книги из ГПНТБ / Верещагин, И. К. Электролюминесценция кристаллов
.pdfздесь CjHCj — величины, которые можно считать посто янными при данной температуре (хотя предэкспонендиальный множитель в формулах, полученных некоторыми ав торами, может также включать в себя напряженность поля; появляющаяся вследствие этого дополнительная зависимость i ($) значительно слабее, чем определяемая экспоненциальным множителем). Интегрирование урав нения (2.4) с учетом всех возможных переходов в барьере сохраняет общий вид зависимости i (<%).
Соотношение между <о и V0 зависит от типа барьера. Для барьера с линейным изменением Ш(барьер Шоттки,
резкий р — n-переход) имеем $ ~ / И 0.
1, |
Ток носителей, созданных в результате переходов типа |
также будет определяться выражением вида (2.4). |
|
В |
области высоких Шдрейфовая скорость носителей по |
стоянна (§ 6) и концентрация носителей пропорциональна соответствующим токам. Интенсивность свечения, воз никающего одновременно с ионизацией, зависит от кон центрации как дырок (р), так и электронов (п) в каждом сечении барьера. В случае р — n-перехода, когда элек троны туннелируют из валентной зоны, а входящий в пе реход электронный ток обусловлен тепловой генерацией пар в p-области и постоянен при данной температуре (как ток 3 на рис. 2.1), интенсивность свечения В про порциональна р, т. е. току i, связанному с ионизацией. Линейная зависимость В (i) наблюдалась, например, для туннельных переходов в кремнии [16]. Так как реком бинация в этом случае происходит в условиях высокого поля, когда электроны и дырки, ускоряемые полем, имеют значительно более высокие, чем тепловые, скорости и энергии, спектр излучения туннельного диода содержит кванты, превышающие ширину запрещенной зоны.
При высоких температурах и относительно слабых полях возможен переход электронов из валентной полосы в зону проводимости в результате совместного действия термического возбуждения и поля [101. Для того чтобы этот процесс имел значительную вероятность, электроны должны получить от решетки энергию, заметную по срав нению с шириной запрещенной зоны.
б) Возбуждение быстрыми носителями заряда. Есл свободные носители заряда попадают в область сильного поля, то, ускоряясь, они могут приобрести энергию, до статочную для возбуждения или ионизации атомов ре шетки или примеси. Процесс ударной ионизации в твер
20
дом теле в общих чертах сходен с аналогичными про цессами в газовом разряде.
Ускоренные электроны взаимодействуют с нарушения ми решетки (прежде всего созданными колебаниями ато мов), теряя при этом часть энергии, полученной от поля. Этот процесс условно изображен на рис. 2.1 в виде сту пенчатых переходов. Если потери энергии при каждом столкновении с дефектом решетки меньше приобретаемой в промежутке между этими столкновениями, то кинети ческая энергия электрона постепенно возрастает вплоть до значений Е ДЕ, при которых появляется возмож ность передачи энергии связанным электронам из валент ной полосы (переход 4 на рис. 2.1) или центрам свечения (переход 5). Возникшие при этом два новых носителя с малой кинетической энергией (так же, как и перво начальный электрон) могут вновь ускоряться, если про тяженность области высокого поля достаточна для этого. В предельном случае возникает лавина носителей, соот ветствующая электрическому пробою барьера. При этом квантовый выход ионизации N близок к единице, т. е. почти каждый носитель, прошедший слой высокого поля, создает неравновесный электрон и дырку. Энергетический выход в этих условиях будет, очевидно, относительно небольшим даже в том случае, когда все рекомбинации происходят в пределах кристалла (У = 1). Это связано с тем, что при N ~ 1 токи через кристалл очень велики и происходит сильное и бесполезное с точки зрения воз буждения ЭЛ падение напряжения на элементах цепи, включенных последовательно с барьерной областью кри сталла (остальная часть кристалла и др.). При меньших
же токах, соответствующих более слабым полям, |
при |
ко |
|
торых это падение напряжения мало, N |
1 и энергети |
||
ческий выход снова уменьшается (§ 14). Заметим, |
что |
при |
|
инжекционной ЭЛ значение Л’ = 1 не |
зависит |
от тока. |
|
Для структуры, изображенной на рис. 2.1, преобла |
|||
дающая часть дырок сможет выйти в |
металл |
(0 |
1), |
т. е. наилучшие условия рекомбинации (0 = 1) можно осуществить только в изолированных кристаллах. Про цессы ионизации и рекомбинации будут при этом разде лены по времени.
