
- •Основные законы электричества
- •Разность потенциалов
- •Напряжение на участке цепи
- •Закон Ома для участка цепи, не содержащего э.Д.С.
- •Закон Ома для участка цепи, содержащего э.Д.С.
- •Законы Кирхгофа
- •Действие электрического тока
- •Магнетизм и электромагнетизм
- •Электромагнитная индукция
- •Взаимоиндукция
- •Движение электронов в ускоряющем электрическом поле
- •Движение электронов в тормозящем электрическом поле
- •Движение электронов в поперечном электрическом поле
- •Движение электронов в магнитном поле
- •Лекция 2 Переменный ток
- •Резистор в цепи переменного тока
- •Катушка в цепи переменного тока
- •Конденсатор в цепи переменного тока
- •Закон Ома для электрической цепи переменного тока
- •Постоянная составляющая в сигнале переменного тока
- •Среднеквадратическое значение (действующее) переменного тока
- •Соотношение между пиковыми и среднеквадратическими значениями
- •Среднеквадратическое значение сложных сигналов
- •Лекция 3 Форма сигнала
- •Период (Цикл)
- •Частота
- •Скважность
- •Соотношение между частотой и периодом
- •Звуковые волны
- •Гармоники
- •Высота тона
- •Гармонические составляющие прямоугольного сигнала
- •Гармонические составляющие пилообразного сигнала
- •Лекция 4 Резисторы
- •Обозначения резисторов на электрических схемах
- •Резисторы переменного сопротивления
- •Терморезисторы
- •Варисторы
- •Конденсатор
- •Емкость конденсатора
- •Связь заряда, емкости и напряжения
- •Основные параметры конденсаторов
- •Электролитические конденсаторы
- •Конденсаторы построечные и переменной емкости
- •Условные обозначения конденсаторов
- •Основные параметры катушек индуктивности
- •Лекция 5 Физические основы полупроводниковой электроники
- •Электронные и дырочные полупроводники
- •Виды токов в полупроводниках
- •Электронно-дырочный переход и его свойства
- •Лекция 6 Полупроводниковые диоды
- •Конструкция полупроводниковых диодов
- •Вольтамперная характеристика и основные параметры полупроводниковых диодов
- •Выпрямительные диоды
- •Стабилитроны
- •Варикапы
- •Фотодиоды
- •Фоторезисторы
- •Светодиоды
- •Понятие о лазерах и лазерных диодах
- •Классификация и система обозначений диодов
- •Лекция 7 Биполярные транзисторы
- •Усилительные свойства биполярного транзистора
- •Схемы включения биполярных транзисторов
- •Статические характеристики транзисторов
- •Динамический режим работы транзистора
- •Ключевой режим работы транзистора
- •Эквивалентная схема транзистора, включенного по схеме с общей базой
- •Эквивалентная схема транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером
- •Эквивалентная схема транзистора, включенного по схеме с общим коллектором
- •Транзистор как активный четырехполюсник
- •Температурное свойство транзисторов
- •Частотное свойство транзисторов
- •Лекция 8 Полевые транзисторы
- •Характеристики и параметры полевых транзисторов
- •Полевые транзисторы с изолированным затвором
- •Понятие о igbt
- •Тиристоры
- •Устройство и принцип действия динисторов
- •Тринисторы
- •Симисторы
- •Классификация и система обозначений тиристоров
- •Лекция 9 Оптрон (оптопара)
- •Фототранзистор и фототиристор
- •Усилители
- •Классификация усилителей
- •Коэффициент усиления
- •Входное сопротивление
- •Измерение входного сопротивления
- •Выходное сопротивление
- •Измерение выходного сопротивления
- •Выходная мощность
- •Согласование сопротивлений для оптимальной передачи мощности
- •Согласование сопротивлений для оптимальной передачи тока
- •Характеристики электронных усилителей
- •Амплитудно-частотная характеристика (ачх)
- •Фазовая характеристика
- •Питание цепи базы транзистора по схеме с фиксированным напряжением базы
- •Термостабилизация рабочей точки при помощи терморезистора и полупроводникового диода
- •Термостабилизация рабочей точки при помощи оос по постоянному напряжению
- •Термостабилизация рабочей точки при помощи оос по постоянному току
- •Усилители напряжения
- •Усилители мощности
- •Широкополосный усилитель
- •Усилители радиочастоты (урч)
- •Лекция 10 Обратная связь в усилителях
- •Структурная схема усилителя с обратной связью
- •Отрицательная обратная связь (оос)
- •Последовательное и параллельное включение обратной связи
- •Операционные усилители
- •Схемы включения операционных усилителей
- •Лекция 11 Генераторы гармонических колебаний
- •Кварцевые генераторы
- •Цифровая и импульсная электроника
- •Транзисторные ключи
- •Логические элементы
- •Интегральные микросхемы
- •Литература
Эквивалентная схема транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером
Принципиальная схема каскада с общим эмиттером и соответствующая ей эквивалентная схема показаны на рис. 7.18.
