- •1.1 Классификация передатчиков
- •1.2. Требования к выходным сигналам и параметрам передатчика
- •1.3. Структурные схемы передатчиков
- •1.4. Структурные схемы основных функциональных узлов и общие сведения о них
- •2.1. Статические характеристики активных элементов
- •2.2. Классификация режимов активных элементов в усилителях мощности
- •2.3. Гармонический анализ косинусоидальных импульсов
- •2.4. Другие формы импульсов тока и их гармонический анализ
- •2.5. Нелинейная модель биполярного транзистора и аппроксимация ее характеристик
- •2.6. Формы токов биполярного транзистора с учетом его инерционности при возбуждении от источника напряжения
- •2.7. Гармонический анализ токов. Расчет у-параметров транзистора в режиме большого сигнала
- •2.8. Гармонический анализ токов и напряжений в биполярном транзисторе при возбуждении от
- •§ 2.7, Выражаем комплексные амплитуды первых гармоник напряжения на входе и тока на выходе ik1 ( через комплексные амплитуды тока базы и напряжения на коллекторе :
- •3.1. Задачи проектирования и реализации
- •3.2. Выбор режима активного элемента в усилителе мощности
- •3.3. Выбор активного элемента для усилителя
- •3.4. Выбор угла отсечки
- •3.5. Расчет усилителя в критическом режиме на заданную мощность в нагрузке
- •3.6. Нагрузочные характеристики усилителя мощности
- •3.7. Влияние амплитуды напряжения возбуждения, питающих напряжений и температуры на режим усилителя мощности
- •3.8. Простые цепи согласования в усилителях мощности
- •3.9. Оценка фильтрации высших гармоник
- •3.10. Учет потерь в простых цепях согласования и общий кпд коллекторной цепи
- •§ 3.8 Уже было
- •3.11. Принципиальные схемы усилителей мощности
- •4.1. Общие соотношения при амплитудной
- •4.2. Модуляция смещением
- •4.3. Усиление модулированных колебаний
- •4.4. Коллекторная модуляция
- •4.5. Комбинированная коллекторная модуляция
- •4.6. Расчет усилителя мощности при коллекторной
- •4.7. Схемы выходных каскадов при коллекторной и комбинированной модуляции
- •5.1. Общие сведения
- •5.2. Параллельное включение активных элементов
- •5.3. Двухтактное включение активных элементов
- •5.4. Мостовое включение активных элементов
- •6.1. Общие сведения о ключевых
- •6.2. Двухтактный кум с переключением напряжения на биполярных транзисторах
- •6.3. Порядок расчета двухтактного кум
- •6.4. Однотактные кум
- •6.5. Расчет режима транзистора в однотактном кум
- •7.1. Общие сведения
- •7.2. Основные уравнения автогенератора
- •7.2.1. Уравнения стационарного режима
- •7.2.2. Расчет частоты автоколебаний. Необходимое условие фазовой устойчивости стационарного режима
- •7.2.3. Расчет амплитуды автоколебаний. Условия амплитудной устойчивости
- •7.3. Расчет и обеспечение устойчивости стационарных колебаний в автогенераторе при кусочно-линейных вольт-амперных характеристиках активного элемента
- •7.3.1. Колебательные характеристики активного элемента с кусочно-линейными вольт-амперными характеристиками в автогенераторе
- •7.3.2. Стационарные режимы в автогенераторах с цепями автоматического смещения. Применение диаграмм срыва и диаграмм смещения для расчета стационарных режимов
- •7.3.3. Анализ устойчивости стационарных режимов в автогенераторах с автосмещением. Режимы прерывистой генерации и самомодуляции
- •7.3.4. Нагрузочные характеристики автогенератора
- •7.3.5. Подход к выбору и расчету режима автогенератора
- •7.4. Схемы автогенераторов
- •7.4.1. Принципы построения схем автогенераторов
- •7.4.2. Высокочастотная эквивалентная схема с идеальным трансформатором
- •7.4.3. Обобщенная трехточечная схема
- •7.4.4. Емкостная и индуктивная трехточки
- •7.4.5. Цепи питания, смещения и связи с нагрузкой в схемах автогенераторов
