Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Кудрин, Л. П. Статистическая физика плазмы

.pdf
Скачиваний:
6
Добавлен:
22.10.2023
Размер:
17.6 Mб
Скачать

описывать квантовомеханически, а не с помощью классической механики.

Известно, что классическое рассмотрение соответствует зада­ че «падения на центр». Поэтому при исследовании классической плазмы необходимо предположить, что на малых расстояниях между частицами действуют силы отталкивания, переходящие при удалении частиц друг от друга в кулоновские силы притя­ жения или отталкивания в зависимости от знаков зарядов обеих частиц. Иногда для устранения этого противоречия (или скорее недостатка классического рассмотрения) считают, что частицы представляют собой твердые сферы. Существуют и более слож­ ные модели для описания короткодействия в кулоновских си­ стемах.

Итак, в классической плазме имеются три характерных раз­ мера: радиус короткодействующих сил а (например, радиус твердой сферы), средняя амплитуда рассеяния f и среднее рас­ стояние между частицами го. В квазиклассической плазме таких размеров четыре: добавляется дебройлевская длина волны ft.

Система мало отличается от идеальной, если обе длины, ха­

рактеризующие

взаимодействие

и /),

малы по

сравнению с

Го~«-1/3- При

этом формально

можно

считать

малым пара­

метром задачи плотность частиц п.

 

 

Перейдем к

определению к в а н т о в о й п л а з мы . Кванто­

вые эффекты в системе многих частиц, и в плазме в том числе, проявляются двояко: во-первых, если ft мала по сравнению с f, то движение частиц в плазме необходимо описывать законами

квантовой

механики; во-вторых, если ft

становится

сравнимой

с г0, необходимо учитывать

вырождение,

пользуясь

квантовой

статистикой: для частиц с

полуцелым

спином — статистикой

Ферми, с

целочисленным

спином — статистикой Бозе — Эйн­

штейна.

Квантовая плазма описывается тремя характерными длина­ ми: ft, r0, f [1]. Условие идеальности квантовой плазмы, так же как и классической, имеет вид f<Cr0. Этот результат можно записать в явном виде, пользуясь следующими простыми сооб­ ражениями. Пусть электронная составляющая плазмы полностью вырождена (Т = 0). Тогда, как это хорошо известно, кинетиче­ ская энергия электронов Е,аш пропорциональна энергии Фер­ ми eF-

Еки„ = (3/5) ер.

Условие идеальности вырожденной плазмы определяется ма­ лостью энергии кулоновского взаимодействия электронов с яд­ рами (на один электрон) Ze2/r0 по сравнению с Ешш:

Ze2/rQ<^BF. (1.12)

Поскольку

г0 — [3/(4яп)]1/з, sF— (Й2/2т) п 1',

(1-13)

Ю

где т — масса электрона;

п — плотность частиц, то, опуская

численные коэффициенты,

получаем

 

п > 22/ао

(ао — боровский радиус).

Отсюда следует, что вырожденная плазма тем более идеаль­ на, чем выше ее плотность. Это легко понять качественно, так как кинетическая энергия (на одну частицу) растет с увеличе­ нием плотности быстрее, чем потенциальная *. По порядку ве­ личины амплитуда рассеяния

f ~ Ze^/zp.

Поэтому в случае квантовой плазмы можно написать критерий

идеальности в виде, аналогичном критерию

Кирквуда — Онса-

гера (1.3):

 

Лкв — ^е2/(грГ0) <С 1 •

(1.14)

На рис. 1 представлена заимствованная из работы [3] удоб­ ная диаграмма, на которой указаны характерные области изме­ нения введенных выше физических параметров для водородной

плазмы (Z=l):

плазма со

 

 

 

 

 

 

 

I — классическая

 

 

 

 

 

 

 

слабым

 

взаимодействием

 

 

 

 

 

 

 

электронов и ионов **;

 

 

 

 

 

 

 

 

II — классическая

плазма

 

 

 

 

 

 

у '

с сильным

взаимодействием

 

ш

 

 

 

У У '

как электронов, так и ионов;

 

 

 

 

 

 

7

 

 

 

 

 

 

У

III — электроны

образуют

 

 

 

 