Возбуждение электронным ударом подразумевает, естественно, необходимость поступления в область силь ного поля носителей, которые затем будут ускоряться. Эти носители могут вводиться в область сильного поля
21
извне либо появляться непосредственно в ней самой. Если процесс ударной ионизации уже протекает, то он сам служит источником новых носителей в барьерной об ласти.
Носители могут попадать в область концентрации поля из другого материала (металл, второй полупровод ник) либо из другой области того же кристалла, напри мер, с поверхностных уровней или из однородных частей р — п-перехода. Во всех случаях электроны могут про никать как через некоторый потенциальный барьер, так
исквозь него (туннельным путем).
Вобласти поля носители заряда могут возникать за счет тепловой генерации электронно-дырочных пар или освобождения электронов с локальных уровней. При постоянном напряжении второй процесс может сказаться только в момент включения напряжения, особенно если ловушки в области поля были перед этим заполнены силь нее, чем обычно (прямое включение перехода перед обрат ным). Подобный источник носителей может оказаться возможным при возбуждении кристаллов переменным на пряжением. При этом важно, однако, чтобы ловушки не были опустошены к моменту установления сильного поля.
Наиболее простой вариант источника ускоряемых носи телей осуществляется в р — н-переходах с постоянно приложенным обратным напряжением. Если переход ная область тонка по сравнению с диффузионной длиной,
то тепловая генерация носителей в переходе ничтожна, и в область сильного поля вводятся носители, созданные теплом по обе стороны от перехода (электроны из р-об ласти и дырки из п-области).
Лавинные процессы, связанные с умножением числа
этих носителей, наблюдались |
в различных |
веществах |
с р — н-переходами толщиной |
около 10~5 |
см. Удобно |
следить за размножением носителей в области сильного поля, вводя определенное добавочное их число, создава емое за счет поглощения света в веществе. Умножение фототока или тока, созданного облучением а-частицами, наблюдалось в германии и кремнии [17—22], карбиде кремния [23], сульфиде цинка [24], арсениде галлия [25— 27] и в других материалах.
Созданные в переходе пары носителей ускоряются полем и после (или до) совершения ионизаций выводятся из области сильного поля. Часть избыточных носителей рекомбинирует в самом переходе. В этом случае спектр
22
излучения расширяется в сторону высоких энергий (при сутствуют кванты с энергией, большей ширины запрещен ной зоны), так как носители в области поля обладают высокими энергиями.
Таким образом, характерными признаками ударной ионизации являются умножение носителей и широкий спектр излучения, сопровождающего межзонную реком бинацию в области сильного поля. К этому добавляется зависимость пробойного напряжения от температуры (ухудшение условий ионизации с ростом температуры), а также нестационарность тока через образцы.
Для быстрых электронов существенны прежде всего потери энергии, происходящие крупными порциями. Этому соответствует взаимодействие электронов с опти
ческими колебаниями |
решетки. |
Рассеяние |
электронов |
на оптических фононах |
особенно |
велико в |
кристаллах |
с ионной связью, поэтому при равных полях и АЕ све чение, связанное с ударным механизмом, легче возбу дить в ковалентных кристаллах или кристаллах с пре обладающей долей подобных связей.
Вид выражения для вероятности ионизации wt зави сит как от типа связей в кристалле, так и от относитель ной величины поля. В общем случае это выражение со держит экспоненциальный множитель следующего вида:
Wi~ e x p ( - - p g - ) , |
(2.5) |
где й может принимать значения от 1 до 2 в зависимости от напряженности Ш. В частности, для ковалентных кри сталлов в диапазоне высоких полей, когда средняя энер гия, приобретаемая электроном на длине свободного пробега, больше энергии оптического фонона, й = 2. Обычно свечение наблюдается именно в этой области полей.
Ударная ионизация (вместе с инжекционным способом) является очень распространенным механизмом возбуж дения ЭЛ, поэтому ее количественным характеристикам и свойствам возникающего свечения посвящен отдельный раздел III.
в) Инжекция носителей заряда. В ряде случаев дей ствие электрического поля, вызывающего свечение, сво дится к увеличению относительной энергии электронов и дырок, уже имеющихся в образце, и созданию условий для их рекомбинации.
