Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Гуревич, А. Г. Магнитный резонанс в ферритах и антиферромагнетиках

.pdf
Скачиваний:
27
Добавлен:
23.10.2023
Размер:
31.33 Mб
Скачать

120 КОЛЕБАНИЯ НАМАГНИЧЕННОСТИ ПРИ НАЛИЧИИ ДОМЕНОВ |Г Л . 3

его частота оказалась равной 2 у | К х \ /М 0. В других случаях она будет выражаться, конечно, по-другому. В реальных образцах, в особенности в поликристаллах, доменная структура будет сложной, неоднородной по объему образца. При этом будет иметься целое распределение — полоса частот естественного ферромаг­ нитного резонанса.

Заметим, что в рассмотренном случае при отсутствии посто­

янного поля X* = н= % но X- = 0. Таким образом, тензор является (при Н 0 — 0) диагональным, но не обращается в скаляр. Ясно, что это будет иметь место для любых монокристаллов х). В случае же поликристалла в результате двойного усреднения по

доменам и зерпам тензор х при Н 0 -- 0 обратится в скаляр. При Зачете диссипации все компоненты рассматриваемого усредненного тензора восприимчивости будут, конечно, комплексными. В част­ ности, поликристалл при Н 0 = 0 характеризуется двумя комплек­ сными параметрами их*- Зависимости их от частот],) изучались еще Аркадьевым [27] и были названы им магнитными спектра­ ми *2).

Переменные размагничивающие поля доменов. Перейдем те­ перь к рассмотрению размагничивающих полей, связанных со скач ками намагниченности на грапицах доменов. Одно из граничных условий на поверхности раздела любых сред заключается (см. § 5.1) в непрерывности нормальной составляющей магнитной индукции. Из этого условия следует, что

Нрпо — Н2п0 = —- 4я (Міі>0 — М2н0),

(3.1.21)

где индексы 1 и 2 соответствуют двум средам, а п0 — единичный вектор пормали к поверхности раздела. Таким образом, нормаль­ ная составляющая магнитного поля испытывает па границе ска­ чок, равный умноженному на 4л скачку нормальной составля­ ющей намагниченности. Так как внешнее поле не имеет особен­ ности на границе, то должно возникнуть размагничивающее поле, испытывающее на границе указанный скачок.

Рассмотрим, например, систему бесконечных плоскопараллель­ ных доменов-слоев (рис. 3.1.6). Предположим, что нормальные составляющие намагниченности испытывают на границах скачки + АМп. Легко видеть, что размагничивающие поля, направленные перпендикулярно границам и равные

Нм і,2 = =F 2тс I АМ „|,

(3.1.22)

*) При отсутствии внешнего магнитного поля и остаточного намагнича-

иия тепзор % Дояжеп быть снмметричым и, следовательно, в самом общем случае становится диагопальным при соответствующем выборе осей,

2) К магнитным спектрам мы вернемся в § 3,3.

§ 3.1] ДОМЕННАЯ СТРУКТУРА И УСРЕДНЕННЫ Е ПАРАМЕТРЫ 121

обеспечивают выполнение граничных условий (3.1.21). Такие поля удовлетворяют, как нетрудно убедиться, и уравнениям маг­ нитостатики (§ 5.1), т. е. представляют собой решение рассматрива­ емой задачи.

Часто, особенно при качественных рассуждениях, оказывается удобным вводить фиктивную поверхностную плотность магнит­

ных зарядов

 

о — АІІіГд = MJOQ

(3.1.23)

и считать ее источником размагничивающих полей. Так, в рассмот­

ренном выше

примере «магнитные заряды» с плотностями сг+ =

= I АМп I

и

ог_ = — |Д М п I

будут

 

 

 

ä

равномерно распределены на границах.

 

 

+

Как уже указывалось выше, равновес­

 

 

 

ная намагниченность обычно не имеет

 

 

+

 

скачков нормальной составляющей на

 

 

 

 

границах доменов. Но при достаточно

 

 

 

 

высокой частоте переменного поля, ког­

 

 

 

 

да процессы уже не происходят квази­

 

 

 

 

статически,

нормальные составляющие

НMl

 

 

Иг

переменной

 

намагниченности

могут

 

 

иметь скачки на границах доменов. Это

Piic. 3.1.6.

Размагничивающие

приведет к возникновению переменных

поля доменов

и

«магнитные

«магнитных зарядов» на границах доме­

заряды»

на

их

границах.

