![](/user_photo/2706_HbeT2.jpg)
- •1 .Параллельный регистр на rs-триггерах.
- •2. Параллельный регистр на d-триггерах.
- •3. Разрядная схема параллельного регистра, реализующая запись с двух направлений.
- •4. Сдвигающий регистр.
- •5. Организация межрегистровых связей
- •6. Основные параметры и классификация счетчиков
- •8. Вычитающий счетчик с последовательным переносом на т-триггерах
- •Реверсивный счетчик на т-триггерах.
- •10.Счетчик с параллельным переносом на т-триггерах.
- •11. Структура счетчика с комбинированным переносом.
- •12. Счетчик со сквозным переносом на т-триггерах.
- •13. Двоично-кодированные счетчики на т-триггерах.
- •14. Кольцевой счетчик на т-триггерах.
- •15.Мультиплексор. Таблица истинности. Мат. Описание. Принципиальная схема.
- •16. Схема мультиплексорного дерева
- •17. Демультиплексор. Таблица истинности. Мат. Описание. Принципиальная схема.
- •18.Схема демультиплексорного дерева
- •1 9. Преобразователи кодов.
- •Шифратор. Таблица истинности. Мат. Описание. Принципиальная схема.
- •22.Реализация демультиплексора с использованием дешифратора.
- •23 Реализация мультиплексора с использованием дешифратора.
- •Многоступенчатый дешифратор.
- •25. Полный двоичный дешифратор на базе двух двоично–десятичных де-шифраторов.
- •26. Цифровой компаратор. Таблица истинности. Математическое описание. Принципиальная схема
- •27. Счетчики в коде Грея
- •1. Счетчики в коде «1 из n»
- •3.Распределитель с автоматическим вхождением в рабочий цикл за 1 такт
- •4. Счетчик Джонсона.
- •5.Полиномиальные счетчики.
- •6. Схемы генераторов псевдослучайной последовательности (гпсп).
- •7. Арифметико-логические устройства (алу). Назначение и основные параметры.
- •8. Сумматоры. Алгоритм двоичного сложения.
- •9. Сумматоры. Сложение многоразрядных двоичных кодов.
- •11. Одноразрядный сумматор
- •12. Многоразрядный сумматор параллельного действия.
- •13. Многоразрядный сумматор последовательного действия.
- •14. Сумматор с параллельным переносом.
- •15.Сумматоры с цепным переносом.
- •16.Выполнение операций арифметического умножения.
- •17.Классификация запоминающих устройств.
- •18.Структура озу типа 2d.
- •19.Структура озу типа 3d.
- •20.Структура озу типа 2dm.
- •Запоминающие устройства типа
- •21.Масочные запоминающие устройства.
- •22.Матрица моп- транзисторных элементов зу.
- •23.Запоминающие устройства типа prom.
- •24/25.Запоминающие устройства типа eprom eeprom.
- •26.Статистические озу (sram).
- •27.Динамические озу(dram).
- •Запоминающие элементы
- •Основные сведения. Система параметров. Классификация
- •Параметры зу
- •Параметры зу
26.Статистические озу (sram).
RAM делятся на статические и динамические. В первом варианте запоминающими элементами являются триггеры, сохраняющие свое состояние, пока схема находится под питанием и нет новой записи данных. Во втором варианте данные хранятся в виде зарядов конденсаторов, образуемых элементами МОП-структур. Саморазряд конденсаторов ведет к разрушению данных, поэтому они должны периодически (каждые несколько миллисекунд) регенерироваться. В то же время плотность упаковки динамических элементов памяти в несколько раз превышает плотность упаковки, достижимую в статических RAM. Регенерация данных в динамических ЗУ осуществляется с помощью специальных контроллеров. Разработаны также ЗУ с динамическими запоминающими элементами, имеющие внутреннюю встроенную систему регенерации, у которых внешнее поведение относительно управляющих сигналов становится аналогичным поведению статических ЗУ. Такие ЗУ называют квазистатическими. Статические ЗУ называются SRAM (Static RAM).
