Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Вайнштейн Л.А. Лекции по сверхвысокочастотной электронике

.pdf
Скачиваний:
40
Добавлен:
25.10.2023
Размер:
17.18 Mб
Скачать

При наличии решетки с периодом L по оси z возбуждается бесконечное число обобщенных плоских волн, волновые векторы которых имеют составляющие

 

а—

2ля

kx = 0, ky,n=

I k2—kz,n,

kz,n=

+ ——

 

 

v

L

(n = 0.

± 1 , ± 2 , . . . ) ,

 

которые можно либо трактовать

как пространственные гармоники плоской вол­

ны согласно формуле (а), либо, определяя угол "&п соотношением

ky.n = k S i n # n ,

k2,n — k COS#„,

выводить из основной формулы теории

решеток

k (COS

— cos do) = - — •

Это соотношение можно получить таким путем: поле, возбуждающее ре­ шетку, по оси z имеет фазовую зависимость, определяемую множителем e l k z c o s *°. Токи, возбуждаемые на решетке и являющиеся источниками поля, создаваемого решеткой, имеют более сложную зависимость от z, поскольку в пределах одного периода решетка имеет произвольную сколь угодно сложную форму. Вместе с тем, эта форма повторяется в каждом периоде, так что в точках, сдвинутых на

целое число периодов (Аг =

mL,

т =

± 1 , ± 2 , ... ), токи

отличаются

фазовым

множителем e ' * A z C 0 S * ° =

e.lkmL

c o s *о.

Поэтому любая

декартова

состав­

ляющая поля решетки при i/=const есть произведение периодической функции Z (с периодом L) на фазовый множитель e t f t 2 C 0 s * ° . Разлагая периодическую функ­ цию в ряд Фурье и учитывая, что каждая декартова составляющая поля решетки, например Нх, удовлетворяет волновому уравнению

 

 

д2Нх

 

д2Нх

 

 

 

получаем для нее представление

 

 

 

 

 

 

Нх =

со

 

 

 

 

 

 

2

Cn e'(W+**.n*),

 

 

 

п = —оо

 

 

 

 

где Сп

— постоянные,

a k y > n

и кг>

п определяются формулами, выписанными

выше,

причем корень

для kyt п

вычисляется так, чтобы было

либо ky3 п ;> О

{волна, уходящая от решетки), либо

ky^ п

= i \ k y

< n \ (волна,

затухающая при

удалении от решетки). В первом случае

мы получаем обычные плоские волны,

которые и создают излучение Смита — Парселла.

 

Правда, источник этого излучения — заряженную нить — нельзя реализо­

вать физически. Если над той же диффракционной

решеткой пролетает не нить,

а точечная частица, то согласно решению задачи

4 в плоскости у, z она при

К | У I 3> 1 создает поле

 

 

 

 

 

 

мало отличающееся от поля неоднородной плоской волны, создаваемой нитью. Поэтому в плоскости у, z диффракционные поля в обоих случаях будут подчи­ няться одинаковым закономерностям.

6. Найти статическое распределение потенциала в плоском диоде (рис. 1.1),

пренебрегая

распределением скоростей и

совмещая

потенциальный

минимум

 

 

 

дФ

 

с катодом,

т. е. ставя граничные условия

Ф = 0 и

=г— = 0 при г =

О, Ф =

= U = const при

z =

D. Считать, что электроны покидают катод (потенциаль­

ный минимум) со скоростью*

 

 

 

 

 

f

v*f0(v)dv

 

 

 

о

 

 

 

 

 

f

и/о (v)

dv

 

 

 

о

 

 

Вычислить /О(У)

и

w для максвелловского

распределения скоростей у катода,

приведенного в задаче

1.

 

 

Показать,

что при

w = 0 зависимость

плотности анодного тока / от анод­

ного напряжения

U определяется законом трех вторых. Найти поправки к этому

закону, обусловленные скоростью ш, а также фактическим несовпадением по­ тенциального минимума с катодом (см. задачу 2). Показать, что поправки к анод­ ному току, связанные с током эмиссии / е , существенно меньше, чем поправки, связанные со скоростью w.

Последнее важно по следующей причине. При отсутствии пространствен­ ного заряда флюктуации анодного тока ( дробовой эффект) повторяют флюктуа­ ции тока эмиссии, а при ограничении анодного тока пространственным зарядом флюктуации тока эмиссии практически не сказываются на анодном токе: флюк­

туации анодного

тока вызываются, в основном, флюктуацией

средней

скоро­

сти W.