нов и переменных размагничивающих полей, завпеящих от намагниченностей не только данного домена, но и соседних.

Интересно отметить (это будет проиллюстрировано на конкрет­ ном примере в следующем параграфе), что переменные размагни­ чивающие поля, обусловленные скачками намагниченности на поверхностях образца, будут также зависеть от намагниченностей доменов. Наличие как тех, так и других размагничивающих полей приведет к связи между колебаниями намагниченности соседних доменов. Частоты этих связанных колебаний и значения усред­ ненных компонент тензора восприимчивости будут существенно отличаться от величин, полученных выше без учета взаимодействия между переменными намагниченностями доменов.

Задача о ферромагнитном резонансе с учетом переменных раз­ магничивающих полей, вызванных скачками намагниченности на границах, будет рассмотрена в следующем параграфе. Здесь мы остановимся на нестрогом (полукачественном) учете влияния этих полей на усредненные параметры ферромагнетика.

Вернемся к рассмотренному выше одноосному кристаллу с доменами-слоями, параллельными оси z. Ограничимся случаем Н0 = 0. Проекции переменной намагниченности доменов на оси

122

КОЛЕБАНИЯ

НАМАГНИЧЕННОСТИ ПРИ НАЛИЧИИ

ДОМЕНОВ frЛ. 3

общей для

обоих доменов системы запишутся в виде

 

 

 

тх± = уАх ± ilahy,

 

 

 

 

тѵ± = + iyjix + yjiv,

(3.1.24)

 

 

 

mz± = 0.

 

 

Величины

% и

%a определяются

формулами (3.1.17), где cö0;t =

=

2y I K x I /M 0- Отсюда видно,

что если hv — 0,

то

т ѵ - т и+ І%сАх:

а при hx = 0

Щ- = тѵ+ = yJh-

Таким образом, переменное поле hx, параллельное границе, приводит к появлению скачка нормальной к границе составляющей

У

h

X

 

4?

 

Рис. 3.1.7. Образование переменных «магнитных зарядов» на границах доменов и на поверхности эллипсоида [152J. а — прецессия намагниченности в доменах при перемен­ ном поле, параллельном или перпендикулярном границам (векторы намагниченностей в некоторый момент времени показаны сплошными линиями, а через 1/4 периода— пунк­ тиром); б — мгновенное распределение переменных «магнитных зарядов» на границах

доменов и на поверхности эллипсоида.

переменной намагниченности, т. е. к появлению переменной плот­

ности «магнитного заряда»

2щМп

 

 

б = Атѵ =

К-

(3.1.25)

 

Переменное же поле, перпендикулярное границе, переменных маг­ нитных зарядов на границе не вызывает. Это иллюстрирует рис. 3.1.7, а, на котором показана прецессия намагниченности в со­

§ 3.1] ДОМЕННАЯ СТРУКТУРА И УСРЕДНЕННЫ Е ПАРАМЕТРЫ 123

седних доменах под воздействием переменных магнитных полей: параллельного и перпендикулярного границе.

Формулы Полдера — Смита. Рассмотрим теперь, следуя Полдеру и Смиту [152], эллипсоид из монокристалла, разбитый на домены так, как показано на рис. 3.1.7, б. Примем, что толщина доменов d много меньше размеров эллипсоида. Выясним, какие поверхностные заряды будут возникать на границах доменов и на поверхности эллипсоида, и попытаемся учесть их влияние.

Рассмотрим сначала случай, когда переменное поле hx парал­ лельно границам доменов. Тогда на границах будут возникать по­ верхностные заряды, обусловленные скачками ти. Переменные магнитные заряды на поверхности эллипсоида будут вызываться, вообще говоря, проекциями как тх, так и ту на нормаль к поверх­ ности. Но в случае поля, параллельного границам, величины ту будут иметь разный знак в соседних доменах и вызываемые ими магнитные заряды на поверхности будут знакопеременными. Свя­ занные с ними размагничивающие поля будут сосредоточены лишь в узком слое вблизи поверхности. Величины же тх будут иметь одинаковый знак во всех доменах. Вызываемые ими магнитные заряды будут такими же, как если бы доменов вообще не было. Размагничивающее поле, связанное с этими зарядами, может быть учтено введением обычного размагничивающего фактора эллип­ соида N x элРазмагничивающий же фактор 7Ѵуэл, обусловленный зарядами на поверхности эллипсоида, должен быть принят рав­ ным нулю. Однако должен быть введен размагничивающий фактор, учитывающий переменные заряды на границах доменов 1ѴУД. Поскольку мы считаем, что толщина доменов много меньше разме­ ров эллипсоида, можно принять N v д ^ 4 я. Рассуждая таким же образом, нетрудно убедиться, что в случае переменного поля hy, перпендикулярного границам, N х = 0, а N y = N v элЧто же ка­ сается эффективного размагничивающего фактора в направлении оси 2, обусловленного постоянными размагничивающими полями, то он должен быть принят равным нулю, так как постоянные магнитные заряды на поверхности будут знакопеременными.

