- •1.1 Классификация передатчиков
- •1.2. Требования к выходным сигналам и параметрам передатчика
- •1.3. Структурные схемы передатчиков
- •1.4. Структурные схемы основных функциональных узлов и общие сведения о них
- •2.1. Статические характеристики активных элементов
- •2.2. Классификация режимов активных элементов в усилителях мощности
- •2.3. Гармонический анализ косинусоидальных импульсов
- •2.4. Другие формы импульсов тока и их гармонический анализ
- •2.5. Нелинейная модель биполярного транзистора и аппроксимация ее характеристик
- •2.6. Формы токов биполярного транзистора с учетом его инерционности при возбуждении от источника напряжения
- •2.7. Гармонический анализ токов. Расчет у-параметров транзистора в режиме большого сигнала
- •2.8. Гармонический анализ токов и напряжений в биполярном транзисторе при возбуждении от
- •§ 2.7, Выражаем комплексные амплитуды первых гармоник напряжения на входе и тока на выходе ik1 ( через комплексные амплитуды тока базы и напряжения на коллекторе :
- •3.1. Задачи проектирования и реализации
- •3.2. Выбор режима активного элемента в усилителе мощности
- •3.3. Выбор активного элемента для усилителя
- •3.4. Выбор угла отсечки
- •3.5. Расчет усилителя в критическом режиме на заданную мощность в нагрузке
- •3.6. Нагрузочные характеристики усилителя мощности
- •3.7. Влияние амплитуды напряжения возбуждения, питающих напряжений и температуры на режим усилителя мощности
- •3.8. Простые цепи согласования в усилителях мощности
- •3.9. Оценка фильтрации высших гармоник
- •3.10. Учет потерь в простых цепях согласования и общий кпд коллекторной цепи
- •§ 3.8 Уже было
- •3.11. Принципиальные схемы усилителей мощности
- •4.1. Общие соотношения при амплитудной
- •4.2. Модуляция смещением
- •4.3. Усиление модулированных колебаний
- •4.4. Коллекторная модуляция
- •4.5. Комбинированная коллекторная модуляция
- •4.6. Расчет усилителя мощности при коллекторной
- •4.7. Схемы выходных каскадов при коллекторной и комбинированной модуляции
- •5.1. Общие сведения
- •5.2. Параллельное включение активных элементов
- •5.3. Двухтактное включение активных элементов
- •5.4. Мостовое включение активных элементов
- •6.1. Общие сведения о ключевых
- •6.2. Двухтактный кум с переключением напряжения на биполярных транзисторах
- •6.3. Порядок расчета двухтактного кум
- •6.4. Однотактные кум
- •6.5. Расчет режима транзистора в однотактном кум
- •7.1. Общие сведения
- •7.2. Основные уравнения автогенератора
- •7.2.1. Уравнения стационарного режима
- •7.2.2. Расчет частоты автоколебаний. Необходимое условие фазовой устойчивости стационарного режима
- •7.2.3. Расчет амплитуды автоколебаний. Условия амплитудной устойчивости
- •7.3. Расчет и обеспечение устойчивости стационарных колебаний в автогенераторе при кусочно-линейных вольт-амперных характеристиках активного элемента
- •7.3.1. Колебательные характеристики активного элемента с кусочно-линейными вольт-амперными характеристиками в автогенераторе
- •7.3.2. Стационарные режимы в автогенераторах с цепями автоматического смещения. Применение диаграмм срыва и диаграмм смещения для расчета стационарных режимов
- •7.3.3. Анализ устойчивости стационарных режимов в автогенераторах с автосмещением. Режимы прерывистой генерации и самомодуляции
- •7.3.4. Нагрузочные характеристики автогенератора
- •7.3.5. Подход к выбору и расчету режима автогенератора
- •7.4. Схемы автогенераторов
- •7.4.1. Принципы построения схем автогенераторов
- •7.4.2. Высокочастотная эквивалентная схема с идеальным трансформатором
- •7.4.3. Обобщенная трехточечная схема
- •7.4.4. Емкостная и индуктивная трехточки
