Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

pos322641

.pdf
Скачиваний:
38
Добавлен:
05.03.2016
Размер:
1.64 Mб
Скачать

61

где r – расстояние от оси кабеля до точки, в которой определяется Н.

Эта формула верна при постоянном токе I. Рассчитаем магнитное потокосцепление внутри внутреннего провода (жилы) через площадку 0mnp, где l

– длина кабеля. Магнитное потокосцепление через заштрихованную площад-

ку dS:

dψ =

 

 

 

= B COSdS =

Irµ0µrldr

,

BdS

2πr2

вн

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

 

а через всю площадь 0mnp:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

lIµ µ

r1

lIµ µ

 

 

 

ψBH =

 

0 r

rdr =

 

0 r

 

.

 

2πr2

 

4π

 

 

 

 

 

1

0

 

 

 

 

 

Магнитное поле обратного провода не учитывается в соответствии с законом полного тока.

Рис.2.11. К расчету магнитного потокосцепления в слое изоляции

Индуктивность кабеля:

Расчет магнитного потокосцепления в слое изоляции r1 < r < r2, т.е. через площадку pnkc (рис. 2.11.).

Напряженность магнитного поля в слое изоляции Нн в соответствии с законом полного тока определяется как в примере 2.1.:

H

 

=

I

.

H

 

 

 

2πr

Магнитное потокосцепление в слое изоляции:

 

 

 

 

 

 

r2

lIµ

lIµ

 

r

ψH =

BHdS =

0

dr =

0

2

 

 

LN

 

2πr

2π

r

S

из

 

 

 

 

r

 

 

 

1

 

1

 

 

 

 

 

.

L

ψ

+ψ

=

lµ

 

µ

+ LN

r

 

вн

н

0

=

r

2

.

 

 

 

 

 

 

 

I

 

 

2π

 

 

 

1

 

 

 

 

 

2

 

r

 

62

2.2.3 Идеальный конденсатор

В параграфе 1.1.1 уже рассматривалось понятие емкости одного заряженного тела. В данном параграфе рассмотрим емкость двух проводящих заряженных тел разделенных диэлектриком.

Электрическая емкость вообще характеризует свойство проводящих тел заряжаться под влиянием электрического поля, а также накапливать в поле этих тел электрическую энергию.

Конструктивно конденсаторы представляют собой две пластины, называемые обкладками (рис. 2.12.). Обкладки разделены диэлектриком. Их заряжают, присоединив к разноименным зажимам одного источника. Тогда заряды этих тел будут равны по величине и противоположны по знаку (q1 = - q2, причем |q1| = |- q2| = |q|). Образование зарядов на двух телах в этом случае можно рассматривать как перенос электронов с тела, заряжаемого положительно, на тело, заряжаемое отрицательно. Заряд каждого тела будет пропор-

ционален разности потенциалов ϕ1 ϕ2 :

q =C (ϕ1 ϕ2).

(2.9)

Тогда:

C =

 

q

 

,

(2.10)

 

 

 

 

ϕ

ϕ

 

1

 

2

 

 

следовательно, емкость численно равна отношению заряда одного из тел к разности потенциалов между ними. Емкость системы в этом случае, как и в случае уединенного проводника, зависит от формы, размеров, поверхности тел, их взаимного расположения, а также от диэлектрической проницаемости среды εr . При постоянном значении всех перечисленных величин, от которых зависит потенциал тел, величина С также постоянна. В общем случае, когда все эти величины под влиянием каких-либо причин изменяются, емкость не остается постоянной.

63

Идеальным конденсатором будем называть устройство, состоящее из двух проводящих пластин, разделенных диэлектриком, для которого учиты-

вают только емкость С (способность накапливать заряды) и энергию в электрическом поле.

Свойством проводимости диэлектриком тока (электронной, ионной и т.д.) с преобразованием электрической энергии в тепловую пренебрегают, как и наличием коэффициента самоиндукции и взаимной индукции. Другими словами: R = 0, L = 0, M = 0.

