- •1.1 Классификация передатчиков
- •1.2. Требования к выходным сигналам и параметрам передатчика
- •1.3. Структурные схемы передатчиков
- •1.4. Структурные схемы основных функциональных узлов и общие сведения о них
- •2.1. Статические характеристики активных элементов
- •2.2. Классификация режимов активных элементов в усилителях мощности
- •2.3. Гармонический анализ косинусоидальных импульсов
- •2.4. Другие формы импульсов тока и их гармонический анализ
- •2.5. Нелинейная модель биполярного транзистора и аппроксимация ее характеристик
- •2.6. Формы токов биполярного транзистора с учетом его инерционности при возбуждении от источника напряжения
- •2.7. Гармонический анализ токов. Расчет у-параметров транзистора в режиме большого сигнала
- •2.8. Гармонический анализ токов и напряжений в биполярном транзисторе при возбуждении от
- •§ 2.7, Выражаем комплексные амплитуды первых гармоник напряжения на входе и тока на выходе ik1 ( через комплексные амплитуды тока базы и напряжения на коллекторе :
- •3.1. Задачи проектирования и реализации
- •3.2. Выбор режима активного элемента в усилителе мощности
- •3.3. Выбор активного элемента для усилителя
- •3.4. Выбор угла отсечки
- •3.5. Расчет усилителя в критическом режиме на заданную мощность в нагрузке
- •3.6. Нагрузочные характеристики усилителя мощности
- •3.7. Влияние амплитуды напряжения возбуждения, питающих напряжений и температуры на режим усилителя мощности
- •3.8. Простые цепи согласования в усилителях мощности
- •3.9. Оценка фильтрации высших гармоник
- •3.10. Учет потерь в простых цепях согласования и общий кпд коллекторной цепи
- •§ 3.8 Уже было
- •3.11. Принципиальные схемы усилителей мощности
- •4.1. Общие соотношения при амплитудной
- •4.2. Модуляция смещением
- •4.3. Усиление модулированных колебаний
- •4.4. Коллекторная модуляция
- •4.5. Комбинированная коллекторная модуляция
- •4.6. Расчет усилителя мощности при коллекторной
- •4.7. Схемы выходных каскадов при коллекторной и комбинированной модуляции
- •5.1. Общие сведения
- •5.2. Параллельное включение активных элементов
- •5.3. Двухтактное включение активных элементов
- •5.4. Мостовое включение активных элементов
- •6.1. Общие сведения о ключевых
- •6.2. Двухтактный кум с переключением напряжения на биполярных транзисторах
- •6.3. Порядок расчета двухтактного кум
- •6.4. Однотактные кум
- •6.5. Расчет режима транзистора в однотактном кум
- •7.1. Общие сведения
- •7.2. Основные уравнения автогенератора
- •7.2.1. Уравнения стационарного режима
- •7.2.2. Расчет частоты автоколебаний. Необходимое условие фазовой устойчивости стационарного режима
- •7.2.3. Расчет амплитуды автоколебаний. Условия амплитудной устойчивости
- •7.3. Расчет и обеспечение устойчивости стационарных колебаний в автогенераторе при кусочно-линейных вольт-амперных характеристиках активного элемента
- •7.3.1. Колебательные характеристики активного элемента с кусочно-линейными вольт-амперными характеристиками в автогенераторе
- •7.3.2. Стационарные режимы в автогенераторах с цепями автоматического смещения. Применение диаграмм срыва и диаграмм смещения для расчета стационарных режимов
- •7.3.3. Анализ устойчивости стационарных режимов в автогенераторах с автосмещением. Режимы прерывистой генерации и самомодуляции
- •7.3.4. Нагрузочные характеристики автогенератора
- •7.3.5. Подход к выбору и расчету режима автогенератора
- •7.4. Схемы автогенераторов
- •7.4.1. Принципы построения схем автогенераторов
- •7.4.2. Высокочастотная эквивалентная схема с идеальным трансформатором
- •7.4.3. Обобщенная трехточечная схема
- •7.4.4. Емкостная и индуктивная трехточки
- •7.4.5. Цепи питания, смещения и связи с нагрузкой в схемах автогенераторов
- •7.5. Регулировочные характеристики автогенераторов
- •7.6. Нестабильность частоты автоколебаний
- •7.7. Кварцевая стабилизация частоты
- •8.1. Основные характеристики радиосигналов с угловой модуляцией
- •8.2. Структурные схемы передатчиков с угловой модуляцией
- •8.3. Характеристики передатчиков с угловой модуляцией
- •8.4. Методы получения чм- и фм-сигналов
- •8.5. Частотная модуляция в автогенераторах с помощью варикапа
- •8.6. Модуляторы фазы
- •8.7. Интегральные генераторы, управляемые по частоте
