- •Л.А. Торгонский
- •Содержание
- •1 Введение 6
- •2 Проектирование элементов и кристаллов биполярных имс 19
- •3 Элементы и кристаллы имс на полевых структурах 197
- •1 Введение
- •1.1 Термины и определения предметной области
- •1.2 Классификация микросхем
- •1.3 Обозначение имс
- •1.4 Конструкции и состав имс
- •1.5 Цели и задачи изучения дисциплины
- •1.6 Этапы проектирования микросхем
- •2 Проектирование элементов и кристаллов биполярных имс
- •2.2 Состав радиоэлементов бпт имс
- •2.3 Материалы имс
- •2.3.1 Введение
- •2.3.2 Кристаллические материалы имс
- •2.4 Изоляция элементов
- •2.5 Технологические слои структур бпт имс
- •2.6 Кремниевые пластины с эпс
- •2.7 Кремниевые пластины с эпс и скрытыми слоями
- •2.8 Кремниевые пластины с полной диэлектрической изоляцией карманов
- •2.9 Арсенид галлия в производстве имс
- •2.10 Технологические варианты структур бпт
- •2.11 Параметры слоев структур бпт имс
- •2.11.1 Оценка параметров слоя
- •2.12 Проектирование бпт
- •2.12.1 Введение
- •2.12.2 Функциональные параметры бпт
- •2.12.3 Расчетные соотношения оценки параметров бпт
- •2.12.4 Проектирование топологии бпт
- •2.12.5 Объемные формы и габаритные размеры элементов имс
- •2.12.6 Межэлектродные сопротивления бпт
- •2.12.7 Зависимость коэффициента передачи от топологии
- •2.12.8 Параметры быстродействия транзистора
- •2.13 Алгоритм проектирования бпт
- •2.14 Диоды ис
- •2.14.1 Общие замечания
- •2.14.2 Структуры интегральных диодов
- •2.14.3 Топологические конфигурации диодов
- •2.14.4 Проектные параметры диодов
- •2.14.5 Схема замещения диода
- •2.14.6 Алгоритм проектирования диодов
- •2.14.7 Диоды Шоттки в структурах бпт
- •2.15 Модификации бпт специального назначения
- •2.15.1 Общие сведения
- •2.15.2 Многоэмиттерный бпт
- •2.15.3 Многоколлекторный бпт
- •2.15.4 Транзисторы с контактными переходами Шоттки
- •2.15.5 Транзисторы с продольной структурой
- •2.15.6 Транзисторы со сверхтонкой базой
- •2.15.7 Транзисторы приборов совмещенных технологий
- •2.16 Резисторы полупроводниковых имс
- •2.16.1 Общие замечания
- •2.16.2 Структуры резисторов полупроводниковых имс
- •2.16.3 Топологические конфигурации резисторов
- •2.16.4 Проектные параметры резисторов
- •2.16.5 Расчетные соотношения
- •2.16.6 Алгоритм проектирования полупроводниковых резисторов
- •2.17 Конденсаторы биполярных имс
- •2.17.1 Общие сведения
- •2.17.2 Конденсаторы на основе р-n-перехода
- •2.17.3 Конденсаторы со структурой моп
- •2.17.4 Параметры конденсаторов бпт имс
- •2.17.5 Алгоритм проектирования конденсаторов бп имс
- •2.18 Соединения и контакты бпт имс
- •2.18.1 Общие сведения
- •2.18.2 Материалы и структуры соединений и контактов
- •2.18.3 Параметры и размеры соединений и контактов
- •2.19 Базовые элементы цифровых биполярных микросхем
- •2.19.1 Введение
- •2.19.2 Элементы транзисторно-транзисторной логики
- •2.19.3 Элементы ттл с приборами Шоттки
- •2.19.4 Элементы эмиттерно-связанной логики
- •2.19.5 Элементы инжекционной логики (и2л)
- •2.19.6 Элементы и2л с диодами Шоттки
- •2.20 Кристаллы ис
- •2.20.1 Введение
- •2.20.2 План кристалла
- •2.20.3 Сокращение потерь площади рабочей кристалла
- •2.20.4 Проектирование топологии ис на бпт
- •3 Элементы и кристаллы имс на полевых структурах
- •3.1 Проектирование полевых структур
- •3.1.1 Введение
- •3.1.2 Структуры и классификация мдп-транзисторов
- •3.1.3 Вольтамперные характеристики мдп-транзистров
- •3.1.4 Параметры мдп-транзистора и расчетные соотношения
- •3.1.5 Конструкции мдп-транзисторов
- •3.1.6 Алгоритмы проектирования мдп-транзисторов имс
- •3.2 Элементы цифровых имс на мдп-транзисторах
- •3.2.1 Введение
- •3.2.2 Защита конструкций мдп-микросхем
- •3.2.3 Логический инвертор с пассивной нагрузкой мдп
- •3.2.4 Логический инвертор с активной нагрузкой мдп
- •3.2.5 Логические элементы на мдп-структурах
- •3.2.6 Совмещенные биполярнополевые структуры
