![](/user_photo/_userpic.png)
книги из ГПНТБ / Яковлев, В. В. Стохастические вычислительные машины
.pdfЭти данные справедливы, как уже было оговорено, для последо вательности бернуллиевского типа. Если интегрируемый процесс неидеален, то требуемый объем выборки должен быть изменен. Так, например, для схемы возведения переменной в т-ю степень
|
|
объем |
выборки |
увеличи |
|||
|
|
вается |
и определяется со |
||||
|
|
отношением (2.40). В дру |
|||||
|
|
гих случаях (цепочка по |
|||||
|
|
следовательно включенных |
|||||
|
|
элементов |
«запрет» или |
||||
|
|
«импликация») |
для дости |
||||
|
|
жения |
той |
же |
точности |
||
|
|
можно |
уменьшить |
время |
|||
|
|
интегрирования |
|
(объем |
|||
|
|
выборки). |
|
|
|
|
|
|
|
Поскольку |
количество |
||||
|
|
тактов |
интегрирования п |
||||
|
|
определяет |
время |
выпол |
|||
|
|
нения операций, то соотно |
|||||
Рис. 34. Зависимости требуемого объема |
шение (2.58), |
следователь |
|||||
выборки испытаний (времени интегри |
но, устанавливает |
связь |
|||||
рования) от заданной |
точности ех при: |
между |
точностью и скоро |
||||
1 — р л = 0,9973; 2 — рд = |
0,95; 3 — рд = 0,9; |
стью вычислений |
в СтВМ. |
||||
4 — Vд = |
0,7 |
Учитывая, |
что быстродей |
||||
|
|
ствие машин сильно падает |
с увеличением точности вычислений, по-видимому, целесообразно ограничиться точностью порядка сотых долей процента. Конечно, это ограничение следует отличать от предела достижимой точности, например в аналоговых машинах. В СтВМ, применяя более быстродействующие логические элементы и более высокочастотные стохастические элементы, можно все дальше и дальше отодвигать этот барьер.
11.Элементы СтВМ
Вкачестве элементов СтВМ могут быть использованы обычные
логические и запоминающие схемы, широко распространенные
вЦВМ. Существует обширная литература, посвященная вопросам расчета и проектирования таких схем. Поэтому здесь мы лишь кратко осветим основные тенденции в развитии схемотехники быстродействующих и сверхбыстродействующих схем, так как мы уже знаем, что быстродействие логических элементов является решающим фактором для увеличения полосы пропускания СтВМ и, в конечном счете, часто определяет конкурентоспособность этих машин в сравнении с другими типами ВМ.
Критериями выбора элемента, помимо быстродействия, яв ляется его надежность, геометрические размеры, технологичность
визготовлении, потребляемая мощность, устойчивость к внешним
70
воздействиям, гибкость проектирования схем, возможность изгото вления в интегральном виде.
Основой логического элемента являются его активные компо ненты, выполняющие функции усиления и развязки каскадов. В настоящее время наиболее перспективными из них считаются электронные приборы, использующие физические явления в твер дом теле. Сейчас создан ряд новых полупроводниковых приборов (туннельные диоды, лавинно-пролетные диоды, диоды с накопле нием заряда, световые диоды, диоды Ганна и др.), нашедших широ кое применение.
Рис. 35. Волът-амперные характеристики туннельного (а)
и обращенного (б) диодов и обозначения их параметров
Туннельные диоды отличаются от других видов полупроводни ковых диодов наличием резкого р —п перехода между вырожден ными р и п областями полупроводника [13]. Прямая ветвь вольтамперной характеристики туннельного диода (рис. 35, а) имеет участок отрицательного сопротивления, а обратная ветвь характе ризуется большой проводимостью. Координаты экстремальных точек максимума (Uх, 1 г), минимума (U2, /2) и напряжение U3 второй восходящей ветви характеристики входят в набор стати ческих параметров туннельного диода (табл. 6).