 

 

 

Р е ш е н и е .

Обозначим плотность анодного тока через

/ (/ < 0);

тогда

плотность заряда в точке с потенциалом Ф равна

 

 

Р = — ,

/

< 0 -

ш2

Ф

— —

V

т

 

 

 

где радикал определяет согласно закону сохранения энергии скорость электронов в данной точке. Уравнение Пуассона имеет вид

d2Ф

=

— 4яр =

4л/

 

 

 

 

 

 

/

w* — — Ф

dO

 

т

 

 

 

Умножая его на и интегрируя, получаем

 

J

1 /

w2 — — Ф

 

о

у

т

 

где мы воспользовались граничными условиями на катоде. Переписывая последгіФ

нее соотношение в виде (считаем д^~> 0, см. рис. 1.1)

ЙФ

-V-

- dz

і /

8 я т / ,

_ ш

 

— ф

 

т

 

 

* Определенная таким образом скорость w есть средняя скорость электро­ нов, идущих к аноду. Можно показать, что, вводя такую скорость, мы в первом приближении учитываем влияние распределения скоростей f0(v) на анодный ток и распределение потенциала.

и интегрируя, приходим к соотношению

ф

_ і / 8 я ш / г,

(a)

Ф — w

дающему зависимость Ф от г, т. е. распределение потенциала в диоде, а при Ф

=U и г = D — зависимость / от U.

Положим сначала w — 0. Тогда соотношение (а) примет вид

Y_J!L

± ф г / і = і /

8птіг

и л и Ф = і / _ 8 1 " ' m / * г 4 / 3 .

Полагая Ф = {/ и z = D , получаем формулу трех вторых

 

1

і /

2 Т І / 3 / 2

;

V

т

Вычисление интеграла (а) при w > 0 довольно громоздко, но выполняется в эле­ ментарных функциях. При этом вместо формулы трех вторых получаем более сложную формулу

 

 

 

 

т

\ з / 2

 

 

\

U — — - w

 

 

 

 

'

9л '

rn

 

D 2

 

X / 1 - — -

w

\

/

1 +

2а>

 

- \

 

 

Считая, что начальная скорость w мала по сравнению с конечной:

можно упростить эту формулу следующим образом:

 

^--V

 

^-l^'-—-—\

 

 

 

(Ь)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

т

и

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

где сохранены только

члены порядка є =

—.

а

члены

порядка є

отброшены.

 

 

Г

т

 

 

 

 

w

 

 

 

 

 

 

 

Вычислим теперь

для

максвелловского

распределения.

Если

через

Ф т <

0 обозначить значение Ф

в потенциальном минимуме при z

= z m >

то со­

гласно

закону'сохранения энергии скорость электрона vm

в

минимуме связана

с его скоростью v у катода

соотношением

 

 

 

 

 

mvli

еФт

> 0.

 

Если распределение скоростей у катода — максвелловское (см. функцию f(t, О, v) в условиях задачи 1), то распределение у потенциального минимума — такое же, и

Вычисляя интегралы для w, получаем

 

 

 

 

 

У

п

kT

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

m

 

 

 

 

 

 

Если

взять

сравнительно

низкое

напряжение

t/ = 10 в,

то

получим

є ~

0,

1, є 2

~ 0,01

(см. задачу 2); при более высоких

напряжениях

є

снижается

до значений

порядка 0,01.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Формулу (Ь) можно было бы уточнить, заменяя

U на U — Фт

и D на D —

гт

(величина г т зависит от тока эмиссии, см. задачи

1 и 2), но такие замены

дают гораздо меньший вклад, чем поправочный

член в формуле (6); это следует

из

чисел, полученных в задаче

2.

Впрочем,

уже

из

предыдущего

ясно, что

1Ф™1 о2

и~є

СП И С ОК ЛИТЕРАТУРЫ К 1-й ЛЕКЦИИ

1.Л. А. В а й н ш т е й н . Электромагнитные волны. Изд-во «Советское радио», М, 1957 (гл. 1).

2.Дж . Д ж е л л и. Черенковское излучение. Изд-во иностранной литературы,

1960 (гл. 1, гл. 2, § 1—3; гл. 3, § 4 и 7; гл. 4, § 4 и 5; гл. 11, § 9).