- •7.4.5. Цепи питания, смещения и связи с нагрузкой в схемах автогенераторов
- •7.5. Регулировочные характеристики автогенераторов
- •7.6. Нестабильность частоты автоколебаний
- •7.7. Кварцевая стабилизация частоты
- •8.1. Основные характеристики радиосигналов с угловой модуляцией
- •8.2. Структурные схемы передатчиков с угловой модуляцией
- •8.3. Характеристики передатчиков с угловой модуляцией
- •8.4. Методы получения чм- и фм-сигналов
- •8.5. Частотная модуляция в автогенераторах с помощью варикапа
- •8.6. Модуляторы фазы
- •8.7. Интегральные генераторы, управляемые по частоте
- •9.1. Требования к синтезаторам частот
- •9.2. Структуры синтезаторов частот
- •9.3. Источники опорных высокостабильных колебаний
- •9.4 Цифровые вычислительные синтезаторы
- •9.5. Синтезаторы на основе кольца фазовой
- •9.6. Интегральные синтезаторы частот
- •10.1. Конструкция биполярных свч-транзисторов
- •10.1.1. Структура биполярных свч-транзисторов
- •10.1.2. Оксибериллиевый изолятори внутреннее устройство мощного бт свч
- •10.1.3. Паразитные индуктивности и емкости выводов
- •10.1.4. Специализация биполярных свч-транзисторов
- •10.2. Режимы и параметры биполярных транзисторов
- •10.2.1. Питающее напряжение
- •10.2.2. Отсечка тока в биполярных свч-транзисторах
- •10.2.3. Система параметров биполярных свч -транзисторов
- •10.2.4. Модель биполярного свч-транзистора
- •10.3. Свойства биполярных свч-транзисторов в схемах резонансных усилителей с общим эмиттером и общей базой
- •10.4. Схемы усилителей мощности на биполярных свч-транзисторах
- •10.5. Конструкции транзисторных свч-устройств
- •11.1. Общие сведения о пролетных клистронах
- •11.2. Принцип действия пролетного клистрона
- •11.3. Теория группирования
- •11.4. Характеристики пролетного клистрона и способы их улучшения
- •12.1. Общие сведения
- •12.2. Устройство и принцип действия лбв-о
- •12.3. Рабочие характеристики лбв-о
- •12.4. Лампы обратной волны
- •13.1. Общие сведения
- •13.2. Движение электронов в скрещенных электрическом и магнитном полях
- •13.3. Структура поля и электронного потока при генерации свч-мощности
- •13.4. Характеристики и параметры магнетронных
- •13.4.1. Коэффициент полезного действия
- •13.4.2. Рабочие характеристики
- •13.4.3. Нагрузочные характеристики
- •13.5. Виды магнетронных автогенераторов и усилителей мощности
- •13.5.1. Основные сведения
- •13.5.2. Митрон — магнетрон, перестраиваемый по частоте напряжением
- •13.5.3. Амплитрон — магнетронный усилитель мощности
- •13.5.4. Генераторы на лампах бегущей и обратной волны типа м
- •13.6. Формирование модулированных колебаний в приборах типа м
- •14.1. Основные классы и области применения полупроводниковых диодных генераторов
- •14.2. Принцип действия и характеристики лавинно-пролетного диода
- •14.2.1. Общие сведения
- •14.2.2. Статический режим лпд
- •14.2.3. Понятие о слое умножения и пролетном
- •14.2.4. Пролетный режим лпд
- •14.3. Принцип действия и характеристики диода Ганна
- •14.3.1. Общие сведения
- •14.3.2. Механизм возникновения отрицательной проводимости в дг
- •14.3.3. Домены сильного поля. Динамика доменов
- •14.3.4. Режимы работы дг в генераторной схеме
- •14.4. Конструкции и эквивалентные схемы диодных генераторов
- •14.5. Управление колебаниями диодных генераторов
- •14.6. Способы повышения кпд диодных генераторов
- •Кулешов Валентин Николаевич, Удалов Николай Николаевич, Богачёв Вячеслав Михайлович, Белов Леонид Алексеевич, Коптев Глеб Иванович, Царапкин Дмитрий Петрович, Хрюнов Анатолий Васильевич
3.11. Принципиальные схемы усилителей мощности
Общий подход к построению принципиальных схем.
