- •1.1 Классификация передатчиков
- •1.2. Требования к выходным сигналам и параметрам передатчика
- •1.3. Структурные схемы передатчиков
- •1.4. Структурные схемы основных функциональных узлов и общие сведения о них
- •2.1. Статические характеристики активных элементов
- •2.2. Классификация режимов активных элементов в усилителях мощности
- •2.3. Гармонический анализ косинусоидальных импульсов
- •2.4. Другие формы импульсов тока и их гармонический анализ
- •2.5. Нелинейная модель биполярного транзистора и аппроксимация ее характеристик
- •2.6. Формы токов биполярного транзистора с учетом его инерционности при возбуждении от источника напряжения
- •2.7. Гармонический анализ токов. Расчет у-параметров транзистора в режиме большого сигнала
- •2.8. Гармонический анализ токов и напряжений в биполярном транзисторе при возбуждении от
- •§ 2.7, Выражаем комплексные амплитуды первых гармоник напряжения на входе и тока на выходе ik1 ( через комплексные амплитуды тока базы и напряжения на коллекторе :
- •3.1. Задачи проектирования и реализации
- •3.2. Выбор режима активного элемента в усилителе мощности
- •3.3. Выбор активного элемента для усилителя
- •3.4. Выбор угла отсечки
- •3.5. Расчет усилителя в критическом режиме на заданную мощность в нагрузке
- •3.6. Нагрузочные характеристики усилителя мощности
- •3.7. Влияние амплитуды напряжения возбуждения, питающих напряжений и температуры на режим усилителя мощности
- •3.8. Простые цепи согласования в усилителях мощности
- •3.9. Оценка фильтрации высших гармоник
- •3.10. Учет потерь в простых цепях согласования и общий кпд коллекторной цепи
- •§ 3.8 Уже было
- •3.11. Принципиальные схемы усилителей мощности
- •4.1. Общие соотношения при амплитудной
- •4.2. Модуляция смещением
- •4.3. Усиление модулированных колебаний
- •4.4. Коллекторная модуляция
- •4.5. Комбинированная коллекторная модуляция
- •4.6. Расчет усилителя мощности при коллекторной
- •4.7. Схемы выходных каскадов при коллекторной и комбинированной модуляции
- •5.1. Общие сведения
- •5.2. Параллельное включение активных элементов
- •5.3. Двухтактное включение активных элементов
- •5.4. Мостовое включение активных элементов
- •6.1. Общие сведения о ключевых
- •6.2. Двухтактный кум с переключением напряжения на биполярных транзисторах
- •6.3. Порядок расчета двухтактного кум
- •6.4. Однотактные кум
- •6.5. Расчет режима транзистора в однотактном кум
- •7.1. Общие сведения
- •7.2. Основные уравнения автогенератора
- •7.2.1. Уравнения стационарного режима
- •7.2.2. Расчет частоты автоколебаний. Необходимое условие фазовой устойчивости стационарного режима
- •7.2.3. Расчет амплитуды автоколебаний. Условия амплитудной устойчивости
- •7.3. Расчет и обеспечение устойчивости стационарных колебаний в автогенераторе при кусочно-линейных вольт-амперных характеристиках активного элемента
- •7.3.1. Колебательные характеристики активного элемента с кусочно-линейными вольт-амперными характеристиками в автогенераторе
- •7.3.2. Стационарные режимы в автогенераторах с цепями автоматического смещения. Применение диаграмм срыва и диаграмм смещения для расчета стационарных режимов
- •7.3.3. Анализ устойчивости стационарных режимов в автогенераторах с автосмещением. Режимы прерывистой генерации и самомодуляции
- •7.3.4. Нагрузочные характеристики автогенератора
- •7.3.5. Подход к выбору и расчету режима автогенератора
- •7.4. Схемы автогенераторов
- •7.4.1. Принципы построения схем автогенераторов
- •7.4.2. Высокочастотная эквивалентная схема с идеальным трансформатором
- •7.4.3. Обобщенная трехточечная схема
- •7.4.4. Емкостная и индуктивная трехточки
- •7.4.5. Цепи питания, смещения и связи с нагрузкой в схемах автогенераторов
- •7.5. Регулировочные характеристики автогенераторов
