- •Введение
- •Математическое моделирование фотолитографических процессов при создании субмикронных структур и нанометровым размеров
- •Оптическая литография. Проекционная литография. Формирование изображения
- •Формирования изображения в фоторезисторе. Моделирование
- •Моделирование процесса травления фоторезистора
- •Ограничение оптической литографии
- •Математическое моделирование процессов электронной литографии
- •Теория электронной эмиссии
- •Моделирование эффекта близости при электронной литографии
- •Моделирование наносистем методами Монте-Карло
- •Генерация случайных чисел на отрезке [a, b) в соответствии с заданной функцией распределения p(X)
- •Интегрирование методом Монте-Карло
- •Приложения метода Монте-Карло к наносистемам, состоящим из нескольких частиц
- •Применение метода Монте-Карло к неравновесным задачам
- •Уравнение Ланжевена
- •Взаимодействующие системы
- •Моделирование наносистем методами молекулярной динамики
- •Принципы мд-моделирования наносистем
- •Интегрирование уравнения движения Ньютона
- •Плазмохимическое осаждение, моделирование роста покрытий в условиях бомбардировки высокоскоростными атомами
- •Моделирование кремниевых полевых нанотранзисторов с учётом квантовых эффектов
- •5.1. Физика полупроводников с пониженной размерностью
- •5.2. Экранирование электрического поля в структурах пониженной размерности
- •Определение зависимости потенциала в области пространственного заряда от координаты
- •Структура и технологии нанотранзисторов
- •Влияние электрического поля на свойства квантоворазмерных наноструктур
- •Электронный перенос в наноструктурах с критическим размером
- •Моделирование характеристик полевого баллистического нанотранзистора в тонком кремнии на изоляторе.
- •2. Квантовая модель нанотранзистора
- •3. Квантовое моделирование нанотранзисторов
- •4. Влияние зарядки окисла на характеристики транзистора с тонким слоем кремния
- •5. Влияние шероховатостей поверхности на перенос носителей в тонком слое кремния
- •6. Влияние материала затвора и подзатворного диэлектрика на характеристики транзистора
- •7. Расчет характеристик нанотранзистора
- •7. Исследование предельных величин для кремниевых полевых нанотранзисторов
- •Моделирование и методы расчета оптических наноструктур
- •Оптические свойства и кинетические эффекты в крнс
- •7. Применение систем низкой размерности
- •Список литературы
Список литературы
Мансури Г.Али Принципы нанотехнологии. Исследование конденсированных веществ наносистем на молекулярном уровне. М.: Научный мир, 2008.– 320 с.
Мартинес-Дуарт Дж.М., Мартин-Палма Р.Дж., Агулло-Руеда Ф. Нанотехнологии для микро- и оптоэлектроники. М: Техносфера, 2007.–368 с.
Жувикин Г. Нанотранзисторы.//"Компьютерра" .– №3.– 2005.
Драгунов В.П., Неизвестный И.Г., Гридчин В.А. Лсновы наноэлектроники.– М.: Логос. 2006.– 496 с.
Зеленцов С.В., Зеленцова Н.В. Современная фотолитография. Учебно-методический материал по программе повышения квалификации «Новые материалы электроники и оптоэлектроники для информационно-телекоммуникационных систем». Нижний Новгород, 2006, 56 с.
Домненко В.М. Математическое моделирование формирования фотолитографического изображения. Диссертация на соискание степени кандидата технических наук. Санкт-Петербургский институт точной механики и оптики (технический университет). Санкт-Петербург.– 1999.
Технология СБИС: В 2-х кн. Кн. 2./Под ред. С.Зи.– М.: Мир, 1986.– 453 с.
ВьюрковВ.В., Лукичев В.Ф., Орликовский А.А., Семенихин И. А., Хомяков А.Н. Квантовое моделирование кремниевых полевых нанотранзисторов. Физико-технологический институт Российской АН.
Пушкарь М.Ю. Молекулярно-динамическое моделирование процесса роста наноструктур из атомного пучка. Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. Тверь.– 2006.
Ловецкий К.П., Севастьянов Л.А., Бикеев О.Н., Горобец А.П., Хавруняк И.В. Математическое моделирование и методы расчета оптических наноструктур. Учебное пособие\\Российский университет дружбы народов.– М.: 2008.
1 Эффективный метод обработки взаимодействующих сил (подобным электростатическим) между частицами и всеми их отображениями с бесконечно повторяющейся периодичностью. Суммарный потенциал по Эвальду выражается суммой трех термов, а именно, выражением для потенциала в прямом пространстве , Фурье-слагаемого и постоянного слагаемого , как показано ниже:
В принципе сумма Эвальда является точной и сходится намного быстрее, чем «регулярные» функции электростатических потенциалов.
2 Alder B.J., Wainwright T.E. Hyfse Transition for a Hard Sphere System//J.Chem.Phys. 1957. V.27. N5. P.1208-1209.
3 Угловые скобки <> – обозначают оператор математического ожидания.