Построение принципиальной схемы усилителя мощности включает в себя два основных этапа. На первом этапе (по данным ранее рекомендациям) рассчитываются выходная и межкаскадные цепи согласования, призванные обеспечить оптимальный режим работы каскадов по первой гармонике. Полученная эквивалентная схема (пример показан на рис. 3.19) удобна для анализа частотной характеристики в полосе пропускания и оценки фильтрации высших гармоник тока. Однако она не содержит источников питания.
На втором этапе для получения полной принципиальной схемы усилителя эквивалентная схема для первой и высших гармоник дополняется цепями питания по постоянному току.
Основное назначение цепи питания выходного электрода АЭ (например, коллектора) состоит в том, чтобы создать замкнутый путь для постоянной составляющей тока от коллектора через источник питания на «землю» с минимальными потерями, обеспечив минимально возможное (допустимое) падение напряжения первой гармоники на входе источника питания.
Кроме того, цепь питания не должна вносить заметных дополнительных потерь мощности по первой гармонике, а ее реактивная компонента не должна ощутимо влиять на частотную характеристику
Рис. 3.19. Эквивалентная схема двухкаскадного усилителя для переменных составляющих напряжений и токов
ЦС. Если последние условия выполнить не удается, следует уточнить расчет ЦС и (или) предусмотреть подстройку цепи в резонанс.
Аналогичные требования предъявляются к входным цепям питания, обеспечивающим требуемое смещение на входе АЭ.
Схемы выходных цепей усилителей мощности. Полная схема выходной (и межкаскадной) цепи усилителя представляет собой композицию ЦС и цепи питания по постоянному току. Эти цепи могут быть включены последовательно или параллельно. Образованные таким образом схемы принято называть схемами последовательного питания и схемами параллельного питания соответственно.
Рассмотрим сначала простейшую схему последовательного питания коллекторной цепи (рис. 3.20, а). Цепь согласования состоит из элементов L1, С1 С2, Rн а цепь питания содержит источник питания Ек , катушку индуктивности L 1, и блокировочный конденсатор Сбл , назначение которого создавать путь токам гармоник, минуя источник питания.
Степень фильтрации первой гармоники напряжения на входе источника питания Uн1 будем характеризовать коэффициентом фильтрации
Степень фильтрации считается достаточной, если Ф лежит в пределах 50...200, т. е. напряжение первой гармоники на входе источника — в пределах 0,2...2,5 % напряжения UK. Выходное сопротивление источника питания на рабочей частоте |Z н|(jω), как правило, неизвестно и может иметь разные значения. Однако в реальных схемах обычно выполняется соотношение |ZH(jω)| » 1/(ωСбл), и для оценки фильтрации, пренебрегая сопротивлением источника, можно
Рис. 3.20. Схемы последовательного питания коллекторной цепи: простая (а) и с П-образным фильтром (б)
считать
напряжение Uн1
равным напряжению на блокировочной
емкости U
,
В схеме
рис. 3.20, а
через
конденсатор Сбл
протекает ток контура UK/XL
и,
следовательно, коэффициент фильтрации
равен отношению сопротивлений,
и
:
(3.36)
Отсюда,
задавая значение Фс
= 50...200, находим требуемые значения
сопротивления
и
емкости С6л
= 1/(ω
).
Фильтрацию
в схеме можно существенно улучшить,
дополнив схему дросселем и конденсатором
Сбл2,
как показано на рис. 3.20, б.
Индуктивность
дросселя обычно больше индуктивности
контура (Lдр
=
),
а сопротивления блокировочных
конденсаторов значительно меньше X
,
(Х
=Х
/Ф
,
Ф
> 10).
При этом
коэффициент фильтрации оказывается равным произведению:
(3.37)
Приняв
,
получим Ф = 1000 ... 25 000. Эта оценка показывает,
что схема на рис. 3.19, б
позволяет
обеспечить высокую степень фильтрации
при вариации значений Сбл],
Сбл2,
Хдр
в широких пределах и менее жестких
требованиях к емкости Сбл],
чем в схеме рис. 3.20, а.