 

 

ш ,

вырожденную

подсистему

с

 

 

 

 

 

У

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

у '

J

сильным

 

взаимодействием,

 

 

 

 

 

 

 

ш

 

/

 

/

 

ионы — классическую

систему

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

с сильным взаимодействием;

с

у У

У п

,

 

 

 

IV — квантовая

плазма

%

 

 

 

 

 

 

сильным

 

взаимодействием

r

I

 

 

 

 

 

1

 

 

 

 

электронов

и ионов;

 

 

у

 

1

 

 

 

 

V — электроны

образуют

 

1

 

 

 

 

 

t

 

 

 

 

вырожденную подсистему

со

/

 

\

 

 

I

 

 

1

 

 

 

слабым

взаимодействием,

а

 

1

 

 

 

 

ионы — классическую подсисте­

 

1

 

 

 

 

Ц-

 

 

 

 

му с сильным взаимодействием;

 

 

 

 

 

 

 

VI — электроны вырождены

Рис. I. Области термодинамических

и взаимодействуют слабо, ионы

вырождены и

взаимодейству­

параметров

 

водородной плазмы, со­

ответствующие

 

введенной в тексте

ют сильно;

 

 

 

 

классификации плазмы.

* Наряду с плотной электронно-ионной плазмой к числу вырожденных реальных систем принадлежат электроны в металлах, металл-аммиачных ра­

створах, сильнолегированных полупроводниках, а также ядерная

жидкость

•в сверхплотных звездах.

от пара­

** Слабое и сильное взаимодействия определяем в зависимости

метра и (как т|нл, так и г)кв).

 

И

VII — электронно-ионная система со

слабым взаимодейст­

вием, в которой электронная компонента вырождена;

VIII — квантовая плазма со слабым

взаимодействием как

электронов, так и ионов.

 

Таким образом, области I, VII и VIII соответствуют газовой

плазме при различных значениях Т и п ;

V и VI — конденсиро­

ванному состоянию, в котором электроны образуют вырожден­ ный газ со слабым взаимодействием; III и IV — твердому телу.

Хорошо известно, что понятие температуры Т имеет смысл лишь в случае т е р м о д и н а м и ч е с к о г о р а в н о в е с и я си­ стемы. Изучение свойств плазмы в термодинамическом равно­

весии

и является предметом настоящей

книги. Однако при

л о ­

к а л ь

н о м т е р м о д и н а м и ч е с к о м

р а в н о в е с и и ,

как

это легко показать, можно оперировать с термодинамическими функциями, рассчитанными в предположении полного термоди­ намического равновесия, хотя плазма и не является изотерми­ ческой.

Если в объеме V плазмы устанавливается стационарное рас­ пределение температур, обусловленное постоянно действующим источником тепла и стоком тепла, связанным с теплопровод­ ностью плазмы (как «материальной», так и лучистой), то гово­ рят, что плазма находится в локальном термодинамическом рав­ новесии, если на длине L, составляющей несколько длин сво­ бодного пробега, изменение температуры АТ мало по сравнению со средней температурой Т на участке L: А7/Г<С1. Это озна­ чает, что реальное распределение температур можно аппрокси­ мировать ступенчатой функцией, а для каждого_ участка рас­ сматривать термодинамические функции при Т = Т. Если источ­ ник тепла выключен и распределение температур начинает мед­ ленно деформироваться, то с известными оговорками понятием локального термодинамического равновесия можно пользовать­ ся в течение времени т, определяемого неравенством:

£ — V ax <#i>

где а — коэффициент температуропроводности; R\ — характер­ ный размер плазменного слоя.

В термодинамике плазмы существует еще понятие ч а с т и ч ­ ног о т е р м о д и н а м и ч е с к о г о р а в н о в е с и я . Если плаз­ ма живет не очень долго после перехода в ионизованное состоя­ ние, то температура электронов Те> Т { (где Ti — температура ионов), так как обмен энергией между электронами и ионами происходит гораздо медленнее, чем соответствующий обмен между частицами, близкими по массе. Поэтому при не слишком больших плотностях в течение конечного времени т может су­ ществовать н е и з о т е р м и ч е с к а я двухтемпературная плазма.

