- •1.1 Классификация передатчиков
- •1.2. Требования к выходным сигналам и параметрам передатчика
- •1.3. Структурные схемы передатчиков
- •1.4. Структурные схемы основных функциональных узлов и общие сведения о них
- •2.1. Статические характеристики активных элементов
- •2.2. Классификация режимов активных элементов в усилителях мощности
- •2.3. Гармонический анализ косинусоидальных импульсов
- •2.4. Другие формы импульсов тока и их гармонический анализ
- •2.5. Нелинейная модель биполярного транзистора и аппроксимация ее характеристик
- •2.6. Формы токов биполярного транзистора с учетом его инерционности при возбуждении от источника напряжения
- •2.7. Гармонический анализ токов. Расчет у-параметров транзистора в режиме большого сигнала
- •2.8. Гармонический анализ токов и напряжений в биполярном транзисторе при возбуждении от
- •§ 2.7, Выражаем комплексные амплитуды первых гармоник напряжения на входе и тока на выходе ik1 ( через комплексные амплитуды тока базы и напряжения на коллекторе :
- •3.1. Задачи проектирования и реализации
- •3.2. Выбор режима активного элемента в усилителе мощности
- •3.3. Выбор активного элемента для усилителя
- •3.4. Выбор угла отсечки
- •3.5. Расчет усилителя в критическом режиме на заданную мощность в нагрузке
- •3.6. Нагрузочные характеристики усилителя мощности
- •3.7. Влияние амплитуды напряжения возбуждения, питающих напряжений и температуры на режим усилителя мощности
- •3.8. Простые цепи согласования в усилителях мощности
- •3.9. Оценка фильтрации высших гармоник
- •3.10. Учет потерь в простых цепях согласования и общий кпд коллекторной цепи
- •§ 3.8 Уже было
- •3.11. Принципиальные схемы усилителей мощности
- •4.1. Общие соотношения при амплитудной
- •4.2. Модуляция смещением
- •4.3. Усиление модулированных колебаний
- •4.4. Коллекторная модуляция
- •4.5. Комбинированная коллекторная модуляция
- •4.6. Расчет усилителя мощности при коллекторной
- •4.7. Схемы выходных каскадов при коллекторной и комбинированной модуляции
- •5.1. Общие сведения
- •5.2. Параллельное включение активных элементов
- •5.3. Двухтактное включение активных элементов
- •5.4. Мостовое включение активных элементов
- •6.1. Общие сведения о ключевых
- •6.2. Двухтактный кум с переключением напряжения на биполярных транзисторах
- •6.3. Порядок расчета двухтактного кум
- •6.4. Однотактные кум
- •6.5. Расчет режима транзистора в однотактном кум
- •7.1. Общие сведения
- •7.2. Основные уравнения автогенератора
- •7.2.1. Уравнения стационарного режима
- •7.2.2. Расчет частоты автоколебаний. Необходимое условие фазовой устойчивости стационарного режима
- •7.2.3. Расчет амплитуды автоколебаний. Условия амплитудной устойчивости
- •7.3. Расчет и обеспечение устойчивости стационарных колебаний в автогенераторе при кусочно-линейных вольт-амперных характеристиках активного элемента
- •7.3.1. Колебательные характеристики активного элемента с кусочно-линейными вольт-амперными характеристиками в автогенераторе
- •7.3.2. Стационарные режимы в автогенераторах с цепями автоматического смещения. Применение диаграмм срыва и диаграмм смещения для расчета стационарных режимов
- •7.3.3. Анализ устойчивости стационарных режимов в автогенераторах с автосмещением. Режимы прерывистой генерации и самомодуляции
- •7.3.4. Нагрузочные характеристики автогенератора
- •7.3.5. Подход к выбору и расчету режима автогенератора
- •7.4. Схемы автогенераторов
- •7.4.1. Принципы построения схем автогенераторов
- •7.4.2. Высокочастотная эквивалентная схема с идеальным трансформатором
- •7.4.3. Обобщенная трехточечная схема
- •7.4.4. Емкостная и индуктивная трехточки
- •7.4.5. Цепи питания, смещения и связи с нагрузкой в схемах автогенераторов
- •7.5. Регулировочные характеристики автогенераторов
- •7.6. Нестабильность частоты автоколебаний
- •7.7. Кварцевая стабилизация частоты
- •8.1. Основные характеристики радиосигналов с угловой модуляцией
- •8.2. Структурные схемы передатчиков с угловой модуляцией
