ПИМС и МП. Лекции, задания / ЭкзВопросы
.pdfЭкзаменационные вопросы по дисциплине
«Проектирование интегральных микросхем и микропроцессоров»
Составитель: Доцент каф. КИБЭВС Торгонский Л.А.
2012
Экзаменационные вопросы
1 Состав функциональных элементов цифровых полупроводниковых ИМС на биполярных транзисторах. Конструкции элементов полупроводниковых микросхем. Сопутствующие удельные параметры.
2 Состав слоёв, назначение и требования к слоям структуры биполярного транзистора полупроводниковых цифровых микросхем.
3 Способы и функциональные показатели взаимной электрической изоляции элементов полупроводниковых микросхем.
4 Состав слоёв структур биполярных транзисторов по технологическим способам формирования. Свойства формируемых слоёв.
5 Распределения примесей в слоях структур полупроводниковых элементов ИМС и влияние на параметры конструкций элементов.
6 Параметры технологических слоёв и учёт их в проектировании полупроводниковых резисторов цифровых микросхем.
8 Функциональные параметры технологических слоёв и учёт их в проектировании полупроводниковых конденсаторов цифровых микросхем.
9 Функциональные параметры технологических слоёв и учёт их в проектировании биполярных транзисторов.
10 Функциональные параметры технологических слоёв и учёт их в проектировании диодных элементов.
11 Обеспечение электрической прочности рабочих p-n-переходов и изоляции элементов конструкций микросхем.
12 Выбор параметров слоёв структуры БПТ микросхем по коэффициенту передачи тока в его структуре.
13 Расчёт параметров конструктивных элементов и топологии биполярных ИМС Проектные параметры биполярных транзисторов цифровых интегральных микросхем. Выбор структур, топологических форм, расчёту размеров.
14 Обеспечение плотности тока транзисторов биполярных микросхем на этапе проектирования структуры.
15Технологические ограничения в проектировании топологии ИМС. Алгоритм проектирования транзисторов биполярных ИМС.
16Обеспечение быстродействия транзисторов биполярных ИМС на этапе проектирования их топологии.
17Обеспечение ключевых свойств транзисторов биполярных ИМС на этапе проектирования их топологии.
18Расчёт параметров конструктивных элементов и топологии биполярных ИМС. Проектные функциональные параметры диодов полупроводниковых цифровых ИМС и рекомендации к выбору структур.
19Расчёт параметров конструктивных элементов и топологии биполярных ИМС. Проектные функциональные параметры диодов полупроводниковых цифровых ИМС. Выбор. форм и размеров их топологии.
20 Расчёт параметров конструктивных элементов и топологии биполярных ИМС Проектные параметры резисторов полупроводниковых ИМС и выбор их структурных исполнений, топологических конфигураций и размеров резисторов.
21 Конструкции и свойства диодов с барьером Шотки в ИМС. Транзистор с диодом Шотки.
22 Расчёт параметров конструктивных элементов и топологии биполярных ИМС. Проектные параметры, структуры и топологические конфигурации конденсаторов полупроводниковых ИМС.
23 Исходные ограничения и состав этапов по проектированию топологии полупроводниковых ИМС. Конструирование ИМС на биполярных структурах.
24 Структуры и топология одно- и многоколлекторных «продольных» биполярных транзисторов полупроводниковых ИМС.
25 Расчёт параметров конструктивных элементов и топологии биполярных ИМС. Проектные параметры и проектирование контактов, соединений полупроводниковых ИМС.
26Состав плана кристаллов и плат ИМС. Направления и ресурсы снижения «потерь» площади на кристаллах ИМС.
27Функциональные параметры элементов конструкций цифровых ИМС со структурой МДП. Структуры, топология, разработка конструкции и расчёт параметров элементов ИМС на полевых структурах.
28Проектирование топологии логических элементов кристаллов ИМС на структурах МДП. Разработка топологии и конструирование ИМС на полевых структурах
29Структуры, топология логических элементов кристаллов инжекционных (И2Л) и биполярно-полевых (БИМОП) ИМС. Конструирование ИМС на БИМОП структурах.
30Конструктивный состав и свойства гибридно-плёночных ИМС.
31Последовательность и содержание работ проектирования плат гибридно-пленочных ИМС.
32Функциональные параметры, структуры, топология, критерии расчёта, конструирование и расчёт плёночных резисторов ГИС.
33Функциональные параметры, структуры, топология, критерии расчёта, конструирование и расчёт плёночных конденсаторов ГИС.
34Функциональные параметры, структуры, топология, критерии расчёта, конструирование и расчёт плёночных индуктивностей ГИС.
35Функциональные параметры, структуры топология, критерии расчёта, конструирование и расчёт проводников и контактных площадок ГИС.
36Конструирование элементов и топологии СВЧ ГИС. Особые требования.
37Конструкции больших (БИС) и сверхбольших (СБИС) ИМС. Проектирование топологии больших интегральных схем. Проблемы и направления их решения для БИС и СБИС.
38 Состав и ресурсы САПР БИС и СБИС. Унификация конструктивных примитивов для САПР. «Кремниевая» компиляция в проектировании БИС.
39 Микросборки (МСБ). Состав конструкции МСБ. Конструирование МСБ цифровых устройств. Роль МСБ в повышении степени интеграции изделий микроэлектроники.
40 Компоненты ГИС. Конструкции компонент. Рекомендации по выбору
иприменению компонент для ГИС и МСБ. Разработка, расчёты конструкций
итопологии ГИС и МСБ.
41 Конструкции средств защиты и обеспечение надёжности ИМС и МСБ. Конструкции корпусов ИМС. Состав конструкций ИМС и МСБ. Нормирова-ние проектирования средств защиты.
42 Нормативная и техническая документация на ИМС Состав комплекта конструкторских документов на ИМС и МСБ. Характеристика проектных документов ИМС.
43 Показатели качества ИМС и МСБ. Технические условия на ИМС и МСБ. Назначение и состав. Эксплуатационная документация на ИМС и МСБ. Перспективные конструкции изделий микроэлектроники.