3.

Дж .

Д ж е к с о н .

Классическая электродинамика. Изд-во

«Мир», 1965

 

(гл.

17).

 

 

4.

В. М. Ч е р н е н к о .

Возбуждение колебаний в открытых

резонаторах

 

ультрарелятивистскими электронными сгустками. В сб. «Электроника боль­

 

ших мощностей», вып. 6. Изд-во «Наука», 1969, стр. 135—146.

 

5.Л. А. В а й н ш т е й н . Теория дробового эффекта при наличии простран­ ственного заряда. Сборник научных трудов, вып. X I . Изд-во «Советское ра­ дио», 1948.

6.Л. А. В а й н ш т е й н . Депрессия дробового эффекта в цилиндрических диодах. К теории дробового эффекта. ЖТФ, 1947, т. 37, № 9, стр. 1035—1044, 1045—1050.

7. Л. Б о л ь ц м а н. Лекции по теории газов, Гостехиздат, 1956.

8.А. А. В л а с о в. Теория вибрационных свойств электронного газа и ее при­ ложения. Ученые записки МГУ, вып. 75. «Физика», кн. 2, ч. 1, 1945.

2 Зак. 112 3

Л е к ц и я 2

ВОЗБУЖДЕНИЕ ОБЪЕМНЫХ РЕЗОНАТОРОВ

Как было сказано в 1-й лекции, система уравнений электроники включает в себя уравнения поля и уравнения движения, которые нужно решать совместно. В связи со сложностью задач сверхвысо­ кочастотной электроники возникает необходимость в дальнейших аппроксимациях. Наиболее часто производится разбиение поля на резонансную и нерезонансную части; последняя связана с дейст­ вием пространственного заряда и аппроксимируется тем или иным образом.

Это разбиение наиболее четко и просто проводится для полей в объ­ емных резонаторах. Ниже будет рассмотрено возбуждение колеба­ ний в объемных резонаторах заданными токами фиксированной частоты; в силу линейности этой задачи ее решение позволяет ана­ лизировать сложные периодические процессы в объемных резона­ торах, а также процессы, близкие к периодическим.

Полученные соотношения можно применять к резонансным элект­ ронным автогенераторам, в которых генерируемое поле распреде­ лено в пространстве так же, как добротное собственное колебание резонатора. По существу, роль электронов в таких генераторах сво­ дится к тому, чтобы поддерживать это колебание, компенсируя по­ тери, и мы рассмотрим это взаимодействие электронов с резонан­ сным полем с общей точки зрения.

а. РАЗЛОЖЕНИЕ П О СОБСТВЕННЫМ К О Л Е Б А Н И Я М

Возбуждение объемного резонатора рассматривается в сле­ дующей идеализации: поле резонатора занимает конечный объем V и не проникает за пределы некоторой замкнутой поверхности S, огра­ ничивающей этот объем V. Задан возбуждающий ток

j(0 =

R e { j ( c o ) e - ^ } ,

(2.01)

и надо найти возбуждаемое

им

поле

 

Е (t) = Re {Е (со) е~ш

}, Н (0 = Re {Н (со) е - ' » ' },

(2.02)

комплексные амплитуды которого удовлетворяют уравнениям

rotE = ifc|iH,

r o t H = —

ifo$E + j ,

(2.03)

где (см. 1-ю лекцию)

 

с

 

 

 

 

k = —,

є = є(со),

Li = fx(co).

(2.04)

с

В дальнейшем зависимость Е, Н, є и. ц от со будет лишь подразуме­ ваться.

34

О самом резонаторе предполагается известным следующее: у него имеются собственные колебания, характеризуемые комплексными частотами

« , - « ; - « - ; « г - ^ - .

( а д

образующими дискретный спектр (дискретность спектра обусловлена тем, что поле занимает конечный объем V). Электромагнитное поле каждого собственного колебания имеет вид

E(0 = Re{E,e-"»r'},

H(/)- = Re { H r e - ' f f l r ' } ,

(2-08)

и применение комплексной частоты (2.05) просто означает, что времен­ ной множитель

e - / a > r t _ e-l®'r

t &-<а"г t

определяет поле, колеблющееся с круговой частотой со'г и имеющее коэффициент затухания со"г. Комплексные амплитуды Ег , Н г удовлет­ воряют однородным уравнениям

rot Er = ikr LI H r , r o t H r = — ikrnEr

^ft, = - ^ - j

(2.07)

с теми же є и [і, что и в уравнениях (2.03); таким образом, частоты (2.05), нумеруемые с помощью индекса г, зависят (хотя, как правило, довольно слабо) от частоты возбуждения со.

