Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Кудрин, Л. П. Статистическая физика плазмы

.pdf
Скачиваний:
9
Добавлен:
22.10.2023
Размер:
17.6 Mб
Скачать

Наиболее последовательно учет корреляции заряженных ча­ стиц в дебаевской плазме при вычислении распределения элект­ рического микрополя проведен, по-видимому, в работе [1], в ко­ торой показано, что функция W(a) выражается через парные функции корреляции кулоновских частиц и диполя, помещенного в плазму. Таким диполем может быть атом водорода или водо-

Рис. 8. Функция S(x), учитывающая влияние теплового движения ионов на распределение микрополя в плазме.

родоподобный атом. Задача решается в приближении самосогла­ сованного поля. В том же приближении найдена функция рас­ пределения потенциальной энергии заряда в микрополе плазмы. Оказывается, что корреляция частиц в этом приближении при­ водит к эффективному обрезанию кулоновского потенциала на дебаевской длине.

Покажем, что распределение W (Е) электрического микропо­ ля Е, действующего на частицу в классической термодинами­ чески равновесной плазме, точно выражается через парные функ­ ции корреляции заряженных частиц и диполя, помещенного в плазму. Для этого рассмотрим фурье-компоненту функции

W{ Е):

A (iq) == ] exp (iqE) W (E) dE —

 

= Zn Xf exp { - p [H (X) + ip -‘qE (X)]\ dX,

(10.37)

 

v

 

 

где V — объем, занимаемый плазмой; ZN— конфигурационный

интеграл;

Н(X) — гамильтониан взаимодействия

системы; А'—

совокупность пространственных координат частиц;

N — число

частиц в системе.

по

сравнению

Пусть

— некоторая достаточно малая

со средним межчастичным расстоянием величина. Присвоим вы­

деленной частице в плазме

индекс 1 и введем

в гамильтониан

системы дополнительный член, учитывающий

короткодействие:

2

? ( * - '/ / ) .

'(10.38)

1—2

 

 

ПО

где

О

при

7? — г1г < О;

V (R — ru)

оо

при

R —ги > 0;

 

г1г*= | г1—г*|; гг — координата i'-й частицы.

Нетрудно видеть, что соответствующая новому обобщенному гамильтониану системы функция Лн(т1) определена в области действительных значений |R e q K ° o комплексной переменной г). В силу экспоненциального вида подынтегрального выражения в формуле (10.37) нетрудно убедиться в том, что эта функция

также и аналитична

в указанной

области *. Следовательно,

функция Ля('п) при

вещественных

q однозначно определяет

функцию ЛяОц), которая, в свою

очередь, однозначно опреде­

ляет A(iq) как Пт Ля (iq).

 

 

 

R-+0

 

 

Запишем электрическое поле в виде векторной суммы

 

 

N

 

 

E(X) =

^ Z <V - ^ ,

(Ю.39)

 

 

i=2

 

где Zi — заряд

t-й частицы.

Продифференцировав

1пЛн(т)) с

учетом (10.39)

и затем почленно проинтегрировав

полученный

результат от 0 до q, получим искомую связь фурье-компоненты функции распределения с парной функцией корреляции:

 

 

N

q

 

A

(iq) = lim exp

— i V z A

■'

— Г d r ^ X

 

я-»о

i=2

q J

 

 

0

 

 

X K r

ii rii)q v

 

(10.40)

 

 

p

 

 

где

 

 

 

 

 

I exp (Pfr„t

drsdr4 . . . drN

K r

( « , rlt) =

 

 

(10.41)

{ exp~(— P # ;, R) dhdr2 ■ . -drN

ZtZj

H a , R — о

(Zj +

« V )

X

2

ru

 

 

i-

1./■si t-/= 1

 

 

N

N

 

(10.42)

 

rii):

* ~

"£=2

iqp

1=2

 

 

* Это обстоятельство также полезно проверить читателю.

