
- •Л.А. Торгонский
- •Содержание
- •1 Введение 6
- •2 Проектирование элементов и кристаллов биполярных имс 19
- •3 Элементы и кристаллы имс на полевых структурах 197
- •1 Введение
- •1.1 Термины и определения предметной области
- •1.2 Классификация микросхем
- •1.3 Обозначение имс
- •1.4 Конструкции и состав имс
- •1.5 Цели и задачи изучения дисциплины
- •1.6 Этапы проектирования микросхем
- •2 Проектирование элементов и кристаллов биполярных имс
- •2.2 Состав радиоэлементов бпт имс
- •2.3 Материалы имс
- •2.3.1 Введение
- •2.3.2 Кристаллические материалы имс
- •2.4 Изоляция элементов
- •2.5 Технологические слои структур бпт имс
- •2.6 Кремниевые пластины с эпс
- •2.7 Кремниевые пластины с эпс и скрытыми слоями
- •2.8 Кремниевые пластины с полной диэлектрической изоляцией карманов
- •2.9 Арсенид галлия в производстве имс
- •2.10 Технологические варианты структур бпт
- •2.11 Параметры слоев структур бпт имс
- •2.11.1 Оценка параметров слоя
- •2.12 Проектирование бпт
- •2.12.1 Введение
- •2.12.2 Функциональные параметры бпт
- •2.12.3 Расчетные соотношения оценки параметров бпт
- •2.12.4 Проектирование топологии бпт
- •2.12.5 Объемные формы и габаритные размеры элементов имс
- •2.12.6 Межэлектродные сопротивления бпт
- •2.12.7 Зависимость коэффициента передачи от топологии
- •2.12.8 Параметры быстродействия транзистора
- •2.13 Алгоритм проектирования бпт
- •2.14 Диоды ис
- •2.14.1 Общие замечания
- •2.14.2 Структуры интегральных диодов
- •2.14.3 Топологические конфигурации диодов
- •2.14.4 Проектные параметры диодов
- •2.14.5 Схема замещения диода
- •2.14.6 Алгоритм проектирования диодов
- •2.14.7 Диоды Шоттки в структурах бпт
- •2.15 Модификации бпт специального назначения
- •2.15.1 Общие сведения
- •2.15.2 Многоэмиттерный бпт
- •2.15.3 Многоколлекторный бпт
- •2.15.4 Транзисторы с контактными переходами Шоттки
- •2.15.5 Транзисторы с продольной структурой
- •2.15.6 Транзисторы со сверхтонкой базой
- •2.15.7 Транзисторы приборов совмещенных технологий
- •2.16 Резисторы полупроводниковых имс
- •2.16.1 Общие замечания
- •2.16.2 Структуры резисторов полупроводниковых имс
- •2.16.3 Топологические конфигурации резисторов
- •2.16.4 Проектные параметры резисторов
- •2.16.5 Расчетные соотношения
- •2.16.6 Алгоритм проектирования полупроводниковых резисторов
- •2.17 Конденсаторы биполярных имс
- •2.17.1 Общие сведения
- •2.17.2 Конденсаторы на основе р-n-перехода
- •2.17.3 Конденсаторы со структурой моп
- •2.17.4 Параметры конденсаторов бпт имс
- •2.17.5 Алгоритм проектирования конденсаторов бп имс
- •2.18 Соединения и контакты бпт имс
- •2.18.1 Общие сведения
- •2.18.2 Материалы и структуры соединений и контактов
- •2.18.3 Параметры и размеры соединений и контактов
- •2.19 Базовые элементы цифровых биполярных микросхем
- •2.19.1 Введение
- •2.19.2 Элементы транзисторно-транзисторной логики
- •2.19.3 Элементы ттл с приборами Шоттки
- •2.19.4 Элементы эмиттерно-связанной логики
- •2.19.5 Элементы инжекционной логики (и2л)
- •2.19.6 Элементы и2л с диодами Шоттки
- •2.20 Кристаллы ис
- •2.20.1 Введение
- •2.20.2 План кристалла
- •2.20.3 Сокращение потерь площади рабочей кристалла
- •2.20.4 Проектирование топологии ис на бпт
- •3 Элементы и кристаллы имс на полевых структурах
- •3.1 Проектирование полевых структур
- •3.1.1 Введение
- •3.1.2 Структуры и классификация мдп-транзисторов
- •3.1.3 Вольтамперные характеристики мдп-транзистров
- •3.1.4 Параметры мдп-транзистора и расчетные соотношения
- •3.1.5 Конструкции мдп-транзисторов
- •3.1.6 Алгоритмы проектирования мдп-транзисторов имс
- •3.2 Элементы цифровых имс на мдп-транзисторах
- •3.2.1 Введение
- •3.2.2 Защита конструкций мдп-микросхем
- •3.2.3 Логический инвертор с пассивной нагрузкой мдп
- •3.2.4 Логический инвертор с активной нагрузкой мдп
- •3.2.5 Логические элементы на мдп-структурах
- •3.2.6 Совмещенные биполярнополевые структуры
- •3.2.7 Полевые элементы устройств хранения информации
- •3.2.8 Проектирование топологии ис на мдп
- •3.3 Полевые структуры с зарядовой связью
- •3.3.1 Введение
- •3.3.2 Приборы с зарядовой связью (пзс)
- •3.3.3 Варианты структур элементов пзс
- •3.3.4 Ввод и детектирование заряда в пзс
- •3.3.5 Параметры пзс
- •3.3.6 Транзисторы с зарядовой связью (тзс)
- •3.3.7 «Пожарные» мдп-цепочки
- •3.3.8 Проектирование пзс
- •Список литературы
3.3.7 «Пожарные» мдп-цепочки
Хранение
и передачу информации можно осуществить
при помощи цепочки, состоящей из МДП
транзисторов и МДП-конденсаторов,
которые получили название «пожарных
цепочек». На рисунке. 3.42,а
показана схема части пожарной цепочки.