Так как время туннелирования электронов через барьер мало (менее 10” 13 с), а постоянная диэлектрической релаксации для вырожденных полупроводников не превышает 10"14 с, то величина частотного предела туннельного диода ограничивается емкостью р —п перехода Ср^п и паразитными параметрами конструкции.
Разнообразные применения имеет и обращенный диод (/ф от 0,025 до 1 мА), вольт-амперная характеристика которого приведена на рис. 35, б. В цифровой технике эти диоды используются в ка честве однонаправленного элемента в схемах с туннельными дио дами, где обычные полупроводниковые диоды вследствие большого
71
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Т а б л и ц а 6 |
|||
|
Параметры туннельных диодов нз арсенида галлия и германия |
|
|||||||||||||||
Материал |
h , МА |
1\S lz |
[/,, |
мВ |
Ui, мВ |
|
Us, |
мВ |
Ср-п, пф |
||||||||
не менее |
не более |
не менее |
не более |
||||||||||||||
|
GaAs |
|
2 - 1 0 |
8 |
|
180 |
450—600 |
|
850 |
|
|
10 |
|
||||
|
Ge |
|
2 - 1 0 |
5 |
|
|
85 |
2 8 0 -3 5 0 |
|
450 |
|
|
20 |
|
|||
прямого |
падения |
напряжения |
и |
инерционности |
применяться |
||||||||||||
не могут. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Известные затруднения встречает миниатюризация арифмети |
||||||||||||||||
ческих и запоминающих узлов на туннельных |
и |
обращенных |
|||||||||||||||
диодах, что |
препятствует |
их |
распространению. |
Эти |
трудности |
||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
двоякого |
рода: |
взаимное |
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
влияние элементов внутри |
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
узла |
и |
трудности |
изго |
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
товления |
бескорпусных |
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
активных |
|
компонентов. |
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
В |
последнее |
время |
обе |
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
эти |
преграды в основном |
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
преодолены. Уже изготов |
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ляются отечественные бес- |
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
корпусные |
туннельные и |
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
обращенные диоды, в том |
||||||||
Рис. 36. Логический элемент ИЛИ-Не на |
числе |
планарные на общей |
|||||||||||||||
туннельных |
и |
накапливающих |
диодах |
подложке. |
|
|
|
|
|
||||||||
для |
работы |
на |
тактовых |
частотах |
более |
|
В то же время суще |
||||||||||
200 |
МГц: Д 1, Д 2, Д З , Д 5, |
Д 6 |
— быстро |
ствует ряд |
|
схем |
на |
ди |
|||||||||
|
действующие импульсные диоды |
скретных |
|
компонентах, |
|||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
в которых |
достигнуто |
вы |
сокое быстродействие при удовлетворительных габаритах. В каче стве примера сошлемся на опыт разработки и применения одной из целого семейства схем (рис. 36), построенных на кремниевых Д Н З (диодах с накоплением заряда) и германиевых ТД [15]. Отли чительной особенностью этого элемента, реализующего операцию
ИЛИ—Не, является то, что его синхронизация |
осуществляется |
от источника синусоидального напряжения С/с1. |
|
Формирование импульсов считывания (Сч) |
и сброса (Сб) |
с требуемой крутизной фронтов осуществляется внутри схемы (на Д 7, Д 8, R4, R5). За счет этого значительно уменьшается уровень помех вследствие сильного укорочения транспортировки управля ющих сигналов с пикосекундными фронтами.
В схеме применены Д Н З с временем спада обратной проводи мости менее 0,7 нс и германиевые туннельные диоды с парамет
72
рами: |
I x = |
9,4 -f- 10,8 мА, |
/ 2 |
= 1,06 — 1,42 мА, |
Ux |
= 78 — |
|
— 106 мВ, |
С/2 = 380 -А 470 мВ, |
Z 7 . = 520 — 580 |
мВ, |
С„ . = |
|||
= |
1 ,7 ^ 3 пФ. |
|
|
|
|
||
|
Элементы |
собраны в металло-стеклянном корпусе размером |
|||||
20 |
х |
14,5 X 3 мм2 с 14 выводами и допускают работу на частотах |
|||||
повторения |
200 — 450 МГц |
при |
коэффициенте разветвления по |
||||
входу |
и выходу не менее 3. |
|
|
|
|||
|
В последнее время широко обсуждаются возможности исполь |
зования объемных эффектов в сложных полупроводниках. На ибольший интерес в этом плане вызывает эффект Ганна. Стремле ние использовать эффект Ганна для реализации логических опера ций обусловлено тремя факторами:
приборы на эффекте Ганна не требуют создания р —п переходов и могут быть построены на однородном материале [68];
эти приборы обладают широкими функциональными возмож ностями;
время переключения приборов менее 10“ 10 с, что позволяет реализовать логические устройства СВЧ диапазона.
