Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

с инета для метод

.pdf
Скачиваний:
1531
Добавлен:
17.03.2015
Размер:
5.91 Mб
Скачать

Гл.4. Диэлектрики в электростатическом поле

121

 

 

 

зарядов в произвольной точке границы, а также полный связанный заряд на поверхности диэлектрика.

Решение

Для ответа на первый вопрос используем непрерывность нормальной компоненты вектора индукции Dn (4.13) на границе раздела вакуум (среда 1) –диэлектрик (среда 2).

Рассмотрим напряженность поля в бесконечно малой окрестности произвольной точки А, лежащей на границе раздела (рис. 4.4). Ввиду цилиндрической симметрии системы достаточно задать лишь радиус x, на котором точка А находится от основания перпендикуляра О, опущенного из точки нахождения заряда на плоскую границу диэлектрика.

Пусть σ′(х) – плотность связанного заряда в точке А. Вблизи точки А напряженность поля будет

суперпозицией поля Eq стороннего

 

 

 

 

+q

 

 

 

α

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

точечного заряда q и поля Eот всех

 

 

 

 

 

 

 

 

 

r

E

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

связанных зарядов,

появившихся на

1

 

 

h

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

O x

 

A

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

границе.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

σ′

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Напряженность Eq направлена по

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

E||

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Eq

 

 

 

 

 

 

 

 

 

n12

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

радиус-вектору, проведенному от за-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

E

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ряда q в точку А, и равна

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Eq =

1

 

 

q

,

Рис.4.4.

Напряженности

полей,

 

 

 

4πε0 r2

создаваемых в точке А сторонним

где r2 = x2 + h2.

 

 

 

 

 

зарядом

q

 

и

поляризационными

Связанные заряды,

очевидно, будут

зарядами

 

диэлектрика

(задача

4.3.5)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

распределены на плоскости неравно-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

мерно. Нужная нам нормальная компонента поля (поле E(x) на рис.4.4) создается только поверхностными зарядами в непосредст-

σ′

венной окрестности точки А и имеет величину E(x) = 2ε0 . Поле от

всех остальных связанных зарядов плоскости в этой точке направлено горизонтально вдоль плоскости (E|| на рис. 4.4).

В первой среде (в вакууме) нормальная компонента вектора индукции, в соответствии с выбранным направлением нормали, равна согласно (4.6)

D

= ε E

= ε

E

 

cosα − σ′

=

1

 

qh

σ′ .

q

 

 

1n

0 1n

0

 

2

 

4π r3

2

 

 

 

 

 

 

122 ЭЛЕКТРИЧЕСТВО И МАГНЕТИЗМ. МЕТОДИКА РЕШЕНИЯ ЗАДАЧ

Во второй среде (в диэлектрике)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

σ′

 

1 qh

 

σ′

D

= ε

εE

 

= ε

ε

 

E

 

cosα +

 

= ε

 

 

 

+

 

.

 

 

 

 

 

 

 

2n

0

 

2n

 

 

0

 

q

 

2

4π r3

 

2

 

Здесь учтено, что знак нормальных компонент поля E(x) по обе стороны границы противоположен. Из условия D1n = D2n находим:

σ′(х) =

ε −1 qh

= −

ε −1

qh

.

 

 

 

 

 

 

ε +1 2πr3

ε +1 2π(x2 + h2 )3/ 2

 

 

 

Для вычисления величины полного связанного заряда q′ выделяем на плоскости кольцевую область с центром в точке О, расположенную между окружностями радиусов x и x + dx. Площадь этой области dS = 2πxdx, на ней находится заряд dq′ = σ′dS. Полный заряд q′ найдем, интегрируя это выражение по х от нуля до бесконечности:

 

 

ε −1

 

 

xdx

 

 

 

 

ε −1

 

q′ = qh

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

= −q

 

 

 

ε +1

(x

2

+ h

2

)

3/ 2

 

ε +1

 

 

 

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Ответ: σ′(x) = −

ε −1

 

 

 

 

 

qh

 

 

 

 

, q= −q

ε −1 .

ε +1 2π(x2 + h2 )3/ 2

 

 

 

 

ε +1

Замечание. Рассмотрим случай, когда заряд q находится на границе. При h → 0 из полученного результата видно, что σ′ → 0 во всех точках, кроме х = 0. Действительно, при этом в произвольной точке А(х) нормальная компонента вектора напряженности Eq обращается в нуль, ввиду чего условие непрерывности нормальной

компоненты вектора D приводит к соотношению σ′ = −ε σ′ , кото- 2 2

рое может выполняться только при σ′ = 0. Итак, если точечный заряд q находится на плоской границе раздела вакуума и безграничного диэлектрика, то σ′ = 0 везде, кроме точки х = 0.

