книги из ГПНТБ / Гласкер, Дж. Анализ кристаллической структуры
.pdfКристаллы и дифракция |
51 |
ние на третье измерение. С другой стороны, У. Брэгг, который первым определил кристаллическую струк туру, а также его отец летом 1913 г. показали, что угловое распределение рассеянного излучения можно понять на основе представления о том, что дифраги рованные лучи ведут себя так, как будто они отра жаются от плоскостей, проходящих через точки кри сталлической решетки. Это «отражение» аналогично отражению от зеркала, для которого угол падения излучения равен углу отражения. Брэгг* вывел из вестное уравнение, которое теперь носит его имя:
nX= 2dsin0, |
(1) |
где %— длина волны использованного излучения, п — целое число (аналогичное порядку дифракции от ди фракционной решетки), d — расстояние между пло скостями решетки в кристалле и 0 — угол падения рентгеновского пучка (а также и угол рассеяния или «отражения»). Поскольку на первый взгляд может показаться, что-отражения возникают от плоскостей решетки, так что прямой пучок отклоняется от своего первоначального направления на угол 20, дифрагиро ванные пучки обычно называют «отражениями» (или «рефлексами»). Уравнение Брэгга благодаря его про стоте часто используют для преподавания структур ного анализа на элементарном уровне; авторы же по пытались в приложении 3 (стр. 190) показать, как его можно связать с дифракционной теорией. Уравнение Брэгга нетрудно вывести, • если предположить, что разность хода волн, рассеянных от соседних парал лельных плоскостей решетки, должна быть целым числом длин волн. Это уравнение справедливо (и, сле довательно, только при этом условии могут воз никнуть дифракционные максимумы), когда между длиной волны, межплоскостным расстоянием и углом
* Это уравнение в 1913 г. было независимо выведено рус ским кристаллографом Вульфом, и потому его часто называют уравнением Вульфа — Брэгга. — Прим, перев.
52 |
Часть I |
падения имеется вполне определенное соотношение. Поэтому, если монохроматический (с некоторой точ ностью, конечно) пучок рентгеновских лучей исполь зуют для некоторого образца монокристалла (и по этому имеются лишь вполне определенные типы меж плоскостных расстояний), дифракционные максимумы будут наблюдаться только при вполне определенных углах падения пучка рентгеновских лучей, а вовсе не при произвольном угле. Если же вращать кри сталл в пучке, то дифракция возникнет при некото рых углах вращения, когда угол падения пучка та ков, что уравнение (1) удовлетворяется для некото рого набора межплоскостных расстояний, имеющих место в кристалле, т. е. X, й и 0 должны быть такими, чтобы уравнение Брэгга удовлетворялось, — вероят ность такого события достаточно мала. Однако ре альные монокристаллы имеют мозаичное строение (можно считать, что они состоят из небольших кир пичиков— элементарных ячеек, —таких, что каждый кирпичик сдвинут по отношению к своему соседу на несколько десятых долей градуса); к тому же рент геновские лучи, которые обычно используют, никогда не бывают строго монохроматическими, так что на самом деле отражения можно наблюдать в некотором малом интервале ориентаций; некоторые же отраже ния наблюдаются при большинстве ориентаций моно кристалла. Если же образец представляет собой кри сталлический порошок, то мельчайшие кристаллы порошка ориентированы в самых разных направле ниях, и тогда уравнение (1) удовлетворяется для лю бого набора кристаллических плоскостей, т. е. в этом случае полная дифракционная картина будет наблю даться при произвольной ориентации образца по от ношению к источнику рентгеновских лучей. Можно также получить дифракционную картину от жестко установленного монокристалла, если одновременно использовать широкую область длин волн. Именно так и поступали Лауэ, Фридрих и Книппинг, когда проводили свои эксперименты; эта техника известна как метод Лауэ. В настоящее время ее не применяют
Кристаллы и дифракция |
53 |
в рентгеноструктурном анализе, поскольку измерение относительных интенсивностей бывает сопряжено с определенными трудностями.
Уравнение Брэгга ничего не говорит об интенсив ностях дифракционных максимумов, которые должны наблюдаться, если оно удовлетворено. Однако если некоторый набор плоскостей решетки совпадает по положению и ориентации с некоторой густо заселен ной плоскостью (например, с плоским или почти пло ским массивом атомов в кристалле, а в промежутке между ними не будет других густо заселенных пло скостей), то соответствующий дифракционный макси мум должен быть интенсивным, поскольку рассеяние от всех атомов будет совпадать по фазе. Вероятность того, что такие густо заселенные плоскости сущест вуют, много больше в структурах, построенных из изо лированных атомов, одноатомных ионов или плоских молекул, чем в структурах со сложными многоатом ными объектами. В примере, приведенном в гл. 8 [рис. 22(6)] и касающемся плоской органической мо лекулы, «рефлексы» с индексами h = 2, k = 0 н I — \ (записываемыми 201) очень интенсивны, поскольку молекулы лежат близко к плоскости, параллельной плоскости решетки с индексами (201), и разделены между собой расстоянием, очень близким к межпло скостному расстоянию в решетке.
