- •Л.А. Торгонский
- •Содержание
- •1 Введение 6
- •2 Проектирование элементов и кристаллов биполярных имс 19
- •3 Элементы и кристаллы имс на полевых структурах 197
- •1 Введение
- •1.1 Термины и определения предметной области
- •1.2 Классификация микросхем
- •1.3 Обозначение имс
- •1.4 Конструкции и состав имс
- •1.5 Цели и задачи изучения дисциплины
- •1.6 Этапы проектирования микросхем
- •2 Проектирование элементов и кристаллов биполярных имс
- •2.2 Состав радиоэлементов бпт имс
- •2.3 Материалы имс
- •2.3.1 Введение
- •2.3.2 Кристаллические материалы имс
- •2.4 Изоляция элементов
- •2.5 Технологические слои структур бпт имс
- •2.6 Кремниевые пластины с эпс
- •2.7 Кремниевые пластины с эпс и скрытыми слоями
- •2.8 Кремниевые пластины с полной диэлектрической изоляцией карманов
- •2.9 Арсенид галлия в производстве имс
- •2.10 Технологические варианты структур бпт
- •2.11 Параметры слоев структур бпт имс
- •2.11.1 Оценка параметров слоя
- •2.12 Проектирование бпт
- •2.12.1 Введение
- •2.12.2 Функциональные параметры бпт
- •2.12.3 Расчетные соотношения оценки параметров бпт
- •2.12.4 Проектирование топологии бпт
- •2.12.5 Объемные формы и габаритные размеры элементов имс
- •2.12.6 Межэлектродные сопротивления бпт
- •2.12.7 Зависимость коэффициента передачи от топологии
- •2.12.8 Параметры быстродействия транзистора
- •2.13 Алгоритм проектирования бпт
- •2.14 Диоды ис
- •2.14.1 Общие замечания
- •2.14.2 Структуры интегральных диодов
- •2.14.3 Топологические конфигурации диодов
- •2.14.4 Проектные параметры диодов
- •2.14.5 Схема замещения диода
- •2.14.6 Алгоритм проектирования диодов
- •2.14.7 Диоды Шоттки в структурах бпт
- •2.15 Модификации бпт специального назначения
- •2.15.1 Общие сведения
- •2.15.2 Многоэмиттерный бпт
- •2.15.3 Многоколлекторный бпт
- •2.15.4 Транзисторы с контактными переходами Шоттки
- •2.15.5 Транзисторы с продольной структурой
- •2.15.6 Транзисторы со сверхтонкой базой
- •2.15.7 Транзисторы приборов совмещенных технологий
- •2.16 Резисторы полупроводниковых имс
- •2.16.1 Общие замечания
- •2.16.2 Структуры резисторов полупроводниковых имс
- •2.16.3 Топологические конфигурации резисторов
- •2.16.4 Проектные параметры резисторов
- •2.16.5 Расчетные соотношения
- •2.16.6 Алгоритм проектирования полупроводниковых резисторов
- •2.17 Конденсаторы биполярных имс
- •2.17.1 Общие сведения
- •2.17.2 Конденсаторы на основе р-n-перехода
- •2.17.3 Конденсаторы со структурой моп
- •2.17.4 Параметры конденсаторов бпт имс
- •2.17.5 Алгоритм проектирования конденсаторов бп имс
- •2.18 Соединения и контакты бпт имс
- •2.18.1 Общие сведения
- •2.18.2 Материалы и структуры соединений и контактов
- •2.18.3 Параметры и размеры соединений и контактов
- •2.19 Базовые элементы цифровых биполярных микросхем
- •2.19.1 Введение
- •2.19.2 Элементы транзисторно-транзисторной логики
- •2.19.3 Элементы ттл с приборами Шоттки
- •2.19.4 Элементы эмиттерно-связанной логики
- •2.19.5 Элементы инжекционной логики (и2л)
- •2.19.6 Элементы и2л с диодами Шоттки
- •2.20 Кристаллы ис
- •2.20.1 Введение
- •2.20.2 План кристалла
- •2.20.3 Сокращение потерь площади рабочей кристалла
- •2.20.4 Проектирование топологии ис на бпт
- •3 Элементы и кристаллы имс на полевых структурах
- •3.1 Проектирование полевых структур
- •3.1.1 Введение
- •3.1.2 Структуры и классификация мдп-транзисторов
- •3.1.3 Вольтамперные характеристики мдп-транзистров
- •3.1.4 Параметры мдп-транзистора и расчетные соотношения
- •3.1.5 Конструкции мдп-транзисторов
- •3.1.6 Алгоритмы проектирования мдп-транзисторов имс
- •3.2 Элементы цифровых имс на мдп-транзисторах
- •3.2.1 Введение
- •3.2.2 Защита конструкций мдп-микросхем
- •3.2.3 Логический инвертор с пассивной нагрузкой мдп
- •3.2.4 Логический инвертор с активной нагрузкой мдп
- •3.2.5 Логические элементы на мдп-структурах
- •3.2.6 Совмещенные биполярнополевые структуры
- •3.2.7 Полевые элементы устройств хранения информации
- •3.2.8 Проектирование топологии ис на мдп
- •3.3 Полевые структуры с зарядовой связью
- •3.3.1 Введение
- •3.3.2 Приборы с зарядовой связью (пзс)
- •3.3.3 Варианты структур элементов пзс
- •3.3.4 Ввод и детектирование заряда в пзс
- •3.3.5 Параметры пзс
- •3.3.6 Транзисторы с зарядовой связью (тзс)
- •3.3.7 «Пожарные» мдп-цепочки
- •3.3.8 Проектирование пзс
- •Список литературы
2.19.6 Элементы и2л с диодами Шоттки
Использование диодов Шоттки в логических ячейках с инжекционным питанием позволяет уменьшить логический перепад и работу переключения, расширить логические возможности элементов. За счет этого сокращается число объединяемых элементов при построении более сложных устройств и повышается их степень интеграции. С уменьшением числа элементарных ячеек в сложном устройстве снижается полное время задержки сигнала.