Если частицы приобретают энергию под действием электро­ магнитного поля или ударной волны, то может не быть и частич­ ного равновесия. Теряет смысл само понятие температуры.

12

Однако в этом случае пользуются иногда понятием эффективной температуры, равной средней энергии, приходящейся на две сте­ пени свободы частицы. В ударной волне все частицы набирают одинаковую скорость и, следовательно, эффективная температу­ ра возрастает с их массой.

В заключение приведем определение о п т и ч е с к и

т о н к о ­

го и о п т и ч е с к и п л о т н о г о плазменных слоев.

Плазмен­

ный слой является оптически тонким, если оптическая толщина слоя t мала, т. е.

где I — средняя длина свободного пробега фотона в плазме; R [ — толщина плазменного слоя. В случае обратного неравенст­ ва плазма является оптически плотной. Отметим, что сущест­ вует некоторая определенная связь между оптической толщиной плазмы и степенью ее термодинамической неидеальности.

§ 2. СТЕПЕНЬ «УПОРЯДОЧЕННОСТИ» ПЛАЗМЫ

Вдостаточно большом объеме V плазма электронейтральна.

Впротивном случае она неустойчива. Условие электронейтраль­ ности имеет вид

2 ^ =

0,

(2.1)

(

и плотность

i-й компоненты

где Z, и fij — соответственно заряд

плазмы. В малых объемах плазмы

(порядка го3)

условие элект­

ронейтральности нарушается. Точнее, характерный размер элек­ тронейтральности плазмы определяется радиусом экраниро­

вания.

Такой характерной

длиной

в

разреженной плазме яв­

ляется

р а д и у с Д е б а я

/о> г0

(см.

ниже). Поэтому обычно

говорят не о нейтральности плазмы, а о ее к в а з и н е й т р а л ь ­ ности.

До сих пор мы обсуждали плазму как систему точечных за­ ряженных и нейтральных частиц. В реальной плазме всегда имеется взаимодействие между частицами, которое усложняет само понятие частицы. Пусть в некоторой точке объема, содер­ жащего плазму (лучше сказать, области), имеется неоднород­ ность в распределении заряда, например избыток положитель­ ного заряда. Тогда электроны, которые весьма подвижны, будут стремиться попасть в эту область для восстановления электро­ нейтральности. В результате положительный заряд экранируется электронным облаком. Медленно движущийся ион с электрон­

ным облаком можно

рассматривать как новую части­

цу— к в а з и ч а сти цу,

взаимодействие которой с остальными

частицами ослаблено. Характер экранирования и его эффект зависят от состояния плазмы — ее температуры и плотности.

Оценим эффект экранирования в случае системы медленных частиц. Характерную длину экранирования можно оценить, рас­ сматривая реакцию системы электронов на статический положи­

13

тельный заряд q. Пусть этот заряд находится в начале коорди­ нат. Тогда можно написать уравнение Пуассона для электро­ статического потенциала ф(г), действующего на заряженные частицы вдали от начала координат и обусловленного наличием заряда q, а также изменением плотности плазмы в окрестности этого заряда:

V 2<P(г) = — 4т/б (г) + 4яе6и (г),

(2.2)

где 6п (г)— изменение плотности электронов, вызванное

внесе­

нием точечного заряда q; 6 (г) — дельта-функция.

 

Рассмотрим два случая:

1) реакцию системы, представляющей собой квазиклассическую разреженную плазму, которую в дальнейшем будем назы­ вать д е б а е в с к о й ;

2) реакцию вырожденной плотной плазмы, для которой мал

параметр rs:

 

 

Г* = г0/йо € 1•

(2.3)

Поскольку в первом случае

параметр Т11СЛ<С 1

[см. условие

(1.3)], то можно написать

 

 

и (г) — п0 ехр (— ец>/кТ) — n0 (1 — ey/kT).

(2.4)

Тогда

 

 

6н (г)=

п0е(р/кТ.

(2.5)

Во втором случае параметр г|кв также мал [см. условие (1.14)], тогда, записывая плотность электронов в приближении Тома­ са — Ферми, имеем:

п (г) = (1/3л2) {(2m/h2) [eF-f еср(г)]}’/г = п0 + 8п (г),

(2.6)

где по — равновесное значение плотности электронов.