Величина q′ не зависит от h. Однако при h → 0 весь этот заряд собирается около точки х = 0. Поэтому напряженность поля можно вычислить как суперпозицию полей двух точечных зарядов q и q′, расположенных в одной точке х = 0. Поскольку других зарядов нет, создаваемое ими во всем пространстве поле изотропно, то есть в диэлектрике оно такое же, как в вакууме:

Е(r) = Е1(r) = Е2(r) =

q + q

=

1 q

 

.

 

 

 

 

 

 

ε +1 2πε

 

 

4πε

r2

 

r2

0

 

 

0

 

 

Гл.4. Диэлектрики в электростатическом поле

123

 

 

 

Это означает, что силовые линии вектора E расходятся из центра равномерно, а эквипотенциальные поверхности являются сферами.

Поле вектора D легко получить из найденной формулы:

D1 = ε0 E,

D1 =

 

1

 

 

 

q

,

 

 

ε +1 2πr2

 

 

 

 

 

 

D2 = εε0 E,

D2 =

 

ε

 

 

 

q

 

.

(ε +1) 2πr2

 

 

 

Картина линий вектора индукции D, в отличие от картины поля E, несимметрична. Поскольку D2 > D1, силовые линии индукции, расходясь радиально от центра, имеют большую густоту в диэлектрике, чем в вакууме.

Задачи типа 4.2

Определение напряженности поля Е, потенциала φ и вектора

индукции D в системах с однородными диэлектриками

Методы решения. Использование известного или ранее рассчитанного распределения связанных зарядов и вектора поляризации. Использование граничных условий (4.11) – (4.14) и формул (4.6) – (4.9).

Задача 4.3.6 (базовая задача). Бесконечно большая пластина из однородного диэлектрика с проницаемостью ε заряжена равномерно сторонним зарядом с объемной плотностью ρ. Толщина пластины 2d. Найти напряженность электрического поля и потенциал, создаваемые этой системой, а также объемную и поверхностную плотности связанного заряда.

Решение

Из симметрии системы следует, что напряженность и потенциал зависят только от одной координаты, выбранной в направлении нормали к слою. Пусть это будет ось х декартовой системы координат с началом в центре слоя. Напряженность поля такой системы при ε = 1 была вычислена в задаче 1.3.11 (глава 1) на основе теоремы Гаусса:

E(|x| < d) =

ρx ,

E(|x| > d) = ±

ρd .

 

ε0

 

ε0

124

ЭЛЕКТРИЧЕСТВО И МАГНЕТИЗМ. МЕТОДИКА РЕШЕНИЯ ЗАДАЧ

Напряженность поля внутри диэлектрика в ε раз меньше:

E(|x| < d) =

ρx

, E(|x| > d) = ±

ρd .

ε0ε

 

 

ε0

На границе раздела имеются связанные заряды, поэтому напряженность испытывает здесь скачок. Распределение потенциала найдем, применяя формулу (2.17) из гл. 2:

x

ϕ(x) = ϕ(0) Edx .

0

Если принять, что ϕ(0) = 0, получим:

ρx2

φ (|x| d) = − 2ε0ε ,

 

ρd 2

 

ρd

 

 

ρd

d

 

φ (x d) = −

 

+

 

(x d)

= −

 

 

+ x

 

 

 

 

2εε0

 

ε0

 

 

ε0 2ε

 

 

 

 

 

 

d .

Используя (4.4), находим P = ε0(ε – 1)E при x < d (и, конечно, Р = 0 при x > d). Подставляя найденное значение Е, получаем:

P(x) =

ε −1

ρx .

 

 

E

 

ε

 

 

 

 

С помощью (4.1) устанавливаем

 

 

 

величину плотности объемного свя-

 

 

 

занного заряда:

 

 

 

 

 

x

ρ′ = – div P = − dP = −

ε −1ρ ,

 

 

 

 

dx

 

ε

 

 

 

а с помощью (4.2) – плотность по-

 

 

 

верхностного связанного заряда:

d

ϕ

d

σ′ = – Pn (d) = ε −1ρd .

 

 

x

 

 

 

 

 

ε

 

 

 

 

Графики

зависимостей E(x) и

 

 

 

 

 

φ(x) представлены на рис. 4.5.

