Вариант 16.

Оценка параметров биполярного транзистора структуры ЭПСБ с комбинированной изоляцией V- каналами. Рабочий ток - 4 мА. Свойства слоев и размеры: Толщина слоя эмиттера – 1 мкм; Толщина слоя базы – 2 мкм. Ширина перехода коллектор-база – 1 мкм, эмиттер-база – 0.1 мкм в типовом режиме применения. Поверхностное сопротивление эмиттера – 1 Ом, базы вне эмиттера – 200 Ом. Коэффициенты потерь по инжекции и по переносу в базе сравнимы. Топология одноэмиттерная однобазовая. Длина эмиттера – определить. Ширина эмиттера – 100 мкм. Иные размеры топологические выбирать для неравномерности тока по эмиттеру до 0,1. Толщина коллектора под базой – 2 мкм. Поверхностное сопротивление коллектора – 50 Ом. Поверхностное сопротивление проводных соединений – 0,2 Ом. Все зазоры между областями на поверхности не менее 2 мкм. Удельные переходные сопротивления контактов 400 Ом*мкм2. Удельное сопротивление области разделительной диффузии- 0,02 Ом*см. Минимальный размер топологической фигуры – 2 мкм. Представить эскиз структуры и топологии, состав подлежащих оценке параметров, сценарий оценки параметров по заданным значениям.

Вариант 17.

Оценка параметров биполярного транзистора структуры ЭПСБ. Рабочий ток - 4 мА. Свойства слоев и размеры: Толщина слоя эмиттера – 1 мкм; Толщина слоя базы – 2 мкм. Ширина перехода коллектор-база – 1 мкм, эмиттер-база – 0.1 мкм в типовом режиме применения. Поверхностное сопротивление эмиттера – 1 Ом, базы вне эмиттера – 200 Ом. Коэ䚺фициенты потерь по инжекции и по переносу в базе сравнимы. Топология одноэмиттерная однобазовая. Длина эмиттера – определить. Ширина эмиттера – 100 мкм. Иные размеры топологические выбирать для неравномерности тока по эмиттеру до 0,1. Толщина коллектора под базой – 2 мкм. Поверхностное сопротивление коллектора – 50 Ом. Поверхностное сопротивление проводных соединений – 0,2 Ом. Число контактов к коллектору – 2. Все зазоры между областями на поверхности не менее 2 мкм. Удельные переходные сопротивления контактов 400 Ом*мкм2. Удельное сопротивление области разделительной диффузии- 0,02 Ом*см. Минимальный размер топологической фигуры – 2 мкм. Представить эскиз структуры и топологии, состав подлежащих оценке параметров, сценарий оценки параметров по заданным значениям.

Вариант 18

Оценка параметров биполярного транзистора структуры ЭПСК. Рабочий ток - 4 мА. Свойства слоев и размеры: Толщина слоя эмиттера – 1 мкм; Толщина слоя базы – 2 мкм. Ширина перехода коллектор-база – 1 мкм, эмиттер-база – 0.1 мкм в типовом режиме применения. Поверхностное сопротивление эмиттера – 1 Ом, базы вне эмиттера – 200 Ом. Коэффициенты потерь по инжекции и по переносу в базе сравнимы. Топология одноэмиттерная однобазовая. Длина эмиттера – определить. Ширина эмиттера –100 мкм. Иные размеры топологические выбирать для неравномерности тока по эмиттеру до 0,1. Толщина коллектора под базой – 2 мкм. Поверхностное сопротивление коллектора – 50 Ом. Поверхностное сопротивление проводных соединений – 0,2 Ом. Число контактов к коллектору – 2.Все зазоры между областями на поверхности не менее 2 мкм. Удельные переходные сопротивления контактов 400 Ом*мкм2. Удельное сопротивление области разделительной диффузии- 0,02 Ом*см. Минимальный размер топологической фигуры – 2 мкм. Представить эскиз структуры и топологии, состав подлежащих оценке параметров, сценарий оценки параметров по заданным значениям.

Вариант 19

Оценка параметров биполярного транзистора структуры КВД. Рабочий ток - 4 мА. Свойства слоев и размеры: Толщина слоя эмиттера – 1 мкм; Толщина слоя базы – 2 мкм. Ширина перехода коллектор-база – 1 мкм, эмиттер-база – 0.1 мкм в типовом режиме применения. Поверхностное сопротивление эмиттера – 1 Ом, базы вне эмиттера – 200 Ом. Коэффициенты потерь по инжекции и по переносу в базе сравнимы. Топология одноэмиттерная однобазовая. Длина эмиттера – определить. Ширина эмиттера – 100 мкм. Иные размеры топологические выбирать для неравномерности тока по эмиттеру до 0,1. Толщина коллектора под базой – 2 мкм. Поверхностное сопротивление коллектора – 50 Ом. Поверхностное сопротивление проводных соединений – 0,2 Ом. Число контактов к коллектору – 2. Все зазоры между областями на поверхности не менее 2 мкм. Удельные переходные сопротивления контактов 400 Ом*мкм2. Минимальный размер топологической фигуры – 2 мкм. Представить эскиз структуры и топологии, состав подлежащих оценке параметров, сценарий оценки параметров по заданным значениям.

Вариант 20

Оценка параметров биполярного транзистора структуры ЭПСБ с комбинированной изоляцией V - каналами. Рабочий ток - 4 мА. Свойства слоев и размеры: Толщина слоя эмиттера – 1 мкм; Толщина слоя базы – 2 мкм. Ширина перехода коллектор-база – 1 мкм, эмиттер-база – 0.1 мкм в типовом режиме применения. Поверхностное сопротивление эмиттера – 1 Ом, базы вне эмиттера – 200 Ом. Коэффициенты потерь по инжекции и по переносу в базе сравнимы. Топология одноэмиттерная однобазовая. Длина эмиттера – определить. Иные размеры топологические выбирать для неравномерности тока по эмиттеру до 0,1. Толщина коллектора под базой – 2 мкм. Поверхностное сопротивление коллектора – 50 Ом. Поверхностное сопротивление проводных соединений – 0,2 Ом. Число контактов к коллектору - 2. Все зазоры между областями на поверхности не менее 2 мкм. Удельные переходные сопротивления контактов 400 Ом*мкм2. Удельное сопротивление области разделительной диффузии- 0,02 Ом*см. Минимальный размер топологической фигуры – 2 мкм. Представить эскиз структуры и퇔топологии, состав подлежащих оценке параметров, сценарий оценки параметров по заданным значениям.