- •9.1. Требования к синтезаторам частот
- •9.2. Структуры синтезаторов частот
- •9.3. Источники опорных высокостабильных колебаний
- •9.4 Цифровые вычислительные синтезаторы
- •9.5. Синтезаторы на основе кольца фазовой
- •9.6. Интегральные синтезаторы частот
- •10.1. Конструкция биполярных свч-транзисторов
- •10.1.1. Структура биполярных свч-транзисторов
- •10.1.2. Оксибериллиевый изолятори внутреннее устройство мощного бт свч
- •10.1.3. Паразитные индуктивности и емкости выводов
- •10.1.4. Специализация биполярных свч-транзисторов
- •10.2. Режимы и параметры биполярных транзисторов
- •10.2.1. Питающее напряжение
- •10.2.2. Отсечка тока в биполярных свч-транзисторах
- •10.2.3. Система параметров биполярных свч -транзисторов
- •10.2.4. Модель биполярного свч-транзистора
- •10.3. Свойства биполярных свч-транзисторов в схемах резонансных усилителей с общим эмиттером и общей базой
- •10.4. Схемы усилителей мощности на биполярных свч-транзисторах
- •10.5. Конструкции транзисторных свч-устройств
- •11.1. Общие сведения о пролетных клистронах
- •11.2. Принцип действия пролетного клистрона
- •11.3. Теория группирования
- •11.4. Характеристики пролетного клистрона и способы их улучшения
- •12.1. Общие сведения
- •12.2. Устройство и принцип действия лбв-о
- •12.3. Рабочие характеристики лбв-о
- •12.4. Лампы обратной волны
- •13.1. Общие сведения
- •13.2. Движение электронов в скрещенных электрическом и магнитном полях
- •13.3. Структура поля и электронного потока при генерации свч-мощности
- •13.4. Характеристики и параметры магнетронных
- •13.4.1. Коэффициент полезного действия
- •13.4.2. Рабочие характеристики
- •13.4.3. Нагрузочные характеристики
- •13.5. Виды магнетронных автогенераторов и усилителей мощности
- •13.5.1. Основные сведения
- •13.5.2. Митрон — магнетрон, перестраиваемый по частоте напряжением
- •13.5.3. Амплитрон — магнетронный усилитель мощности
- •13.5.4. Генераторы на лампах бегущей и обратной волны типа м
- •13.6. Формирование модулированных колебаний в приборах типа м
- •14.1. Основные классы и области применения полупроводниковых диодных генераторов
- •14.2. Принцип действия и характеристики лавинно-пролетного диода
- •14.2.1. Общие сведения
- •14.2.2. Статический режим лпд
- •14.2.3. Понятие о слое умножения и пролетном
- •14.2.4. Пролетный режим лпд
- •14.3. Принцип действия и характеристики диода Ганна
- •14.3.1. Общие сведения
- •14.3.2. Механизм возникновения отрицательной проводимости в дг
- •14.3.3. Домены сильного поля. Динамика доменов
- •14.3.4. Режимы работы дг в генераторной схеме
- •14.4. Конструкции и эквивалентные схемы диодных генераторов
- •14.5. Управление колебаниями диодных генераторов
- •14.6. Способы повышения кпд диодных генераторов
- •Кулешов Валентин Николаевич, Удалов Николай Николаевич, Богачёв Вячеслав Михайлович, Белов Леонид Алексеевич, Коптев Глеб Иванович, Царапкин Дмитрий Петрович, Хрюнов Анатолий Васильевич
3.8. Простые цепи согласования в усилителях мощности
Цепь согласования включается между выходными зажимами АЭ и нагрузкой — реальным потребителем энергии высокочастотных колебаний. Нагрузкой выходного каскада служит сопротивление антенны, пересчитанное ко входу фидера (рис. 3.12, а), нагрузкой промежуточного — входное сопротивление следующего каскада (рис. 3.12, б). Комплексное (полное) сопротивление внешней
нагрузки
обычно отличается от комплексного
сопротивления ZH
Рис. 3.12. Нагрузка усилителя мощности в виде линии передачи, согласованной с антенной (а), и в виде входной цепи следующего каскада (б)
(например, сопротивления Rн.кр), требуемого для реализации оптимального режима работы АЭ. Преобразование (трансформация) комплексного сопротивления нагрузки Z'н в оптимальное комплексное сопротивление ZH является важнейшей функцией ЦС. Кроме того, ЦС должна обеспечивать требуемую полосу пропускания (в общем случае форму амплитудно- и фазочастотных характеристик усилителя) и иметь малые собственные потери. К ЦС выходных каскадов предъявляются также весьма жесткие требования по фильтрации гармоник: мощность побочных излучений должна быть в пределах
25 •
10
... 1 • 10
Вт в зависимости от диапазона частот,
мощности и назначения передатчика.