Элемент, выделенный штриховыми линиями,
представляет собой МДП- транзистор с
емкостной связью электродов затвора и
стока. Необходимая емкостная связь
обеспечивается перекрытием этих
электродов (рис. 3.42, б).
Каждый
элемент нагружен на аналогичный, поэтому
емкости узлов А, Б,
В
одинаковы.
Для анализа передачи цифровой информации
от одного элемента к другому полагается,
что логическому нулю соответствует
нулевое напряжение, логической единице
— напряжение U1
≤ (Еф –
Uо), где
Еф
—
амплитуда
фазного тактового импульса.
На
рисунке 3.43 изображены временные диаграммы
перезаписи логического состояния из
узла А в узел Б подачей одного тактирующего
сигнала последовательности Ф1 с уровнем
Еф>Uо.
Рисунком 3.43, а иллюстрируется передача состояния лог. 0 (U0 = 0) из узла А в узел Б при подаче тактирующего сигнала Ф1. В результате, после завершения тактирующего сигнала, в узел Б переместится низкий уровень U0 из узла А. В узле А установится уровень U1 = Еф – Uo.
Аналогично на рисунке 3.43, б изображена передача состояния лог.1 (U1 = Еф – Uo) из узла А в узел Б по подаче тактирующего сигнала Ф1. Транзистор ячейки Б в этом случае тактирующим сигналом не открывается из-за высокого напряжения (U1 = Еф – Uo) в узле А. В отсутствие тока через транзистор ячейки Б узлы А и Б эквипотенциальны и напряжения на них равны U1 = Еф – Uo.
В процессе действия тактирующего импульса транзистор ячейки Б закрыт, а напряжение на узле Б элемента повышается и уменьшается на величину Еф, не изменяя исходного состояния, равного U1. В результате на выходе элемента Б фиксируется требуемая информация (логическая единица). После окончания тактового импульса конденсатор, подключенный ко входу передающей ячейки Б, всегда оказывается заряженным до напряжения (Еф – Uо) независимо от исходного информационного состояния, содержащегося на входе элемента.
Выход рассматриваемого элемента Б является входом последующего, именно по этой причине при рассмотрении работы элемента полагалось, что, независимо от того, передается логическая единица или логический нуль, в узле Б до прихода импульса Ф1 действует напряжение (Еф – Uо).
Информация, хранящаяся на выходе элемента в виде порции заряда на конденсаторе Сбф, может быть передана следующим элементом во время действия тактового импульса Ф2 в узел В и т.д., вдоль всей цепочки элементов.
Минимальная частота работы элементов здесь определяется постоянной времени разрядной цепи, образованной сопротивлениями обратносмещенного стокового р-n-перехода, закрытого канала транзистора и емкостью конденсатора ячейки.
Ток обратносмещенного р-n-перехода ограничен скоростью генерации электронно-дырочных пар в его обедненной области. Следовательно, ограничения максимального времени хранения информации в ПЗС, ТЗС и пожарных цепочках имеют одну и ту же физическую природу.
В отличие от структуры трехтактных ПЗС (см. рис. 3.27, 3.28) у элементов пожарных цепочек присутствуют диффузионные области, обеспечивающие электрическую связь между элементами.
Потенциал приповерхностного слоя полупроводника в зазоре между элементами в пожарной цепочке контролируется благодаря имеющейся диффузионной области, и в этом смысле работа этих элементов не критична к расстоянию между элементами.
Генерация заряда для транспортировки в пожарных цепочках осуществляется рассмотренными ранее способами. Детектирование выходного сигнала осуществляется на сопротивлении нагрузки МДП-транзистора, подключенного к выходной ячейке по схеме с общим истоком.
В отличие от ПЗС элементы пожарной цепочки можно моделировать из отдельных транзисторов и конденсаторов.