Функция Кя(а, г12) для вещественных а совпадает с определе­ нием парной функции корреляции диполя с фиксированным на­ правлением а и с суммарным зарядом Z\ и кулоновской ча­ стицы с зарядом Z2*.

Рассмотрим теперь высокотемпературную классическую плаз­

му

и вычислим №(Е) в такой плазме с помощью

функции

/(я (а, ги) в приближении самосогласованного поля

Дебая—

Хюккеля. Поскольку рассматриваемая система в целом однород­ на и не находится во внешнем электромагнитном поле, то кор­ реляционная функция /Си(а, Г[2) зависит от разности координат (см. вторую главу), и можно перейти к относительной перемен­ ной Г!—г2. Тогда задача сведется к отысканию функции распре­ деления диполя в системе кулоновских частиц во внешнем поле

с потенциалом Z2/r. Поскольку потенциальная энергия

диполя

в самосогласованном дебаевском поле имеет вид

 

 

 

 

Z2 {Zx + а V) exp (— xDr)/r,

 

то для г>/? получим

 

 

 

 

 

K R ( a ,

г1г) =

Р-2 ехр {— |3Zf (Zi -f «V) exp (— к г ) / г ] .

(10.43)

Тогда из выражения (10.40)

 

 

 

 

 

In f(q) = In А (iq) = — i ^

n* Z* j* у j exp [— pZxZs X

 

 

 

s

 

0

 

 

X

[exp (—x D r)

iZ^qV

 

1

dr = — 4я J ] ns X

r

 

 

Г

 

 

 

 

 

 

S

 

аде

X (I 2 ,

I?)s/’ op [xD(I Z, I

q)4\

PZ,Z, (|

z , 1

(10.44)

 

 

 

 

 

 

 

 

Ф(*. У ) = Г 2‘

 

1 + XZ

 

 

 

 

 

о

 

 

 

 

 

х

{' -

^ т + f 1 si" [ -

^

“ >]) •

 

Отметим, что если Zi^O, то выражение (10.44) имеет смысл лишь для системы зарядов одного знака с компенсирующим фо­ ном. При Zj = 0 xd= 0 выражение (10.43) совпадает с распре­ делением Хольтсмарка:

1п/ ( ? ) = -

(2я | Zs | q)'h .

(10.45)

* Для атома Zi = 0. Случай Zi¥=0 соответствует водородоподобному иону (например, однократно ионизованному атому гелия), для которого собствен­ ный дипольный момент отличен от нуля.

112

Переход от формулы (10.45) к обычному выражению для распределения Хольтсмарка (10.16) осуществляется просто:

W (Е) = 4я£ 2 W (Е) = —

7/ (q) sin (Eq) qdq.

Jl

J

 

0

Учитывая, что W(a)da= lF(E)c?E;

a = E/Eo\ £o — 2,60 e/r20 и

(4я/3) r03/is= 1, легко получить формулу (10.16).

Рассмотрим теперь средние квадратичные значения микрополя и влияние взаимодействия частиц на асимптотику распределения

W (Е) при Е^О и Е-+оо.

Исходя из определения f (q)

как фурье-

компоненты W(E), можно получить соотношение вида

ЕЁ™= (—1)"! (2m +

, т = 1, 2 . .

. (10.46)

 

dq2'n ?=о

 

Рассмотрим случай, когда в точке наблюдения находится нейт­ ральный атом (Z i= 0), и вычислим потенциальную энергию си­ стемы и, обусловленную взаимодействием частиц. Поскольку Е2 при бесконечно большой температуре 0 = 0) описывает собст­ венную энергию системы, то

и = (Р/8я) Urn [(Е2)е_R — (E2)0i R],

(10.47)

где индекс R означает, что в точке наблюдения находится объ­ ект конечного размера R (твердая сфера). Легко видеть, что из выражений (10.44), (10.46) и (10.47) следует:

у_ - у . (10.48) 8я

S

Это хорошо знакомое (см. третью главу) выражение, физически соответствующее закону равнораспределения энергии по степе­ ням свободы в дебаевской плазме. Если в точку наблюдения по­ мещен заряд Zi^=0 (Z,Z3>0), то из выражений (10.46) и (10.44)

следует:

 

 

Е2 = У, nsZs$ Z x.