 

Рис. 4.5. Графики зависимостей

Ответ:

 

 

 

 

 

E(x) и φ(x) (задача 4.3.6)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

x < d:

E(x) =

ρx

, φ (x) =

ρx2

, ρ′ =

ε −1

ρ = const;

ε

0

2ε

0ε

ε

 

 

 

 

 

Гл.4. Диэлектрики в электростатическом поле

 

 

125

 

 

 

ρd

 

ρd d

 

 

x > d:

E(x) =

ε0

, φ (x) =

 

 

 

+ x d ;

 

 

 

 

 

 

ε

0 2ε

 

x = d:

σ′ =

ε −1

ρd .

 

 

 

 

 

 

 

 

ε

 

 

 

 

 

 

 

Задача 4.3.7. Однородный диэлектрик с проницаемостью ε имеет вид сферического слоя с радиусами a и b, причем a < b. Найти распределение напряженности поля и потенциала, если в объеме слоя равномерно размещен сторонний заряд с плотностью ρ.

Решение

Из симметрии системы следует, что напряженность и потенциал будут функциями лишь одной переменной – расстояния r от центра симметрии. Вычислим напряженность поля по теореме Гаусса при ε = 1:

E1 = 0

 

 

 

 

 

 

при r < a,

 

 

 

 

E

 

 

 

a)

E2 = ρ

r3 a3

,

при a < r < b,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

3ε

0

r2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

E3 =

 

 

q

 

 

 

 

при r > b.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

4πε0r2

 

 

 

 

0

 

 

 

r

 

 

 

4π

ρ (b3 a3) –

 

 

 

 

 

 

ϕ

 

 

 

 

 

 

Здесь q =

полный

 

 

 

 

 

 

б)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

заряд сферического слоя. При нали-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

чии диэлектрика напряженности E1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

и E3 не изменятся, а E2 будет в ε раз

 

 

 

 

 

 

 

 

 

меньше. График зависимости

 

E(r)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

a

b

r

представлен на рис. 4.6a.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Рис. 4.6.

Графики

зависимостей

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Примем значение потенциала в

 

E(r) и φ(r) (задача 4.3.7)

бесконечно удаленной точке равным

 

 

 

 

 

 

 

 

 

нулю. Тогда

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

при r > b

 

 

 

φ3(r) =

q

 

= ρ

b3 a3

 

,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

4πε

r

 

3ε

r

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

 

 

 

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

r

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

при a < r < b

 

φ2(r) = E2dr + ϕ3 (b),

 

 

 

 

 

 

b

126 ЭЛЕКТРИЧЕСТВО И МАГНЕТИЗМ. МЕТОДИКА РЕШЕНИЯ ЗАДАЧ

и, наконец, φ1 = const при r < a. Из условия непрерывности потенциала следует, что φ1 = φ2(a). Вычисляя интеграл для φ2, находим

 

 

 

 

ρ

 

b2

 

 

 

a3

 

r2

a3

 

Ответ:

φ2(r) =

 

 

 

 

 

 

(2ε +1)

 

 

(ε −1)

 

 

 

 

,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

 

 

 

 

b

 

2

 

r

 

 

 

 

 

3εε0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ρ

 

b2

 

 

a3

 

 

 

3a2

 

 

 

 

 

 

φ1 =

 

 

 

 

 

 

(2ε +1)

 

 

(ε −1)

 

 

.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

 

 

 

b

 

 

 

2

 

 

 

 

 

 

 

3εε0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

График функции φ(r) представлен на рис. 4.6 б.

Задача 4.3.8. Две параллельные пластины ничтожно малой толщины заряжены одноименно, причем поверхностная плотность заряда на верхней пластине σ1 = 3 мкКл/м2, а на нижней σ2 = 6 мкКл/м2. Расстояние между пластинами h = 1 см мало по сравнению с линейными размерами пластин. Между пластинами вставлена плоскопараллельная парафиновая пластинка толщиной d = 5 мм (рис.4.7). Диэлектрическая проницаемость парафина ε = 2. Определить напряженность поля E1 между пластинами вне диэлектрика, напряженность поля E2 внутри диэлектрика и разность потенциалов между пластинами.

Решение

Поскольку на пластинах размещены одноименные заряды, векторы напряженности от пластин направлены навстречу друг другу и суммарная напряженность поля вне диэлектрика направлена от нижней пластины (где величина заряда больше) к верхней и равна

E1 = σ2 − σ1 n, 2ε0

+σ1

E2

2 ε

n

E1

1

+σ2

Рис. 4.7. Напряженности полей, вне диэлектрика Е1 и внутри него Е2 (задача 4.3.8).

