- •Л.А. Торгонский
- •Содержание
- •1 Введение 6
- •2 Проектирование элементов и кристаллов биполярных имс 19
- •3 Элементы и кристаллы имс на полевых структурах 197
- •1 Введение
- •1.1 Термины и определения предметной области
- •1.2 Классификация микросхем
- •1.3 Обозначение имс
- •1.4 Конструкции и состав имс
- •1.5 Цели и задачи изучения дисциплины
- •1.6 Этапы проектирования микросхем
- •2 Проектирование элементов и кристаллов биполярных имс
- •2.2 Состав радиоэлементов бпт имс
- •2.3 Материалы имс
- •2.3.1 Введение
- •2.3.2 Кристаллические материалы имс
- •2.4 Изоляция элементов
- •2.5 Технологические слои структур бпт имс
- •2.6 Кремниевые пластины с эпс
- •2.7 Кремниевые пластины с эпс и скрытыми слоями
- •2.8 Кремниевые пластины с полной диэлектрической изоляцией карманов
- •2.9 Арсенид галлия в производстве имс
- •2.10 Технологические варианты структур бпт
- •2.11 Параметры слоев структур бпт имс
- •2.11.1 Оценка параметров слоя
- •2.12 Проектирование бпт
- •2.12.1 Введение
- •2.12.2 Функциональные параметры бпт
- •2.12.3 Расчетные соотношения оценки параметров бпт
- •2.12.4 Проектирование топологии бпт
- •2.12.5 Объемные формы и габаритные размеры элементов имс
- •2.12.6 Межэлектродные сопротивления бпт
- •2.12.7 Зависимость коэффициента передачи от топологии
- •2.12.8 Параметры быстродействия транзистора
- •2.13 Алгоритм проектирования бпт
- •2.14 Диоды ис
- •2.14.1 Общие замечания
- •2.14.2 Структуры интегральных диодов
- •2.14.3 Топологические конфигурации диодов
- •2.14.4 Проектные параметры диодов
- •2.14.5 Схема замещения диода
- •2.14.6 Алгоритм проектирования диодов
- •2.14.7 Диоды Шоттки в структурах бпт
- •2.15 Модификации бпт специального назначения
- •2.15.1 Общие сведения
- •2.15.2 Многоэмиттерный бпт
- •2.15.3 Многоколлекторный бпт
- •2.15.4 Транзисторы с контактными переходами Шоттки
- •2.15.5 Транзисторы с продольной структурой
- •2.15.6 Транзисторы со сверхтонкой базой
- •2.15.7 Транзисторы приборов совмещенных технологий
- •2.16 Резисторы полупроводниковых имс
- •2.16.1 Общие замечания
- •2.16.2 Структуры резисторов полупроводниковых имс
- •2.16.3 Топологические конфигурации резисторов
- •2.16.4 Проектные параметры резисторов
- •2.16.5 Расчетные соотношения
- •2.16.6 Алгоритм проектирования полупроводниковых резисторов
- •2.17 Конденсаторы биполярных имс
- •2.17.1 Общие сведения
- •2.17.2 Конденсаторы на основе р-n-перехода
- •2.17.3 Конденсаторы со структурой моп
- •2.17.4 Параметры конденсаторов бпт имс
- •2.17.5 Алгоритм проектирования конденсаторов бп имс
- •2.18 Соединения и контакты бпт имс
- •2.18.1 Общие сведения
- •2.18.2 Материалы и структуры соединений и контактов
- •2.18.3 Параметры и размеры соединений и контактов
- •2.19 Базовые элементы цифровых биполярных микросхем
- •2.19.1 Введение
- •2.19.2 Элементы транзисторно-транзисторной логики
- •2.19.3 Элементы ттл с приборами Шоттки
- •2.19.4 Элементы эмиттерно-связанной логики
- •2.19.5 Элементы инжекционной логики (и2л)
- •2.19.6 Элементы и2л с диодами Шоттки
- •2.20 Кристаллы ис
- •2.20.1 Введение
- •2.20.2 План кристалла
- •2.20.3 Сокращение потерь площади рабочей кристалла
- •2.20.4 Проектирование топологии ис на бпт
- •3 Элементы и кристаллы имс на полевых структурах
- •3.1 Проектирование полевых структур
- •3.1.1 Введение
- •3.1.2 Структуры и классификация мдп-транзисторов
- •3.1.3 Вольтамперные характеристики мдп-транзистров
- •3.1.4 Параметры мдп-транзистора и расчетные соотношения
- •3.1.5 Конструкции мдп-транзисторов
- •3.1.6 Алгоритмы проектирования мдп-транзисторов имс
- •3.2 Элементы цифровых имс на мдп-транзисторах
- •3.2.1 Введение
- •3.2.2 Защита конструкций мдп-микросхем
- •3.2.3 Логический инвертор с пассивной нагрузкой мдп
- •3.2.4 Логический инвертор с активной нагрузкой мдп
