1.1 Термины и определения предметной области

Основные термины и определения в области конструирования и производства микросхем определены стандартом ГОСТ 17021, согласно которому:

Интегральная микросхема (ИМС) — микроэлектронное изделие, выполняющее определенную функцию преобразования и обработки сигнала и имеющее высокую плотность упаковки электрически соединенных элементов (или элементов и компонентов) и (или) кристаллов, которые с точки зрения требований к испытаниям, приемке, поставке и эксплуатации рассматриваются как единое целое.

Полупроводниковая ИМС — микросхема, элементы и межэлементные соединения которой выполнены в объеме и (или) на поверхности полупроводниковой пластины.

Пленочная ИМС — микросхема, элементы и межэлементные соединения которой выполнены в виде пленок, нанесенных на поверхность диэлектрической подложки.

Частными случаями пленочных ИМС являются тонкопленочные и толстопленочные ИМС.

Тонкопленочные ИМС — пленочные ИМС с толщиной пленок до 1мкм, элементы которых изготовляются преимущественно методами вакуумного распыления и осаждения.

Толстопленочные ИМС — пленочные ИМС с толщиной пленок 10–70 мкм, элементы которых изготовляются методами трафаретной печати (сеткография).

Гибридные ИМС — микросхемы, часть электрорадиоэлементов (ЭРЭ) которых являются компонентами.

Микросборка (МСБ) — микросхема, состоящая из совокупности электрически соединенных компонент, размещенных на общем несущем основании.

Элемент — часть интегральной микросхемы, реализующая функцию ЭРЭ (транзистор, диод, резистор, конденсатор и др.), которая выполнена нераздельно от кристалла или платы и не может быть выделена как самостоятельное изделие.

Компонент — часть интегральной микросхемы, реализующая функцию ЭРЭ, которая по конструкторской документации представляет собой самостоятельное изделие в части конструктивного исполнения, испытаний, сборки, монтажа.

Кристалл — часть полупроводниковой пластины, в объеме и на поверхности которой сформированы элементы полупроводниковой микросхемы, межэлементные соединения и контактные площадки.

Базовый кристалл — кристалл, в котором конструкцией предусмотрена возможность нанесения специальных соединений, изменяющих функцию, выполняемую кристаллом.

Базовый матричный кристалл — кристалл, на котором сформированы группы элементов, выполняющих одинаковые функции, и предназначен для создания ИС различного функционального назначения.

Плата — диэлектрическое основание со сформированными и размещенными на его поверхности элементами и компонентами.

Пластина — полупроводниковое основание, на котором одновременно формируется совокупность кристаллов.

Корпус ИМС — часть микросхемы, предназначенная для защиты кристалла или платы от внешних воздействий и монтажа в конструкциях более высоких уровней конструктивной иерархии.

Серия ИМС — совокупность ИМС, выполняющих различные функции, имеющих единое конструктивно-технологическое исполнение, совместимые электрические параметры и единые эксплуатационные показатели.

Оригинал — чертеж технологического слоя структуры ИМС, предназначенный для исполнения фотошаблона. Оригинал выполняется с увеличением в зависимости от размеров минимальных геометрических фрагментов на кристаллах и платах и допустимой погрешности их исполнения.

Фотошаблон — фото- (или иная) копия оригинала, выполненная в масштабе от 1:1 до 1: 10 к размерам кристалла или платы на материале, пригодном для избирательного проецирования через него рисунка литографического рельефа на чувствительном маскирующем слое.

Топологический чертеж — это чертеж, несущий сведения о форме, размерах и взаимном расположении границ элементов кристалла или платы. Топологические чертежи могут быть общими и послойными. Используются для создания технологических оригиналов слоев.