Величина тока в идеальном конденсаторе обусловлена исключительно величиной плотности тока электрического смещения δсм = ∂D /∂t, где D -

вектор электрического смещения. Если охватить одну из обкладок замкнутой поверхностью в виде параллелепипеда (рис. 2.12.), то в соответствии с первым законом Кирхгофа:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

δпрdS +

δсмdS = iпр

iсм

 

 

δdS =

 

 

= 0,

(2.11)

S

LFMP

 

 

 

 

 

OKNQ

 

 

 

 

 

 

 

 

где δпр - плотность тока проводимости.

Следовательно: iпр = iсм .

Когда по проводнику, пересекающему поверхность LFMP направлен к обкладке ток проводимости iпр, в диэлектрике образуется ток смещения, проходящий сквозь поверхность OKNQ изнутри наружу в точности равный току iпр в проводнике. Линии тока смещения в диэлектрике являются продолжением линий тока в проводнике. Таким образом, цепь электрического тока является замкнутой.

Величина тока iпр численно равна количеству электрических зарядов, пересекающих сечение проводника в единицу времени. Очевидно, на токае же

количество зарядов в единицу времени должен измениться заряд q пластины:

i

 

=

dq

=C

du

,

(2.12)

пр

 

 

 

 

dt

 

dt

 

Рис. 2.12. Плоский конденсатор

64

где dq - скорость изменения заряда q. dt

Если напряжение источника энергии изменяется по синусоидальному закону u(t)=UmSIN(ωT +α), то:

i

 

=C

d

U

 

SIN(ωt +α) =CωU

 

 

COS(ωt +α) =

 

пр

 

m

m

 

 

dt

 

 

 

 

 

(2.13)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

π

 

 

 

 

 

=CωU

 

SIN ωt +α +

 

 

.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

m

 

 

 

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Амплитуда синусоидального тока:

I

 

=

Um

,

(2.14)

m

 

 

1

 

 

 

 

 

ωC

 

где 1ωC = xC - сопротивление конденсатора синусоидальному току.

Соотношение (2.14) называют законом Ома для амплитудных значений тока и напряжения на конденсаторе.

В соответствии с формулами

(2.12) и (2.14) можно сказать, что ве-

личина сопротивления идеального кон-

денсатора току обратно пропорцио-

нальна произведению величины емкости и скорости изменения напряжения на конденсаторе.

Для постоянного напряжения и тока идеальный конденсатор оказывает бесконечное сопротивление.

Таким образом, физическая природа сопротивления идеальных пассивных элементов (резистора, ка-

тушки индуктивности и конденсатора) существенно различна.

65

Пример 2.6.

Рассчитать емкость плоского конденсатора в общем виде (рис. 2.12.), пренебрегая искажением поля у краев пластин и считая поле между пластинами однородным.

Решение.

Для случая l >> d; b >> d можно считать при параллельном расположении пластин и идеальном диэлектрике, что в любой плоскости между пластинами и параллельной пластинам все точки одинаково расположены по отношению к заряженным пластинам и, следовательно, имеют равные потенциалы и характеристики E и D. Если воспользоваться теоремой Гаусса для параллелепипеда LFMPNQOK, учитывая, что поток вектора D через грань LFMP равен нулю, из-за отсутствия поля вне объема конденсатора, поток вектора электрической индукции будет равен:

DdS = DdS = σS =Q ,

OKNQ

где σ - поверхностная плотность электрических зарядов пластины; S – площадь поверхности электрода.

Так как величина заряда пластины Q не зависит от размера LO, следовательно, учитывая D = const, приходим к выводу о равномерности поля для всех точек внутри конденсатора. Уменьшая размеры параллелепипеда до элементарного объема, можно получить равенство D S = σ S , или D = σ для любой точки на поверхности пластины.

По определению:

C =

Q

=

σS

=

 

σS

 

=

ε ε S

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

r

 

,

 

 

 

U

Ed

 

σd

 

 

d

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ε0εr

 

 

 

 

 

 

 

 

 

где Е – напряженность электрического поля, равная

D

ε ε

=

σ .

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ε ε

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

r

 

0 r

66

Пример 2.7.

Получить формулу для емкости одножильного кабеля (рис. 2.13.) в общем виде. Размеры указаны на чертеже. R1 – радиус внутреннего электрода (жилы), а R2 – внутренний радиус второго электрода (оболочки). Диэлектри-

ческая проницаемость диэлектрика - εr . L – длина кабеля.

Решение.