Выводы
Для объяснения явления дифракции рентгеновских лучей от кристаллов прежде всего рассмотрены опти ческие аналоги со щелями, а затем — с пластинками, напоминающими двумерные кристаллы. Картина из лучения, рассеянного некоторым объектом, называется дифракционной картиной этого объекта. При дифрак ции от щели дифракционная картина для определен ной длины волны падающего излучения будет тем уже, чем шире щель. Для данной длины волны:
1) размер и форма «оболочки» изменения интен сивности определяются дифракционной картиной, ха рактерной для одной щели;
54 |
Часть / |
2)расстояния между расщепленными линиями внутри оболочки обратно пропорциональны расстоя ниям между щелями;
3)дифракционная картина становится более чет кой при увеличении числа щелей.
Эти правила можно распространить на три изме рения и на кристаллы, в которых атомные электроны рассеивают рентгеновские лучи, подобно тому как края щели рассеивают видимый свет. Дифракцион ная картина кристалла размещена на решетке, кото рая является обратной по отношению к кристалличе ской решетке. По-прежнему имеет место оптическая аналогия: рентгенограмма просто является «размно женной» дифракционной картиной одной элементар ной ячейки с «оболочкой», представляющей собой дифракционную картину от атомных электронов в элементарной ячейке, а «области размножения» раз мещены на решетке, обратной кристаллической ре шетке.
Явление дифракции рентгеновских лучей от кри сталлов можно рассматривать в терминах теории дифракционных решеток, а затем распространить по следнюю на три измерения (Лауэ) или в терминах отражений от плоскостей, проведенных через точки кристаллической решетки (Брэгг). Эти два способа анализа эквивалентны. Авторы выбрали первый из них, поскольку он позволяет понять принципы струк турного анализа, проводимого при помощи дифрак ционных методов.
4. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ ИЗМЕРЕНИЯ
Анализ кристаллической структуры условно мож но разбить на три последовательных этапа:
1. Экспериментальное измерение размеров элемен тарной ячейки и интенсивностей дифрагированных пучков, рассеянных кристаллом. Интенсивности зави сят от природы атомов изучаемого вещества и их относительных положений внутри элементарной ячейки.
Кристаллы и дифракция |
55 |
2.Определение при помощи какого-либо метода возможного размещения атомов в кристалле («проб ной структуры»). Интенсивности дифракционных мак симумов, соответствующие этому размещению, можно вычислить и сравнить с наблюдаемыми.
3.Уточнение предложенного размещения рассеи вающей материи до получения соответствия между вычисленными и наблюдаемыми интенсивностями в пределах погрешности наблюдений.
Данная глава касается первого этапа. Из анализа дифракционной картины можно получить два типа экспериментальных данных:
1)угол или направление рассеяния (20 — угловое отклонение от прямого пучка рентгеновских лучей), который можно использовать для вычисления раз мера и формы элементарной ячейки;
2)интенсивности дифрагированных пучков, в ре зультате анализа которых можно получить информа цию о положении атомов внутри элементарной ячей ки. Эти положения обычно выражают в долях ребер элементарной ячейки.
Чтобы получить геометрию молекулы и ее ком понентов, необходимо иметь оба указанных типа экс периментальных данных, поскольку для определения геометрии требуются как размеры элементарной ячейки, так и относительное положение атомов вну три нее. Знание плотности и размеров кристалличе ской ячейки, а также химической формулы вещества позволяет выяснить, сколько атомов и какого типа приходится на элементарную ячейку.
Выбор кристалла и ориентировка его. Кристалл,
структуру которого требуется определить, непремен но должен быть настоящим монокристаллом, а не смесью кристаллитов. Чтобы убедиться в этом, обыч но рассматривают кристалл в микроскоп. Если кри сталл слишком велик и не целиком охвачен первич ным пучком рентгеновских лучей, его можно разре зать лезвием бритвы или волокном, предварительно опущенным в растворитель. Лучше всего поды скать кристалл удобной формы, однако если форма его не вподне подходит для рентгеноструктурного
Рис. 11. Гониометрические головки и центрирование кристал лов.
(а) Методы, используемые для удерживания стабильного кристалла на стеклянном волокне (/); кристалл белка, разру шающийся на открытом воздухе, помещен в стеклянный ка пилляр (2).
(б) Гониометрическая головка. Показаны возможные спо собы юстировки, г. е. центрирования кристалла в пучке рентге новских лучей. Наиболее существенна юстировка по высоте и горизонтали. Дуговая юстировка служит для ориентации кри сталлографической оси в желаемом направлении, например верти кально. Во многих современных дифрактометрах применя!от гд-
/„\ Горизонтальная w юстировка
Два вида 0 приповороте на 180 вокруг
вертикальной, оси
ниометрические головки без дуговой юстировки, поскольку сам прибор позволяет ориентировать кристалл в любом направлении.
