входе и тока на выходе ik1 ( через комплексные амплитуды тока базы и напряжения на коллекторе :
- •3.1. Задачи проектирования и реализации
- •3.2. Выбор режима активного элемента в усилителе мощности
- •3.3. Выбор активного элемента для усилителя
- •3.4. Выбор угла отсечки
- •3.5. Расчет усилителя в критическом режиме на заданную мощность в нагрузке
- •3.6. Нагрузочные характеристики усилителя мощности
- •3.7. Влияние амплитуды напряжения возбуждения, питающих напряжений и температуры на режим усилителя мощности
- •3.8. Простые цепи согласования в усилителях мощности
- •3.9. Оценка фильтрации высших гармоник
- •3.10. Учет потерь в простых цепях согласования и общий кпд коллекторной цепи
- •§ 3.8 Уже было
- •3.11. Принципиальные схемы усилителей мощности
- •4.1. Общие соотношения при амплитудной
- •4.2. Модуляция смещением
- •4.3. Усиление модулированных колебаний
- •4.4. Коллекторная модуляция
- •4.5. Комбинированная коллекторная модуляция
- •4.6. Расчет усилителя мощности при коллекторной
- •4.7. Схемы выходных каскадов при коллекторной и комбинированной модуляции
- •5.1. Общие сведения
- •5.2. Параллельное включение активных элементов
- •5.3. Двухтактное включение активных элементов
- •5.4. Мостовое включение активных элементов
- •6.1. Общие сведения о ключевых
- •6.2. Двухтактный кум с переключением напряжения на биполярных транзисторах
- •6.3. Порядок расчета двухтактного кум
- •6.4. Однотактные кум
- •6.5. Расчет режима транзистора в однотактном кум
- •7.1. Общие сведения
- •7.2. Основные уравнения автогенератора
- •7.2.1. Уравнения стационарного режима
- •7.2.2. Расчет частоты автоколебаний. Необходимое условие фазовой устойчивости стационарного режима
- •7.2.3. Расчет амплитуды автоколебаний. Условия амплитудной устойчивости
- •7.3. Расчет и обеспечение устойчивости стационарных колебаний в автогенераторе при кусочно-линейных вольт-амперных характеристиках активного элемента
- •7.3.1. Колебательные характеристики активного элемента с кусочно-линейными вольт-амперными характеристиками в автогенераторе
- •7.3.2. Стационарные режимы в автогенераторах с цепями автоматического смещения. Применение диаграмм срыва и диаграмм смещения для расчета стационарных режимов
- •7.3.3. Анализ устойчивости стационарных режимов в автогенераторах с автосмещением. Режимы прерывистой генерации и самомодуляции
- •7.3.4. Нагрузочные характеристики автогенератора
- •7.3.5. Подход к выбору и расчету режима автогенератора
- •7.4. Схемы автогенераторов
- •7.4.1. Принципы построения схем автогенераторов
- •7.4.2. Высокочастотная эквивалентная схема с идеальным трансформатором
- •7.4.3. Обобщенная трехточечная схема
- •7.4.4. Емкостная и индуктивная трехточки
- •7.4.5. Цепи питания, смещения и связи с нагрузкой в схемах автогенераторов
- •7.5. Регулировочные характеристики автогенераторов
- •7.6. Нестабильность частоты автоколебаний
- •7.7. Кварцевая стабилизация частоты
- •8.1. Основные характеристики радиосигналов с угловой модуляцией
- •8.2. Структурные схемы передатчиков с угловой модуляцией
- •8.3. Характеристики передатчиков с угловой модуляцией
- •8.4. Методы получения чм- и фм-сигналов
- •8.5. Частотная модуляция в автогенераторах с помощью варикапа
- •8.6. Модуляторы фазы
- •8.7. Интегральные генераторы, управляемые по частоте
- •9.1. Требования к синтезаторам частот
- •9.2. Структуры синтезаторов частот
- •9.3. Источники опорных высокостабильных колебаний