23
г""^Типичным случаем является свечение р — га-перехо- дов, включенных в прямом направлении. При отсутствии поля и Т Ф О °К в валентной зоне p-части образца уже имеются дырки, а в зоне проводимости га-части — элек троны, диффузия которых в область перехода и реком бинация затруднена контактным полем. Приложение внешнего напряжения V, понижающего контактную раз ность потенциалов, дает возможность части носителей проникнуть в область перехода и прорекомбияировать там
(рис. 2.2).
Рис. 2.2. Рекомбинация электронов и дырок в р — n-переходе, |
включен |
|
ном в прямом направлении. ДЕ —ширина запрещенной зоны, Е^п и |
—уров |
|
ни Ферми в в- и р-областях, |
Е, и Е , — энергии, сообщаемые электронам и |
|
дыркам |
тепловым движением. |
|
Каждой появившейся у перехода паре неравновесных носителей соответствует один носитель, прошедший через кристалл, т. е. в этом случае N = 1 (§ 1). Если все реком бинации происходят в пределах люминофора (нет вывода дырок в электрод), то и 0 = 1, т. е. внутренний квантовый выход свечения r\k = Р и ограничивается только присут ствием безызлучательных переходов в люминофоре. В не которых случаях т]- может приближаться к единице, хотя внешний квантовый выход часто мал вследствие неактивного поглощения света в тех областях образца, через которые свет выходит. Если энергия излучаемого фотона мало отличается от общей энергии, выделяемой при рекомбинации электрона и дырки, то энергетический выход ияжекционной ЭЛ также может быть близок к еди нице, т. е. этот способ возбуждения ЭЛ в принципе яв ляется наиболее экономичным.
Так как при рекомбинации электронов и дырок, рас положенных у краев соответствующих полос энергии, выделяется энергия АЕ, то при стационарном процессе ту же в сумме энергию электроны и дырки должны пред варительно получить. Если электроны в зоне проводи мости уже обладают энергией Е ±(отсчитываемой от уровня
24
Ферми), |
а дырки в р-области — энергией Е 2 (см. рис. 2.2), |
||||||
то они смогут прорекомбинировать при напряжении V, |
|||||||
определяемом |
из |
условия |
IS.E = |
eV + |
Е г + |
Е 2, т. е. |
|
свечение |
может |
возникнуть |
при |
eV |
АЕ. |
Остальная |
|
энергия |
Ei + |
Е 2 поставляется |
теплом, |
освободившим |
носители с локальных уровней и поднявшим их на неко торую энергетическую высоту от краев соответствующих зон. Если преобладает рекомбинация носителей, введен ных в образец из контактов, то те же энергии E t и Е 2 потребуются для инжекции в полупроводник из металла электронов и дырок. Таким образом, в общем случае выход с точки зрения затраты электрической энергии (т) = AEleV) может быть больше единицы. Охлаждение образца компенсируется при этом притоком тепла из окружающей среды.
Вопрос о величине энергетического выхода рассмат ривался в работах [28—30]. При числе рекомбинаций порядка 101в см^'секг1 (эта величина связана с прило женным напряжением) вполне возможна тепловая до бавка Ei -|- Е 2 порядка 5—10 кТ, что соответствует при комнатной температуре энергии до 0,25 эв. При АЕ = = 2,5 эв доля тепловой энергии в общей затраченной может составлять, таким образом, около 10%. При зна чительных токах через образец увеличивается падение напряжения в массе кристалла и расход части электри ческой энергии на нагревание образца. При этом поле само может поставлять тепловую энергию, необходимую для инжекции носителей. Безызлучательные рекомбинации разного типа (в том числе в электродах) также увеличат потери на тепло.
Участие тепловой энергии не является, тем не менее, принципиально необходимым. Можно представить себе частные случаи, когда тепловая добавка отсутствует, на пример, свечение при низкой температуре р — «-перехода з материале, у которого уровень Ферми проходит у дна зоны проводимости и у потолка валентной зоны, т. е. высота барьера равна АЕ. В любом случае при высо ких напряжениях роль тепловой добавки будет незначи тельной.
Свечение, связанное с инжекцией неосновных носи телей в р — «-переходах, после открытия этого явления Лосевым в карбиде кремния наблюдалось рядом авторов во многих веществах (Ge, Si, GaAs, InP, ZnSe и других). Помимо обычных р — «-переходов с толщиной области
25
объемного заряда около 10~5 см свечение аналогичного
происхождения |
наблюдалось |
в |
структурах |
типа |
р +— |
« — «+ или р |
— i — «, т. |
е. |
содержащих |
слабо |
прог |
водящие или изолирующие промежуточные слои (значком «+» отмечены сильно легированные области). Список работ, которые посвящены исследованию свечения р — «- переходов разного типа, в том числе излучающих коге рентный свет, в настоящее время очень велик. Основные результаты этих работ суммированы в нескольких обзо рах [31—37]. Инжекдионная ЭЛ наблюдалась и на гетеропереходах, т. е. р — «-переходах, появляющихся между веществами с различной шириной запрещенной зоны [38].
