![](/user_photo/2706_HbeT2.jpg)
- •Л.А. Торгонский
- •Содержание
- •1 Введение 6
- •2 Проектирование элементов и кристаллов биполярных имс 19
- •3 Элементы и кристаллы имс на полевых структурах 197
- •1 Введение
- •1.1 Термины и определения предметной области
- •1.2 Классификация микросхем
- •1.3 Обозначение имс
- •1.4 Конструкции и состав имс
- •1.5 Цели и задачи изучения дисциплины
- •1.6 Этапы проектирования микросхем
- •2 Проектирование элементов и кристаллов биполярных имс
- •2.2 Состав радиоэлементов бпт имс
- •2.3 Материалы имс
- •2.3.1 Введение
- •2.3.2 Кристаллические материалы имс
- •2.4 Изоляция элементов
- •2.5 Технологические слои структур бпт имс
- •2.6 Кремниевые пластины с эпс
- •2.7 Кремниевые пластины с эпс и скрытыми слоями
- •2.8 Кремниевые пластины с полной диэлектрической изоляцией карманов
- •2.9 Арсенид галлия в производстве имс
- •2.10 Технологические варианты структур бпт
- •2.11 Параметры слоев структур бпт имс
- •2.11.1 Оценка параметров слоя
- •2.12 Проектирование бпт
- •2.12.1 Введение
- •2.12.2 Функциональные параметры бпт
- •2.12.3 Расчетные соотношения оценки параметров бпт
- •2.12.4 Проектирование топологии бпт
- •2.12.5 Объемные формы и габаритные размеры элементов имс
- •2.12.6 Межэлектродные сопротивления бпт
- •2.12.7 Зависимость коэффициента передачи от топологии
- •2.12.8 Параметры быстродействия транзистора
- •2.13 Алгоритм проектирования бпт
- •2.14 Диоды ис
- •2.14.1 Общие замечания
- •2.14.2 Структуры интегральных диодов
- •2.14.3 Топологические конфигурации диодов
- •2.14.4 Проектные параметры диодов
- •2.14.5 Схема замещения диода
- •2.14.6 Алгоритм проектирования диодов
- •2.14.7 Диоды Шоттки в структурах бпт
- •2.15 Модификации бпт специального назначения
- •2.15.1 Общие сведения
- •2.15.2 Многоэмиттерный бпт
- •2.15.3 Многоколлекторный бпт
- •2.15.4 Транзисторы с контактными переходами Шоттки
- •2.15.5 Транзисторы с продольной структурой
- •2.15.6 Транзисторы со сверхтонкой базой
- •2.15.7 Транзисторы приборов совмещенных технологий
- •2.16 Резисторы полупроводниковых имс
- •2.16.1 Общие замечания
- •2.16.2 Структуры резисторов полупроводниковых имс
- •2.16.3 Топологические конфигурации резисторов
- •2.16.4 Проектные параметры резисторов
- •2.16.5 Расчетные соотношения
- •2.16.6 Алгоритм проектирования полупроводниковых резисторов
- •2.17 Конденсаторы биполярных имс
- •2.17.1 Общие сведения
- •2.17.2 Конденсаторы на основе р-n-перехода
- •2.17.3 Конденсаторы со структурой моп
- •2.17.4 Параметры конденсаторов бпт имс
- •2.17.5 Алгоритм проектирования конденсаторов бп имс
- •2.18 Соединения и контакты бпт имс
- •2.18.1 Общие сведения
- •2.18.2 Материалы и структуры соединений и контактов
- •2.18.3 Параметры и размеры соединений и контактов
- •2.19 Базовые элементы цифровых биполярных микросхем
- •2.19.1 Введение
- •2.19.2 Элементы транзисторно-транзисторной логики
- •2.19.3 Элементы ттл с приборами Шоттки
- •2.19.4 Элементы эмиттерно-связанной логики
- •2.19.5 Элементы инжекционной логики (и2л)
- •2.19.6 Элементы и2л с диодами Шоттки
- •2.20 Кристаллы ис
- •2.20.1 Введение
- •2.20.2 План кристалла
- •2.20.3 Сокращение потерь площади рабочей кристалла
- •2.20.4 Проектирование топологии ис на бпт
- •3 Элементы и кристаллы имс на полевых структурах
- •3.1 Проектирование полевых структур
- •3.1.1 Введение
- •3.1.2 Структуры и классификация мдп-транзисторов
- •3.1.3 Вольтамперные характеристики мдп-транзистров
- •3.1.4 Параметры мдп-транзистора и расчетные соотношения
- •3.1.5 Конструкции мдп-транзисторов
- •3.1.6 Алгоритмы проектирования мдп-транзисторов имс
- •3.2 Элементы цифровых имс на мдп-транзисторах
- •3.2.1 Введение
- •3.2.2 Защита конструкций мдп-микросхем
- •3.2.3 Логический инвертор с пассивной нагрузкой мдп
- •3.2.4 Логический инвертор с активной нагрузкой мдп
- •3.2.5 Логические элементы на мдп-структурах
- •3.2.6 Совмещенные биполярнополевые структуры
- •3.2.7 Полевые элементы устройств хранения информации