Рассмотрим сечение кабеля на рис. 2.14. Внутренняя жила кабеля 1 подключена к положительному зажиму источника питания, а оболочка 2 подключена к отрицательному зажиму источника питания. В результате происходит зарядка жилы зарядом + q и оболочки зарядом – q.

Рассмотрим характер электростатического поля, созданного электродами. Выбираем произвольную точку а в диэлектрике и соединим центральную точку 0 с точкой а отрезком .так, как свободные электрические заряды жилы и оболочки противоположного знака, то под действием сил притяжения они перемещаются на поверхность. Так как система проводников носит коаксиальный характер (соосный), то заря-

ды располагаются по поверхности

Рис. 2.13. К примеру 2.7.

проводников равномерно с плотностью σ1 и σ2 .

Выбираем на поверхности жилы на расстоянии х две одинаковые пло-

щадки S1

и

S2, симметрично расположенные относительно точки к. цен-

тры этих площадок –

точки р и f. Заряды на площадках

S1

и S2, соответ-

ственно q1

=

S1σ1

и q2 = S2σ1 , одинаковы: q1 = q2

= q .

Прямоугольные

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

67

треугольники

рка и

 

fка равны друг другу, так как рк = кf = х, а сторона fа

общая, следовательно, fa = = r.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Напряженность электрического поля в точке а, созданная зарядами q1 и

q2:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

E

= E1 +E2 ,

 

 

 

где E

 

=

q1

 

= E

 

=

q2

, так как q

 

= q

 

.

1

4πε ε r2

2

4πε ε r2

1

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

r

 

 

 

0 r

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Следовательно, Et1 +Et2 = 0, а вектор E имеет только радиальную со-

ставляющую, совпадающую по направлению с отрезком 0а.

Если окружность с радиусом 0а разбить на симметричные пары участков, то все пары внесут в вектора напряженности электрического поля в точке а только радиальные составляющие.

Все точки окружности с радиусом 0а, как и все точРис. 2.14. Сечение кабеля ки цилиндрической поверхности, имеют одинаковую на-

пряженность электрического поля в связи с одинаковым расположением относительно заряженных поверхностей. Такое поле называют осесимметрич-

ным. Так как вектор электрической индукции D = ε0εrE , то воспользуемся теоремой Гаусса для определения вектора напряженности электрического поля по потоку вектора D через цилиндрическую поверхность S0 единицы длины кабеля:

DdS = DCOSθdS = D2πR = δdS = τ,

S0

S0

S

Рис. 2.15. К примеру 2.8.

68

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

где S0 - площадь поверхности цилиндра с радиусом 0а;

Sж - площадь по-

верхности жилы; τ - заряд жилы на единицу длины, τ = σж2πR1 .

Следовательно, D =

τ

 

, а E =

 

 

 

τ

..

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2πR

 

 

 

 

 

2πRε0ε

 

 

 

 

 

 

 

 

Разность потенциалов между жилой и оболочкой (точки 1, 2 рис. 2.14.):

2

 

 

 

 

 

 

 

R2

 

 

 

τdR

 

 

 

 

τ

 

R

U12 = EdR =

 

=

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

LN

2

.

 

 

2πε ε

2πε ε

R

1

 

 

 

 

 

 

 

R

 

0

r

 

 

 

 

0 r

 

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Следовательно:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

=

 

τ

 

 

=

2πε ε

 

 

 

 

 

 

 

C

 

 

 

 

 

 

 

 

0 r

.

 

 

 

 

 

 

 

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

U

 

 

 

 

 

 

 

R

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

12

 

LN

 

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

R1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Пример 2.8.

Получить выражение для емкости единицы длины двухпроводной линии передачи электрической энергии длиной l с цилиндрическими проводами (рис. 2.15.) без учета влияния земли. При этом следует считать, что радиус провода R0 поперечного сечения проводов значительно меньше расстояния d0 между ними и εr ≈ 1.

Решение.

Для воздушных линий электропередачи обычно l >> d0 >> R0 и заряды распределяются равномерно по поверхности каждого провода и влиянием конечного размера длины можно пренебречь.