Для того чтобы определить собственную частоту колебаний намагниченности рассматриваемого эллипсоида, достаточно под­ ставить приведенные значения размагничивающих факторов в формулу Киттеля (1.4.18). При этом можно учесть также прибли­ женно влияние кристаллографической анизотропии, вводя эффек­

тивное поле анизотропии (— N l3 М 0) = 2 HA ~ 2 \ K I I / М 0. Тогда для колебания, которое возбуждается переменным полем, параллельным границам доменов, ползшим

со = г [(2НА + N x 9ЛМ 0) (2НА + N y ДМ0)]‘/.,

(3.1.26)

а для колебания* которое возбуждается полем, перпендикулярным

124 КОЛЕБАНИЯ НАМАГНИЧЕННОСТИ ПРИ НАЛИЧИИ ДОМЕНОВ [ГЛ. 3

границам,

М= Г [2# А (2Н а + N v ЭЛМ0)]Ч

(3.1.27)

Подчеркнем, что сумма размагничивающих факторов по разным осям, входящих в эти формулы, не должна быть равна 4л, как для однородно намагниченного эллипсоида.

Перейдем теперь к рассмотрению естественного резонанса в поликристалле. Предположим, что его зерна представляют собой эллипсоиды различной формы с показанной на рис. 3.1.7 доменной структурой; они не взаимодействуют между собой и различным образом ориентированы относительно переменного поля. Резо­ нансные частоты этих эллипсоидов будут лежать в широкой полосе от

 

 

 

®мнн ~ 2г#л

(3.1.28)

(Ny ЭЛ--

О в

формуле

(3.1.27)) до

 

 

 

®манс ~

Т (2 //А 4- 4лМ 0)

(3.1.29)

(N x эл =

и ІѴ,/д =

4 я 1)

в формуле (3.1.26)).

 

Несмотря на весьма нестрогий характер приведенных рассуждений, оценки (3.1.28) и (3.1.29) довольно хорошо подтверж­ даются экспериментально. Особенно большой интерес представ­ ляет величина coMaKC, которая является граничной частотой так называемых «начальных потерь». На частотах, меньших сомакС) при Н 0 = 0 (а также при малых постоянных полях, когда еще сохраняется доменная структура) имеют место резонансные маг­ нитные потери, которые препятствуют применению данного фер­ рита в устройствах, работающих при малых полях. Например, для магний-марганцевого феррита, который широко применяется в

таких

устройствах

(М 0 — 160

ас, | К г |

ІО4), граничная ча­

стота

сомакс/2я = 6 Ггц (длина

волны

5 см).

Для устройств,

работающих при

малых

постоянных полях

на более длинных волнах, нужны ферриты с меньшей намагничен­ ностью и с достаточно малой анизотропией. Очевидно, что требо­ ванием к таким ферритам является также малая ширина резо­ нансной кривой. Был разработан целый ряд материалов, удовле­ творяющих в той или иной мере этим требованиям: магниевые ферриты-алюминаты [473] и магниевые ферриты-хромиты со структурой шпинели, иттриевые ферриты-алюминаты и ферритыгаллаты [102], а также другие — более сложные ферриты со струк-

х) Эффективный размагничивающий фактор доменов N д, может, конечно,

несколько отличаться от 4л. Это отличие несущественно для оценочной фор­ мулы (3.1.29). Однако оно, как показали Ле Кроу и Спенсер [15В] (см. так­ же [6]) может явиться причиной иптереспой «аномалии»— возникновения в

некоторой области постоянных полей отрицательных значений (рис. 3,1.4).