Две разновидности схемы параллельного питания показаны на рис. 3.21. В этих схемах создан специальный путь для постоянной
Рис. 3.21. Схема параллельного питания коллекторной цепи
составляющей тока Iк0 (через дроссель), а токи гармоник замыкаются через ЦС. Разделительный конденсатор Ср в схеме рис. 3.21, а включен для предотвращения короткого замыкания источника питания через катушку колебательного контура.
Оценим амплитуду напряжения первой гармоники на входе источника питания Ек. Считая, как и ранее, выполненным соотношение
находим
Для корректного сравнения со схемой последовательного питания обозначим
где Х1 — сопротивление элемента контура, включенного параллельно дросселю; Х1 = ωL1 — для схемы рис. 3.21, а;
Х1 = 1/(ωС1) — для схемы рис. 3.21, б. В результате получим
Ф=ФL ФС (3.38)
Коэффициент ФL не следует брать более 20. Это объясняется тем, что при длине провода дросселя lпр, соизмеримой с рабочей длиной волны, дроссель можно рассматривать как длинную линию, замкнутую на конце. Длина линии равна lпр. При lпр ≈γ/2 входное сопротивление линии становится близким к нулю. Чтобы избежать этого, рекомендуется брать
lпр < γ/4.
Выбрав ФL = 10...20, ФC = 20... 100, получим достаточно высокие значения коэффициента фильтрации Ф = 200.. .2000.
В заключение проведем сравнение схем последовательного и параллельного питания. При последовательном питании блокировочные элементы схемы не влияют на настройку ЦС. Это важное достоинство схемы. В альтернативном варианте дроссель включен параллельно контуру и его реактивное сопротивление сравнимо с характеристическим сопротивлением контура. Кроме того, межвитковая емкость дросселя и емкость разделительного конденсатора на «землю» увеличивают паразитную емкость колебательной системы. Это необходимо учитывать при расчете и настройке ЦС.
Крупный недостаток схемы последовательного питания состоит в том, что катушка и конденсатор контура находятся под высоким постоянным напряжением Ек и на них действует сравнимое с Ек
переменное напряжение. Поэтому при конструировании мощных каскадов передатчиков катушку и конденсатор контура нужно изолиро-
вать от каркаса (корпуса) на напряжение равное 2ЕК. Этот недостаток легко устраняется в схеме параллельного питания (см. рис. 3.21, а). Заметим также, что схема параллельного питания (в простейшем варианте) неприменима для ЦС, имеющих емкостную связь с выходным электродом АЭ (коллектором или анодом).
Схема входных цепей усилителей мощности. Схемы входных цепей в зависимости от способа создания напряжения смещения также подразделяются на схемы последовательного и параллельного питания.
В схеме последовательного питания (рис. 3.22, а) напряжение смещения подается на базу от источника Ес через вторичную обмотку трансформатора. Блокировочный конденсатор создает путь для первой и высших гармоник входного тока iвх, минуя источник смещения. Емкость Сбл выбирается так, чтобы ее сопротивление Хс = 1/(ωСбл) было мало по сравнению с входным сопротивлением транзистора по первой гармонике ZBX:
В этом случае коэффициент фильтрации напряжения первой гармоники
Uвх
/
оказывается
равным Фс,
т. е. Фс
следует выбирать из соотношения Фс
>
50.
В схеме параллельного питания (рис. 3.22, б) напряжение смещения подается на базу через дроссель Lдр. Дроссель включен параллельно ЦС и предотвращает короткое замыкание выхода ЦС на «землю» через источник питания. Конденсатор Сбл служит для дополнительной фильтрации первой и высших гармоник на входе источника Ес.
Рис. 3.22. Схемы последовательного (а) и параллельного (б) питания входной цепи
Реактивное сопротивление дросселя Хдр = ωLдр не должно заметно искажать частотную характеристику ЦС по первой гармонике, т.е. должно быть больше реактивного сопротивления элемента ЦС, включенного параллельно дросселю:
Если
сопротивление,
то коэффициент фильтрации
и его значение выбирают из соотношения
Фс
>
50.