Имеется большое количество схем, использующих в качестве активного элемента диоды Ганна. Например, в [84] описан двух каскадный усилитель-формирователь с обратной связью. Подан ный на вход импульс усиливается и возвращается через цепь обратной связи с задержкой 10 нс. Таким образом, схема предста вляет собой ячейку памяти. Используемые в этой ячейке приборы Ганна имеют длину 200 мкм, а время включения составляет 2 нс. На основе усилителя-формирователя разработаны также логиче ские схемы И, ИЛИ, Не и др. [85, 90].
Основным недостатком приборов Ганна на основе GaAs яв ляется малая нагрузочная способность [78] и, следовательно, низкая параметрическая надежность. Так, например, допустимая величина разброса параметров диодов для схемы И [68] составляет всего около 5% . Кроме того, пока еще совершенно недостаточно изучены вопросы согласования функциональных элементов на основе эффекта Ганна, не исследованы вопросы температурной и временной стабильности приборов. Серьезной проблемой остается снижение уровня потребляемой мощности и микроминиатюризация схем.
Рассматривая перспективы создания приборов, которые могли бы удовлетворять требованиям наносекундного и субнаносекундного диапазона, следует отметить достижения в области оптоэлек троники, под которой понимают новый класс электронных цепей, выполненных на базе твердого тела, в тракте передачи сигналов которых имеется оптическое звено. Оптоэлектроника существенно расширяет возможности микроэлектроники, упрощая проблему связи между элементами, а также проектирование. В настоящее время в оптоэлектронике независимо развиваются дв а направления.
Первое направление —оптическое (лазерное). Оно базируется на тонких эффектах взаимодействия твердого тела с электромагнитным
7 3
излучением [61]. Оно использует голографию, фотохимию, фотохромию и другие явления, представляющие комбинацию маг нитных, фазовых, пластических эффектов в твердом теле под дей ствием на него излучения. Его перспектива обусловлена прогрес сом развития систем картинной логики. В оптической ветви опто электроники используются лишь когерентные источники излуче ния. Этим определяются ее достоинства и недостатки. Первые обу словлены возможностью использования всех особенностей света как носителя информации, а не только свойства гальванической развязки. Вторые — низкой эффективностью инжекционных лазе ров и их быстрой деградацией.
Поэтому в настоящее время достижения оптического направле ния оптоэлектроники ограничиваются главным образом иллю
страциями |
принципов |
преобразования и простыми |
ключевыми |
и логическими схемами |
[4, 27]. |
|
|
Второе |
направление — электроннооптическое. В |
его основе |
лежит принцип фотоэлектрического преобразования, реализу емого в твердом теле посредством внутреннего фотоэффекта, с од ной стороны, и электролюминесценции — с другой. Основная идея направления состоит в замене гальванических и магнитных свя зей в электронных цепях оптическими, что вносит в них существен ные качественные отличия. Сегодня это направление наиболее популярно в оптоэлектронике.
Элементную базу оптоэлектроники составляют источники света, оптические среды и фотоприемники. Источник света и фотоприем ник, связанные между собой оптической средой, образуют эле ментарное звено оптоэлектроники — оптрон, который может вы полнять простейшие функциональные преобразования. Основные достижения оптоэлектроники в СССР и за рубежом, как правило, не выходят еще за рамки разработки элементарных оптронов, матриц и простейших схем на их основе.