§ 3.2] ФЕРРОМАГНИТНЫЙ РЕЗОНАНС ПРИ ДОМЕННОЙ СТРУКТУРЕ 125

турой граната [100] (см. [9]). Их использование позволило прод­ винуть границу применимости СВЧ ферритовых устройств, рабо­ тающих при малых полях — в области существования доменной структуры, приблизительно до длин волн 10—20 см1).

Взаключение заметим, чго формулы Полдера — Смита (3.1.28)

и(3.1.29) позволяют оценить лишь границы полосы частот естест­ венного ферромагнитного резонанса в поликристаллах. Зависи­ мости V и %" от со в этой полосе и, в частности, положение макси­ мума %" определяются многими факторами, прежде всего — размерами и формой зерен и пор и особенностями доменной структуры.

§ 3.2. Ферромагнитный резонанс при наличии доменной структуры

Строгий расчет ферромагнитного резонанса в ненасыщенных образцах возможен практически лишь при достаточно простых предположениях об их доменной структуре. Такой расчет впер­ вые провел Нагамийя [151] для случая диска из тетрагонального кристалла. Для эллипсоида вра­ щения из магнитно-одноосного кристалла этот расчет был про­ веден Смптом и Бельерсом [117], а для сферы из кубического

кристалла — Артманом

[119].

 

В этих работах

предполагалась

 

простейшая

доменная

структу­

 

ра, состоящая из илоскопарал-

 

лельных

слоев

равной

толщи­

 

ны 2). Такая структура сохраня­

 

ется при наложении постоянно­

 

го поля,

если выполняется сле­

Рис. 3.2.1. Доменная структура, сохраня­

дующее

условие: равновесные

ющаяся при наложении постоянного поля.

(при отсутствии

поля) намагни­

Пунктир— намагниченности доменов при

На = 0, сплошные линии— при Н 0 Ф 0,

ченности

обеих

групп

доменов

 

образуют

с

полем одинаковые

срн, образованный полем стра­

углый'н

(рис. 3.2.1); угол же

ницами доменов, может быть любым. В этом случае обе группы до­ менов остаются «равноправными» в энергетическом отношении и

1) СВЧ ферритовые устройства созданы и для гораздо более длинных: дециметровых п метровых воли [11]. Однако в этих устройствах используют­ ся постоянные поля, при которых доменная структура практически отсут­ ствует. Для ферритов, работающих в таких устройствах, требование малой намагниченности не является обязательны»!.

2) Нагамийя [151] рассматривал также случай доменов-слоев неравной толщины.

126 КОЛЕБАНИЯ НАМАГНИЧЕННОСТИ ПРИ НАЛИЧИИ ДОМЕНОВ [ГЛ. 3

при наложении поля, и смещения границ не происходит. Намаг­

ничение

достигается путем процессов вращения,

т. е. поворота­

ми векторов намагниченности по направлению к

полю.

Связанные уравнения движения для двух групп доменов. В

работах

[117] и [119] использовался метод расчета

ферромагнит­

ного резонанса в сферических координатах (§ 2 .1), обобщенный на случай двух «магнитных фаз» — двух групп доменов. Остано­ вимся прежде всего иа этом обобщении. Следуя, в основном, Сми­ ту и Бельерсу [117], рассмотрим вынужденные колебания и для простоты не будем учитывать диссипации.

Уравпеяия (2.1.39) — (2.1.41) справедливы для каждой фазы при условии, что входящая в них плотность энергии отнесена к единице объема соответствующей фазы. Мы же хотим по-прежне­ му иметь дело с плотностью энергии, отнесенной к единице объема всего кристалла. И если объемы обеих фаз равны, то в результате такой «перенормировки» плотности энергии получаются (без уче­ та диссипации) следующие уравнения [117]:

ЭѲі,а

 

 

dU'

(3.2.1)

dt

~

АС sin Ѳ1і2

dcpli2 ’

 

Эфі,з

_

dU'

(3.2.2)

dt

Afosm 0lj2

аѲ1>2 >

где U' — плотность энергии, отнесенпая к единице объема всего

образца, а 0lj2 и ср1і2,

соответственно,

полярные

и азимутальные

углы векторов намагниченностей фаз Мх и М2. Как и при рассмот­ рении вынужденных колебаний в однофазной системе (см. (2.1.49)), величина U' включает в себя плотность зеемановской энергии в переменном магнитном поле.