(в) |
Юстировка гониометрической |
головки, показанной на |
рис. II (б), центрирует кристалл в кресте телескопа, а следова |
||
тельно, |
и в рентгеновском пучке. При |
этом кристалл попадает |
в пучок рентгеновских лучей и имеет одну возможную ось, пер пендикулярную основанию гониометрической головки, независимо от того, какова ориентация головки по отношению к первичному пучку рентгеновских лучей.
/ — кристалл; 2—сцепление; 3— стеклянное волокно; 4—латунная игла; 5 — маточный раствор; 5—восковая пробка; 7—стекляный капилляр; 8—ула вливатель пучка; 9—детектор; 10—источник; 11— винт для юстировки по высоте; /2—дуговая юстировка; 13 —юстировка по горизонтали; 14—крест телескопа; /5—гониометрическая головка.
58 Часть I
эксперимента, его можно обточить и сделать почти сферическим, так чтобы путь, проходимый рентгенов скими лучами внутри кристалла, был бы примерно одинаковым по всем направлениям.
Кристалл следует приклеить к стеклянному во локну клеем или каким-нибудь другим материалом. Если же кристалл не стабилен, то его помещают в стеклянный капилляр и запечатывают в нем. Для предотвращения порчи кристалла в капилляре необ ходимо поддерживать подходящую атмосферу; так, если исследуют кристалл белка, то его желательно поместить в растворитель, близкий по составу к при родному. Волокно или капилляр укрепляют на мед ной игле шеллаком или клеем и помещают в гонио метрическую головку, как показано на рис. 11.
Гониометрическая головка представляет собой приспособление, позволяющее кристаллографу ори ентировать и центрировать кристалл в пучке рентге новских лучей. В ней имеются две дуги (располо женные под углом 90°), при помощи которых можно изменять ориентацию оси кристалла, а также устрой ство, позволяющее смещать кристалл по прямой ли нии. Если в кристалле имеются ярко выраженные грани, то его легко центрировать визуально. Тем не менее в любом случае для определения лучшего по ложения дуг желательно провести рентгеновские ди фракционные измерения фотографическим методом или с помощью дифрактометра.
Размеры ячейки и плотность. Размеры элемен тарной ячейки (а, Ь, с, а, (3, у) можно определить из измеренных значений углов 20 отклонения дифрак ционных пучков от направления первичного пучка, ибо каждый из углов 20, при котором наблюдается дифракционный максимум, является функцией только размеров ячейки и длины волны используемого излу чения. Это положение проиллюстрировано на при мере в приложении 4 (стр. 194). Один из наиболее простых способов измерения приближенных размеров заключается в получении прецессионных рентгено грамм. Эти рентгенограммы дают неискаженную кар тину обратной решетки (см. рис. 8). (Вычисление
Кристаллы и дифракция |
59 |
масштабного фактора для этой картины не представ ляет трудностей, если известны геометрия камеры и расположение кристалла.)
Плотность кристалла можно измерить, смешивая две жидкости (одну более плотную, другую менее плотную, чем кристалл), в которых кристалл не мо жет раствориться. В такой смеси кристалл никогда не всплывает на поверхность и не опускается на дно. Взвешивая известный объем в специальном сосуде, путем несложного подсчета находят плотность кри сталла. Как показано в приложении 4, это измерение в сочетании с измерением размеров ячейки дает вес содержимого элементарной ячейки. Если известны химические элементы, входящие в состав вещества кристалла, то простой расчетной процедурой можно получить число атомов каждого сорта в элементар ной ячейке.
Методы измерения интенсивности. Интенсивности дифрагированных пучков измеряют при помощи не которого приспособления, чувствительного к ‘рентге новским лучам. Эти измерения можно провести фото методом, с визуальной или фотометрической оценками почернения пленки, либо электронным методом, при меняя сцинтилляционный счетчик в качестве детек тора. Индексы дифрагированных пучков являются просто порядками дифракции *, и их можно найти из рассмотрения положения пятна на пленке или эле ментарного расчета.
В фотометоде пленку размещают вокруг кристал ла, так чтобы через камеры мог пройти прямой рент геновский пучок. Камеру конструируют таким обра зом, чтобы индицирование рефлексов было однознач ным; например, это может быть прецессионная камера. Некоторые из наиболее распространенных методов съемки приведены на рис. 12. Для большин ства камер непосредственная запись дифрагирован
ных |
пучков |
позволяет |
обнаружить на |
фотоплен |
ках |
темные |
пятна. В |
последние годы |
используют |
* См. уравнение (1) . — Прим. перев.
лучи
(2) |
190 • |
|
|
|
146 • |
|
103 • |
|
76 • |
|
56 • |
|
41 • |
|
30 • |
|
22 • |
|
16 - |
|
12 ■ |
|
9 ■ |
|
7 ' |
|
5 • |
|
4 • |
|
3 |
|
2 |
1