Быстродействие оптронов ограничивается инерционностью ис точника света и фотоприемника. Запаздывание канала связи оказы вается на несколько порядков ниже инерционности оптронной пары. Наибольшее быстродействие 10'8—НС9 с достигнуто у оптрон ной пары на GaAs—GaP светодиодах (и инжекционных лазерах) в качестве источников света и кремниевых лавинных фотодиодах, р — i — р фотодиодах и фототиристорах в качестве фотоприем
ников.
В настоящее время ведутся интенсивные работы по созданию быстродействующих фотоприемников наносекундного диапазона, а также по созданию твердотельных ключевых оптронов с отрица тельным дифференциальным сопротивлением наподобие туннель
ных диодов.
Интегральные схемы (ИС) и пределы физических размеров микросхем. Для того чтобы эффективно использовать быстродей ствие отдельных схем, необходимо уменьшить длины путей пере дачи сигналов. С этой целью желательно помещать в один корпус
7 4
возможно большее количество элементов, т. е. перейти к большим интегральным системам. Однако при повышении плотности упа ковки схем в 1 см2 при размещении ИС в виде плоской структуры линейно возрастает удельная рассеиваемая мощность, которая должна быть отведена от поверхности.
Например, если на плате размещаются ИС с плотностью 300 схем/см2и каждая схема рассеивает мощность 0,1 Вт (типичное значение для токовых переключателей), то получается, что с 1 см2 поверхности нужно отвести 30 Вт. В то же время известно [7], что при воздушном охлаждении можно отвести не более 3 Вт с 1 см2. Поэтому для решения проблемы теплоотвода необходимо либо увеличивать геометрические размеры микросхем, что приводит к уменьшению быстродействия дискретных устройств, либо при бегать к использованию охлаждающих систем. Так, по данным работы [7], при водном охлаждении ИС можно отвести мощность 120 Вт/см2 при охлаждении диэлектрической жидкостью (разно видности фреона) более 200 Вт/см2 и т. д.
Одного охлаждения с помощью жидкости не достаточно для создания интегральных систем, содержащих десятки тысяч схем. Поэтому необходимо изыскивать возможности создания электрон ных схем с малым потреблением энергии, а также разрабатывать новые схемотехнические приемы. Поиски более быстродейству ющих и малогабаритных элементов СтВМ приводят непосред ственно к вопросу: каковы предельные значения размеров и ско рости таких схем? Для ответа на этот вопрос воспользуемся следу ющим упрощенным решением.
Пусть |
некоторый куб, содержащий п3 атомов, используется |
в качестве |
моделей триггера. Два устойчивых состояния могут, |
например, представляться электронными спинами, которые ориен тированы в ту или другую сторону. Обозначим буквой р расстоя ние между атомами. При этом тепловая энергия, которая заключена внутри куба при температуре Т°, примерно равна
АЕ — п3кТ°,
где к — постоянная Больцмана (1,38* 10-16 эрг/град). Эта тепло вая энергия может считаться разновидностью энергии теплового шума.
Если мы хотим записать информацию в куб, то нужно добавить или отнять у куба энергию, которая должна быть хотя бы такого же
порядка, что и АЕ.
Предположим, что при добавлении (или изъятии) этой энергии мы затрагиваем время At. Из квантовой механики следует, что произведение AEAt не может быть меньше h]An, где h — постоян ная Планка (6,63■ 10“27 эрг•с).
Допуская, что в предельном случае AEAt — hJAn, и учитывая, что At = np/vc, где vc — скорость света (3-1010 см/с), получаем
<2 - и >
Выберем конкретный материал куба, например, германий. Элементарный кубик кристаллической решетки германия имеет длину одной грани 5,6 •10 8см и содержит 8 атомов. Следовательно, р ^ 2 , 8 - 10“8 см, и при температуре Т° = 10 К из формулы (2.59) находим п ^ 25 атомов. Так как тепловая энергия кТ° является только средней величиной и могут существовать фононы с большей энергией, выберем п 102. Это, в свою очередь, дает время Дг = = 10~16 с. Учитывая, что кубический сантиметр германия содер жит 4,52 -1022 атомов, найдем количество vVB бит информации, которые можно различить в объеме 20 литров (куб с гранями размером 27 см) N B ^ 1021.
