Билет № 11
1. Параметры назначения БПТ цифровых ИС. Зависимость параметров назначения от формы и размеров топологии.
2. Задача. Выполните расчет размеров тонкопленочного резистора при следующих исходных данных: R = 2,5 кОм; R□ = 0,5 кОм; R0 = 0,5 ом*мм2, R 0,15; R□ 0,06; P 200 мвт; Руд 2 вт/см2; совм ∆лин 10 мкм.
Билет № 12
1. Варианты топологических конфигураций БПТ. Алгоритм формирования топологии БПТ на этапе проектирования по критерию «заданного рабочего тока».
2. Задача. Определите максимальный ток одноэмиттерной топологии БПТ с двухсторонним базовым контактом при следующих исходных данных: R□соед. = 0,2 ом; I0 = 2 А/мм2; В = 100; R□b акт.= 1500 ом; Do = 2∙10-4 см, при отклонении плотности тока по эмиттеру не более 10%. (Do-минимальный технологический размер окна в слое).
Билет № 13
1. Топологические конфигурации БПТ. Алгоритм формирования топологии БПТ по критерию статических состояний сигнала цифровых ИС (U0, I0). Влияние структуры на параметры U0, I0.
2. Известно, что одноэмиттерная топология БПТ с односторонним полос ковым контактом к базе обеспечивает при допустимой неравномерности плотности тока по эмиттеру до 8 мА. Оцените при прочих равных условиях величину тока в трехэмиттерной топологии с симметричным двухполосковым контактом к базе.
Билет № 14
1. Алгоритм проектирования топологии БПТ. Условия порядок корректировка форм и размеров топологии.
2. Задача. Выполнено проектирование топологии БПТ на рабочий ток 8 мА. Требовалось обеспечить уровень U0 0,16 в. Проектная проверка показала, что U0 > 0,16 в при заданном токе. Как привести в соответствие требования по уровню U0? Какие резервы подлежат анализу и применению?
Билет № 15
1. Выбор топологии БПТ по критерию заданного быстродействия для цифровых ИС. Основные ограничения и компромиссы. Влияние структуры на параметры быстродействия.
2. Задача. Если бы влияние коллекторной цепи не эмиттерную отсутствовало, то время переключения БПТ определилось бы входной и выходной схемами замещения. Определите время переключения входной цепи БПТ при следующих известных значениях: Rк= 0,5 ом; Rе = Ft/Iэ; IЭ = 5 мА; Сев = 2 пф; Rbакт.= 1500 ом; Rb пас. = 200ом; = Ik/Iэ = 0,95. (обозначения общепринятые)
Билет № 16
1. Структуры планарных диодов ИС. Сравнительная характеристика структур диодов по соответствию параметрам назначения.
2. В выходном усилителе мощности ТТЛ схемы применен смещающий уровни напряжений диод. Выходной узел усилителя расположен между катодом диода и коллектором активного транзистора. Аргументируйте выбор структуры интегрального диода.
Билет № 17
1. Топологические конфигурации диодов ИС. Выбор размеров и формирование топологических конфигураций под параметры назначения.
2. В узле опорного напряжения переключателя тока эмиттерно-связанной логики применен диод, анод которого соединен с базой БПТ переключателя тока, а катод – через резистор соединен с клеммой (– Еп). Аргументируйте выбор структуры интегрального диода.
Билет № 18
1. Структуры и топологические конфигурации резисторов п/п ИС. Схемы замещения резисторов п/п ИС. Изоляция. Общая характеристика свойств.
2. Определите емкость и граничную частоту полупроводникового резистора, изображенного на рисунке, для базового слоя ЭПСБ структуры при следующих параметрах: R□ = 250; Суд.бок. = 8000 пф/см2; Суд.основ. = 10000 пф/ см2; Хкв = 2 мкм; XR = 3 мкм; В=3L1; L=6Lo; L1=5мкМ;