В качестве простых ЦС в ламповых и транзисторных усилителях мощности широко применяются Г-, П- и Т-образные реактивные четырехполюсники или их комбинации (рис. 3.13). Рассмотрим трансформирующие свойства простейшего из них — Г-образного (рис. 3.13, а).
Функции реактивных элементов здесь четко разделены: элемент jX2 осуществляет трансформацию сопротивления R2 в требуемую величину R1, а jX1 компенсирует возникающую при этом реактивную составляющую. Чтобы найти значения Х1 и X2 пересчитаем на заданной частоте комплексное сопротивление последовательной цепи Z2 = R2 + jX2 в параллельный эквивалент
Y2 = 1/(R2 +jX2) = (R2 -jX2)/(R22 + X22). (3.12)
Рис. 3.13. Обобщенные схемы цепей связи в виде Г- (а), П- (б) и Г-образного (в) реактивных четырехполюсников
Входная проводимость Г-образной цепи Yн становится чисто
активной
и равной,
если
выполнены два условия:
где Q = |X2| / R2 — добротность цепи. Из первого условия следует,
что добротность Q однозначно определяется отношением сопротивлений:
(3.13)
причем Q вещественно, т.е. цепь физически реализуема, если выполнено неравенство R1 > R2. Значения Х1 и Х2 в этом случае определяются выражениями
|X1|=R1/Q; |X2|=QR2 (3.14)
причем знаки Х1 и Х2 должны быть противоположными. Последнее
обусловливает две возможные конфигурации Г-цепи (рис. 3.14). Первая представляет собой звено типа фильтра нижних частот, вторая — звено типа фильтра верхних частот. Трансформирующие свойства обеих схем одинаковы, а входное комплексное сопротивление первой цепи преобразуется во входное комплексное сопротивление второй цепи после замены переменной jω /ω0 на ω0 /jω, где 0 — рабочая частота, на которой входное сопротивление ЦС активно и |ZH| = R1.
Имея в виду эту взаимосвязь, ограничиваемся далее изучением свойств одной из схем, например первой (рис. 3.14, а). Эта схема чаще применяется в усилителях мощности, поскольку обеспечивает лучшую фильтрацию высших гармоник тока АЭ.
Цепь на рис. 3.14, а можно рассматривать как параллельный колебательный контур с добротностью Q (3.13). При малых Q такая цепь имеет широкую полосу пропускания, т. е. имеет плохую фильтрацию.
Рис. 3.14. Две возможные схемы Г-звена типа фильтра нижних (а) и верхних (б) частот
Кроме того, максимум нормированной частотной характеристики | ZH (jω )/R 1 | смещен вправо относительного ω0 и превышает единицу. С ростом Q фильтрация улучшается, но сужается полоса пропускания цепи. Это хорошо иллюстрирует рис. 3.15, на котором приведены амплитудно-частотные характеристики (АЧХ) ЦС для нескольких значений отношения R 1/R2- При R 1/R2> 2, что соответствует Q > 1, полосу пропускания такой цепи (с учетом асимметрии АЧХ) можно оценить по той же формуле, что и для параллельного контура: 2∆ω 0 ≈ ω0/Q.
Важным параметром реальной ЦС является КПД. По определению КПД цепи согласования равен отношению полезной мощности Р'н , выделяемой в сопротивлении нагрузки R2, к общей мощности Р 1, поступающей на вход цепи:
Для рассматриваемого звена (рис. 3.16, а) мощность Р 1 с учетом мощности Рr потерь в сопротивлении катушки индуктивности* r
равна
сумме Р'н
+ Pr
= 0,5
(R2
+ r)
и,
следовательно,
(3.15)
Рис. 3.15. Амплитудно-частотные характеристики Г-звена (см. рис. 3.14, а), нагруженного на сопротивление R2 при разных значениях отношения R 1 /R2
_________________
В соответствии с ГОСТ Р52002—2003 следует применять термин «индуктивная катушка», но авторы здесь и далее используют термин «катушка индуктивности» в силу сложившейся в радиотехнике традиции.