- •3.2.7 Полевые элементы устройств хранения информации
- •3.2.8 Проектирование топологии ис на мдп
- •3.3 Полевые структуры с зарядовой связью
- •3.3.1 Введение
- •3.3.2 Приборы с зарядовой связью (пзс)
- •3.3.3 Варианты структур элементов пзс
- •3.3.4 Ввод и детектирование заряда в пзс
- •3.3.5 Параметры пзс
- •3.3.6 Транзисторы с зарядовой связью (тзс)
- •3.3.7 «Пожарные» мдп-цепочки
- •3.3.8 Проектирование пзс
- •Список литературы
2.15.5 Транзисторы с продольной структурой
В схемотехнике микроэлектронных устройств часто требуется совместить в одном технологическом процессе в пределах одного кристалла БПТ разного типа проводимости. Полагая основной структурой БПТ структуру n-p-n-транзистора, транзисторы со структурой p-n-p исполняются как дополняющие. Так как технологическая структура основного транзистора не соответствует исполнению дополняющего транзистора, то применяются разнообразные конструктивно-технологические решения по созданию дополняющих транзисторов как без увеличения слойного состава структуры, так и с увеличением числа технологических слоев. Основным структурным вариантом дополняющего р-n-р-транзистора является горизонтальная (продольная) изолированная структура, изображенная на рисунке 2.52.
Технология формирования структуры соответствует технологическому циклу формирования структуры ЭПСК. Эмиттерный и коллекторный слои получаются на этапе базовой диффузии, причем коллекторный слой охватывает эмиттер со всех сторон. Это позволяет собирать инжектированные дырки со всех боковых поверхностей эмиттерного слоя. Приповерхностные боковые участки р-слоев хара-ктерны повышеннойконцентрацией примеси, что спо-собствует увеличению коэффициента инжекции. Горизонтальный р-n-p-транзис-тор на основе ЭПСК является бездрейфовым, так как его база является однородным n-слоем. Этот факт и меньшая подвижность дырок предопределяют на порядок худшие усилительные и частотные свойства дополняющего р-n-р-транзис-тора при той же ширине базы, что и у основного дрейфового n-р-n-транзистора. Для увеличения коэффициента передачи эмиттерного тока необходимо уменьшать пло-щадь донной части эмиттерного слоя по сравнению с площадью боковых частей, для чего эмиттерный слой следует планировать возможно более узким. Горизонтальному р-n-р-транзистору свойственна электрофизическая симметрия, так как слои эмиттера и коллектора однотипные, что соответствует одинаковым напряжениям пробоя и удельным емкостям эмиттерного и коллекторного переходов. При одинаковых размерах и форме областей эмиттера и коллектора значения нормального и инверсного коэффициентов передачи тока равны.
Горизонтальная структура в качестве основной рассматривалась в подразделе, посвященном конструкциям МКТ, где инжектор соответствует эмиттеру, а база МКТ соответствует коллектору дополняющего транзистора. Коэффициент усиления по каждому из коллекторов будет примерно в n раз меньше, чем для единого коллектора, но все коллекторы будут действовать «синхронно», а нагрузки, присоединенные к ним, будут изолированы — «развязаны» друг от друга.
Уменьшить ширину базы, ослабить потери инжекции носителей заряда через донную поверхность эмиттера и потери переноса к коллектору можно в усложненной вертикальной структуре, изображенной на рисунке 2.53, а.
Согласно рисунку 2.53,а структура вертикального дополняющего р-n-p-БПТ следуют две такие операции:
– глубокая диффузия р-слоя;
– заключительная диффузия р++-слоя.
Последняя операция весьма проблематична, так как для получения р++-слоя необходим акцепторный материал, у которого предельная растворимость больше, чем у донорного материала, используемого в формировании n+-слоя. Поскольку такие материалы практически отсутствуют, необходимо выполнить операцию травления верхней наиболее легированной части n+-слоя перед формированием диффузионного р++-слоя, что дополнительно усложняет технологический цикл.