Рис. 7.18. Схема каскада с ОЭ и эквивалентная схема транзистора
Входное сопротивление каскада с общим эмиттером находят по формуле
На практике входное сопротивление каскадов с ОЭ может достигать от нескольких сотен до нескольких тысяч Ом.
Эквивалентная схема транзистора, включенного по схеме с общим коллектором
Принципиальная схема каскада с общим коллектором, который также именуют эмиттерным повторителем, и соответствующая ей эквивалентная схема показаны на рис.7.19.
Рис. 7.19. Схема каскада с ОК и эквивалентная схема транзистора
Входное сопротивление каскада с общим коллектором можно определить следующим образом:
Каскад эмиттерного повторителя обладает большим входным сопротивлением, исчисляемым от десятков до сотен тысяч Ом, в чем заключается его основное достоинство. Благодаря высокому входному сопротивлению каскад с общим коллектором часто применяют для согласования блоков усилителей. Выходное сопротивление каскада обычно составляет сотни Ом.
Транзистор как активный четырехполюсник
Четырехполюсником называется любое электрическое устройство, имеющее два входа и два выхода. Активным четырехполюсником называется четырехполюсник, способный усиливать мощность. Представим транзистор в виде активного четырехполюсника (рис. 7.20).
Рис. 7.20. Представление транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, в виде четырехполюсника,
Присвоим входным току и напряжению индексы 1, а выходным напряжению и току индексы 2. Для транзисторов достаточно знать две любые переменные из четырех - U1, I1 и U2, I2, две остальные переменные можно найти по статическим характеристикам транзистора. Переменные, которые известны или же которыми задаются, называют независимыми, две другие переменные, которые можно определить, именуют зависимыми переменными.
В зависимости от того, какие из переменных будут выбираться в виде независимых, можно получить разные системы параметров в режиме малого сигнала
(табл 7.1).
Таблица 7.1
Некоторые системы параметров
Независимая переменная I 1, I2 U1, U2 I1, U2
Зависимая переменная U1, U2 I1, I2 I2, I1
Система z y h
В системе h параметров в виде независимых переменных приняты входной ток и выходное напряжение. В этом случае зависимые переменные U1 = f(I1, U2),
I2 = f (I1, U2).
Тогда два основных уравнения, определяющие зависимые переменные должны иметь вид:
U1 = I1P + U2Q
I2 = I1R + U2S
Поскольку параметр Р связывает между собой величины U1 и I1, он имеет размерность сопротивления. Параметр Q связывает между собой величины U1 и U2, следовательно представляет собой, безразмерное число. Аналогичным образом, параметр R есть отношение двух токов, т. е. безразмерное число, а параметр S, связывающий ток I2 и напряжение U2, имеет размерность проводимости. Когда параметры имеют различные размерности, как в нашем случае, говорят, что это гибридный набор параметров. Такие параметры принято обозначать буквой h. Наше уравнение при этом приобретает вид:
U1 = I1h11 + U2h12
I2 = I1h21 + U2h22.
Для определения параметров мы можем положить равными нулю либо ток I1 либо напряжение U2 . В результате получаются следующие соотношения:
h11 = U1/I1, при U2 = 0,
h12 = U1/U2, при I1 = 0,
h21 = I2/I1, при U2 = 0,
h22 = I2/U2, при I1 = 0.
Для схемы (Рис.7.18) U1 = Uбэ, I1 = Iб, U2 = Uкэ, I2 = Iк.