Выразив сопротивления r и R2 + r через добротность контура на «холостом ходу» Qx, определяемую потерями в катушке индуктивности r = ω 0L/Q , и добротность Q нагруженного контура с сопротивлением R2 + r = ω 0L/Q, получим
ηн.с=1-Q/Q x (3.16)
Это выражение, как показано ниже, является общим для КПД произвольной ЦС, эквивалентной одиночному колебательному контуру.
При заданных сопротивлениях R 1, R2 и добротности Qx однозначно определяются все параметры Г-образной схемы. Это ограничивает применимость Г-звеньев в качестве ЦС, поскольку в одних случаях оказывается неудовлетворительной фильтрация высших гармоник, в других — неудовлетворительный КПД или полоса пропускания.
Фильтрацию побочных гармоник можно увеличить, включив в индуктивное плечо цепи рис. 3.16, а дополнительный фильтр L фСф настроенный на частоту основной гармоники выходного тока АЭ и получить схему рис. 3.16, б. В этом случае
где
—
добротность ЦС; r,
Qx
—
сопротивление потерь и собственная
добротность всей катушки индуктивности.
Считая r
« R2,
получаем
,
где
Q
ф=
ω
0L
ф/R
2
т.е.
увеличивается
в (1 + L
ф/L2)
раз.
Улучшение фильтрации таким путем
достигается благодаря сужению полосы
пропускания и снижению КПД ЦС.
Рассмотрим теперь схемы с тремя реактивными элементами, образующими П- и Т-схемы. Их можно получить встречным соединением двух Г-звеньев, как показано на рис.3.17. Звенья преобразуют оконечные сопротивления R1 и R2 в некоторое промежуточное сопротивление R0, причем R0 < min(R 1,R2) для П-схем и R0 > max(R 1,R2) для Т-схем. П- и Т-схемы, как показано ниже, являются дуальными.
Схема 1 в табл. 3.1 соответствует соединению двух Г-звеньев типа фильтра нижних частот (ФНЧ). При соединении двух Г-зве-
Рис. 3.16. Схема Г-звена типа фильтра нижних частот с сопротивлением потерь в индуктивности (а) и схема с дополнительным фильтром (б)
Рис. 3.16. Схема Г-звена типа фильтра нижних частот с сопротивлением потерь в индуктивности (а) и схема с дополнительным фильтром (б)
Рис. 3.17. Соединение двух Г-звеньев с образованием П-образной (я) и Т-образной (б) цепи
ньев разных типов получается схема 3, содержащая четыре реактивных элемента. Заменяя последовательную цепь L3-С3 эквивалентной (имеющей то же реактивное сопротивление на рабочей частоте ω0) емкостью С3 или индуктивностью L3, получаем схемы 4 и 5 табл. 3.1.
Схема 6 соответствует встречному включению Г-звеньев типа фильтра верхних частот (ФВЧ).
Формулы для расчета элементов П-схем приведены в третьей графе табл. 3.1. Здесь сопротивления R 1 и R2 считаются известными, а величина R0 — свободным параметром. Объединяемые Г-звенья трансформируют оконечные сопротивления R 1 , R2 в промежуточное сопротивление R0, тем самым согласно (3.13) определяются добротности Г-звеньев q1 , q2 и далее по формулам (3.14) их элементы. В свою очередь, как видно из табл. 3.1, парциальные добротности Q 1 , Q2 определяют добротность всей схемы Q; например: Q = Q 1 + q2 для схемы 1; q = q1 — для схемы 4; q = q2 — для схемы 5. Таким образом, в трехэлементных П-схемах можно реализовать заданную трансформацию сопротивлений, причем отношение R 1 / R2 в отличие от простых Г-звеньев может быть как больше, так и меньше единицы, а выбором свободного параметра R0 удается обеспечить требуемую добротность схемы.
Добротность, приведенная в табл. 3.1, определяет полосу пропускания П-контура
2∆ωо = ωо/Q (3.17)
при условии, что схема возбуждается от источника тока с высоким внутренним сопротивлением (Rг » R1). При учете Rг величина Q в (3.17) должна быть заменена эквивалентной Qэ = QRг/ (Rг + R 1,). В то же время при расчете КПД цепи согласования в формуле (3.16) всегда следует использовать значение q из табл. 3.1.