(10.49)

 

 

S

 

 

 

Рассмотрим теперь особенности поведения функции распре­

деления

 

 

 

 

 

 

w (Е) = AnE2W (Е) = (2Е/п)

“ / (q) sin (Eq) qdq,

(10.50)

 

 

 

о

 

 

при

0

и Е->-оо. Существенно,

что

функция ф(х,

у) при

Х- + 0 0

стремится к конечному положительному пределу,

а функ­

ция f(q)

непрерывна при всех q. Следовательно, w(E)

анали-

тична при

всех конечных значениях.

Е

При малых полях w(E)

из

определяется квадратичным членом в разложении по степеням Е (точнее, при малых значениях а = Е/Е0, где Е0— напряжен­ ность поля, соответствующая среднему межчастичному расстоя­ нию) :

 

Е0 = (I Z , f ' Y ' V r l

 

 

 

В линейном по xD и Z\

приближении

можно написать:

 

 

 

 

4

 

с^ХдГ,, +

 

 

E0w (Е) = w0(а) = а2 —— [ 1 +

 

 

 

 

Зл

L

 

 

 

 

c2afiZ

z s

г /0 ,/*],

 

(10.51)

где

+

г0 4 l

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

■ =

/ Л - 4Л.

 

X

?

= —

I 2 ,

 

22(1 2 , Г О

 

 

Cl =

35Г (4/3)/9 У 2л ;

с2 = 25 Г я

Г (5/3)/16 | / 2 .

Положив

xd = 0 и Zi = 0,

получим

распределение Хольтсмарка.

Для больших значений Е удобно записать

общее

выражение

(10.50) в виде

 

оо

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(10.52)

 

w (Е) — (2Е/л) 1гп f exp (iEq) f (q) qdq.

 

 

 

о

 

 

 

 

 

Интеграл в этом выражении аналитичен

при Rer)<oo, где ц —

= \Е. Следовательно, его можно

вычислить при вещественных

отрицательных ц, перейдя

затем

к

чисто

мнимым

значениям

Imri = £'. При этом оказывается, что существенна область малых значений q (малых передач импульса в процессе межчастичных столкновений).

Если q-*0, то и In/(<7)-н»0, тогда можно разложить f(q) в ряд по степеням 1п/(<7). Ограничившись первым неисчезающим

членом этого разложения в линейном по Хс приближении,

полу­

чим

 

 

 

w(a) = ■

п

(! + KofiZiZs) X

 

4 у 2л

 

 

X ехр

g—*/«

pzxzs а !*j a

(10.53)

где

 

 

 

8S = Z 'H

2 , Г 7* •

 

Как видно из выражений (10.51) и (10.53), при малых а опре­ деляющую роль играет корреляция зарядов, создающих микро­ поле, в то время как при больших значениях а существенной яв-

114

ляется экранировка пробного заряда, помещенного в точку на­ блюдения. Этот результат вполне естествен, так как при боль­ ших а возмущение, обусловленное флуктуациями микрополя, определяется в основном ближайшим соседом. При больших значениях а эффект экранировки приводит к увеличению веро­ ятности больших напряженностей микрополя.

Отметим, что до сих пор при рассмотрении внутриплазменного поля электроны и ионы считались равноправными. На са­ мом деле это не всегда правомерно, особенно в термодинамиче­ ски неравновесной двухтемпературной плазме, когда Те>Т{. Вследствие большой подвижности электронов по сравнению с подвижностью ионов электроны должны рассматриваться в так называемом ударном приближении, в то время как ионы в ши­ роком интервале температуры и плотности можно считать квазистатическими. Несколько подробнее обсудим критерии при­ менимости этих приближений в следующем параграфе. Здесь же отметим, что квазистатическое приближение является тем более точным, чем больше а=Е/Е0.