Статические ОЗУ можно разделить на асинхронные, тактируемые и синхронные (конвейерные). В асинхронных сигналы управления могут задаваться как импульсами, так и уровнями. Например, сигнал разрешения работы CS может оставаться неизменным и разрешающим на протяжении многих циклов обращения к памяти. В тактируемых ЗУ некоторые сигналы обязательно должны быть импульсными, например, сигнал разрешения работы CS в каждом цикле обращения к памяти должен переходить из пассивного состояния в активное (должен формироваться фронт этого сигнала в каждом цикле). Этот тип ЗУ называют часто синхронным. Здесь использован термин «тактируемые», чтобы «освободить» термин «синхронные» для новых типов ЗУ, в кот. организован конвейерный тракт передачи данных, синхронизируемый от тактовой системы процессора, что дает повышение темпа передач данных в несколько раз. Динамические ЗУ характеризуются наибольшей информационной емкостью и невысокой стоимостью, поэтому именно они используются как основная память ЭВМ. Т.к. от этой памяти требуется высокое быстродействие, разработаны многочисленные архитектуры повышенного быстродействия, перечисленные в классификации. Статические ЗУ в 4...5 раз дороже динамических и приблизительно во столько же раз меньше по информационной емкости. Их достоинством является высокое быстродействие, а типичной областью использования - схемы кэш-памяти.
27.Динамические озу(dram).
RAM делятся на статические и динамические. В первом варианте запоминающими элементами являются триггеры, сохраняющие свое состояние, пока схема находится под питанием и нет новой записи данных. Во втором варианте данные хранятся в виде зарядов конденсаторов, образуемых элементами МОП-структур. Саморазряд конденсаторов ведет к разрушению данных, поэтому они должны периодически (каждые несколько миллисекунд) регенерироваться. В то же время плотность упаковки динамических элементов памяти в несколько раз превышает плотность упаковки, достижимую в статических RAM. Регенерация данных в динамических ЗУ осуществляется с помощью специальных контроллеров. Разработаны также ЗУ с динамическими запоминающими элементами, имеющие внутреннюю встроенную систему регенерации, у которых внешнее поведение относительно управляющих сигналов становится аналогичным поведению статических ЗУ. Такие ЗУ называют квазистатическими. Статические ЗУ называются SRAM (Static RAM), а динамические – DRAM (Dynamic RAM).
Статические ОЗУ можно разделить на асинхронные, тактируемые и синхронные (конвейерные). В асинхронных сигналы управления могут задаваться как импульсами, так и уровнями. Например, сигнал разрешения работы CS может оставаться неизменным и разрешающим на протяжении многих циклов обращения к памяти. В тактируемых ЗУ некоторые сигналы обязательно должны быть импульсными, например, сигнал разрешения работы CS в каждом цикле обращения к памяти должен переходить из пассивного состояния в активное (должен формироваться фронт этого сигнала в каждом цикле). Этот тип ЗУ называют часто синхронным. Здесь использован термин «тактируемые», чтобы «освободить» термин «синхронные» для новых типов ЗУ, в которых организован конвейерный тракт передачи данных, синхронизируемый от тактовой системы процессора, что дает повышение темпа передач данных в несколько раз. Динамические ЗУ характеризуются наибольшей информационной емкостью и невысокой стоимостью, поэтому именно они используются как основная память ЭВМ. Поскольку от этой памяти требуется высокое быстродействие, разработаны многочисленные архитектуры повышенного быстродействия, перечисленные в классификации. Статические ЗУ в 4...5 раз дороже динамических и приблизительно во столько же раз меньше по информационной емкости. Их достоинством является высокое быстродействие, а типичной областью использования - схемы кэш-памяти.
В динамических. ЗУ (DRAM) данные хранятся в виде зарядов емкостей МОП-структур и основой ЗЭ является просто конденсатор небольшой емкости. Такой ЗЭ значительно проще триггерного, содержащего 6 транзисторов, что позволяет разместить на кристалле намного больше ЗЭ (в 4 5 раз) и обеспечивает динамическим ЗУ максимальную емкость. В то же время конденсатор неизбежно теряет со временем свой заряд, и хранение данных требует их периодической регенерации (через несколько миллисекунд).