При данной постановке задачи вывод мощности в нагрузку учи­ тывается как ее дополнительная диссипация в некотором «поглощаю­ щем пятне» на стенке резонатора. Затухание со"г включает в себя затухание, вызванное выводом мощности, так что Qr есть нагруженная добротность.

Искомые поля Е и Н можно представить в виде

Е =

S U r E r - g r a d < D ,

Н = 2 В Г Н Г ,

(2.08)

 

г

г

\

где суммирование

производится по

всем колебаниям,

образующим

(это доказано по крайней мере в простейших случаях) полную систему

векторных соленоидальных

функций, подчиненных условиям

 

div_(eEr) = 0,

div (цНг ) = 0

(2.09)

и удовлетворяющих

соотношениям

ортогональности

 

$ eE r E s dl / = 0,

^ LiHr H s dV = 0 при

г}ф s,

V

 

• V

 

 

где интегрирование производится по всему объему, занятому полем (включая объем поглощающих и диэлектрических вставок, скинслой в стенках и т. д.). Соотношения ортогональности вытекают (см.

задачу 5) из

уравнений

(2.07) и позволяют определить неизвестные

коэффициенты

Ат и Вг

в выражениях (2.08), подставляя последние

в уравнения

(2.03).

 

2*

35

Математическая

причина, вследствие которой в выражении

(2.08) для Е входит

дополнительное слагаемое — grad Ф, а в вы­

ражении для Н такого слагаемого нет, заключается в том, что согласно

уравнениям

(2.03)

 

 

div(eE)=£0,

div((xH) = 0.

Физический

смысл этого слагаемого

будет разъяснен ниже.

Опуская

выкладки (они даны в задаче 6), приведем лишь окон­

чательные соотношения. Коэффициенты Ат и Вт определяются вы­ ражениями

V

 

V

где

 

 

Nr = [eEfdV=

- f ( i H » d V

(2.11)

v

 

 

есть норма колебания.

Потенциал Ф, входящий в первую формулу (2.08), удовлетворяет

обобщенному уравнению Пуассона

 

div(egrad<D) = — 4яр,

(2.12)

где

 

p = - L d i v j

(2.13)

гсо

 

есть комплексная амплитуда плотности заряда, связанного с током

соотношением (1.04).

При е =

1 (или є = const) уравнение

(2.12)

переходит в обычное

уравнение

Пуассона.

 

Слагаемое — grad

Ф есть

квазистатическое электрическое

поле

пространственного заряда, плотность которого колеблется с частотой to. Все остальные слагаемые определяют, вообще говоря, резонансные

^іоля: если добротность Qr достаточно

велика

и частота возбуждения

со

лежит

в надлежащих

пределах,

то

соответствующие

значения

Аг

и Вг

могут

стать большими.

 

 

 

 

 

 

Отметим, что коэффициенты Ат и Вг

в общем случае отличаются;

лишь при о)лсог , когда Ат и Вт велики,

мы имеем АгжВг.

Если ис­

пользовать тождества

 

 

 

 

 

 

 

 

СО

_ 1 /

1

1

\

С0Г

_

1 /

1

1 \

со2 (of

2 V со г

со +

ч>г I '

ш г

2

\ СО — (йг

со -f- сог / '

то Ат представится в виде суммы, а В , — в виде разности двух других величин. Этим новым величинам можно придать следующий смысл.

Формально

сопоставим

каждое колебание с частотой юг и векторами

Ег , Нг с

колебанием,

обозначаемым индексом — г,

определяемым

формулами

 

 

 

 

ю _ г = — <or,

Е _ Г = ± Е Г , Н.Г = Т Н „ N.r

= Nr

(2.14)

и

удовлетворяющим

уравнениям (2.07)

при

замене т н а г .

Тогда

выражения

(2.08) можно

переписать

в

ином

виде:

 

 

 

 

 

 

 

 

Е = S

{Сг Er

+ C_r

E_,.)-grad Ф,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

г

 

 

 

 

 

 

 

 

(2.15)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

H = S ( C r H r + C_r H_r ),

 

 

 

 

 

где

 

 

 

Г

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Г j E r dV,

C _ r =

 

 

L j j E _ r r f l / .