- •7.5. Регулировочные характеристики автогенераторов
- •7.6. Нестабильность частоты автоколебаний
- •7.7. Кварцевая стабилизация частоты
- •8.1. Основные характеристики радиосигналов с угловой модуляцией
- •8.2. Структурные схемы передатчиков с угловой модуляцией
- •8.3. Характеристики передатчиков с угловой модуляцией
- •8.4. Методы получения чм- и фм-сигналов
- •8.5. Частотная модуляция в автогенераторах с помощью варикапа
- •8.6. Модуляторы фазы
- •8.7. Интегральные генераторы, управляемые по частоте
- •9.1. Требования к синтезаторам частот
- •9.2. Структуры синтезаторов частот
- •9.3. Источники опорных высокостабильных колебаний
- •9.4 Цифровые вычислительные синтезаторы
- •9.5. Синтезаторы на основе кольца фазовой
- •9.6. Интегральные синтезаторы частот
- •10.1. Конструкция биполярных свч-транзисторов
- •10.1.1. Структура биполярных свч-транзисторов
- •10.1.2. Оксибериллиевый изолятори внутреннее устройство мощного бт свч
- •10.1.3. Паразитные индуктивности и емкости выводов
- •10.1.4. Специализация биполярных свч-транзисторов
- •10.2. Режимы и параметры биполярных транзисторов
- •10.2.1. Питающее напряжение
- •10.2.2. Отсечка тока в биполярных свч-транзисторах
- •10.2.3. Система параметров биполярных свч -транзисторов
- •10.2.4. Модель биполярного свч-транзистора
- •10.3. Свойства биполярных свч-транзисторов в схемах резонансных усилителей с общим эмиттером и общей базой
- •10.4. Схемы усилителей мощности на биполярных свч-транзисторах
- •10.5. Конструкции транзисторных свч-устройств
- •11.1. Общие сведения о пролетных клистронах
- •11.2. Принцип действия пролетного клистрона
- •11.3. Теория группирования
- •11.4. Характеристики пролетного клистрона и способы их улучшения
- •12.1. Общие сведения
- •12.2. Устройство и принцип действия лбв-о
- •12.3. Рабочие характеристики лбв-о
- •12.4. Лампы обратной волны
- •13.1. Общие сведения
- •13.2. Движение электронов в скрещенных электрическом и магнитном полях
- •13.3. Структура поля и электронного потока при генерации свч-мощности
- •13.4. Характеристики и параметры магнетронных
- •13.4.1. Коэффициент полезного действия
- •13.4.2. Рабочие характеристики
- •13.4.3. Нагрузочные характеристики
- •13.5. Виды магнетронных автогенераторов и усилителей мощности
- •13.5.1. Основные сведения
- •13.5.2. Митрон — магнетрон, перестраиваемый по частоте напряжением
- •13.5.3. Амплитрон — магнетронный усилитель мощности
- •13.5.4. Генераторы на лампах бегущей и обратной волны типа м
- •13.6. Формирование модулированных колебаний в приборах типа м
- •14.1. Основные классы и области применения полупроводниковых диодных генераторов
- •14.2. Принцип действия и характеристики лавинно-пролетного диода
- •14.2.1. Общие сведения
- •14.2.2. Статический режим лпд
- •14.2.3. Понятие о слое умножения и пролетном
- •14.2.4. Пролетный режим лпд
- •14.3. Принцип действия и характеристики диода Ганна
- •14.3.1. Общие сведения
- •14.3.2. Механизм возникновения отрицательной проводимости в дг
- •14.3.3. Домены сильного поля. Динамика доменов
- •14.3.4. Режимы работы дг в генераторной схеме
- •14.4. Конструкции и эквивалентные схемы диодных генераторов
- •14.5. Управление колебаниями диодных генераторов
- •14.6. Способы повышения кпд диодных генераторов
- •Кулешов Валентин Николаевич, Удалов Николай Николаевич, Богачёв Вячеслав Михайлович, Белов Леонид Алексеевич, Коптев Глеб Иванович, Царапкин Дмитрий Петрович, Хрюнов Анатолий Васильевич
7.4.3. Обобщенная трехточечная схема
Если трехполюсник обратной связи в структурной схеме рис. 7.2 заменить П-образной эквивалентной схемой, то получится высокочастотная эквивалентная схема, показанная на рис. 7.20. Ее в теории автогенераторов называют обобщенной трехточечной схемой [4].