- •7.6. Нестабильность частоты автоколебаний
- •7.7. Кварцевая стабилизация частоты
- •8.1. Основные характеристики радиосигналов с угловой модуляцией
- •8.2. Структурные схемы передатчиков с угловой модуляцией
- •8.3. Характеристики передатчиков с угловой модуляцией
- •8.4. Методы получения чм- и фм-сигналов
- •8.5. Частотная модуляция в автогенераторах с помощью варикапа
- •8.6. Модуляторы фазы
- •8.7. Интегральные генераторы, управляемые по частоте
- •9.1. Требования к синтезаторам частот
- •9.2. Структуры синтезаторов частот
- •9.3. Источники опорных высокостабильных колебаний
- •9.4 Цифровые вычислительные синтезаторы
- •9.5. Синтезаторы на основе кольца фазовой
- •9.6. Интегральные синтезаторы частот
- •10.1. Конструкция биполярных свч-транзисторов
- •10.1.1. Структура биполярных свч-транзисторов
- •10.1.2. Оксибериллиевый изолятори внутреннее устройство мощного бт свч
- •10.1.3. Паразитные индуктивности и емкости выводов
- •10.1.4. Специализация биполярных свч-транзисторов
- •10.2. Режимы и параметры биполярных транзисторов
- •10.2.1. Питающее напряжение
- •10.2.2. Отсечка тока в биполярных свч-транзисторах
- •10.2.3. Система параметров биполярных свч -транзисторов
- •10.2.4. Модель биполярного свч-транзистора
- •10.3. Свойства биполярных свч-транзисторов в схемах резонансных усилителей с общим эмиттером и общей базой
- •10.4. Схемы усилителей мощности на биполярных свч-транзисторах
- •10.5. Конструкции транзисторных свч-устройств
- •11.1. Общие сведения о пролетных клистронах
- •11.2. Принцип действия пролетного клистрона
- •11.3. Теория группирования
- •11.4. Характеристики пролетного клистрона и способы их улучшения
- •12.1. Общие сведения
- •12.2. Устройство и принцип действия лбв-о
- •12.3. Рабочие характеристики лбв-о
- •12.4. Лампы обратной волны
- •13.1. Общие сведения
- •13.2. Движение электронов в скрещенных электрическом и магнитном полях
- •13.3. Структура поля и электронного потока при генерации свч-мощности
- •13.4. Характеристики и параметры магнетронных
- •13.4.1. Коэффициент полезного действия
- •13.4.2. Рабочие характеристики
- •13.4.3. Нагрузочные характеристики
- •13.5. Виды магнетронных автогенераторов и усилителей мощности
- •13.5.1. Основные сведения
- •13.5.2. Митрон — магнетрон, перестраиваемый по частоте напряжением
- •13.5.3. Амплитрон — магнетронный усилитель мощности
- •13.5.4. Генераторы на лампах бегущей и обратной волны типа м
- •13.6. Формирование модулированных колебаний в приборах типа м
- •14.1. Основные классы и области применения полупроводниковых диодных генераторов
- •14.2. Принцип действия и характеристики лавинно-пролетного диода
- •14.2.1. Общие сведения
- •14.2.2. Статический режим лпд
- •14.2.3. Понятие о слое умножения и пролетном
- •14.2.4. Пролетный режим лпд
- •14.3. Принцип действия и характеристики диода Ганна
- •14.3.1. Общие сведения
- •14.3.2. Механизм возникновения отрицательной проводимости в дг
- •14.3.3. Домены сильного поля. Динамика доменов
- •14.3.4. Режимы работы дг в генераторной схеме
- •14.4. Конструкции и эквивалентные схемы диодных генераторов
- •14.5. Управление колебаниями диодных генераторов
- •14.6. Способы повышения кпд диодных генераторов
- •Кулешов Валентин Николаевич, Удалов Николай Николаевич, Богачёв Вячеслав Михайлович, Белов Леонид Алексеевич, Коптев Глеб Иванович, Царапкин Дмитрий Петрович, Хрюнов Анатолий Васильевич
3.10. Учет потерь в простых цепях согласования и общий кпд коллекторной цепи
Реальные элементы ЦС не являются чисто реактивными, поэтому в них теряется часть мощности Рх, отдаваемой АЭ. В
§ 3.8 Уже было
введено
отношение полезной мощности Р
, поглощаемой ЦС, к колебательной мощности
Рх1,
называемое
коэффициентом полезного действия ЦС
(3.32)
где Р ц.с — мощность потерь в ЦС.
