Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Kuleshov V.N. Udalov N.N. Bogachev V.M. i dr. G...doc
Скачиваний:
6
Добавлен:
01.07.2025
Размер:
146.32 Mб
Скачать

7.4.4. Емкостная и индуктивная трехточки

Чтобы в трехточечной схеме рис. 7.20 могли возникнуть и сущест­вовать автоколебания, обратная связь в АГ должна быть положитель­ной. Это значит, что должно выполняться условие

Ry>0.

Как видно из (7.106), это условие выполняется тогда и только тогда, когда реактивные сопротивления jX1 и jX2 имеют одинаковый знак.

Если Х1 < 0 и Х2 < 0, то эти сопротивления имеют емкостный характер и соответствующая схема называется емкостной трехтон­кой (ЕТ) [4]. В простейшем варианте, показанном на рис. 7.21, а, такая схема состоит из емкостей Сх, С2 и индуктивности Ьъ.

Если Хх > 0 и Х2 > 0, то эти сопротивления имеют индуктивный характер и соответствующую схему называют индуктивной трех­тонкой (ИТ) [4].

Простейший вариант ИТ, показанный на рис. 7.21, б, состоит из индуктивностей Lx, L2 и емкости С3.

Рис. 7.21. Высокочастотные эквивалентные схемы трехточечных автогенераторов:

а — емкостная трехточка; б — индуктивная трехточка

В АГ на биполярных транзисторах по схеме ЕТ вместо индуктив­ности L3, как правило, включают последовательно соединенные

индуктивность L3 и емкость С3, имеющие на частоте I0 такое же реактивное сопротивление, как индуктивность Z3 (см. рис. 7.21, а). Аналогичную замену емкости С3 последовательно соединенными элементами С3 , Z,3 делают в схеме ИТ (рис. 7.21, б). Как будет пока­зано далее, это позволяет реализовать требуемые в соответствии с расчетом режима АГ значения RK с использованием индуктивностей,

позволяющих обеспечить на рабочей частоте достаточно высокую добротность контура.

Для расчета параметров схем ЕТ и ИТ формулы (7.107)—(7.112) необходимо дополнить выражениями для Ls, С£. Кроме того, для рас­четов удобны вытекающие из (7.104), (7.111) выражения для к и р через параметры схем ЕТ и ИТ. Перечисленные соотношения имеют следующий вид.

Для емкостной трехточки:

(7.114)

(7.115)

(7.116)

Для индуктивной трехточки:

(7.117)

(7.118)

(7.119)

Опираясь на результаты примера расчета режима АГ, приведен­ного в конце п. 7.3.5, находим параметры колебательной системы

такого АГ, предполагая, что он построен по схеме ЕТ с цепью Z,3 , С3

между коллектором и базой. Отправным пунктом расчета является

выбор индуктивности L3.

Реализовать катушку индуктивности с достаточно высокой доброт­ностью можно, если модуль ее реактивного сопротивления на час-

тоте колебаний лежит в пределах от 200 до 500 Ом. В соответствии с (7.114), (7.108) выберем

р0 = (ω0Z1 )= f0 = 200 Ом

и при f0 = 50 МГц из этого равенства и из (7.108) найдем

L3 = LT = 640 нГн; СƩ = 16 пФ.

Предположим, что реализованная индуктивность имеет собствен­ную добротность QL = 100 и эта добротность равна добротности ненагруженного контура Q0, так что

Qo = QL =100

При выбранном КПД контура ηк = 0,4 добротность нагруженного кон­тура находится по формуле (7.60), в соответствии с которой получим

Q = 60.

При найденных р и Q из (7.110) определяем

Rое=12кОм.

По известному из расчета режима RK = 245 Ом и найденному Roe из (7.112) получаем

= 0,143 .

Далее по (7.116) при известном Cz находим

C1 = CƩ / p= 112пФ,

и из (7.115) при известном k = 0,1

С2 = С1/k = 1120 пФ.

В заключение из (7.114) находим

С*3 = пФ

Таким образом, приведенные выше соотношения позволяют по результатам расчета режима найти все параметры высокочастотной эквивалентной схемы одноконтурного АГ.

Вопрос о том, какую из трехточек следует брать за основу при построении реальных схем, решается по-разному. Решение зависит от рабочей частоты, требований к допустимой нестабильности час­тоты и к полосе перестройки, заданной мощности в нагрузке, ограни­чений на элементную базу и, в частности, на доступный набор АЭ

и индуктивных элементов, от требований к допустимому уровню высших гармоник в спектре выходного колебания. На практике мало­мощные АГ в настоящее время чаще выполняют на основе ЕТ. В этой схеме при прочих равных условиях может быть обеспечена более высокая стабильность частоты и более низкий уровень высших гар­моник в спектре выходного колебания. Более подробное сравнение этих схем по названным показателям качества приводится далее в связи с изучением проблем нестабильности частоты автоколебаний.

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]