- •8.3. Характеристики передатчиков с угловой модуляцией
- •8.4. Методы получения чм- и фм-сигналов
- •8.5. Частотная модуляция в автогенераторах с помощью варикапа
- •8.6. Модуляторы фазы
- •8.7. Интегральные генераторы, управляемые по частоте
- •9.1. Требования к синтезаторам частот
- •9.2. Структуры синтезаторов частот
- •9.3. Источники опорных высокостабильных колебаний
- •9.4 Цифровые вычислительные синтезаторы
- •9.5. Синтезаторы на основе кольца фазовой
- •9.6. Интегральные синтезаторы частот
- •10.1. Конструкция биполярных свч-транзисторов
- •10.1.1. Структура биполярных свч-транзисторов
- •10.1.2. Оксибериллиевый изолятори внутреннее устройство мощного бт свч
- •10.1.3. Паразитные индуктивности и емкости выводов
- •10.1.4. Специализация биполярных свч-транзисторов
- •10.2. Режимы и параметры биполярных транзисторов
- •10.2.1. Питающее напряжение
- •10.2.2. Отсечка тока в биполярных свч-транзисторах
- •10.2.3. Система параметров биполярных свч -транзисторов
- •10.2.4. Модель биполярного свч-транзистора
- •10.3. Свойства биполярных свч-транзисторов в схемах резонансных усилителей с общим эмиттером и общей базой
- •10.4. Схемы усилителей мощности на биполярных свч-транзисторах
- •10.5. Конструкции транзисторных свч-устройств
- •11.1. Общие сведения о пролетных клистронах
- •11.2. Принцип действия пролетного клистрона
- •11.3. Теория группирования
- •11.4. Характеристики пролетного клистрона и способы их улучшения
- •12.1. Общие сведения
- •12.2. Устройство и принцип действия лбв-о
- •12.3. Рабочие характеристики лбв-о
- •12.4. Лампы обратной волны
- •13.1. Общие сведения
- •13.2. Движение электронов в скрещенных электрическом и магнитном полях
- •13.3. Структура поля и электронного потока при генерации свч-мощности
- •13.4. Характеристики и параметры магнетронных
- •13.4.1. Коэффициент полезного действия
- •13.4.2. Рабочие характеристики
- •13.4.3. Нагрузочные характеристики
- •13.5. Виды магнетронных автогенераторов и усилителей мощности
- •13.5.1. Основные сведения
- •13.5.2. Митрон — магнетрон, перестраиваемый по частоте напряжением
- •13.5.3. Амплитрон — магнетронный усилитель мощности
- •13.5.4. Генераторы на лампах бегущей и обратной волны типа м
- •13.6. Формирование модулированных колебаний в приборах типа м
- •14.1. Основные классы и области применения полупроводниковых диодных генераторов
- •14.2. Принцип действия и характеристики лавинно-пролетного диода
- •14.2.1. Общие сведения
- •14.2.2. Статический режим лпд
- •14.2.3. Понятие о слое умножения и пролетном
- •14.2.4. Пролетный режим лпд
- •14.3. Принцип действия и характеристики диода Ганна
- •14.3.1. Общие сведения
- •14.3.2. Механизм возникновения отрицательной проводимости в дг
- •14.3.3. Домены сильного поля. Динамика доменов
- •14.3.4. Режимы работы дг в генераторной схеме
- •14.4. Конструкции и эквивалентные схемы диодных генераторов
- •14.5. Управление колебаниями диодных генераторов
- •14.6. Способы повышения кпд диодных генераторов
- •Кулешов Валентин Николаевич, Удалов Николай Николаевич, Богачёв Вячеслав Михайлович, Белов Леонид Алексеевич, Коптев Глеб Иванович, Царапкин Дмитрий Петрович, Хрюнов Анатолий Васильевич
6.4. Однотактные кум
Схемы однотактных КУМ принято разбивать на две группы: с формирующим контуром и с фильтрующим контуром. Пример схемы с формирующим контуром С, L, rн показан на рис. 6.4, а (C1 — блокировочная емкость). Для обеспечения оптимального режима, соответствующего максимуму электронного КПД, контур должен иметь малую нагруженную добротность (Q = 2...4) и быть расстроен относительно рабочей частоты. Поэтому в нагрузке генератора выделяется значительная мощность гармоник (около 10% при Θ = 70...90°). Заменив индуктивность L и емкость С1 последовательным контуром LфCф достаточно высокой нагруженной добротностью (Q > 10), получим простейшую схему генератора с фильтрующим контуром. В этой схеме токами высших гармоник в сопротивлении нагрузки можно пренебречь.