В выходных каскадах стремятся получить максимальные значения ηц.с при выполнении требований к полосе пропускания и фильтрации гармоник. В промежуточных каскадах, если КР выходного каскада велик и мощность потерь слабо влияет на общий КПД передатчика, допустимы меньшие значения ηц с.
Рассмотрим расчет ηц с для общего случая П-образных ЦС, эквивалентных одиночному колебательному контуру (см. табл. 3.1). Пересчитаем собственные потери цепи, сосредоточенные, как правило,
в сопротивлении катушки индуктивности (r = (ωL/Qx), ко входу ЦС, т.е. к коллектору АЭ:
где р — коэффициент включения; р = ωL — характеристическое сопротивление контура. При фиксированных
р и ρ значение Rx тем больше, чем больше собственная добротность ЦС Qx.
Аналогичным образом определяется сопротивление коллекторной нагрузки:
где Q — добротность нагруженной цепи с учетом сопротивлений собственных потерь г и нагрузки R2 = RH.
Учитывая, что колебательная мощность Р1 по первой гармонике выделяется на эквивалентном сопротивлении
RH (Р1 = 0,5 U2H /RX), а мощность, рассеиваемая в ЦС, равна Рц.с = 0,5 U2H/RX, на основании (3.32) получаем
(3.33)
Последнее соотношение, как видим, совпадает с полученной ранее формулой (3.16). Из (3.33) следует, что при улучшении фильтрации благодаря увеличению Q при фиксированном значении Qx снижается ηц.с. Это справедливо и при увеличении Q за счет введения дополнительного фильтра LфCф в Г-образное звено (см. рис. 3.16, б) или П-контур (табл. 3.1, схема 2). В данном случае возрастает характеристическое сопротивление ρ = ω (L2 + Lф), что приводит к увеличению сопротивления потерь r= ρ/Qx и, как следствие, к уменьшению КПД ЦС.
Введем понятие общего КПД коллекторной цепи каскада как отношение мощности в нагрузке Рн к мощности Р0 = Ik0Ek, потребляемой от источника питания:
ηобщ=Рн/Р0
Представив это выражение в виде ηобщ = (PН/P0)(P1/P0), получим выражение ηобщ через ηц.с и ηэ:
ηобщ = ηц.с ηэ (3.34)
Изучим зависимость нормированной мощности Рн /Р1 кр и общего КПД от сопротивления нагрузки R н при различных значениях нормированного сопротивления а = Rx/Rн.кp- Введя параметр а в выраже-
ния для ηцс (3.16) и идеализированных нагрузочных характеристик (3.9), (3.10), получим:
(3.35)
где ηц.с =1 RH/(aRH.KР); ηэ.кр — электронный КПД в критическом режиме.
Из рис. 3.18 видно, что при достаточно больших а (а > 2) максимальная мощность передается в нагрузку в критическом режиме. Там
Рис
3.18 Зависимости общего КПД (а) и КПД цепи
связи (б) от сопротивления нагрузки Rп
при различных значениях
же получается и максимум общего КПД. При а < 2 максимум мощности получается в недонапряженном режиме при
Rн = Rх/2. В этой же точке имеет место и максимум ηобщ Согласно (3.35) в этом случае ηобщ = 0,5 и лишь половина колебательной мощности поступает в нагрузку. Другая половина теряется в самой ЦС. Столь малые значения Rx в транзисторной технике практически не встречаются. В ламповой технике значение а = RX/RH < 2 возможно на весьма высоких частотах, если достижимое значение Rx ограничено собственными емкостями лампы и монтажных элементов.