§ 11. О ШИРИНЕ СПЕКТРАЛЬНЫХ ЛИНИЙ АТОМОВ И ИОНОВ В ПЛАЗМЕ

Асимметрия творит явление. Пьер Кюри*

Рассмотрим отдельные вопросы уширения спектральных ли­ ний атомов и ионов в плазме, отсылая читателя к известной кни­ ге Грима «Спектроскопия плазмы», а также к работам В. И. Ко­ гана, В. С. Лисицы, Г. В. Шолина и И. И. Собельмана.

▲симметрия спектральных линий водорода в плазме

Выше говорилось о квазистатическом действии «ближайше­ го соседа» на атом водорода. Возникает вопрос: когда же воз­ мущающий ион можно рассматривать квазистатически г Физиче­ ски очевидным критерием применимости этого приближения яв­ ляется требование, чтобы время жизни атома на данном штарковском подуровне было малым по сравнению с временем замет­ ного смещения иона. В явном виде этот критерий выражает оп­ ределенное условие для плотности и температуры плазмы:

* Мы воспользовались здесь вольным переводом слов П. Кюри, не иска­

жающим,

'впрочем, смысла его высказывания. Более точный

перевод гласит:

«Действия — это

явления, для возникновения которых всегда

необходима не­

которая

диссимметрия. Если этой диссимметрии нет, то явление невозмож­

но». (П.

Кюри.

Избранные труды. Пер. с франц. М.— Л.,

«Наука», 1966,

115

где tiu

М — плотность и масса ионов;

Ке, п г — дебройлевская

длина

волны и масса электрона;

п — главное квантовое число

рассматриваемого терма. Для п = 4,

Т ^

1 эв, п ^ 1015 смтг кри­

терий (11.1) уже выполняется с запасом.

Рассмотрим такие условия для водородной частично иони­ зованной плазмы, когда допплеровская ширина линии

мала по сравнению со штарковской шириной Дшт. Тогда фор­ ма линии определяется, во всяком случае вдали от центра ли­ нии, эффектом Штарка, обусловленным квазистатическим внутриплазменным полем *.

Эксперименты, проведенные как у нас в стране (Н. Н. Собо­ лев, В. Ф. Китаева), так и за рубежом (Визе), показывают, что в достаточно плотной водородной плазме наблюдается асиммет­ рия контуров линий Нр и Не, которая выражается в большей интенсивности «синего» максимума профиля линии по сравне­ нию с «красным». Эксперименты по спектроскопии плазмы в плазме водородной дуги, горящей в атмосфере гелия и аргона, а также в плазме ударной трубы указывают на довольно замет­ ный эффект асимметрии. Так, при /1; ~ 1017 слг3 изменение ин­ тенсивности в максимумах составляет 10% для линии Нр. На­ блюдается также смещение положения максимумов интенсивно­ сти относительно центра линий. Следует отметить, что сущест­ вующие теории формы спектральных линий (в частности, извест­ ная теория Грима, Колба и Шена [3]), не могут объяснить об­ наруженной на опыте асимметрии.

Покажем, что этот эффект можно объяснить при достаточно больших tii квазистатическим действием микрополя плазмы, ко­ торое в плотной плазме уже нельзя считать однородным. Из­ вестно, что однородное электрическое поле, вызывающее линей­ ный штарк-эффект, может обусловить лишь симметричное рас­ пределение интенсивности относительно центра линий. Покажем, что учет неоднородности поля, создаваемого ближайшим сосе­ дом, не только объясняет эффект асимметрии водородных линий качественно, но и приводит к количественному описанию экспе­ римента. Можно показать, что этот эффект зависит от плотности плазмы. Если это так, то можно предложить новый метод диаг­ ностики плазмы, в данном случае— метод измерения плотности заряженных частиц в умеренно плотной плазме.