- •9.4 Цифровые вычислительные синтезаторы
- •9.5. Синтезаторы на основе кольца фазовой
- •9.6. Интегральные синтезаторы частот
- •10.1. Конструкция биполярных свч-транзисторов
- •10.1.1. Структура биполярных свч-транзисторов
- •10.1.2. Оксибериллиевый изолятори внутреннее устройство мощного бт свч
- •10.1.3. Паразитные индуктивности и емкости выводов
- •10.1.4. Специализация биполярных свч-транзисторов
- •10.2. Режимы и параметры биполярных транзисторов
- •10.2.1. Питающее напряжение
- •10.2.2. Отсечка тока в биполярных свч-транзисторах
- •10.2.3. Система параметров биполярных свч -транзисторов
- •10.2.4. Модель биполярного свч-транзистора
- •10.3. Свойства биполярных свч-транзисторов в схемах резонансных усилителей с общим эмиттером и общей базой
- •10.4. Схемы усилителей мощности на биполярных свч-транзисторах
- •10.5. Конструкции транзисторных свч-устройств
- •11.1. Общие сведения о пролетных клистронах
- •11.2. Принцип действия пролетного клистрона
- •11.3. Теория группирования
- •11.4. Характеристики пролетного клистрона и способы их улучшения
- •12.1. Общие сведения
- •12.2. Устройство и принцип действия лбв-о
- •12.3. Рабочие характеристики лбв-о
- •12.4. Лампы обратной волны
- •13.1. Общие сведения
- •13.2. Движение электронов в скрещенных электрическом и магнитном полях
- •13.3. Структура поля и электронного потока при генерации свч-мощности
- •13.4. Характеристики и параметры магнетронных
- •13.4.1. Коэффициент полезного действия
- •13.4.2. Рабочие характеристики
- •13.4.3. Нагрузочные характеристики
- •13.5. Виды магнетронных автогенераторов и усилителей мощности
- •13.5.1. Основные сведения
- •13.5.2. Митрон — магнетрон, перестраиваемый по частоте напряжением
- •13.5.3. Амплитрон — магнетронный усилитель мощности
- •13.5.4. Генераторы на лампах бегущей и обратной волны типа м
- •13.6. Формирование модулированных колебаний в приборах типа м
- •14.1. Основные классы и области применения полупроводниковых диодных генераторов
- •14.2. Принцип действия и характеристики лавинно-пролетного диода
- •14.2.1. Общие сведения
- •14.2.2. Статический режим лпд
- •14.2.3. Понятие о слое умножения и пролетном
- •14.2.4. Пролетный режим лпд
- •14.3. Принцип действия и характеристики диода Ганна
- •14.3.1. Общие сведения
- •14.3.2. Механизм возникновения отрицательной проводимости в дг
- •14.3.3. Домены сильного поля. Динамика доменов
- •14.3.4. Режимы работы дг в генераторной схеме
- •14.4. Конструкции и эквивалентные схемы диодных генераторов
- •14.5. Управление колебаниями диодных генераторов
- •14.6. Способы повышения кпд диодных генераторов
- •Кулешов Валентин Николаевич, Удалов Николай Николаевич, Богачёв Вячеслав Михайлович, Белов Леонид Алексеевич, Коптев Глеб Иванович, Царапкин Дмитрий Петрович, Хрюнов Анатолий Васильевич
7.4.4. Емкостная и индуктивная трехточки
Чтобы в трехточечной схеме рис. 7.20 могли возникнуть и существовать автоколебания, обратная связь в АГ должна быть положительной. Это значит, что должно выполняться условие
Ry>0.
Как видно из (7.106), это условие выполняется тогда и только тогда, когда реактивные сопротивления jX1 и jX2 имеют одинаковый знак.
Если Х1 < 0 и Х2 < 0, то эти сопротивления имеют емкостный характер и соответствующая схема называется емкостной трехтонкой (ЕТ) [4]. В простейшем варианте, показанном на рис. 7.21, а, такая схема состоит из емкостей Сх, С2 и индуктивности Ьъ.