В выходных каскадах усилителей мощности широко используется П-схема с двумя емкостными связями (схема 1 в табл. 3.1), обеспечивающая лучшую фильтрацию высших гармоник. Рассмотрим выбор ее
параметров подробнее. Распорядимся свободным параметром R0 так, чтобы схема имела заданную добротность q = q 1 + q2 . Исключив из формул для Q1 и Q2 (табл. 3.1) параметр R0, получим соотношение
Заменим здесь Q2 разностью Q-Q 1 найдем корень полученного квадратного уравнения
где kr = R 1 / R2. При kr = 1 имеем q1 = q2 = Q/2. Элементы цепи рассчитываются по формулам:
Цепь реализуема, если q2 > (r 1 /r2) - 1 при r1 > r2 и q2 > (r2/r 1) - 1 при r1 < r2.
Для улучшения фильтрации гармоник в индуктивную ветвь П-контура можно включить дополнительный фильтр Lф Cф (схема 2 в табл. 3.1). Улучшение фильтрации в данном случае, как и в схеме на рис. 3.16, б, достигается благодаря сужению полосы пропускания и снижению КПД ЦС.
Обратим внимание на один важный в практическом отношении случай выбора элементов П-контура: х1 =х2 = -х3. Найдем входную проводимость П-контура, имеющего нагрузку сопротивлением r2:
При |X i | =X имеем
и соответственно
(3.18)
Соотношение (3.18) означает, что рассматриваемая схема является инвертором комплексного сопротивления и ее входное сопротивление при вариации r2 остается вещественным. Последнее
важно
для обеспечения оптимального режима
работы АЭ. (В общем случае (Х
1
≠
Х2
≠ —Х3)
входное
сопротивление П-контура вещественно
только для расчетного значения R2.)
Значение
X
находим
из (3.18): X
=
Отношение
сопротивлений R
1
/R2
может
быть любым, однако при этом добротности
схемы определяются однозначно:
Q 1 = 1/Q2 = и, следовательно, однозначно определяются все характеристики ЦС.
Четыре варианта Т-схем и формулы для расчета их параметров приведены в табл. 3.2.
Сравним свойства П- и Т-схем. Запишем операторные выражения для входного сопротивления Zп(p) схемы 1 из табл. 3.1 и входной проводимости YT(p) = 1/ZT(p) схемы 1 из табл. 3.2, отметив элементы П-схем индексом «п», а элементы Т-схем индексом «т». Если сделать
Таблица 3.2
Т-образные цепи связи и формулы для расчета их элементов
в выражении для Zп(p) замены Сп1 наLт], Lп3 на Ст3, Сп2 на Lп2, и Rп2
на Gt2
=
,то получится выражение для YT(p).
Схемы,
имеющие
такое свойство, называют дуальными. Если, кроме того, выбран, эле-менты так, что
то справедливо равенство
Zп(p)/Rп2=RT2/ZT(p). (3.19)
При выполнении равенства (3.19) рассматриваемые схемы являются строго дуальными.
Из (3.19) следует, что если на частоте со П-схема имеет вещественное входное сопротивление Rп1 = Zп(jω0) и коэффициент трансформации сопротивления нагрузки Rп1/Rп2, то дуальная ей Т-схема также имеет вещественное входное сопротивление /?т1 = ZT(/co) и коэффициент трансформации сопротивления нагрузки RT1/RТ2, обратный коэффициенту трансформации П-схемы.
Аналогичными рассуждениями можно показать, что схемы 2—4 из табл. 3.2 являются дуальными по отношению к схемам 4—6 из табл. 3.1, и найти для них условия выполнения равенства (3.19).
Отметим еще одно важное свойство дуальных П- и Т-цепей. Из (3.19) следует, что полюсы Zп(p) совпадают с нулями ZT(p). Следовательно, если П-контур работает на частоте параллельного резонанса, то в Т-контуре на этой частоте реализуется последовательный резонанс. В связи с этим П-контуры, применяемые в выходных и межкаскадных ЦС усилителей мощности, обеспечивают близкие к гармоническим напряжения на их входах и выходах. Т-схемы обычно применяются как межкаскадные ЦС, обеспечивающие при малых входных сопротивлениях биполярных транзисторов ток возбуждения, близкий к гармоническому. Кроме того, схемы, работающие вблизи последовательного резонанса, в том числе Т-контуры, широко используются в ключевых усилителях мощности (см. гл. 6).