- •3.2.5 Логические элементы на мдп-структурах
- •3.2.6 Совмещенные биполярнополевые структуры
- •3.2.7 Полевые элементы устройств хранения информации
- •3.2.8 Проектирование топологии ис на мдп
- •3.3 Полевые структуры с зарядовой связью
- •3.3.1 Введение
- •3.3.2 Приборы с зарядовой связью (пзс)
- •3.3.3 Варианты структур элементов пзс
- •3.3.4 Ввод и детектирование заряда в пзс
- •3.3.5 Параметры пзс
- •3.3.6 Транзисторы с зарядовой связью (тзс)
- •3.3.7 «Пожарные» мдп-цепочки
- •3.3.8 Проектирование пзс
- •Список литературы
2.18.3 Параметры и размеры соединений и контактов
Минимальная ширина пленок шины металлизации (при заданной ее толщине) определяется допустимой плотностью тока (2,0–2,5)105 А /см2 или технологическими ограничениями на размеры. Коммутационные проводники вносят в исполняемые микроэлектронные устройства не предусмотренные (паразитные) элементы: активное сопротивление (сопротивление потерь), емкости и индуктивности. Активные сопротивления металлизированных шин определяются удельным сопротивлением материала и увеличиваются на переменном токе вследствие влияния вихревых токов (проявление поверхностного эффекта в проводниках). Толщина слоя коммутационных шин не превышает (1–1,5) мкм и имеет удельное поверхностное сопротивление слоя R□ порядка (0,05–0,5) Ом. Значение сопротивления R□ вследствие неоднородности тонких пленок в (2–3) раза превышает значение, получаемое из удельного сопротивления, соответствующего таблице 2.6 (ρ = 2,9×10–6 Ом×см). На повышенных частотах толщина слоя в проводнике, на которой плотность тока снижается е =2,71 раз по сравнению с поверхностью, определяется по выражению
dc ≈ , (2.137)
где ρ — удельное сопротивление полупроводника,Ом×см;
ω — рабочая частота, Гц;
μ0 = 4×π×10–9 Гн/см — магнитная проницаемость вакуума;
μ ≈ 1 — относительная магнитная проницаемость полупроводника.
Погонное (на единицу длины) сопротивление потерь Rп коммутационного проводника шириной b с учетом частотного влияния может быть оценено по формуле [5]
Rп = (0,35√ρMe ×ω×μ×μo)/b. (2.138)
Погонная емкость пленочного проводника (Сп) на несущий полупроводниковый слой кристалла определяется по формуле
Сп = εи×εo×b/dи, (2.139)
где εи, dи — относительная диэлектрическая проницаемость и толщина диэлектрического защитного слоя под коммутационным проводником. При применении сложных диэлектрических слоев с отличающимися значениями εи, dи в формуле (2.139) подставляется эффективное значение диэлектрической проницаемости
εиэф = εи1× εи2×(dи1 + dи2) /(εи1×dи1+ εи2×dи2). (2.140)
Погонная индуктивность Lп пленочного проводника определяется по формуле
Lп ≈ μo×dи/b. (2.141)
Влияние вихревых токов следует учитывать на частотах сотни МГц. Паразитную емкость необходимо учитывать на любых частотах. Роль паразитной индуктивности обычно мала.
Ширина проводных соединений должна удовлетворять следующим требованиям:
соответствовать технологическим нормам по минимально-допустимым размерам;
соответствовать тепловому режиму эксплуатации соединения на постоянном и, если требуется, на переменном токе;
соответствовать требованиям ограничения на вносимые паразитные параметры.
Технологические нормы на ширину проводника либо оцениваются через технологические погрешности исполнения (и совмещения в многослойных структурах) линейных границ проводника, либо устанавливаются как нормированное минимальное значение Lмин.
Соответствие по тепловому режиму обеспечивается выбором ширины проводника b либо по известному коммутируемому току I, допустимой плотности тока Io при известной толщине проводящего слоя t по формуле
b ≥ I/t×Io,
либо выбором ширины проводника b по известному коммутируемому току I допустимой удельной мощности Руд при известном поверхностном сопротивлении проводника R□ по формуле
b≥ I×√ (R□/ Руд).