где n – единичный вектор, направленный от пластины с большим зарядом к пластине с меньшим зарядом. Внутри диэлектрика величина напряженности в ε раз меньше:

E2 = σ2 − σ1 n. 2ε0ε

Гл.4. Диэлектрики в электростатическом поле

127

 

 

 

Поле в пространстве между пластинами однородное, поэтому искомая разность потенциалов равна

Δφ = E1(h – d) + E2d.

Подставляя численные значения всех величин, находим приближенно: E1 = 170 кВ/м, E2 = 85 кВ/м, Δφ = 1,3 кВ. Величины напряженности существенно меньше диэлектрической прочности воздуха, которая приблизительно равна 30 кВ/см.

Ответ: E1

= σ2 − σ1

= 170 кВ/м,

E2

= σ2 − σ1

= 85 кВ/м,

 

2ε

0

 

 

2ε

ε

 

 

 

 

 

0

 

 

Δφ = = E1(h – d) + E2d = 1,3 кВ.

Дополнение. Определим силу, действующую на каждую пластину. Из определения напряженности следует, что силу можно рассчитать, если известен заряд, на который действует сила, и напряженность этого действующего поля. В нашем случае заряд первой пластины равен q1 = σ1S, где S – площадь пластин. На этот заряд действует поле, создаваемое второй пластиной. Напряженность

этого поля равна E = σ2 . В итоге находим: 2ε0

F = σ1σ2 S . 2ε0

Из численных данных можно найти лишь плотность действующей силы, т.е. силу, приходящуюся на единицу площади (электрическое давление). Она равна f = F/S = 0,5 Па.

Задачи типа 4.3

Определение емкости конденсаторов, заполненных неоднородным диэлектриком

Методы решения:

1) использование эквивалентных схем, которые представляют неоднородно заполненный диэлектриком конденсатор как систему соединенных между собой конденсаторов, заполненных диэлектриком однородно. После этого применяются формулы сложения емкостей конденсаторов при последовательном и параллельном их соединении (см.§3.1. главы 3).

128ЭЛЕКТРИЧЕСТВО И МАГНЕТИЗМ. МЕТОДИКА РЕШЕНИЯ ЗАДАЧ

2)Исходя из зарядов на проводниках (±q в случае конденсатора), найти поле D, потом поле Е и из него разность потенциалов Δϕ. Емкость конденсатора равна C = q/Δϕ.

Задача 4.3.9 (базовая задача). Пространство между обкладками плоского конденсатора заполнено двумя слоями диэлектриков. Толщина слоя первого диэлектрика с проницаемостью ε1 равна h1, толщина слоя второго диэлектрика с проницаемостью ε2 равна h2 (рис. 4.8). Площадь каждой обкладки равна S. Найти емкость С конденсатора.

Решение

Пусть на пластины конденсатора помещены заряды +q и –q. Тогда напряженность поля в первом диэлектрике

равна

E =

σ

 

, а во втором

 

 

 

1

ε ε

0

 

 

 

 

 

 

1

 

E =

σ

.

 

 

 

 

 

 

 

2

ε

ε

0

 

 

 

 

 

2

 

 

 

 

 

1ε1 h1

 

 

ε

 

 

2

ε2 h2

 

2

 

 

Рис. 4.8. Конденсатор, заполненный двумя слоями диэлектриков (задача 4.3.9)

Разность потенциалов между пластинами Δφ = E1h1+ E2h2,

следовательно,

C =

q

=

ε0ε1ε2S

 

.

ϕ

h ε + h ε

 

 

2

1

1

2

 

Альтернативный подход к решению этой задачи состоит в следующем. Плоская граница между диэлектриками является эквипотенциальной поверхностью. Поэтому нашу систему можно рассматривать как два последовательно соединенных плоских конденсатора с емкостями

C1

= ε0ε1S и

C2

= ε0ε2S .

 

h1

 

h 2

Применяя формулу сложения емкостей 1C =1C1 +1C2 , получаем такой же ответ.

Ответ: C =

ε0ε1ε2S

 

.

h ε

+ h ε

 

2

1

1

2

 

Гл.4. Диэлектрики в электростатическом поле

129

 

 

 

Задача 4.3.10. Пространство между пластинами плоского конденсатора заполнено диэлектриком, проницаемость которого меняется по линейному закону от значения ε1 у одной пластины до значения ε2 2 < ε1) у другой. Расстояние между пластинами d, площадь каждой пластины равна S. Найти емкость С конденсатора.