Большие возможности формирования качественных p-n-p-транзисторов открывает технология КНС («кремний на сапфире»). Транзисторы р-n-p и n-p-n изготавливаются последовательно, начиная с этапа эпитаксии р-слоя. Локальная эпитаксия n- и р-слоев осуществляется через разные маски. Ширина баз и степень легирования эмиттерных слоев могут формироваться. Необходимость в локальной эпитаксии и два дополнительных процесса диффузии существенно усложняют и удорожают производство изделий с взаимодополняющими БПТ по технологии КНС.
В горизонтальном р-n-р-транзисторе, показаном на рисунке 2.52, в отличие от вертикального, до коллектора доходят носители, инжектируемые только боковой поверхностью эмиттерного перехода в горизонтальном направлении (Ig), а носители, инжектируемые основанием в вертикальном направлении (Iv), рекомбинируют в объеме полупроводника. Для удобства расчета электрических параметров обычно заменяют боковые участки эмиттерного перехода прямыми линиями и полагают Lоe= Le+2Хecos (π/4) ≈ ≈Le + l,4Хe; Bоe = Be+l,4Xe; Wob =Wb–l,4Xe. Значения Le, Be и Wb принимаются по границам топологического объекта на фотошаблоне, а Хе — глубина залегания эмиттерного и коллекторного переходов.
Для определения коэффициента передачи тока горизонтального транзистора по аналогии можно воспользоваться расчетным соотношением для коэффициента передачи тока из инжектора в базу МКТ (αin) из подраздела 2.16.2 (с учетом отличий топологических конфигураций рассматриваемых объектов) или выражением общего вида (без учета коэффициента умножения М)
α = γ1× γ × β,
где γ1 — поправочный коэффициент, учитывающий долю дырочного тока эмиттерного перехода, протекающего в горизонтальном направлении;
γ — коэффициент инжекции эмиттера через боковую повернность;
β — коэффициент переноса горизонтальной части эмиттерного тока.
Коэффициент γ1 определяется по по формуле
γ1 = [1+ Soe×Iv/(Sbе×SoeIg)]–1, (2.125)
где Soe,Sbe — площади донной и боковой частей эмиттерного перехода. Составляюшая тока через донную часть эмиттера Iv обуславливает образование паразитной транзисторной связи через элемент VTп. Величина тока Iv зависит от формы эмиттерной области и параметров структуры, образующей транзистор VTп. Для прямоугольных форм эмиттерной и внутренней частей коллекторной области учет влияния вариантов ЭПСК структуры основного БПТ со скрытым n+-слоем (или без него) на плотность токов Ig, Iv позволил представить выражение (2.125) для поправочного коэффициента в следующем виде [5]:
при наличии скрытого n+-слоя
γ1 = [1 + (Soе/Sbe)× th (Wb/Lp)× th (W2/Lp)]–1, (2.125а)
при его отсутствии
γ1 = [1 + (Soе/Sbe)× th (Wb/Lp) × cth (W1/Lp)]–1. (2.125б)
Значения коэффициентов инжекции γ и переноса β определяются по формулам классической структуры БПТ (см. подраздел 2.13). Из выражений (2.125а), (2.125б) следует, что величина α увеличивается при наличии скрытого n+-слоя и уменьшении W1, а также при уменьшении размера Le эмиттерного перехода и увеличении глубины его залегания.
Геометрические размеры горизонтальных транзисторов выбираются с учетом уровня инжекции по допустимому рабочему току (Ied) для горизонтальной составляющей эмиттерного тока по формулам
Ied / Be = Ft×Xe / (ρbWbγ1) при ψ ≥1, (2.126)
Ied/Be = Ft / {(ρb×γ1)√[2× (1–β)–1]} при ψ ≤1, (2.126а)
где ψ = (Wb /Xe) ×√[2× (1–β)–1].
По формулам (2.126), (2.126 а) приводится в соответствие с заданным током Ied один из размеров (Ве) эмиттера. Два других размера, глубина залегания Хе и длина Le, полагаются выбранными. Остальные размеры: ширина базы, коллектора, технологические зазоры, размеры контактов определяются конструктивно- технологическими нормами и ограничениями.
Кроме горизонтальных транзисторов с коллектором, полностью охватывающим эмиттер (см. рис. 12.13), часто используются транзисторы с разомкнутым коллектором (рис. 12.14, а). В этой конфигурации коллекторы могут быть либо объединены, либо использоваться раздельно, и тогда транзистор имеет два коллектора (рис. 12.14, б). Обычно горизонтальные транзисторы имеют В < (50–100).