Разлагая выражение (2.6)

по малому параметру tikb и огра­

ничиваясь первыми двумя членами, получим

 

8п (г) =

(3/2) n0eq>/eF.

(2.7)

Подставив формулы (2.5) и (2.7) в уравнение Пуассона (2.2), получим уравнение

 

(V 2 — я2) ср (г) = — 4nq8 (г),

 

 

(2.8)

где параметр х2 соответственно

для дебаевской

и

квантовой

плазм имеет вид:

 

 

 

 

 

Хкл — 4ле?п0ГкТ;

ХкВ= бле2 n0/eF.

 

(2.9)

Решение

же уравнения (2.8) дает выражение

для

потенциала

экранирования

 

 

 

(2.10)

 

Ф (г) = (q/r) ехр (—хг).

 

 

Величина

lD= 1/х называется

д е б а е в с к о й

длиной , или

д е б а е в с к и м р а д и у с о м э к р а н и р о в а н и я .

Аналогичную

14

величину для квантовой плазмы lF можно назвать д л и н о й э к р а н и р о в а н и я Ферми.

Отметим, что в электронном газе, плотность которого близка к значению, характерному для металлов, потенциальная энергия на частицу е2/г0 сравнима с кинетической энергией на частицу, так что lF~ r Q. Следовательно, экранирование очень эффективно в представляющей физический интерес квантовой плазме.

Для простоты выкладок выше рассмотрена реакция системы электронов на положительный заряд q. Обобщение задачи на случай реакции многокомпонентной плазмы не представляет ни­ какого труда. Так, для многокомпонентной дебаевской плазмы

*кл = (4яe2/kT) ]£] ntZ l

(2. 11)

I

 

Для практических расчетов удобно пользоваться следующей простой формулой:

где Т — температура, °К; tii — плотность, см-3.

Предыдущее рассмотрение может вызвать ряд естественных вопросов. Почему, например, была рассмотрена лишь полностью вырожденная плазма при Т = 0 во втором случае? Во-первых, обобщение на конечные температуры в приближении Томаса — Ферми не представляет большого труда. Во-вторых, если инте­ ресоваться низкотемпературной вырожденной плазмой, когда %Т/еР<С 1, то это сделать еще легче. Но для низкотемпературной плазмы уже приближение Т= 0 является достаточно хорошим в таких оценках. Физически это можно объяснить тем, что при тем­ пературах, соответствующих нескольким десятым электронвольта (1 эв~ 11 600°К ), возбуждается лишь малая доля элект­ ронов *.

Далее, имеет ли смысл решать уравнение Пауссона без ли­ неаризации, приводящей к линейному уравнению (2.8)? Кстати, такие работы без линеаризации с численным решением нели­ нейного уравнения Пуассона иногда появляются в печати. Мож­ но утверждать, что такие работы вряд ли имеют физический смысл. Дело в том, что уравнение для потенциала ср (г) есть уравнение для среднего значения потенциала. Нелинейность же уравнения для <р(г) означает, что в левой части его проводится усреднение ср(г), а в правой — функции от <р(г). Поскольку среднее от функции отнюдь не равно функции от среднего, то указанные выше работы неверны, если при этом нет специаль­ ного доказательства малой роли флуктуаций.

* Отметим, что температура вырождения для электронов в металлах по­ рядка нескольких электронвольт.

15

Наконец, хотелось бы предостеречь также от довольно рас­ пространенной ошибки, заключающейся в том, что в некоторых работах как по термодинамике, так и по кинетике плазмы по­ тенциал ф(г) рассматривается как потенциал парного взаимо­

действия. Это принципиально неверно. В одной

из следующих

глав будет доказана ошибочность такого представления.

 

Эффект экранирования часто называют поляризацией заря­

дов. Подчеркнем, что

приближение Томаса — Ферми не

точно.

Оно справедливо, когда неоднородности задачи

мало

сказы­

ваются на расстояниях

порядка

 

 

ГоДругими словами,

приведен­

 

 

ное вычисление для

квантовой

 

 

плазмы справедливо, если

часть

 

 

потенциала, связанная

с

собст­

 

 

венным действием заряда q, мед-

 

 

/ г

г\ ч.