На практике, естественно, невозможно достичь такой плот ности упаковки хотя бы по причине необходимых затрат простран ства на межсоединения.
В заключение скажем, что все рассмотренные перспективные по быстродействию логические схемы являются детерминирован ными по своей природе. Мы требуем от них лишь надежного фикси рования двух состояний 0 и 1. В перспективе можно ожидать по явления действительно стохастических элементов, основанных, например, на высокоскоростных взаимодействиях потоков эле ментарных частиц, фотонов и фононов, у которых случайное поведение является естественным правилом.
Г л а в а III
СТОХАСТИЧЕСКИЕ ФУНКЦИОНАЛЬНЫЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ
Всоответствии со структурой на рис. 33 в СтВМ осуществля ются преобразования трех видов.
1. Код — вероятность на ПКВ, используемое для ввода пере менных в машину. Естественным у этих преобразователей является стремление обеспечить высокую линейность передаточной харак теристики.
Вобщем случае можно себе представить также и нелинейную (функциональную) зависимость между выходным и входным пара метрами ПКВ. Такие преобразователи будем называть функцио нальными (ФПКВ). Причем, поскольку информация на входе ФПКВ представлена в регулярной форме, а выходная информа ция — в виде параметров стохастического процесса, то ФПКВ можно условно разделить на две части: детерминированную и ве роятностную. Такое разделение, безусловно, имеет смысл только
синформационной точки зрения, так как устройства обеих частей
содержат совершенно одинаковые электронные элементы.
Таким образом, появляется возможность осуществления соб ственно функционального преобразования либо в детерминиро ванной, либо в вероятностной части ФПКВ.
2. Вероятность — вероятность на логическом преобразователе ЛП. Отличительной особенностью преобразователей ПВВ является представление информации на входе и выходе устройства в одной и той же форме последовательности Бернулли. Поэтому синтез ПВВ осуществляется в основном на основе методов и идей тео рии вероятностных автоматов.
По аналогии с преобразователями ПКВ будем различать ЛПВВ (линейные преобразователи вероятность — вероятность) и ФПВВ (функциональные преобразователи вероятность — вероятность).
3. Вероятность — код, используемое при выводе информации из СтВМ. Преобразователи вероятность — код (ПВК), основу которых составляют интеграторы, могут также успешно приме няться в качестве операционных блоков при решении дифферен циальных, алгебраических и трансцендентных уравнений.
Вэтой главе будут подробно обсуждаться вопросы, связанные
сорганизацией и проектированием первых двух типов преобразо
вателей.
7Г
12. Преобразование входных переменных
Вп. 3 был рассмотрен основной и наиболее очевидный метод
получения случайной последовательности двоичных символов с вероятностью появления единиц пропорциональной преобразу емому числу А , заключающийся в сравнении истинного числа с последовательностью случайных равномерно распределенных двоичных чисел.
Блок-схема такого вероятностного преобразователя приведена на рис. 37.
Случайное двоичное число X {х1: х 2, . . ., x t}, вырабатываемое генератором случайных чисел (ГСЧ), в каждом такте сравнивается
|
с кодом детерминированного числа |
||||||
|
А |
{ |
а г, а 2, |
. . ., |
аД, |
хранимым |
|
|
в |
регистре |
РгА. |
|
А , на вы |
||
|
|
В случае, если X |
|||||
|
ходе схемы |
сравнения появляется |
|||||
|
символ 1 , в противном случае — 0. |
||||||
|
Так как каждая |
двоичная комби |
|||||
|
нация на входе X схемы сравне |
||||||
|
ния равновероятна, а полное их |
||||||
Рис. 37. Вероятностный преоб |
число равно 21, то единицы на вы |
||||||
разователь: СС — схема сравне |
ходе |
схемы |
будут |
появляться |
|||
ния |
в среднем А |
раз из 21, т. е. вероят |
|||||
|
ность их появления р (z) = А2 1. |
||||||
При абсолютной случайности |
появления |
чисел в |
ГСЧ исход |
сравнения в каждом такте не зависит от исходов в предыдущих, т. е. преобразователем действительно реализуется схема испыта ний Бернулли.
