- •1 .Параллельный регистр на rs-триггерах.
- •2. Параллельный регистр на d-триггерах.
- •3. Разрядная схема параллельного регистра, реализующая запись с двух направлений.
- •4. Сдвигающий регистр.
- •5. Организация межрегистровых связей
- •6. Основные параметры и классификация счетчиков
- •8. Вычитающий счетчик с последовательным переносом на т-триггерах
- •Реверсивный счетчик на т-триггерах.
- •10.Счетчик с параллельным переносом на т-триггерах.
- •11. Структура счетчика с комбинированным переносом.
- •12. Счетчик со сквозным переносом на т-триггерах.
- •13. Двоично-кодированные счетчики на т-триггерах.
- •14. Кольцевой счетчик на т-триггерах.
- •15.Мультиплексор. Таблица истинности. Мат. Описание. Принципиальная схема.
- •16. Схема мультиплексорного дерева
- •17. Демультиплексор. Таблица истинности. Мат. Описание. Принципиальная схема.
- •18.Схема демультиплексорного дерева
- •1 9. Преобразователи кодов.
- •Шифратор. Таблица истинности. Мат. Описание. Принципиальная схема.
- •22.Реализация демультиплексора с использованием дешифратора.
- •23 Реализация мультиплексора с использованием дешифратора.
- •Многоступенчатый дешифратор.
- •25. Полный двоичный дешифратор на базе двух двоично–десятичных де-шифраторов.
- •26. Цифровой компаратор. Таблица истинности. Математическое описание. Принципиальная схема
- •27. Счетчики в коде Грея
- •1. Счетчики в коде «1 из n»
- •3.Распределитель с автоматическим вхождением в рабочий цикл за 1 такт
- •4. Счетчик Джонсона.
- •5.Полиномиальные счетчики.
- •6. Схемы генераторов псевдослучайной последовательности (гпсп).
- •7. Арифметико-логические устройства (алу). Назначение и основные параметры.
- •8. Сумматоры. Алгоритм двоичного сложения.
- •9. Сумматоры. Сложение многоразрядных двоичных кодов.
- •11. Одноразрядный сумматор
- •12. Многоразрядный сумматор параллельного действия.
- •13. Многоразрядный сумматор последовательного действия.
- •14. Сумматор с параллельным переносом.
- •15.Сумматоры с цепным переносом.
- •16.Выполнение операций арифметического умножения.
- •17.Классификация запоминающих устройств.
- •18.Структура озу типа 2d.
- •19.Структура озу типа 3d.
- •20.Структура озу типа 2dm.
- •Запоминающие устройства типа
- •21.Масочные запоминающие устройства.
- •22.Матрица моп- транзисторных элементов зу.
- •23.Запоминающие устройства типа prom.
- •24/25.Запоминающие устройства типа eprom eeprom.
- •26.Статистические озу (sram).
- •27.Динамические озу(dram).
- •Запоминающие элементы
- •Основные сведения. Система параметров. Классификация
- •Параметры зу
- •Параметры зу
22.Матрица моп- транзисторных элементов зу.
В матрице с диодными элементами в одних узлах матрицы диоды изготовляются, в других – нет. При этом, чтобы удешевить производство, при изготовлении ЗУ стремятся варьировать только один шаблон, так чтобы одни элементы связи были законченными и работоспособными, а другие – не завершенными и как бы отсутствующими. Для матриц с МОП-транзисторами часто в МОП-транзисторах, соответствующих хранению нуля, увеличивают толщину подзатворного окисла, что ведет к увеличению порогового напряжения транзистора. В этом случае рабочие напряжения ЗУ не в состоянии открыть транзистор. Постоянно закрытое состояние транзистора аналогично его отсутствию. Матрица с МОП-транзисторами показана на рис. 9.5.
ЗУ с масочным программированием отличаются компактностью запоминающих элементов и, следовательно, высоким уровнем интеграции. При больших объемах производства масочное программирование предпочтительно, однако при недостаточной тиражности ЗУ затраты на проектирование и изготовление шаблона для технологического программирования ЗУ окажутся чрезмерно высокими. Отсюда видна и область применения масочных
23.Запоминающие устройства типа prom.
В ЗУ типа PROM микросхемы программируются устранением или созданием специальных перемычек. В исходной заготовке имеются (или отсутствуют) все перемычки. После программирования остаются или возникают только необходимые.
Устранение части перемычек свойственно ЗУ с плавкими перемычками (типа fuse – предохранитель). При этом в исходном состоянии ЗУ имеет все перемычки, а при программировании часть их ликвидируется путем расплавления импульсами тока достаточно большой амплитуды и длительности. В ЗУ с плавкими перемычками эти перемычки включаются в электроды диодов или транзисторов. Перемычки могут быть металлическими (вначале изготовлялись из нихрома, позднее из титановольфрамовых и других сплавов) или поликристаллическими (кремниевыми). В исходном состоянии запоминающий элемент хранит логическую единицу, логический нуль нужно записать, расплавляя перемычку.
Создание части перемычек соответствует схемам, которые в исходном состоянии имеют непроводящие перемычки в виде пары встречно включенных диодов или тонких диэлектрических слоев, пробиваемых при программировании с образованием низкоомных сопротивлений. Схемы с тонкими пробиваемыми диэлектрическими перемычками (типа antifuse) наиболее компактны и совершенны.
Второй тип запоминающего элемента PROM – два встречно включенных диода. В исходном состоянии сопротивление такой цепочки настолько велико, что практически равноценно разомкнутой цепи, и запоминающий элемент хранит логический нуль. Для записи единицы к диодам прикладывают повышенное напряжение, пробивающее диод, смещенный в обратном направлении. Диод пробивается с образованием в нем короткого замыкания и играет роль появившейся проводящей перемычки.
Запоминающие элементы с плавкими перемычками и парами диодов показаны на рис. 9.6, а, б в исходном состоянии и после программирования.
Рисунок 9.6 – Запоминающие элементы с плавкими перемычками (а) и диодными парами (б)