\ч^ /

0<V<VT

 

v= 0

 

 

Рис. 2. Экранирование положительно­

Рис. 3. Динамическое экранирование

го заряда

в дебаевской плазме, дви­

положительного заряда при

скорости

жущегося

со скоростью, меньшей ско-

движения, превышающей

скорость

'

 

рости звука.

звука в плазме.

 

ленно меняется в пространстве. Если заряд покоится, то поля­ ризация сферически симметрична. При рассмотрении экраниро­ вания прямолинейно и равномерно движущегося заряда со ско­ ростью у< с, где с — скорость звука в плазме (vT~ c , где vT— тепловая скорость частицы), качественно картина остается прежней, но меняется форма поляризационного облака, которое движется вместе с зарядом (рис. 2). Форма поверхностей рав­ ных плотностей представляет собой сплющенные в направлении движения заряда эллипсоиды вращения с соотношением осей

1 :1 /1 / (vT/v)2—1 (v<vT). При v > v T характер поляризации резко меняется: появляется возбуждение продольных волн, т. е. объемных колебаний плазмы. Эффект напоминает эффект Вави­

лова— Черенкова, когда скорость электрона

превышает фазо­

вую скорость света в среде. Отличие состоит

в возбуждении

продольных, а не поперечных колебаний, как это имеет место в эффекте Вавилова — Черенкова.

Поляризация при v > v T знакопеременна и обладает в конусе периодической структурой (рис. 3). Если перейти к системе ко­

16

ординат, связанной с зарядом, то окажется, что экранирование в этом случае как бы ослабляется:

кэф = (vT/vf. (2.12)

Последние соотношения легко получить из уравнений, описы­ вающих дебаевскую плазму в гидродинамическом приближении. Подробнее эти вопросы изложены в работе [2].

Эффект экранирования движущегося заряда, только что рас­ смотренный для дебаевской плазмы, можно в отличие от стати­ ческого назвать д и н а м и ч е с к и м э к р а н и р о в а н и е м . Подобное экранирование движущегося заряда должно сущест­ вовать и в квантовой плазме. Для описания этого экранирова­ ния необходимо рассмотреть также временную задачу с самосо­ гласованным полем. Предположим, что введенный в плазму заряд q движется с некоторой скоростью V. Плотность заряда, создаваемая им, равна

qne(r, t) = <76 (г — W),

если предположить, что в момент t = 0 заряд

находится в нача­

ле координат. Можно ожидать, что внешний

заряд q будет по­

ляризовать электроны в некоторой окрестности. При этом флуктуация плотности электронов Ьп будет зависеть от вре­ мени. Тогда вместо уравнения (2.2) можно написать:

Дф (г, f) = — 4л [96 (г —vf) е8п (r< t)].

Выполнив преобразование Фурье по координатам и времени, получим

Ф (k, to) = [q■2л8 (to— kv) — ebn (к, to)).

Задача сводится, таким образом, к определению поляризаци­ онной плотности заряда e6n(k, to), которая является мерой ди­ намического экранирования в электронном газе.

Отметим, что рассмотрение вопросов динамики и кинетики плазмы не является целью этой книги. Кинетические и динами­ ческие аспекты теории плазмы будут затрагиваться лишь в той мере, насколько это необходимо для предстоящего решения и понимания термодинамических задач.

 

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

 

1.

Веденов А. А. Термодинамика плазмы. — В сб.:

Вопросы теории плазмы.

2.

Под ред. М. А. Леонтовича. Вып. 1. М„ Госатомиздат, 1963, с. 87.

Власов А. А. Теория многих частиц. М„ Гостехиздат, 1950.

3.

Ключников Н. И., Тригер С. А. «Ж. эксперим.

и теор. физ.», 1967, т. 52,

 

с. 276.

 

Г л а в а в т о р а я

ЧАСТИЧНО ИОНИЗОВАННАЯ ПЛАЗМА.