Инжекция носителей в тонкий р — n-переход может
происходить |
не только вследствие их диффузии, но и |
в результате |
туннельного проникновения электронов |
в область объемного заряда. Таким путем удается объяс нить специфические свойства излучения, исходящего из переходов, в которых присутствует поле высокой на пряженности даже при небольших прямых смещениях
[36]. |
структурах типа |
р +— |
В более сложных слоистых |
||
« — р + инжекция носителей |
зарядов разного |
знака |
в среднюю слабо проводящую область может происхо дить различными способами. При включении напряжения один из переходов окажется смещенным в обратном на правлении и электроны смогут вводиться в «-область туннельным путем либо вследствие возникшей в этом переходе ударной ионизации (рис. 2.3). Инжекция дырок идет обычным, диффузионным, путем через правый р — «- переход, включенный в прямом направлении.
Если структура р +— п — р + создана в материале, обладающем двумя минимумами энергии в полосе про водимости, из которых более высокий соответствует тому же импульсу, что и максимум в валентной полосе, то при низкой температуре в принципе возможно преобла дание туннельных переходов в верхний минимум (см. рис. 2.3) и последующих межзонных прямых рекомбина ций [39]. Свечение структуры р — п — р, связанное с туннельной инжекцией электронов, наблюдалось в гер мании, хотя увеличение доли прямых рекомбинаций не было отмечено [40]. Схема на рис. 2.3 может служить примером сложного варианта инжекции, включающего механизм сильного поля.
26
Туннельный механизм может быть использован и для двойной инжекции в однородный полупроводник, который в этом случае лучше поместить между тонкими изолиру ющими прокладками (рис. 2.4). Применение этих прокла док, на которых падает основная доля приложенного на пряжения, приводит к увеличению уровня инжекции по сравнению со случаем, когда они отсутствуют. Этот
0 ©
Рис. 2.3. Инжекция электронов, |
Рис. 2.4. Двойная инжекция |
||||||
и дырок в среднюю область |
носителей в кристалл люмино |
||||||
структуры |
р — п — р. |
Е — |
фора, изолированный от метал |
||||
энергия, |
К — импульс. |
1 ■— |
лических |
электродов. |
1, 2 — |
||
Прямой |
туннельный |
переход |
инжекция |
носителей |
вследст |
||
электрона |
из р-области; |
2 — |
вие туннельного проникновения |
||||
ионизация |
решетки |
ударным |
сквозь тонкие слои диэлектри |
||||
путем; 3 ■— диффузия |
дырок в |
ка; 3 , 4 — переход электронов |
|||||
п-область; 4 , 5 |
— рекомбинация |
и дырок |
через барьеры; 5 — |
||||
инжектированных |
носителей |
рекомбинация с участием уров |
|||||
(4— прямой |
и 5 — непрямой |
ня примеси. E,j — уровень Фер |
|||||
|
переходы). |
|
|
ми (малое нарушение равнове |
|||
|
|
|
|
|
сия). Схема не учитывает кон |
||
|
|
|
|
|
тактных полей. |
|
«туннельно-инжекционный» способ возбуждения электро люминесценции был предложен Фишером, Моссом и Жаклевиком с сотрудниками [41, 42]. Опыты, проделанные на образцах сульфида кадмия [43], теллурида и селенида цинка [44, 45], а также арсенида галлия [46], подтвер ждают возможность подобного механизма свечения.
В схеме на рис. 2.4 выход носителей из люминофора уменьшается использованием диэлектриков с разным по ложением уровня Ферми, когда барьеры для электронов и дырок, входящих в кристалл люминофора, понижены, а для выходящих — повышены. Еще лучшие условия для рекомбинации введенных носителей могут быть соз даны при замене металлических электродов на полупро
27
водниковые, если катодом служит электронный полупро водник, а анодом — дырочный. В этом случае против дна зоны проводимости люминофора у анода располагается запрещенная зона дырочного полупроводника и электроны не смогут покинуть люмипофор с помощью туннельного эффекта через диэлектрический слой у анода. То же про исходит с дырками у катода.