- •3.2.8 Проектирование топологии ис на мдп
- •3.3 Полевые структуры с зарядовой связью
- •3.3.1 Введение
- •3.3.2 Приборы с зарядовой связью (пзс)
- •3.3.3 Варианты структур элементов пзс
- •3.3.4 Ввод и детектирование заряда в пзс
- •3.3.5 Параметры пзс
- •3.3.6 Транзисторы с зарядовой связью (тзс)
- •3.3.7 «Пожарные» мдп-цепочки
- •3.3.8 Проектирование пзс
- •Список литературы
1.5 Цели и задачи изучения дисциплины
Изучение дисциплины имеет целью освоение понятий и накопление знаний в области конструирования микросхем, а также развития навыков выполнения комплекса инженерных работ конструкторского проектирования микросхем и микросборок.
В проектировании микросхем, как уже отмечалось, пересекается множество областей знания, одной из которых является конструирование изделий. Конструирование в содержательном плане принято определять как творческий процесс выявления свойств материалов через форму и размеры проектируемого объекта. Для таких объектов, как микросхемы, конструктор должен уметь:
формулировать требования на проектирование ИМС и ее элементов;
выбирать материалы для проектируемых конструкций и соответствующие технологические процессы производства;
выбирать формы и размеры элементов с учетом требований к параметрам и ограничений технологии производства;
синтезировать композиции элементов, размещать и соединять их в соответствии с электрическими схемами;
выбирать способы и проектировать защиту кристаллов и плат от дестабилизирующих воздействий;
оценивать показатели качества ИМС;
планировать и выполнять работы формального проектирования по подготовке проектной документации на ИМС с применением перспективных компьютерных технологий.
Перечисленные направления деятельности конструктора в основном определяют круг задач его теоретической и практической подготовки в процессе изучения дисциплины. Этим задачам посвящены методические материалы по дисциплине, включая настоящее пособие.
1.6 Этапы проектирования микросхем
Микроэлектронный подход к проектированию и производству электронной техники позволяет сократить число объектов состава, снижать затраты по производству и эксплуатации, повышать надежность, улучшать функциональные показатели аппаратуры. Вследствие этого, направление проектирования и производства ИМС продолжает развиваться.
Опыт организации проектирования и производства изделий точного машиностроения, и ИМС в частности, позволил выработать типовые подходы, которые нашли отражение в нормативных актах:
производственных предприятий;
ведомств и отраслей;
государственного уровня.
Важность применения типовых подходов в подготовке и согласовании заданий на проектирование новых микросхем, соблюдения определенной последовательности выполнения работ по проектированию, запуску новых изделий на производство подчеркивается государственным уровнем стандартов в этой сфере.
Требования к составу и изложению технического задания на проектирование нового изделия установлены ГОСТ 15001. Стандартом ГОСТ 2103 установлены следующие стадии разработки проектной документации:
техническое предложение (П);
эскизный проект (Э);
технический проект (Т).
Последующие стадии относятся к опытно-конструкторским работам, результатом которых является производство опытных образцов, мелких серий, серийного и массового производства с выпуском соответствующей рабочей документации.
Состав работ и отношения участников проекта на стадии «техническое предложение» регламентируются ГОСТ 2118. Аналогично на стадиях «эскизного и технического проектов» состав работ и отношения участников регламентируются стандартами ГОСТ 2119 и ГОСТ 2120 соответственно.
Стадиями подготовки рабочей документации являются:
опытно-конструкторские работы (О);
стадия подготовки документации серийного производства (А);
стадия подготовки документации массового производства (Б).
Символические обозначения стадий (П,Э,Т,О,А,Б) в документах соответствующего проекта проставляются как литерная характеристика стадии.