Температурный коэффициент коэффициента усиления В горизонтального транзистора имеет приблизительно то же значение, что и для вертикального p-n-p-транзистора (0,3–0,5) %/°С.
Пример. Выполнить оценку коэффициента передачи горизонтального транзистора со структурой по рисунку 2.5 и а при объединенных коллекторах и ширину эмиттера В2 (по фотошаблону) при следующих исходных ограничениях: рабочий ток Ied =1 мА; длина эмиттера (по фотошаблону) Le =12 мкм; Wb (по фотошаблону) = 6 мкм; Хе =2,4 мкм; ρб = 0,5 Омсм; W2 = 2,6 мкм; Lp = 10,2 мкм.
Результаты оценок: Wob =2,64 мкм; Loe = l5,4 мкм; Soe/Sob= = 3,2; β = 0,97; γ1 = 0,83; α = 0,81; B = 4,3; ψ = 9>1 (эффективный коэффициент инжекции на один коллектор равен γ1/2=0,41); Ied/Be = 0,023 mА/мкм; Boe = 43 мкм; Be = 40 мкм.
Частотные свойства коэффициента передачи горизонтального транзистора определяются аналогично обычному n-p-n-тран-зистору. Однако в частотной модели горизонтального транзистора учитывается заряд неосновных носителей, накапливаемый в «активной» (между боковыми поверхностями эмиттера и коллектора) и «пассивной» (под донной частью эмиттерного перехода) частях базовой области. Для горизонтального транзистора
τα = Qg /Ic, (2.127)
где Qg = Qoe+Qb;
Qoe, Qb — заряды неосновных носителей, накопленные под донной частью эмиттера и в активной базе соответственно.
При выполнении условий Wb/Lp, W1/Lp выражение (2.127) преобразуется к виду
τα = [(Wb2/(2Dp)] [1+SoeW1/(SbeWb)], (2.127а)
в отсутствии скрытого n+-слоя, и
τα = [(Wb2/(2×Dp)[1+2×Soe×W2/(Sbe×Wb)], (2.127б)
при наличии скрытого слоя.
Формулы (2.127) не учитывают влияния емкостей переходов эмиттер-база и коллектор-база и подложки. Учет влияния емкостей на быстродействие горизонтального транзистора осуществляется по электрической схеме замещения подобно тому, как это оговаривалось в отношении основного вертикального транзистора. Топология дополняющего БПТ занимает при прочих равных условиях больше площади, чем основной БПТ вертикальной структуры. Потому, несмотря на меньшие удельные емкости перехода эмиттер-база, емкости переходов коллектор-база и база-подложка с электродными сопротивлениями образуют повышенные постоянные времени в дополняющем БПТ. Названные факторы ограничивают быстродействие дополняющих p-n-p БПТ десятками (10–50) мегагерц.
Пример. Оценить значение τα горизонтального транзистора при следующих исходных данных: Wb = 6 мкм; Dp = 6 см2/сек; W1 = 3 мкм; W2 = 2,5 мкм; Soe/Sbe = 3.
Т
а б
В ряде схемных решений горизонтальный p-n-p-транзистор должен иметь небольшой, но стабильный коэффициент усиления при разбросах технологических режимов его изготовления. Многоколлекторное исполнение БПТ, когда при общих эмиттере и базе отношение коэффициентов передачи тока по отдельным коллекторам транзистора определяется отношением потоков носителей заряда пропорциональных «активным» боковым поверхностям эмиттера, решение по стабилизации усиления реализовано соединением электродов представленным на рисунке 2.54, б [4].
Так, полагая суммарный коэффициент усиления двухколлекторного транзистора, при условии, что оба коллектора (К1 и К2) закорочены, равным Вс, а коэффициенты усиления транзисторов при использовании каждого коллектора в отдельности равны В1, В2 и удовлетворяют условию B2/B1 = Sbe2/Sbe1 = n, можно показать, что по оставшимся трем электродам (база, коллектор К2, эмиттер) транзистор характеризуется эквивалентным коэффициентом передачи тока базы Вэ, определяемым по формуле
Вэ = n/[1+(n+1)/Bc].
В представленном выражении при Вс >> (n+1) значение Вэ определяется стабильностью геометрических размеров и не зависит от нестабильности усиления Вс, что и требовалось.
Пример. Необходимо оценить среднее значение и изменение усиления тока Вэ при изменении Вс в диапазоне (10–30) при n = 5 для рассмотренной схемы стабилизации коэффициента передачи тока на двухколлекторном транзисторе.
Результат оценки: значение Вэ= 3,13–4,17, т.е снижается с ±50% до ±14%.