Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Kuleshov V.N. Udalov N.N. Bogachev V.M. i dr. G...doc
Скачиваний:
6
Добавлен:
01.07.2025
Размер:
146.32 Mб
Скачать

6.4. Однотактные кум

Схемы однотактных КУМ принято разбивать на две группы: с формирующим контуром и с фильтрующим контуром. Пример схемы с формирующим контуром С, L, rн показан на рис. 6.4, а (C1 — блокировочная емкость). Для обеспечения оптимального режима, соответствующего максимуму электронного КПД, контур должен иметь малую нагруженную добротность (Q = 2...4) и быть расстроен относительно рабочей частоты. Поэтому в нагрузке гене­ратора выделяется значительная мощность гармоник (около 10% при Θ = 70...90°). Заменив индуктивность L и емкость С1 последова­тельным контуром LфCф достаточно высокой нагруженной доб­ротностью (Q > 10), получим простейшую схему генератора с фильтрующим контуром. В этой схеме токами высших гармоник в сопротивлении нагрузки можно пренебречь.

Рис. 6.4. Схема однотактного КУМ (а) и эквивалентная схема его коллекторной цепи (б)

Рассмотрим формы напряжений и токов в выходной цепи КУМ с фильтрующим контуром. Заменим транзистор идеальным ключом (с нулевым внутренним сопротивлением), коллекторную емкость отнесем к емкости С (рис. 6.4, б). Будем считать, что через фильтр LфCфrн протекает синусоидальный ток с амплитудой I1, а через дроссель — постоянный ток I0. Тогда часть схемы на рис. 6.4, б справа от емкости С можно заменить источником тока I(τ) = I1(cosτ-cosΘ1) где τ = ωt; cosΘ1 = -I0 /I1,; 1— часть периода, в течение которой ток i(t) положителен (рис. 6.5, а).

Из схемы видно, что ток i(τ) равен сумме токов, протекающих через ключ iкл(т) и конденсатор iC (τ) (рис. 6.5, б и в). Когда ключ

Рис. 6.5. Временные диаграммы суммарного тока (а), тока ключа (б), тока заряда емкости С (в) и напряжения на коллекторе (г) в схеме однотактного КУМ

замкнут, напряжение на конденсаторе С и ток ic = ωС duк.э/dτ равны нулю, т. е. весь ток i(τ) течет через ключ:

(6.26)

Изучение процесса переключения в реальном транзисторе пока­зывает, что потери на активном этапе, т. е. при переключении из области отсечки в область насыщения и обратно, минимальны (и ими можно пренебречь), если в момент замыкания ключа τ0 отсутствуют скачки напряжения на нем и ток начинается с нуля: iкл0) = 0. Под­ставляя это условие в (6.26), находим τ0 = -ΘI.

Когда ключ разомкнут, ток через него равен нулю и весь ток i(τ) идет на заряд конденсатора С:

(6.27)

Проинтегрировав ток, найдем напряжение на коллекторе

(6.28)

где хс= 1/(ωС).

В момент τ0 + ключ вновь замыкается, что следует из условия периодичности. При этом ек.э0 + 2π) = 0, и из (6.28) определяем связь углов открывания и запирания:

sin(τ + 2π) - sinτ3 - (τ0 + 2π - τ3) cos τ 0 = 0. (6.29)

Отсюда

(6.30)

где ΘП = 0,5(τ3 - τ0) — угол прохождения тока через ключ (аналог высокочастотного угла отсечки Θ).

Введя коэффициенты разложения по типу (2.20), (2.22) и (2.24), запишем выражения для амплитуд гармоник тока iк.л(τ) и напряжения ек.э (τ):

(6.31)

(6.32)

где iкл м, ек.э max — максимальные значения тока ключа и напряжения ек.э, определяемые из (6.26) и (6.28).

Рис. 6.6. Зависимости модулей коэффициентов разложения

и фазы первой гармоники φI1 импульсов тока ключа от угла отсечки Θп

Коэффициенты разложения αI 1, αU 0, γU 0 γI 1 =γI 1 exp j φI 1 (рис. 6.6) используются далее для расчета коллекторной цепи однотактного КУМ.

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]