(2.16)

 

 

2 (со— сог) W,

 

 

 

 

2 (ffl+e>r) JV,r v

 

 

 

 

 

 

 

U

V

 

 

 

 

 

 

 

Эта запись, хотя в принципе ничего нового не дает, часто более

удобна для выделения резонансных слагаемых, поскольку

при

с о > 0

в

выражениях

(2.15)

только Сг

могут принимать большие

значения,

а

С_г

всегда

ограниченны. Если в выражении (2.01) j (со) есть мед­

ленно

меняющаяся

(по

сравнению

с

е - ' и ' ) функция t,

то

коэф­

фициенты

Ст

и С__г в формуле

(2.15) также

будут

медленно

меняю­

щимися функциями t; можно показать

(см. задачи

1 и 2),

что они

будут

удовлетворять

уравнению

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(2.17)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

v

 

 

 

 

 

Простота этого уравнения также свидетельствует о полезности ве­

личин Ст и С _ г .

Если резонатор возбуждается, скажем, вблизи частоты какогонибудь одного собственного колебания и собственные частоты других колебаний достаточно далеки от частоты возбуждения, то все слагае­

мые в формуле (2.15), кроме одного,

определяют

поля, не имеющие

в этом диапазоне частот

резонансных

свойств: это — «нерезонансный

фон», накладывающийся

(вместе с «чистым» полем

пространственного

заряда) на соответствующее резонансное поле. Нерезонансный фон явно зависит от частоты, в то время как зависимость поля пространст­ венного заряда от частоты обусловлена только тем, что є = є (to). Нерезонансный фон можно рассматривать как динамическую поправку к полю пространственного заряда, имеющему электростатический характер.

Применяя резонаторы в сверхвысокочастотной электронике, обыч­ но стараются добиться того, чтобы прибор работал на определенном колебании, а другие колебания не возбуждались. Иногда это получает­ ся само собой, но, например, в мощных генераторах, где нужно уве­ личивать пространство взаимодействия, и в диапазоне очень коротких волн (миллиметровых и субмиллиметровых) приходится применять специальные меры. Эти меры обычно сводятся к тому, что собственные

частоты нежелательных колебаний

уводятся из

зоны генерации,

т. е. подальше от частоты рабочего

колебания

(например, связки

в магнетронах), или же нагружают нежелательные колебания, сни­ жая их добротность и тем самым не давая им конкурировать с рабочим

колебанием. Часто

применяются

диссипативные

нагрузки — погло­

щающие вставки, другим способом снижения добротности

конкури­

рующих колебаний является применение открытых

резонаторов, в ко­

торых сравнительно небольшое

число колебаний

весьма

добротно,

а остальные имеют большие потери на излучение.

 

Открытые резонаторы в электронике используются еще мало.

Одним из первых

приборов такого рода

является

оротрон — элек­

тронный автогенератор миллиметровых

и субмиллиметровых волн

с открытым резонатором и отражающей решеткой. Открытый резо­

натор этого прибора образован двумя

зеркалами — плоским и вогну­

 

 

 

 

тым (рис. 2.1), собственное колебание в этой

 

 

і Вывод

 

системе имеет вид квазиплоской стоячей вол-

 

 

J.

 

ны между зеркалами. На плоском

 

зеркале

 

 

п UiJJJ ""UjJJ iUh

 

расположена

периодическая структура —от-

 

 

^

 

ражающая решетка, над которой пропускает­

 

 

 

 

ся плоский электронный пучок. Вывод энер­

 

 

 

 

гии

производится

через

вогнутое

зеркало:

 

 

 

 

в миллиметровом

диапазоне

к

нему

подво­

 

 

 

 

дится

волновод

(рис. 2.1), в

субмиллиметро-

 

Пучок

 

вом диапазоне это зеркало делается слегка

 

 

 

 

прозрачным

и генерируемое

поле

выводится

 

 

 

 

в виде

квазиплоской

волны.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Если отвлечься от своеобразной электро­

 

 

 

 

динамической

системы, то оротрон

является

Р И С '

^матически)*1 1 ^С Х 6

 

резонансным

прибором типа О, в котором с

 

м тич ки;.