Плотность магнитной энергии U (без зеемановской энергии в переменном поле) будет зависеть теперь от направлений намаг­ ниченностей обеих фаз, т. е. от Ѳь Ѳ2, срх и ср2 1). Разложим произ­ водные Ö Z7/991)2 и dU/dcpx,2 в ряды вблизи равновесного положения

Ѳ10,

020) Фіо,

Фгоі например,

-g^-

— Uo, +

£/о,0,ДѲі + t/oj^Arpi + £/0,0^02 + ^О.ср.Афз + . • • , (3.2.3)

где Uoi, U9,0„, f/o.tp, и т. д. по-прежнему означают соответствую­ щие первые и вторые производные в равновесном положении. При

х) Плотность магнитной энергии зависит, вообще говоря, и от относитель­ ных размеров доменов [159]. Но мы не принимаем во внимание этой зависи­ мости, пренебрегая как возможностью равновесного смещения границ (вслед­ ствие упомянутого выше специального выбора направления постоянного поля), так и динамическими их колебаниями, Колебания границ доменов будут рассмотрены в следующем параграфе. В работе Власова и Оноприенко [159] дается трактовка вращательных колебаний намагниченности в доменах и колебаний границ в единой вычислительной схеме. В общем случае эти ко­ лебания оказываются связанными.

§ 3.2] ФЕРРОМАГНИТНЫЙ РЕЗОНАНС ЙРЙ ДОМЕННОЙ СТРУКТУРЕ 127

равновесии

C/o, =

Uo,= £/ф1 = t/tpj = 0 .

(3 .2 .4 )

Зеемановская энергия в переменном поле, согласно (2.1.51),

запишется следующим образом:

 

Uh — ---- M 0h ^ 2 [sin

sin 0/icos j — Ф/,) +

cos 0j cos 0Л1,

3 = i , 2

 

(3.2.5)

 

 

где Ѳд и фд — полярный и азимутальный углы переменного поля. Подставим в уравнения (3.2.1) и (3.2.2) выражение (3.2.3) и анало­ гичные выражения для других производных от U с учетом (3.2.4), а также первые производные от (3.2.5) в равновесном положении. В результате получим линеаризированные уравнения движения для двухфазной системы

д(Афі)

 

Л/о slnlTo (Uo,o,A0i +

С/о^Дфі + Uo,o,A02 +

Uо,ФгАф2) —

dt

 

 

=

[ctg 0Xо sin Ѳд cos (cpi о — cph) — cos Ѳд],

д(ДѲі)

 

,

 

 

 

 

 

dt

+

A /o sin O io

 

 

^ Т .Ф іД ф і + С /^ о Д О г +

//ф іФгА ф 2) =

 

 

 

 

 

= т ftSin Ѳл sin (cpi о — фл),

 

 

 

 

 

 

(3.2.6)

с>(Лдь-)

 

М 0 0' о' ( ^ OiOg^01+

U ф.ОзАфі -[- t/o3P2A 0 2 + U

0..-р3Афа) =

dl

 

а(Д02)

,

=

— Tfft- [ctg Ѳ2 0 Sin Ѳд COS (ф2 0 — Фл) — COS Ѳд],

м0зщQ70

 

°іт=А0і +

Uф1фзАфх -(- Uо.фгАѲ3 +

С/фгсргАсрг) =

dt

+

 

= rfc~ sill Ѳ/іsin (фа о — Фл)-

Уравнения (3.2.6) являются связанными, если хотя бы одна из «межфазных» вторых производных t/o,02, UcРіЧ,„ £/ѳ1Ф, и £/ф1о. не обращается в нуль.

В нашем случае

U = t/я + UM HOB + UM rP + C/e.

(3.2.7)

Здесь UH — плотность зеемановской энергии в постоянном маг­ нитном поле, С/мпов — плотность энергии размагничивающих по­ лей, обусловленных скачками намагниченности на поверхности образца, гР — плотность энергии размагничивающих полей, возникающих вследствие скачков намагниченности на границах доменов, а Ua — плотность энергии анизотропии.