Заметим, что расстройку, вносимую реактивным сопротивлением дросселя, следует скорректировать при расчете частотной характеристики ЦС.
В мощных каскадах транзисторных передатчиков часто выбирают режим с нулевым смещением: Ес = 0. В этом случае угол отсечки лежит в диапазоне 60...90°, что обеспечивает оптимальный энергетический режим каскада и заметно упрощает схему входной цепи. Из нее можно исключить источник питания и блокировочный конденсатор Сбл, включив дроссель непосредственно между базой и эмиттером («землей»).
Если требуется запирающее смещение Ес < 0, то от внешнего источника также можно отказаться, применив автоматическое смещение от тока базы (рис. 3.23, а), тока эмиттера (рис. 3.23, б) или комбинированное (рис. 3.23, в). Цепи автосмещения, обеспечивая отрицательную обратную связь по постоянному току, в определенной степени стабилизируют режим каскада в заданном диапазоне мператур.
Для упрощения схемы многокаскадного усилителя смещение в его промежуточных относительно маломощных каскадах обычно получают от источника коллекторного напряжения через делитель.
Рис. 3.23. Схемы автоматического смещения от тока базы (я), тока эмиттера (б) и комбинированная (в)
Рис. 3.24. Схема подачи напряжения смещения от источника коллекторного питания Ек через делитель R1 , R2 (а) и эквивалентная схема с источником Есм и резистором R5 (б)
В такой схеме через резистор R1 протекает ток, равный (Iдел-Iвх0), как показано на рис. 3.24, а. Выбирая ток делителя Iдел = (2...5)Iвх0, сопротивления R1 , R2 для получения заданного смещения рассчитывают по формулам:
Применив теорему об эквивалентном генераторе, схему с делителем можно преобразовать к эквивалентной, показанной на рис. 3.24, б. Схема содержит источник ЭДС Есм с внутренним сопротивлением Rб. Напряжение Есм равно падению напряжения на резисторе R1 при Iвх0 = 0:
Сопротивление R6 равно сопротивлению резисторов R1, R2, включенных параллельно: R6 = R1R2/(R1+ R2). Как видим, цепь R6, Сбл1, подобно цепи R6 ,С6 на рис. 3.23, а, обеспечивает базовое автосмещение. Значения Есм и R6 обычно выбирают из условия стабилизации напряжения смещения Ес к вариации тока базы. В этом случае, обозначив
kcм = Есм/Ек , для расчета сопротивлений делителя получим соотношения:
R1=R6/(1-kcм) R2 = R6/kсм.
В схему на рис. 3.23, а можно включить цепь эмиттерного автосмещения, обеспечив таким образом дополнительную стабилизацию режима при изменении температуры окружающей среды. Полученная схема эквивалентна схеме комбинированного автосмещения, показанной на рис. 3.23, в, но может быть использована и в более широком диапазоне требуемых значений Ес.
Примеры схем усилителей мощности. В качестве первого примера рассмотрим принципиальную схему двухкаскадного усилителя Мощности (рис. 3.25), которую можно считать типичной для транзисторных усилителей в диапазоне рабочих частот f < 300 МГц, где Применяются цепи с сосредоточенными параметрами. Граница Между каскадами проходит по линии база—эмиттер. Таким образом цепь связи ЦС1 относится к предвыходному каскаду, а ЦС2 -К выходному.
Выходная ЦС представляет собой П-образный контур, в индуктивную ветвь которого для улучшения фильтрации включена дополнительная LС-цепь, настроенная на рабочую частоту (см. табл. 3.1, схему 2). В цепи связи ЦС2 применен П-контур — инвертор Комплексного сопротивления. Достоинство такой цепи состоит в том, что ее входное сопротивление (со стороны коллектора транзистора VT2) остается активным при вариации активной составляющей входной проводимости нагрузки. Реактивные сопротивления элементов ЦС2 равны по модулю (на рабочей частоте) и рассчитываются по формулам, вытекающим из (3.18) и приведенным в § 3.8.