ЗАРЯЖЕННАЯ КОМПОНЕНТА

§ 3. ПОЧТИ ИДЕАЛЬНАЯ КЛАССИЧЕСКАЯ ПЛАЗМА (ЭЛЕМЕНТАРНОЕ РАССМОТРЕНИЕ]

Задача вычисления термодинамических функций может быть решена точно лишь для полностью идеальной плазмы, когда можно пренебречь взаимодействием частиц в системе. Тогда плазму можно рассматривать как смесь идеальных газов: элек­ тронов, ионов и нейтральных частиц. При этом свободная энер­ гия полной системы аддитивно складывается из соответствую­ щих значений свободной энергии для отдельных компонент плазмы. Система хорошо описывается элементарной кинетиче­ ской теорией газов.

При достаточно высоких температурах и низких давлениях (разреженный газ) система проявляет обычные свойства клас­ сического газа: теплоемкость Cv не зависит от температуры, в случае газа фермионов (частиц с полуцелым спином) спиновая восприимчивость обратно пропорциональна температуре, т. е. подчиняется закону Кюри и т. д. При увеличении давления и понижении температуры до известных пределов (см. первую глйву) плазма остается в состоянии, близком к идеальному, од­ нако относительная роль потенциальной энергии возрастает и плазма становится почти идеальной или слабо неидеальной.

Если взаимодействие еще несильное и выполняется крите­

рий Кирквуда — Онсагера (1.3),

т. е. если задача

содержит

малый параметр, то вычисление

термодинамических

функций

возможно с заданной точностью. При этом неидеальность плаз­ мы можно учесть в виде поправок к термодинамическим функ­ циям идеального газа. Согласно § 1, неидеальность частично ионизованной плазмы начинает проявляться раньше по заря­ женной компоненте, чем по нейтральной (при пропорциональ­ ном увеличении плотности) из-за дальнодействующего характера кулоновских сил. Если плазма слабо неидеальна, то свободную энергию по-прежнему можно считать аддитивной и исследовать заряженную и нейтральную компоненты как две статистически независимые подсистемы.

Рассмотрим сначала подсистему заряженных частиц в де­ баевском приближении. При рассмотрении дебаевской плазмы, определенной в § 1, будем учитывать лишь первую поправку в термодинамических функциях по малому параметру т], которую

18

получим путем простых рассуждений. В дальнейшем найдем и следующие члены разложения по параметру ц, но это уже не столь простая задача.

Итак, разность введенного в § 1 потенциала <р (г) и куло­ новского потенциала для частицы с зарядом Ze на малых рас­ стояниях (заряд находится в начале координат)

Ф — <p0 = i i e- x' — — ^ — Z e x - —

(3.1)

г -0 Г Г

l D

Высшие члены разложения по малой величине кг исчезают при /■-*-0. Таким образом, электростатическое взаимодействие соз­ дает в точке, где находится частица, добавочный отрицательный потенциал, равный —Zex. Если умножить эту величину на за­ ряд частицы и просуммировать по всем частицам в единице объема, то в результате получим

ЕкуЛ= — (1/2) ие2 2 Zfri

(3.2)

i

 

(1/2 появляется ввиду того, что каждую пару взаимодействую­ щих частиц следует учитывать один раз). Полученная плот­ ность электростатической энергии Екул такова, как если бы все частицы притягивались друг к другу на расстоянии 1в ==к~'. Отметим, что знак Екул отрицателен, так как каждая частица создает вокруг себя облако зарядов противоположного знака. Величина к2 определяется формулой (2.11), тогда

£кул = - ( я Р )1/а^ ф 2 Я ) 3Ч

(3.3)

где р = 1/%7\

известное

термодинамиче­

Проинтегрируем теперь хорошо

ское равенство [6]

 

 

F = - T ^ d

T ,

(3.4)

где е — внутренняя энергия системы. Тогда для свободной энер­ гии системы в единице объема получим

(3.5)

где F ид •— свободная энергия идеального газа в единичном

объеме. За нижний предел принято значение р=1/%Г = 0, что физически соответствует бесконечному отношению кинетической энергии на частицу к потенциальной энергии на частицу, т. е. случаю идеального газа. Для полной свободной энергии системы объема V имеем

F = ^„д ~ Т 631/ ^ ( ? Z?^ ) V2 = Fид + Fd'

<3'6>

19

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