Соответствие коммутационного проводника по сопротивлению обеспечивается выбором ширины проводника из неравенства
L×Rп/b ≤ Rдоп,
где L — длина проводника определяемая для известной топологической разводки;
Rдоп — допустимое сопротивление коммутационного проводника на частоте ω по функциональному применению.
Для постоянного тока приведенное неравенство представляется в виде
L×R□/b ≤ Rдоп.
Пример. Рассчитать минимальную ширину b алюминиевого пленочного проводника при максимальном токе I = 30 мА и толщине металлизации dМе = l,5 мкм. Определить погонные значения паразитных параметров (Rп, Сп, Lп) и сопротивления паразитных элементов на частоте F = 100 МГц. Толщину диэлектрической пленки принять — 0,5 мкм; диэлектрическую проницаемость принять — 3,9.
Наибольшее распространение в качестве межслойного диэлектрика получили SiO, Si02 и А12О3. Пленка А12О3 формируется анодным окислением. Минимальная толщина диэлектрических пленок для обеспечения качества изоляции и исключения пор составляет 0,5 мкм. Широко используются структуры с двумя слоями металлизации, хотя ценою усложнения технологии и сокращения процента выхода годных изделий возможно применение трех и более слоев металлизации
Влияние паразитных параметров Rп и Сп можно характеризовать граничной частотой Fгр, на которой амплитуда сигнала, передаваемого по шине металлизации, ослабляется до 0,707 исходного значения. Граничную частоту Fгр, при однослойной металлизации и длине коммутационного проводника L, можно оценить по формуле
Fгр = 1/2×π×Rп×Сп×L2 = dи/[2,2L2× εи×εo×(√ρMe ×ω×μ×μo)]. (2.142)
Пример. Рассчитать для двухслойной металлизации Сп и Fгр. Для первого слоя диэлектрика (SiO2) принять dи1 = 0,5 мкм; εи1 =3,9. Для второго слоя (SiO) принять dи2 = l мкм; εи2 = 6. Ширина проводника b = 10 мкм при длине 1 см.
Сопротивление и паразитная емкость, вносимые перемычкой, определяются аналогично методике, рассмотренной применительно к резисторам (см. материалы п. 2.17). В ИМС на биполярных транзисторах для перемычек используется n+-слой, расположенный в отдельной изолированной области. Площадь, занимаемая перемычкой, приблизительно равна площади транзистора с минимальными геометрическими размерами.
Контактные площадки ИМС — это металлизированный участок на кристалле, предназначенный для присоединения внешних выводов при электромонтаже кристаллов в конструкциях более высоких иерархических уровней, а также для контроля ее электрических параметров. Контактные площадки для внешнего монтажа располагают по периферии кристалла. Они представляют собой расширенные области коммутационных пленочных проводников и формируются одновременно с со всей системой соединений (коммутационной разводкой). Линейные размеры контактных площадок определяются линейными размерами проводников внешних подключений и технологическими ограничениями по позиционированию электромонтажного оборудования. В качестве проводников внешнего электромонтажа применяются проволока диаметром не менее 25 мкм и монтажная лента с сечением не 2525 мкм. Учитывая деформацию внешнего соединительного проводника в зоне электромонтажа (см. рис. 2.69, 2.70) и недопустимость выхода монтажной деформации за пределы контактной площадки, следует при проектировании топологии назначать линейные размеры площадки не менее (3–4) диаметров монтажной проволоки или большего линейного размера сечения монтажной ленты.
С целью предотвращения замыкания металла контактных площадок 1 на подложку в случае нарушения целостности окисла 2 в процессе присоединения внешних выводов (см. рис. 2.69, рис. 2.70), под каждой контактной площадкой (за исключением площадок, имеющих электрический контакт с подложкой) формируется изолированная область 3 (см. рис. 2.74).
Проектирование соединений и контактов имеет целью решение следующих задач:
выбор материалов по рекомендуемым допустимым их сочетаниям в соответствии с функциональным назначением;
выбор рекомендуемых допустимых толщин слоев пленок соединений;
определение ширины соединительных проводников по коммутируемым токам, технологическим нормам и параметрам проводника (поверхностное сопротивление, допустимая плотность тока, удельная мощность теплоотдачи);
выбор формы и линейных размеров контактных площадок (с учетом формы, размеров монтажных проводников и технологии монтажа).