 

пучком синхронизируется

первая

пространст­

 

 

 

 

венная

гармоника

собственного

колебания

(как

в

ниготроне,

см. следующую

лекцию). Поскольку период L

решетки

существенно

меньше

длины

волны и пространственные гар­

моники

возникают

в

результате

нормального

падения

 

квазипло­

ской

волны, п-я пространственная

гармоника

имеет

[см.

форму-

лу

(1.64)] по оси z волновое

число

kZfTl

2JT/Z

и фазовую

скорость

 

и — -г-^- = с 4- <С с

 

(при

п — 1,

2,

... ) .

Главное

 

преимущество

оротрона заключается в том, что, имея габаритные размеры гораздо большие длины волны, он работает на одном колебании, которое может быть рассчитано теоретически.

В добротных резонаторах обычного типа (пустых, с хорошо про­ водящими стенками) добротности всех колебаний обычно велики, по­ этому нерезонансный фон является реактивным, т. е. на его возбуж­ дение почти не тратится активная мощность, как видно из формул (2.10) и (2.16). В резонаторах с диссипативной нагрузкой добротности многих колебаний низки, однако эти колебания возбуждаются с мень­ шими амплитудами и поэтому нерезонансный фон также можно счи­ тать реактивным. В открытых резонаторах нерезонансный фон имеет более сложный характер — он связан с излучением электромагнитной энергии из резонатора, и поэтому на его возбуждение тратится актив­ ная мощность. Оказывается, что при сосредоточенном возбуждении

(диполем, малым отверстием связи и т. д.) эта мощность сравнима

смощностью, передаваемой резонансному колебанию; последняя

рассчитывается по первой формуле (2.16), остающейся справедливой и для открытых резонансных систем; в этом опять-таки сказывается

преимущество

формулы

(2.15).

 

 

 

 

В заключение скажем несколько слов

о

комплексных частотах

сог. Как уже отмечалось, из-за зависимости

є (со) и ц (со) имеем

сог =

=

сог (со); однако эти зависимости обычно слабые, поэтому в пределах

резонансной кривой колебания с индексом

г можно считать

сог =

=

сог (сог) или

же сог =

« г (со'г), так как

Qr

^> 1. Если рассматри­

вать не вынужденные колебания под действием периодических или почти периодических токов (как это было до сих пор), а свободные

колебания,

наступающие

после

прекращения действия

 

источников,

то они происходят на частотах сог

(сог) и поэтому несколько отличаются

от собственных колебаний, введенных выше. По

полям

Ег , Нг собст­

венных

колебаний мы

производили

разложение

поля

в

резонаторе

(в этом

и заключается

смысл их

введения); векторы

Ег ,

Нг удовлет­

воряют

уравнениям (2.07). Свободные же колебания

удовлетворяют

уравнениям

(2.07), в которых надо

положить

 

 

 

 

 

 

 

Є

=? Є (0)Г )

И

LI = (U (сог),

 

 

 

 

причем, как уже говорилось, комплексные частоты сог свободных и

собственных колебаний

несколько отличаются друг от друга.

б. ПРИМЕНЕНИЕ

К РЕЗОНАНСНЫМ АВТОГЕНЕРАТОРАМ

Пусть мы имеем резонансный автогенератор (отражательный

клистрон, магнетронный

генератор и т. п.), состоящий из объемного

резонатора и электронного потока. Относительно резонатора сделаем предположение, что он является высокодобротным и возбуждается на одном колебании с индексом г, а все остальные колебания дают нере­ зонансный фон.

В уравнении (2.17) под j понимается і (со) — комплексная ампли­ туда плотности тока j (t). Если последний не является чисто гармони­ ческим, а является периодической функцией t (с периодом 2л/со), то

его можно представить в виде (1.16), под j

(со) понимать j4 и вычислять

j (со) по формуле

 

j(f f l ) = 27(0^=',

(2.51)

где черта сверху означает усреднение по времени, т. е. интегрирование по любому промежутку времени длиной 2я/(о и деление на этот про­ межуток. Если колебание в резонаторе не является стационарным

-^=7^=0), то связанный с ним электронный ток не является строго

периодическим и результат усреднения зависит от положения про­ межутка усреднения на шкале времени. Этот результат не является неожиданным: в нестационарных режимах величина j (со) должна являться медленно меняющейся функцией времени и поэтому, строго говоря, должна записываться, например, как j (со, t). Однако способ

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