В обоих каскадах применены схемы параллельного питания коллекторных цепей (см. рис. 3.21). В схеме выходного каскада конденсатор С4 выполняет одновременно роль разделительного (блокировочного) элемента. Взаимное расположение элементов С4, L2 Выбрано так, чтобы катушка индуктивности мощного каскада находилась по постоянному току под нулевым потенциалом. В схеме питания транзистора VT1 применен разделительный конденсатор Ср2, что предотвращает короткое замыкание источника питания через катушку индуктивности контура L1 и дроссель Lдр3. Для упрощения конструкции в усилителе используется один источник питания Ек. Напряжение смещения транзистора VT2 принято нулевым (оно обеспечивается дросселем Lдр3), а в цепи смещения транзистора
Рис. 3.25. Принципиальная схема двухкаскадного усилителя мощности на транше горах с общим и заземленным эмиттером
Рис. 3.26. Принципиальная схема усилителя мощности на транзисторе с общим эмиттером и заземленным коллектором
VT1 применен делитель R1, R2, как в схеме на рис. 3.24, а. Конденсатор Ср1 предотвращает влияние источника возбуждения на напряжение смещения транзистора VT1.
В рассмотренном примере каскады усиления выполнены по схеме с общим и заземленным эмиттером. В транзисторах некоторых типов вывод коллектора соединен с корпусом и для обеспечения эффективного теплоотвода должен быть заземлен. Таким образам, возникает необходимость реализации схемы усилителя с общим эмиттером и заземленным коллектором. Пример такой схемы показан на рис. 3.26. В этой схеме ЦС включена между эмиттером и «землей». Цепь питания коллектора включает в себя источник Ек (с заземленным положительным электродом) и блокировочные элементы Lдр, Сбл. Связь с предыдущим каскадом — трансформаторная. При других способах связи не удается подать напряжение возбуждения на вход транзистора (между базой и эмиттером), поскольку эмиттер относительно «земли» находится под высокочастотным напряжением с амплитудой UK.
Контрольные вопросы и задания
1. Каковы основные постановки задач оптимизации режима АЭ в усилителях мощности?
2. Постройте и объясните
зависимости
при двух значениях:
а) амплитуды напряжения возбуждения;
б) напряжения смещения;
в) напряжения питания цепи коллектора.
3. При каком угле отсечки оценивают максимальную мощность, отдаваемую транзистором? Почему?
4. Максимальная мощность, отдаваемая транзистором при угле отсечки Θ= 90° ограничена значением допустимой мощности, рассеиваемом транше юром. Она превышает требуемую мощность на 25%. Какой вариант снижения отдаваемой мощности предпочтительнее:
а) снижение напряжения питания коллектора при фиксированной высоте импульса тока коллектора;
б) снижение импульса тока при фиксированном напряжении питания но i лектора;
в) уменьшение угла отсечки при фиксированных напряжении питания коллектора и высоте импульса тока?
5. Постройте и объясните
нагрузочные характеристики
при двух значениях:
а) амплитуды напряжения возбуждения;
б) напряжения смещения;
в) напряжения питания цепи коллектора.
6. Приведите типовую схему транзисторного усилителя мощности (схема с общим эмиттером) с цепями согласования на входе и выходе и источниками питания. Поясните назначение элементов схемы.
7. Сформулируйте требования к цепям согласования усилителя мощности. Чем отличаются требования к межкаскадным цепям и цепям согласования с фидером (антенной)?
8. Дайте определение КПД цепи согласования. Получите выражение для расчета КПД через добротность катушки индуктивности и добротность нагруженной цепи.
9.Что такое коэффициент фильтрации? Поясните качественно различие в фильтрующих свойствах Г-звеньев двух типов — ФНЧ и ФВЧ.
10. Дайте определение общего КПД коллекторной цепи. Постройте зависимости максимальной мощности в нагрузке и максимума общего КПД от параметра а = RX/Rн.кр.
Глава четвертая
АМПЛИТУДНАЯ МОДУЛЯЦИЯ
_____________________________________________________________________________