Решение

Способ 1. Учитывая симметрию системы, направим ось х декартовой системы координат по нормали к плоскости пластин конденсатора, а начало отсчета 0 выберем в точке пересечения оси х с пластиной, около которой проницаемость диэлектрика наименьшая (см. рис.4.9).

Идея решения задачи состоит в

 

ε

 

 

 

 

том,

чтобы

заданный

конденсатор

 

 

 

 

ε1

 

 

 

 

 

рассмотреть как систему последова-

ε2

 

 

 

 

 

тельно соединенных плоских конден-

 

 

 

 

 

 

саторов с

бесконечно

малыми рас-

 

 

 

 

 

 

0

 

 

 

d Х

стояниями x между их обкладками.

 

 

 

 

 

 

x

В таком

объеме

диэлектрическую

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

проницаемость ε можно считать по-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

стоянной и для вычисления емкости

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

применить обычную формулу емко-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

сти плоского конденсатора.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Выделим такой тонкий слой

х

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

на произвольном расстоянии х от на-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

чала

координат.

Обратная емкость

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

такого тонкого конденсатора равна

 

 

 

 

 

 

 

 

Рис. 4.9. Зависимость диэлек-

 

 

 

1

x

 

 

 

трической

проницаемости от

 

 

 

 

=

 

 

,

 

координаты в конденсаторе за-

 

 

 

 

 

 

 

 

C

ε0ε(x)S

 

дачи 4.3.10

 

 

 

 

где

ε(x) = ε2 + (ε1 − ε2 )(x/ d) . При

последовательном соединении

конденсаторов суммируются величины, обратные емкости, что для

непрерывного распределения

конденсаторов в пределе x dx

сводится к интегрированию по всем х от нуля до d:

 

 

 

1

d

dx

 

 

 

=

 

 

 

C

C(x)

 

 

 

0

 

 

 

 

 

 

 

Учитывая, что dx =

 

d

 

dε , получаем

ε

− ε

2

 

 

 

 

 

1

 

 

 

 

 

130 ЭЛЕКТРИЧЕСТВО И МАГНЕТИЗМ. МЕТОДИКА РЕШЕНИЯ ЗАДАЧ

1

 

 

 

d

 

 

ε1

dε

 

 

 

d

 

 

 

ε

 

=

 

 

 

 

 

 

=

 

 

 

 

 

ln

1

.

C

ε

 

(ε − ε

 

)S

ε

ε

 

(ε − ε

 

)S

ε

 

 

 

0

1

2

 

ε2

 

 

 

0

1

2

 

 

2

 

Способ 2. Пусть на обкладках конденсатора находятся заряды ±q и поверхностная плотность заряда σ = ±q/S. Тогда D = σ, и далее получаем

E(x) =

 

D

 

=

 

σ

 

 

 

 

1

 

 

 

 

 

,

ε

 

 

 

ε

 

 

ε

 

+ (ε − ε

 

 

 

 

 

 

ε(x)

 

0

 

2

2

)(x / d)

 

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

 

 

 

 

 

 

 

d

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

σd

 

 

 

 

 

ε1

 

 

ϕ = E(x)dx =

 

 

 

 

 

 

ln

,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ε0 (ε1 − ε2 )

 

ε2

 

 

 

C =

q

 

= ε0 (ε1 − ε2 )S .

 

 

 

 

 

ϕ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

d ln(ε / ε

2

)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

 

 

 

 

 

 

 

Ответ: C = ε0 (ε1 − ε2 )S . d ln(ε1 /ε2 )

Задача 4.3.11 (базовая задача). Первоначально в плоском воздушном конденсаторе, заряженном и отсоединенном от источника ЭДС, напряженность поля равна Е0. Затем половину пространства между пластинами конденсатора заполняют однородным диэлектриком с проницаемостью ε так, что плоская граница диэлектрика параллельна пластинам конденсатора (рис. 4.10а).

а) Найти модули векторов E и D внутри и вне диэлектрика.

б) Ответить на те же вопросы, если диэлектрик занимает все расстояние между пластинами в половине объема конденсатора (рис. 4.10б).

Решение

В случае а) из результатов задачи 4.3.2 следует, что напряженность поля в воздушном промежутке E1 = E0 = σε0 не изменится, а в диэлектрике станет меньше в ε раз за счет поля появившихся связанных зарядов E2 = E0 ε .

Распределение сторонних зарядов на обкладках конденсатора не изменилось, поэтому не изменятся и силовые линии вектора индукции D. Из условия непрерывности Dn на границе диэлектрика заключаем, что в любой точке внутри конденсатора D1 = D2 = ε0Е0.