Все напряжения и токи в данных соотношениях представляют собой переменные составляющие, измеренные в определенной рабочей точке, задаваемой конкретным смещением по постоянному току. Таким образом, равенство Uкэ = 0 означает, что коллекторное напряжение является фиксированным и равно величине, соответствующей смещению по постоянному току. Аналогично выражение Iбэ = 0 показывает, что базовый ток является постоянным и соответствует уровню, определяемому смещением по постоянному току.
Найдем связь данных параметров с характеристиками, приближенный вид которых показан на рис. 7.21.
Рис. 7.21. График к определению h - параметров транзистора
а - семейство входных характеристик и б - семейство выходных характеристик.
Рассмотрим по очереди каждое из определений:
h11 = U1/I1, при U2 = 0, или h11 = hвхэ = Uбэ/Iб, при Uкэ = 0.
Если напряжение Uкэ равно нулю, рабочая точка может перемещаться только вдоль той входной характеристики, которая на рис. 7.19, а помечена поперечными штрихами. Следовательно, сопротивление h11 = hвх.э представляет собой котангенс угла наклона входной характеристики при коротком замыкании на выходе по переменному току, т. е. h11 = hвх.э есть входное сопротивление схемы в режиме короткого замыкания по выходу. Значения этого параметра составляют величины около 1000 Ом, h12 = U1/U2, при I1 = 0, или h12 = hобрэ = Uбэ/Uкэ, при Iб = 0. Если ток базы Iб = 0, рабочая точка может двигаться только вдоль горизонтальной линии, определяемой параметром Iб. На рис. 7.19, а показано, как при этом связаны между собой переменные Uкэ и Uбэ. Параметр h12 = hбэ обычно называют обратным коэффициентом передачи по напряжению. Он очень мал по величине (приблизительно10-3), и им часто можно пренебречь, h21 = I2/I1, при U2 = 0, или h21 = hпрэ = Iк/Iб, при Uкэ = 0. Обратившись к рис. 7.19,б, где показаны выходные характеристики, увидим, что параметр hпрэ представляет собой отношение тока коллектора Iк к току базы Iб при постоянном напряжении между эмиттером и коллектором. Этот наиболее важный параметр транзистора имеет название коэффициента усиления по току в режиме короткого замыкания на выходе. В транзисторе с p-n-p переходом оба тока Iб и Iк текут в направлении от транзистора, поэтому, учитывая принятые обозначения для четырехполюсников, токи Iб и Iк должны быть взяты со знаком минус. Таким образом, их отношение, представляющее собой не что иное, как hпрэ, величина положительная. Параметры hпрэ транзисторов массового производства имеют значения, лежащие в пределах от 10 до 500, и зависят от типа транзистора и режима работы в конкретных схемах, h22 = I2/U2, при I1 = 0, или h22 = hвыхэ = Iк/Uкэ, при Iб = 0.
Из рис. 7.21,б видно, что этот параметр (представляет тангенс угла наклона выходной характеристики. Следовательно, hвыхэ есть проводимость. Обычно его называют выходной проводимостью в режиме холостого хода. Типовое значение величины hвыхэ равно 100 мксим, т. е. выходное сопротивление составляет 10 ком. Эквивалентную схему транзистора с общим эмиттером соответствующую уравнениям
Uбэ = Iбh11 + Uкэh12
Iк = Iбh21 + Uкэh22
построим исходя из следующего: видно, что первое уравнение представляет собой сумму двух напряжений. Поскольку эта часть эквивалентной схемы должна проводить ток Iб напряжение h11Iб можно рассматривать как падение напряжения на сопротивлении величиной h11, Ом. Вторую составляющую напряжения Uкэh12 можно рассматривать как вырабатываемую источником. Второе уравнение представляет собой сумму двух токов, и поэтому эквивалентная схема должна содержать два параллельно соединенных компонента. Можно считать, что ток Uкэh22 протекает по проводимости величиной h22, 1/Ом, падение напряжения на которой равно Uкэ. Вторую составляющую Iбh21 можно рассматривать как источник тока, соединенный параллельно с проводимостью h22
На рис. 7.22 показана эквивалентная схема.
Рис. 7.22. Эквивалентная схема транзистора с общим эмиттером для h параметров