Если в схеме рис. 7.20 каждый из элементов Z1, Z2, Z3 представляет собою индуктивность, емкость или их последовательное соединение, то цепь обратной связи АГ является колебательным контуром, к которому частично подключены вход и выход АЭ. Такие АГ относятся к классу одноконтурных. С учетом потерь комплексные сопротивления этой схемы представим в виде: Zt = ri + jXt, (i = 1, 2, 3). Поскольку в АГ требуется высокодобротный контур, потери в элементах должны быть относительно малы, т. е. можно полагать
ri <<|Xi|, i= 1,2,3. (7.84)
Для сравнительного анализа трехточечных схем найдем выражения параметров схемы с идеальным трансформатором через Z1, Z2, Z3. Согласно рис. 7.20 входное сопротивление цепи обратной связи и
Рис. 7.20. Обобщенная трехточечная эквивалентная схема автогенератора
оэффициент обратной связи, рассчитанные при Iвх1 = 0, находятся по формулам:
(7.85)
(7.86)
Отсюда
(7.87)
Сопротивление рассеяния Zσ равно выходному сопротивлению колебательной системы при коротком замыкании коллекторной цепи.
Соответственно
(7.88)
Для одноконтурных трехточечных АГ при выполнении условия (7.84) коэффициент трансформации (7.86) с малой погрешностью можно считать вещественным и записать в виде
(7.89)
а сопротивление рассеяния (7.88) — в виде Zσ = jXσ, причем
(7.90)
При обычно выполняющемся для рассматриваемого класса АГ в соответствии с (7.83), (7.85) можно положить
(7.91)
а с учетом (7.84)
(7.92)
где
ХƩ=Х1+Х2+Х3 (7.93)
rƩ=r1+r2+r3 (7.94)
Отметим, что в знаменателе выражения (7.92) сопротивлением rs нельзя пренебрегать, поскольку при автоколебаниях на частоте, близкой к резонансной частоте контура, обычно <г £, а на резонансной частоте Х% = 0.
Из (7.92), (7.93) вытекают следующие выражения для модуля ZK и фазы ф2 в одноконтурной трехточечной схеме:
Zk
=|
Zk
|=
(7.95)
(7.96)
Для коэффициента обратной связи (7.82) выражение через элементы обобщенной трехточечной схемы с учетом (7.89), (7.90) можно записать в виде
(7.97)
а с учетом (7.93) вместо (7.89) запишем
(7.98)
Условие k0 > 0, при котором построена схема с ИТ (рис. 7.18, а), выполняется в том и только в том случае, если реактивные сопротивления
Х1 и Х2 имеют одинаковые знаки, т.е.
Х2 / Х1>0, (7.99)
поскольку при допущениях (7.84) и |XƩ| < rƩ знак знаменателя в (7.98) совпадает со знаком Хх. С учетом этого из (7.97) получим следующие выражения для модуля k и фазы φк коэффициента обратной связи:
(7.100)
(7.101)
Выражения (7.95), (7.96), (7.100), (7.101) будут далее использованы при анализе уравнений баланса амплитуд (7.12) и баланса фаз (7.13) конкретных трехточечных схем.
Воспользуемся ими, чтобы рассмотреть важный для практики частный случай АГ с идеальным АЭ, у которого
φS = 0 и Sвх1=0. (7.102)
В этом случае, как видно из (7.101), φк=0, и из уравнения баланса фаз (7.13) (при т = 0) следует, что на частоте колебаний f0 в рассматриваемой схеме
φZ = 0.
Как видно из (7.96), на этой частоте сумма реактивных составляющих сопротивлений трехточечной схемы равна нулю:
XZ=X1+X2+X3, (7.103)
а выражения для k (7.97), ZK (7.92) и Zy = kZк [см. (7.97), (7.92) и (7.14)] соответственно упрощаются и имеют вид:
k=Х2 / Х1=k; (7.104)
(7.105)
(7.106)
Таким образом, в рассматриваемом случае колебания в АГ происходят на резонансной частоте, практически равной частоте собственных колебаний контура без потерь с элементами jX1, jX2, jX3. На этой частоте коэффициент обратной связи к (7.104), входное сопротивление колебательного контура RK (7.105) и управляющее сопротивление Ry (7.106) являются вещественными величинами.
Выразим эти характеристики через используемые в теории радиотехнических цепей [20] параметры колебательного контура: полную индуктивность LƩ полную емкость CƩ, резонансную частоту
(7.107)
характеристическое сопротивление
(7.108)
добротность
Q=p / rƩ (7.109)
резонансное сопротивление
Roe= pQ (7.110)
Введем коэффициент включения контура в выходную цепь АЭ (между коллектором и эмиттером)
р = |Х1|/ р . (7.111)
Тогда выражения для RK (7.105) и Ry (7.106) можно представить в следующем виде:
RK=p2pQ=pXv (7.112)
Ry = kpRoe. (7.113)
Именно в такой форме их чаще всего используют при расчете параметров и анализе режимов одноконтурных трехточечных АГ.