Результирующее электрическое поле можно рассчитать по принципу наложения двух электрических полей проводов (жил) заряженных линейными плотностями равных зарядов + τ1 и – τ2 по ве-

69

личине и противоположных по знаку. Напряженность электрического поля, созданного первым проводом, можно определить по формуле для жилы предыдущего примера 2.7:

=τ

1 2πε0R1

анапряженность электрического поля, созданного вторым проводом:,E

τ

E2 = 2πε0(d0 R1).

Напряженность результирующего электрического поля:

E = E1 +E2 ,

так как оба вектора направлены одинаково, можно перейти к скалярному уравнению:

 

 

 

 

 

 

 

 

τ

 

 

1

 

 

 

 

 

 

1

 

 

 

E = E1 +E2 =

 

 

 

 

 

 

+

 

 

 

 

 

.

 

 

 

0

1

 

 

 

0

 

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

d

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2πε

R

 

 

 

R

 

 

На основании формулы (1.6):

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

 

 

 

 

 

 

 

dR0

 

 

 

 

 

dR0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

τ

 

 

 

dR1

 

 

 

 

 

dR1

 

U12 = EdR1

=

 

+

 

 

 

 

 

 

 

 

 

.

2πε0

 

R1

 

d0

R1

1

 

 

 

 

 

 

R

 

 

 

 

 

 

R

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

 

 

 

 

 

 

 

 

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Для второго интеграла прейдем к новой переменной интегрирования y = d0 R1, следовательно, dR1 = −dy и разность потенциалов определяется

выражением:

U

 

=

τ

12

2πε

 

 

 

 

 

0

Следовательно,

 

d R0

 

dR0

d(d0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

d R0

 

R0

 

 

 

 

 

 

 

R1)

=

 

τ

 

 

dy

=

LN

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

LN

 

 

 

 

R

d

 

R

 

2πε

R

 

 

 

 

 

 

 

 

 

y

 

 

1

 

R0

 

 

 

0

 

1

 

 

 

0

 

1

 

d0R0

 

 

 

 

 

 

 

=

τ

 

 

LN

d R0

.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

πε0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

R0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

искомая емкость:

C0 =

τ

=

 

πε

 

 

 

 

 

0

 

.

U

 

d

0

R

 

 

12

 

LN

 

0

 

 

 

 

 

 

 

R0

 

 

 

 

 

 

 

70

2.2.4 Схемы замещения реальных электротехнических устройств

В реальных электротехнических устройствах и электротехнических цепях происходят достаточно сложные процессы, основанные на рассмотренных электрофизических явлениях. С

помощью

идеальных

элементов

 

 

C

 

а)

б)

 

 

 

 

 

 

 

можно создавать схемы замещения

 

R

R

L

 

 

 

 

(модели), вводя в них резистивные,

 

 

 

 

индуктивные и емкостные элементы.

в)

г)

R

 

 

 

 

 

C

C

L

С помощью резистивного элемента

 

 

 

 

 

 

 

 

 

учитывают преобразование электри-

 

 

 

 

ческой энергии в тепловую; с помо-

 

 

 

C

д)

е)

 

 

 

 

 

 

 

щью индуктивного элемента – наве-

 

L

L

R

 

 

 

 

 

 

дение ЭДС самоиндукции и накоп-

Рис. 2.16. Схемы замещения реальных

ление энергии в магнитном поле; с

 

электротехнических устройств

помощью

емкостного

элемента –

 

 

 

 

протекание токов смещения и накопление энергии в электрическом поле. Так резистор для низких частот можно представить одним резисторным элементом R (рис. 2.16. а). Для высоких частот тот же резистор должен быть представлен уже иной схемой (рис. 2.16. б). В ней индуктивность L учитывает магнитный поток, сцепленный с резистором, а емкость С учитывает протекание тока смещения между зажимами резистора. Конденсатор на низких частотах замещают одним емкостным элементом (рис. 2.16. в), а на высоких частотах конденсатор представляют схемой (рис. 2.16. г). В этой схеме резистор R учитывает потери энергии в реальном диэлектрике, а L учитывает индуктивность подводящих контактов. Индуктивную катушку в первом приближении можно представить одним индуктивным элементом L (рис. 2.16. д). Более подробная схема замещения (рис. 2.16. е) учитывает тепловые потери в сопротивлении обмотки и в сердечнике, на котором они намотаны, а емкость С учитывает токи смещения между витками катушки. Совершенно так же с

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]