Три схемных разновидности логических ячеек с диодами Шоттки изображены на рисунке 2.84.
В двух первых схемах диоды создаются к области коллектора вертикального n-р-n-транзистора. Для этого используется специальный технологический процесс, позволяющий уменьшить концентрацию примесей в коллекторе. В третьей схеме диоды создаются к области р-базы. При этом для изготовления вертикального n-р-n-транзистора применяется специальная технология, обеспечивающая уменьшение концентрации примесей в базе. Таким образом, все известные логические ячейки с диодами Шоттки не могут быть созданы по стандартной биполярной технологии и требуют специальных технологических процессов.
Перспективность применения МКТ с диодами Шоттки в базе (см. рис. 2.84,в) для построения функциональных устройств, в сравнении с МКТ без диодов Шоттки, демонстрируется топологическими вариантами исполнений, изображенными на рисунке 2.85. На рисунке 2.85, а изображена функциональная группа в базисе логических элементов И с инверсией и без инверсии. На рисунках 2.85, б и 2.85, в изображены топологические конфигурации этой функциональной группы на МКТ без диодов Шоттки и с диодами Шоттки в базах соответственно. Монтажное объединение коллекторов разных МКТ реализует операцию И сигналов с объединяемых коллекторов. Благодаря этому и допустимости параллельного соединения катодных входов диодов разных транзисторов упрощаются топологические конфигурации исполнения функциональных схем. Входные логические элементы И-НЕ функциональной схемы заменяются на МКТ с числом диодов на базе, равным числу входов логического элемента. Выходные логические элементы И реализуются монтажными соединениями коллекторов соответствующих МКТ. Сопоставление изображенных на рисунках топологий показывает, что для рассматриваемой функциональной группы число транзисторов и занимаемая площадь с применением МКТ с диодами Шоттки в базе сокращается в два раза.
Для примера в экспериментальных логических элементах диоды Шоттки характеризовались напряжением спрямления 0,18 В при прямом токе 1 мкА и допустимым обратным напряжением 2,2 В при том же токе. При токе базы 10 мкА ток базы одноколлекторного n-p-n-транзистора достигал 15 единиц при напряжении пробоя перехода эмиттер-база, равном 4 В, с обратным током 1 мкА. Коэффициент передачи от инжектора к базе αin при токе инжектора, равном 10 мкА, составил 0,91. Применение диодов Шоттки, снижая логический перепад, удельную емкость эмиттерного перехода, в сочетании с применением инжектора вертикальной структуры обеспечивало снижение работы переключения элемента до (0,02–0,05) пДж при времени переключения (2–5) нС, что, в свою очередь, не является пределом.
Применение элементов И2Л с приборами Шоттки (и без них), как и элементов МЭСЛ, оправдано лишь при повышенных степенях интеграции, с тем чтобы основной массив логических элементов на кристалле был задействован на функциональных устройствах цифровых преобразований. В этом случае снижение быстродействия и увеличение энергопотребления вследствие применения согласующих усилителей мощности в обрамлении функциональных устройств может быть не столь заметным в целом для функционального устройства, размещенного на кристалле.
Элементы И2Л на рисунках 2.81 — 2.85 показаны без инжекторов и размерных цепей. При назначении размеров областей МКТ, инжекторов и их взаимного расположения при проектировании топологии отдельных элементов и их массивов следует пользоваться техническими решениями и расчетными оценками, приведенными в параграфах 2.15.3, 2.15.5.