20.Структура озу типа 2dm.
ЗУ типа ROM (рис. 9.3, а) структуры 2DM для матрицы запоминающих элементов с адресацией от дешифратора DCx имеет как бы характер структуры 2D: возбужденный выход дешифратора выбирает целую строку. Однако в отличие от структуры 2D, длина строки не равна разрядности хранимых слов, а многократно ее превышает. При этом число строк матрицы уменьшается и, соответственно, уменьшается число выходов дешифратора. Для выбора одной из строк служат не все разряды адресного кода, а их часть An-1...Ak. Остальные разряды адреса (от Ak-1 до A0) используются, чтобы выбрать необходимое слово из того множества слов, которое содержится в строке. Это выполняется с помощью мультиплексоров, на адресные входы которых подаются коды Ak-1...A0. Длина строки равна m2k, где m – разрядность хранимых слов. Из каждого "отрезка" строки длиной 2k мультиплексор выбирает один бит. На выходах мультиплексоров формируется выходное слово. По разрешению сигнала CS, поступающего на входы ОЕ управляемых буферов с тремя состояниями, выходное слово передается на внешнюю шину.
На рис. 9.3, б в более общем виде структура 2DM показана для ЗУ типа RAM с операциями чтения и записи. Из матрицы М по-прежнему считывается «длинная» строка.
Рисунок 9.3 – Структура ЗУ типа 2DM для ROM (a)
Рисунок 9.3 – Структура ЗУ типа 2DM для RAM (б)
Данные в нужный отрезок этой строки записываются (или считываются из нее) управляемыми буферами данных BD, воспринимающими выходные сигналы второго дешифратора DCY, и выполняющими не только функции мультиплексирования, но и функции изменения направления передачи данных под воздействием сигнала R/W.
Запоминающие устройства типа
Запоминающие устройства типа ROM (память только для чтения) хранят информацию, которая либо вообще не изменяется (в ЗУ типов ROM(M) и PROM), либо изменяется редко и не в оперативном режиме (в ЗУ типов EPROM и EEPROM).
21.Масочные запоминающие устройства.
Элементом связи в масочных ЗУ могут быть диоды, биполярные транзисторы, МОП-транзисторы и т. д. В матрице диодного ROM(M) (рис. 9.4) горизонтальные линии являются линиями выборки слов, а вертикальные – линиями считывания. Считываемое слово определяется расположением диодов в узлах координатной сетки.
При наличии диода высокий потенциал выбранной горизонтальной линии передается на соответствующую вертикальную линию, и в данном разряде слова появляется сигнал логической единицы. При отсутствии диода потенциал близок к нулевому, т. к. вертикальная линия через резистор связана с землей. В изображенной матрице при возбуждении линии выборки Ш1 считывается слово 11010001 (в ячейке номер один хранится это слово). При возбуждении Ш2 считывается слово 10101011 (оно хранится в ячейке номер 2). Шины выборки являются выходами дешифратора адреса, каждая адресная комбинация возбуждает свой выход дешифратора, что приводит к считыванию слова из адресуемой ячейки.
Рисунок 9.4 – Матрица диодных запоминающих элементов масочного ЗУ
В матрице с диодными элементами в одних узлах матрицы диоды изготовляются, в других – нет. При этом, чтобы удешевить производство, при изготовлении ЗУ стремятся варьировать только один шаблон, так чтобы одни элементы связи были законченными и работоспособными, а другие – не завершенными и как бы отсутствующими. Для матриц с МОП-транзисторами часто в МОП-транзисторах, соответствующих хранению нуля, увеличивают толщину подзатворного окисла, что ведет к увеличению порогового напряжения транзистора. В этом случае рабочие напряжения ЗУ не в состоянии открыть транзистор. Постоянно закрытое состояние транзистора аналогично его отсутствию. Матрица с МОП-транзисторами показана на рис. 9.5.
ЗУ с масочным программированием отличаются компактностью запоминающих элементов и, следовательно, высоким уровнем интеграции. При больших объемах производства масочное программирование предпочтительно, однако при недостаточной тиражности ЗУ затраты на проектирование и изготовление шаблона для технологического программирования ЗУ окажутся чрезмерно высокими. Отсюда видна и область применения масочных
Рисунок 9.5 – Матрица МОП-транзисторных элементов