Другой интерпретацией метода преобразования код — вероят ность является синтез вероятностного преобразователя на основе р -схем [57]. р -схема представляет собой стохастический элемент, на выходе которого сигнал, сопоставляемый значению 1 , в каждый момент времени появляется с вероятностью р. Соединяя выходы набора р-схем с входами комбинационной логической схемы, можно синтезировать я-схему, где О ^ я ^ 1 . В [57] доказывается, что если я записывается в виде несокращаемой дроби А2~1 (А — целое число), то соответствующая я-схема может быть построена из I р -схем (р = 0,5).
Можно показать, что вероятностный преобразователь с вероят ностью появления 1 на выходе пропорциональной ^-разрядному
двоичному числу А {«!, а2, . . ., |
аД может быть |
построен из |
I 0,5-схем и логической комбинационной схемы (рис. 37), реализу |
||
ющей функцию z2 |
|
|
z2= ххахУ х2а2 (x^Jа^ У х3а3 {x^Ja^) {x2\Ja2)\ J.. . |
||
. . .\Jxlal Orj_V«i) |
••• (z/-i\/a/-i)- |
(3-1) |
7 8
Пример. Пусть А = О, а ха 2а 3а 4аь = 0,01011 = 11/32. Тогда
z2= x.2xL\Jxix1xs\]х-ах4хг = х1 [х2\/х3 (х4\/х5)].
Переходя к вероятностям и учитывая, что для статистически независимых переменных x-t и x-s справедливо
|
P{XiX>)=p(x>)p{x>), |
|
|
Р (XiVXj) = 1 — [1 —р (Xi)] [1 —p(Xj)], |
|
получим р |
(х4 V хъ) = 3/4, Р (х3х 4 V Х 3ХЪ) |
= 3/8, Р (х2 V Х 3Х 4 V |
V х 3х5) = |
п / 1в и окончательно |
|
|
P(z2) = t X t7T = 1 1 |
’ |
|
32 |
Табл. 7 иллюстрирует два рассмотренных способа преобразования
код — вероятность |
при |
А = |
0,101. |
|
|
||
|
|
|
|
|
|
Т а б л и ц а 7 |
|
|
Таблица истинности для логических схем линейных ПКВ |
||||||
X i |
X 2 |
Хз |
Z\ |
z2 = Х, V Х 2Х) z 3 — x t |
V x 2x 2 z 4 = r.xi V x 2x 3 |
||
Х < А |
|||||||
0 |
0 |
0 |
1 |
0 |
1 |
0 |
|
1 |
|||||||
0 |
0 |
1 |
0 |
1 |
1 |
||
1 |
|||||||
0 |
1 |
0 |
0 |
1 |
0 |
||
1 |
|||||||
0 |
1 |
1 |
1 |
1 |
0 |
||
1 |
|||||||
1 |
0 |
0 |
1 |
0 |
1 |
||
|
|||||||
1 |
0 |
1 |
0 |
1 |
0 |
1 |
|
1 |
1 |
0 |
0 |
1 |
1 |
1 |
|
1 |
1 |
1 |
0 |
1 |
0 |
1 |
Нетрудно видеть, что логическая функция г г, которую реализует схема сравнения на рис. 37, может быть записана в виде
Н = х4а4\/х2а2 (x-y\/aj\/xsaz {х4у а 4) {x2\Ja2)\J.. .
■■-Vx^t |
(3.2) |
Очевидно, что функция z2эквивалентна zlt если на входы схемы СС
подать х 4, х г, х 3.
Таким образом, можно сделать вывод, что по существу оба этих метода преобразования идентичны, а схемы, реализующие их, относятся к классу преобразователей распределений — равномер ного распределения Z-мерных двоичных векторов в распределение случайной величины, принимающей значения 1 и 0 с вероятно стями р (z) и 1 — р (z).
79