* Критерий (11.1) физически очевиден, но его не следует абсолютизиро­ вать. Более полный и строгий критерий применимости квазистатического при­ ближения, а также ударного механизма уширен,ия линий содержится в рабо­ тах В. И. Когана, В. С. Лисицы и Г. В. Шолина. Там приведены интересные соображения, касающиеся внутриплазменного микрополя. В частности, реше­ на задача об изменении штарковской картины уширения линий во вращаю­ щемся электрическом поле, обусловленном пролетающей мимо излучающего атома заряженной частицей.

116

Рассмотрим теорию эффекта асимметрии конкретно для ли­ нии Нр (переход п= 4;-»-п = 2). Пусть на некотором расстоянии R от центра атома, помещенного в начало координат, находит­ ся возмущающий ион. Потенциал поля, создаваемого системой зарядов на расстояниях R^>an,

( 11.2)

" " " S t r

а

можно разложить по степеням отношения размера атома ап к среднему расстоянию между атомом и ионом. Пока R еще не фиксировано, но заранее очевидно, что характерное R порядка г0 — среднего расстояния между частицами. Тогда

2еа

(dR)

 

_ 1_

(11.3)

Ф = R +

R3 +

дха dxp

т +

 

где d = Seara — дипольный момент атома, который для атома во­ дорода отличен от нуля.

Вследствие квазинейтральности плазмы первый член в правой части выражения (11.3) выпадает, второй член описывает штарковское симметричное расщепление термов атома, а третий член в первом по параметру ап/г0 приближении учитывает неоднород­ ность возмущающего электрического поля (квадрупольное при­ ближение). Тензор IDap описывает квадрупольный момент

Dafi=т 2 е( ХаЧ з~r26ap)

где суммирование проводится, вообще говоря, по всем зарядам системы; х а — компоненты вектора; г —- координаты зарядов, а в выражении (11.3)— компоненты вектора R. Если плот­ ность плазмы не слишком мала, учет вклада квадрупольного члена является существенным, а в случае рассмотрения един­ ственного возмущающего атом иона («ближайшего соседа») задача является достаточно простой.

Интенсивности штарковских компонент в дипольном прибли­ жении были вычислены еще Шредингером в 1926 г. [2]. Задача этого параграфа состоит в вычислении интенсивности линии с учетом квадрупольного взаимодействия. Известно, что полную интенсивность дипольного перехода п'—>-п можно выразить че­ рез координатные матричные элементы

 

/ п ' п —

64я,4е4\-4 <Г2>,

(П-4)

 

 

 

Зс3

 

где v — частота

перехода; п'

и п — совокупность

квантовых чи­

сел начального

и конечного

 

состояний. Поставленную задачу

можно решить

аналитически

в параболических

координатах

I, ть ф-

117

Нетрудно видеть, что энергия взаимодействия иона с атомом с учетом квадрупольного члена в сферических координатах имеет следующий вид (в обычных обозначениях):

и (R) =

егг cos 0

-^ -(3 co s20 -

1).

(11.5)

 

~~R*

2R* v

 

Член, описывающий квадрупольное взаимодействие иона с ато­ мом в параболических координатах:

 

Д ^ в= - ^

- ( 12 +

т12- 4 ^ ) .

 

(11.6)

Отметим, что координатные матричные элементы

 

< г >

ni,n?,m

<ф*<

- ,гф

1>

(11.7)

' п , п * , ш '

N " п , п

r n l t n 2 , m - ^

 

отличны от нуля при Ат = 0 для излучения, поляризованного па­ раллельно полю (я-переходы), и для Аш= ± 1 (поляризация пер­ пендикулярна полю, т. е. 0-переходы). В выражение (11.7) вве­ дены уже обычные для параболических координат «электриче­ ские» квантовые числа пь n2, ш.*

Поскольку возмущение А« не зависит от угла ф, а следова­ тельно, и от т , а также превышает в рассматриваемых усло­ виях расщепление тонкой структуры, необходимость в секулярном уравнении в теории возмущений отпадает. Тогда в первом порядке теории возмущений волновую функцию можно предста­