Рис. 6.4. Схема однотактного КУМ (а) и эквивалентная схема его коллекторной цепи (б)
Рассмотрим формы напряжений и токов в выходной цепи КУМ с фильтрующим контуром. Заменим транзистор идеальным ключом (с нулевым внутренним сопротивлением), коллекторную емкость отнесем к емкости С (рис. 6.4, б). Будем считать, что через фильтр LфCфrн протекает синусоидальный ток с амплитудой I1, а через дроссель — постоянный ток I0. Тогда часть схемы на рис. 6.4, б справа от емкости С можно заменить источником тока I(τ) = I1(cosτ-cosΘ1) где τ = ωt; cosΘ1 = -I0 /I1,; 2Θ1— часть периода, в течение которой ток i(t) положителен (рис. 6.5, а).
Из схемы видно, что ток i(τ) равен сумме токов, протекающих через ключ iкл(т) и конденсатор iC (τ) (рис. 6.5, б и в). Когда ключ
Рис. 6.5. Временные диаграммы суммарного тока (а), тока ключа (б), тока заряда емкости С (в) и напряжения на коллекторе (г) в схеме однотактного КУМ
замкнут, напряжение на конденсаторе С и ток ic = ωС duк.э/dτ равны нулю, т. е. весь ток i(τ) течет через ключ:
(6.26)
Изучение процесса переключения в реальном транзисторе показывает, что потери на активном этапе, т. е. при переключении из области отсечки в область насыщения и обратно, минимальны (и ими можно пренебречь), если в момент замыкания ключа τ0 отсутствуют скачки напряжения на нем и ток начинается с нуля: iкл(τ0) = 0. Подставляя это условие в (6.26), находим τ0 = -ΘI.
Когда ключ разомкнут, ток через него равен нулю и весь ток i(τ) идет на заряд конденсатора С:
(6.27)
Проинтегрировав ток, найдем напряжение на коллекторе
(6.28)
где хс= 1/(ωС).
В момент τ0 + 2π ключ вновь замыкается, что следует из условия периодичности. При этом ек.э(τ0 + 2π) = 0, и из (6.28) определяем связь углов открывания и запирания:
sin(τ + 2π) - sinτ3 - (τ0 + 2π - τ3) cos τ 0 = 0. (6.29)
Отсюда
(6.30)
где ΘП = 0,5(τ3 - τ0) — угол прохождения тока через ключ (аналог высокочастотного угла отсечки Θ).
Введя коэффициенты разложения по типу (2.20), (2.22) и (2.24), запишем выражения для амплитуд гармоник тока iк.л(τ) и напряжения ек.э (τ):
(6.31)
(6.32)
где iкл м, ек.э max — максимальные значения тока ключа и напряжения ек.э, определяемые из (6.26) и (6.28).
Рис. 6.6. Зависимости модулей коэффициентов разложения
и фазы первой
гармоники φI1
импульсов тока ключа от угла отсечки
Θп
Коэффициенты разложения αI 1, αU 0, γU 0 γI 1 =γI 1 exp j φI 1 (рис. 6.6) используются далее для расчета коллекторной цепи однотактного КУМ.