Если Хх > 0 и Х2 > 0, то эти сопротивления имеют индуктивный характер и соответствующую схему называют индуктивной трехтонкой (ИТ) [4].
Простейший вариант ИТ, показанный на рис. 7.21, б, состоит из индуктивностей Lx, L2 и емкости С3.
Рис. 7.21. Высокочастотные эквивалентные схемы трехточечных автогенераторов:
а — емкостная трехточка; б — индуктивная трехточка
В АГ на биполярных транзисторах по схеме ЕТ вместо индуктивности L3, как правило, включают последовательно соединенные
индуктивность L3 и емкость С3, имеющие на частоте I0 такое же реактивное сопротивление, как индуктивность Z3 (см. рис. 7.21, а). Аналогичную замену емкости С3 последовательно соединенными элементами С3 , Z,3 делают в схеме ИТ (рис. 7.21, б). Как будет показано далее, это позволяет реализовать требуемые в соответствии с расчетом режима АГ значения RK с использованием индуктивностей,
позволяющих обеспечить на рабочей частоте достаточно высокую добротность контура.
Для расчета параметров схем ЕТ и ИТ формулы (7.107)—(7.112) необходимо дополнить выражениями для Ls, С£. Кроме того, для расчетов удобны вытекающие из (7.104), (7.111) выражения для к и р через параметры схем ЕТ и ИТ. Перечисленные соотношения имеют следующий вид.
Для емкостной трехточки:
(7.114)
(7.115)
(7.116)
Для индуктивной трехточки:
(7.117)
(7.118)
(7.119)
Опираясь на результаты примера расчета режима АГ, приведенного в конце п. 7.3.5, находим параметры колебательной системы
такого АГ, предполагая, что он построен по схеме ЕТ с цепью Z,3 , С3
между коллектором и базой. Отправным пунктом расчета является
выбор индуктивности L3.
Реализовать катушку индуктивности с достаточно высокой добротностью можно, если модуль ее реактивного сопротивления на час-
тоте колебаний лежит в пределах от 200 до 500 Ом. В соответствии с (7.114), (7.108) выберем
р0 = (ω0Z1 )= 2πf0 = 200 Ом
и при f0 = 50 МГц из этого равенства и из (7.108) найдем
L3 = LT = 640 нГн; СƩ = 16 пФ.
Предположим, что реализованная индуктивность имеет собственную добротность QL = 100 и эта добротность равна добротности ненагруженного контура Q0, так что
Qo = QL =100
При выбранном КПД контура ηк = 0,4 добротность нагруженного контура находится по формуле (7.60), в соответствии с которой получим
Q = 60.
При найденных р и Q из (7.110) определяем
Rое=12кОм.
По известному из расчета режима RK = 245 Ом и найденному Roe из (7.112) получаем
= 0,143 .
Далее по (7.116) при известном Cz находим
C1 = CƩ / p= 112пФ,
и из (7.115) при известном k = 0,1
С2 = С1/k = 1120 пФ.
В заключение из (7.114) находим
С*3
=
пФ
Таким образом, приведенные выше соотношения позволяют по результатам расчета режима найти все параметры высокочастотной эквивалентной схемы одноконтурного АГ.
Вопрос о том, какую из трехточек следует брать за основу при построении реальных схем, решается по-разному. Решение зависит от рабочей частоты, требований к допустимой нестабильности частоты и к полосе перестройки, заданной мощности в нагрузке, ограничений на элементную базу и, в частности, на доступный набор АЭ
и индуктивных элементов, от требований к допустимому уровню высших гармоник в спектре выходного колебания. На практике маломощные АГ в настоящее время чаще выполняют на основе ЕТ. В этой схеме при прочих равных условиях может быть обеспечена более высокая стабильность частоты и более низкий уровень высших гармоник в спектре выходного колебания. Более подробное сравнение этих схем по названным показателям качества приводится далее в связи с изучением проблем нестабильности частоты автоколебаний.