128 К О Л Е Б А Н И Я Н А М А Г Н И Ч Е Н Н О С Т И П Р И Н А Л И Ч И И

Д О М Е Н О В [ Г Л . Э

Энергия Uи, аналогично (3.2.5), запишется:

 

Ьтн — ---- 5- М 0Но 2 [sin 0j sin 0jj cos (cpj — tpн) +

cos Qj cos Он].

j—1 2

(3.2.8)

 

Примем, что толщина доменов много меньше размеров образ­ ца. Тогда для энергии размагничивающих полей, обусловленных поверхностью, будет справедливо выражспие (2.1.3'), в котором

под М х ,

М ѵ и М, следует понимать усредненные по доменам зна­

чения соответствующих составляющих

намагниченности,

а

под

N x, Ny

и N z — «обычные» размагничивающие факторы, такие

же

как для

однородно намагниченного

эллипсоида г). В

наше.«

случае равных толщин доменов

 

 

 

нов =

Ml [Nx (sin 0Хcos cp! 4 - sin 02 cos ф2)г -f-

 

 

-f N v (sin0! sin cp! 4 - sin 02 sin cp2)3 4 - ^(cosO i 4- cos02)2].

(3.2.9)

Размагничивающие поля, связанные со скачками намагниченности на границах доменов, определятся согласно (3.1.22). Плотность их энергии

U M гр = - g ^ - 1Н м !, 2 Is = ~ ( М 1п- М іп)\

( 3 . 2 . 1 0 )

где М 1п и Мо — проекции намагниченностей доменов на нормаль к границе.

Сфера из одноосного ферромагнетика. Рассмотрим одноосный кристалл. Тогда плотность энергии анизотропии каждой фазы запишется в виде (2.2.4). С учетом только первой константы ани­

зотропии

 

 

Ua =

Ki (sin2 Ѳх + sin2 Ѳ2).

(3.2.11)

Дальнейшие вычисления проведем на конкретном примере

сферического образца

(Nx = N v = Nz = 4я/3)

с К х )> 0. По­

стоянное магнитное поле направим перпендикулярно оси анизо­ тропии (рис. 3.2.2). Очевидно, что тогда будет выполняться сфор­ мулированное в начале этого параграфа условие и принятая до­ менная структура будет сохраняться в определенном интервале значений Н 0. Предположим также, что постоянное доле перпен­ дикулярно границам доменов. Переменное магнитное поле пусть

J) Нетрудно убедиться, что введеипые в предыдущем параграфе при выводе формул (3.1.26) и (3.1.27) эффективные размагничивающие факторы находятся в согласии с этим утверждением. В частности, эффективные раз­ магничивающее факторы обращались в нуль, когда соответствующие состав­ ляющие намагниченности имели противоположные знаки в соседних доменах, т. е. когда их среднее значение было равно нулю.

§ 3.2J Ф Е Р Р О М А Г Н И Т Н Ы Й Р Е З О Н А Н С П Р И Д О М Е Н Н О Й С Т Р У К Т У Р Е

129

лежит в плоскости, перепендикулярной оси анизотропии. Напра­ вим оси координат так, как показано на рис. 3.2.2. Тогда

Ѳн = -£-,

=

= ^

(3.2.12)

и плотность энергии (3.2.7) с учетом (3.2.8) —* (3.2.11) запишется следующим образом:

U ------- Y М 0Н0(sin 0! sin срх +

sin Ѳ2 sin cp2) -(-

+

Кг (sin2 0! +

sin2 02) + ~

Mo[sin 0! sin 02 COS (cp! ф2) +

+

cos 0i cos 02 +

1] +

Ml (sin 0! sin cpi—sin 02 sin cp2)2. (3.2.13)

Найдем прежде всего равновесные ориентации векторов на­ магниченности. Из симметрии задачи очевидно, что

я

фі 0 = фг 0 — фн — ~2~ >

Это можно было бы получить (3.2.4). С учетом (3.2.14) выра­ жение (3.2.13) примет вид

Uo = — Afo77osin0o -(-

Ѳі о — я — 02 о = ѳ0. (3.2.14)

строго из условий равновесия

+ [Кг + Mg) sin2 Ѳ0. (3.2.15)

Условием равновесия будет

Отсюда при Н 0^ .2 Я аі+ 4 дМ 0/3

sin Ѳ0

Яр

Рис. 3.2.2. Доменная структура и направ­

Мо (3.2.16)

ления полей, принятые при расчете фер­

2 Я Al

осного кристалла.

 

4 it

ромагнитного реэонанса в сфере из одно­

где, как и прежде, Н Аі определяется согласно (2.2.10). При Н0 > > 2 НА1 + 4 пМ 0/3

й _ я 0О— — »

т. е. доменная структура исчезает.

5 А. Г. Гуревич

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