вить в виде

— яЬ<°>

 

О)

 

ф

 

( 11. 8)

П , n 2, m T n t , n

ш■i-ф n i , n 2 , m *

где ф <0)n — невозмущенные квадрупольным

взаимодействием

волновые функции штарковских компонент; ф*1]

mимеет вид [7]

фп'/гь.т =

[К(П 1 + 1) (П — п , — 1) П2 (П — Па) X

X фп?+1,п2—1,ш — 1

'M n — Ili) (п2+

1)(п П2— 1) фп°—1,n2 + 1 .т ] .

При этом учтены лишь переходы без изменения главного кван­ тового числа, т. е. при п= гТ, поскольку вклад переходов с пэ^п' очень мал.

При рассматриваемых плотностях можно считать, что засе^ ленность штарковских подуровней происходит пропорционально их статистическим весам. Это подтверждается экспериментом.

Результат вычисления сдвигов отдельных штарковских ком­ понент АЕк, а также интенсивности штарковских компонент I к можно представить в виде

= («к- со{1>) = ± . ^ . Рк+ ^ д к;

(11.9)

I* = Фк + Т А ) -

Коэффициенты рк, qK, ctK, Р,, ук приведены в работах 17].

118

Вычисление диагональных матричных элементов от взаимо­ действия (11.6) является простой, но достаточно кропотливой операцией: Оказывается, что полученный в результате такого вычисления сдвиг штарковских компонент, грубо говоря, про­ порционален п \[7]:

АЕКВ=

р2п^

(НЛО)

п2[6(пхп2)2- п*- 1 ] .

На рис. 9 приведена схема рассмотренных переходов для ли­ нии Нр. На этом же рисунке показано смещение штарковских компонент, обусловленное квадрупольным взаимодействием и приводящее к асимметрии профиля линии Нр. Нетрудно видеть, что в приближении ближайшего соседа вероятность положения штарковской компоненты относительно центра линии определя­ ется выражением вида

WK(<*>) dco

^

exp [— (RJRq)3]

(11.11)

2R30 '

DK + 6CKIR K

 

 

где для линии Нр

Ск = 4 (nx —п2)2 — (щ — Пг)2 - у ; DK= 2 (пх — n2) — (п| — Пг)2;

^о = [3/(4я п<)]‘/»— среднее расстояние между возмущающими частицами;

RK(со) « Ri0) + R i l)

з_

т

2 .

2 ;

Rm

 

3D,

 

1) _

2СК

< ш

 

 

 

Тогда полная интенсивность линии

/ И = 2 / Л ^ И ] ^ И -

О 1-12)

к

 

Положение максимумов интенсивности / ( ы) определяем из ус­

ловия

dl/d(ji = 0.

В табл.

3 приведены значения

относительного

 

 

 

 

 

 

 

Таблица

3

Перераспределение интенсивности и частоты в максимумах

профиля линии

Н„

 

 

Теорети­

Экспери­

О

^ к Р ’

 

 

1д ^ , ш М д)'кр1

П £ см

3

ческое

ментальное

^син ’ А

о

Д^кр

д Ч;ин

д ^син

 

 

 

д/. %

Д /. %

 

А

 

 

 

10Ы

 

4 , 6

4

4 8 5 9 , 2

4 8 6 1 ,1

0 , 9 2 — 0 , 9 6

4 , 2

 

5-101®

7 , 6

6 , 5

4 8 5 7 , 3

4 8 6 2 , 8

2 ,6 1 — 2 , 8 1

7 , 0

 

Ю н

 

9 , 8

10

4 8 5 5 , 7

4 8 6 4 , 3

4 , 1 5 — 4 , 4 7

7 , 2

 

1018

 

2 3 , 3

2

4 8 3 8 , 7

4 8 7 9 , 2

1 9 ,0 8 — 2 1 , 4 7

1 1 ,1

 

119

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