Вопрос 3.3 Условия легирования технологических слоёв при формировании бпт структуры эпск:

1-коллекторный слой – легирован квазиравномерно с перераспре-делением на границах при ограниченном источнике, разделительный слой – неограниченный источник, базовый слой – легирован при ограниченном источнике, эмиттерный слой – неограниченный источник, контактные области – неограниченный источник;

2-коллекторный слой – легирован квазиравномерно с перераспре-делением на границах при ограниченном источнике, разделительный слой – ограниченный источник, базовый слой – легирован при ограниченном источнике, эмиттерный слой – ограниченный источник, контактные области – неограниченный источник;

3-коллекторный слой – легирован квазиравномерно с перераспре-делением на границах при ограниченном источнике, разделительный слой – ограниченный источник, базовый слой – легирован при неограниченном источнике, эмиттерный слой – ограниченный источник, контактные области – неограниченный источник;

Вопрос 3.4 Условия легирования технологических слоёв при формировании бпт структуры эпск со скрытым слоем в коллекторе:

1-коллекторный слой – легирован квазиравномерно с перераспре-делением на границах при ограниченном источнике, разделительный слой – неограниченный источник, скрытый слой – при неограниченном источнике, базовый слой – легирован при ограниченном источнике, эмиттерный слой – неограниченный источник, контактные области – неограниченный источник;

2-коллекторный слой – легирован квазиравномерно с перераспре-делением на границах при ограниченном источнике, разделительный слой – ограниченный источник, скрытый слой – при ограниченном источнике, базовый слой – легирован при ограниченном источнике, эмиттерный слой – ограниченный источник, контактные области – неограниченный источник;

3-коллекторный слой – легирован квазиравномерно с перераспре-делением на границах при ограниченном источнике, разделительный слой – ограниченный источник, скрытый слой – при ограниченном источнике, базовый слой – легирован при неограниченном источнике, эмиттерный слой – ограниченный источник, контактные области – неограниченный источник;

Вопрос 3.5 Условия легирования технологических слоёв при формировании бпт структуры квд с дополнительным скрытым легированным слоем в коллекторе:

1-коллекторный слой – легирован равномерно с перераспределением на границах при ограниченном источнике, скрытый слой легирован квазиравномерно с перераспределением на границах при ограниченном источнике, базовый слой – легирован при ограниченном источнике, эмиттерный слой – неограниченный источник, контактные области – неограниченный источник;

2-коллекторный слой – легирован квазиравномерно с перераспре-делением на границах при ограниченном источнике, скрытый слой легирован при ограниченном источнике, базовый слой – легирован при ограниченном источнике, эмиттерный слой – ограниченный источник, контактные области – неограниченный источник;

3-коллекторный слой – легирован квазиравномерно с перераспре-делением на границах при ограниченном источнике, скрытый слой легирован при ограниченном источнике, базовый слой – легирован при неограниченном источнике, эмиттерный слой – ограниченный источник, контактные области – неограниченный источник;

4-коллекторный слой – легирован равномерно с перераспределением на границах при ограниченном источнике, скрытый слой легирован квазиравномерно с перераспределением на границах при ограниченном источнике, базовый слой – легирован при ограниченном источнике, эмиттерный слой – ограниченный источник, контактные области – неограниченный источник;