Если люминофор обладает значительной электропро водностью, то достаточно применить одну диэлектриче скую прокладку у электрода, инжектирующего неоснов ные носители. Свечение в этом случае возникает у катода, если в образец p-типа вводятся электроны, и у анода, если в кристалл с электронной проводимостью инжектицуются дырки. Наблюдавшийся квантовый выход ЭЛ подобного типа невелик (около 1% в опытах с теллуридом цинка р-типа [441), что может быть связано как с присутствием сквозного тока основных носителей, так и с безызлуча
тельной рекомбинацией |
через |
поверхностные уровни. |
В то же время такой способ возбуждения ЭЛ обладает |
||
тем преимуществом, что он может быть использован для |
||
веществ, в которых р — тг-переходы получить не удается. |
||
Таким образом, процессы, приводящие к рекомбинации |
||
инжектированных носителей и свечению, могут быть до |
||
статочно разнообразными. Основные свойства наиболее |
||
изученной инжекционной |
ЭЛ в |
одиночных р — п-пере- |
ходах |
(зависимости интенсивности |
свечения от напря |
|
жения, |
тока и температуры) |
рассматриваются в §§ 3—5. |
|
г) |
Другие механизмы. |
Хениш |
и Марат [47] отметил |
возможность появления свечения в областях кристаллов, в которых под действием поля произошло накопление неосновных носителей, созданных тепловой генерацией. Подобное"накопление может произойти, если коэффициент инжекции контактов £ (доля тока неосновных носителей в общем токе контакта) достаточно мал. В случае образца с электронной проводимостью с контактами, для которых | ~ 0, дырки не смогут достаточно быстро отводиться электродом и в слое у катода будет создана повышенная концентрация дырок. Соответственно увеличится число рекомбинаций в этой области кристалла. Возникающее свечение по сути дела не является ЭЛ, так как электри ческое поле только изменяет условия тепловой генерации
носителей. |
концентрация дырок (Ар) |
по сравнению |
Добавочная |
||
с равновесной |
(р0) концентрацией дырок |
определяется |
28
следующим |
соотношением [48]: |
|
|
|
||||
|
|
|
^Р |
Р° |
2ql |
2 |
|
|
(н0 — равновесная |
концентрация |
электронов, |
q — отно |
|||||
шение подвижностей электронов |
и дырок). Если q = |
2, |
||||||
п0 — 1,1«| |
и р 0 = 0,9щ |
(щ — концентрация |
носителей |
|||||
в |
материале |
с собственной проводимостью), то при | |
= |
|||||
= |
0,01 Лр ■х- 22щ |
и Др/ро ^ |
24. |
Увеличение |
£ или |
п0 |
уменьшает Др/р0, т. е. эффект накопления может быть заметным лишь в слабо легированных полупроводниках, в которых п0и р 0 близки к щ. На практике весьма трудно получить контакты с | 0,01; обычно металлические кон такты на полупроводниках n-типа дают \ = 0,1—0,5
[48]. Скорее можно ожидать появления вспышки, связан ной с рекомбинацией созданных теплом носителей, после выключения напряжения, приложенного к изолирован ному от электродов кристаллу. Заметная роль поляри зации, обусловленной собственными носителями, в чистых изолированных кристаллах кремния отмечена в работе
[49]. В обычных люминофорах с широкой запрещенной зоной, у которых п0^§> щ, эффект накопления носителей не может играть заметной роли.
Наконец, можно представить себе и еще один возмож ный механизм возбуждения, существенный прежде всего для порошкообразных люминофоров. Области кристаллов,
вкоторых созданы «горячие» электроны, могут выбрасы вать эти электроны за пределы кристалла. Эмиссия элек тронов, сопровождающая электролюминесценцию раз личных материалов, наблюдалась неоднократно. Если область сильного поля расположена у самой поверхности кристаллов, то электроны могут покинуть его и совершить ионизацию уже в прилегающем соседнем кристалле.
Во многих случаях образцам обычных люминофоров свойственно присутствие на поверхности достаточно высо ких энергетических барьеров, т. е. условия для выхода
носителя из кристаллов оказываются благоприятными. В образцах с проводимостью п-типа изгиб зон на поверх ности направлен в сторону увеличения энергии электро нов и сильное поле у поверхности создается при направ лении внешнего поля от объема к поверхности кристалла. В подобных условиях возможен только вывод дырок из данного кристалла в соприкасающийся с ним соседний кристалл.
29