Вопрос 2.7 Комбинированной изоляции элементов кристаллов соответствует:

1-независимость качества изоляции от полярности напряжений;

2-повышенная в сравнении с диэлектрической изоляцией электри-ческая прочность;

3-наименьшая для известных способов изоляции удельная ёмкость на единицу площади слоя изоляции;

4-повышенные рабочие напряжения и быстродействие элементов в сравнении и изоляцией p-n-переходом;

5-снижение технологических потерь площади и брака в сравнении с диэлектрической изоляцией.

Вопрос 2.8 Общая диффузия с учётом известных способов изоляции элементов может применяться в производстве биполярных микросхем в процессах формирования:

1-эмиттерных областей;

2-базовых областей;

3-коллекторных областей;

4-контактных легированных областей.

Вопрос 2.9 Диффузия из ограниченного источника и соответствующий закон распределения примесей в слое в биполярной технологии применяются в формировании:

1-коллекторных областей;

2-скрытых слоях коллекторных областей;

3-базовых областей;

4-разделительных областей;

5-исключительно эмиттерных слоёв;

6-контактных слоёв и областей.

Вопрос 2.10 Распределение N(x,t) = No∙erfc(x/2*√D*t) соответствует профилю распределения примесей по глубине х:

1-в результате процесса диффузии из ограниченного источника атомов примеси;

2-при ионной имплантации;

3-в результате процесса диффузии из неограниченного источника атомов примеси.

Вопрос 2.11 Укажите структуру с наибольшим перераспределением примесей в эпитаксиальном слое в результате полной технологической обработки:

1- структура с эпитаксиальной базой;

2-структура с эпитаксиальным коллектором;

3-структура с эпитаксиальным коллектором и скрытым слоем в коллекторе.

Вопрос 2.12 Укажите направления снижения уровня перераспреде-ления примесей в эпитаксиальном слое:

1-понижение температуры процессов диффузии и окисления;

2-выбор специализированных примесей для легирования;

3-повышение скорости наращивания эпитаксиального наращивания.

Тема 3 Технологические структуры и параметры слоёв.

Вопрос 3.1 Условия легирования технологических слоёв при формировании структуры БПТ тройной диффузией:

1-коллекторный слой – неограниченный источник, базовый слой – ограниченный источник, эмиттерный слой – неограниченный источник, контактные области –неограниченный источник;

2-коллекторный слой – ограниченный источник, базовый слой – ограниченный источник, эмиттерный слой – неограниченный источник, контактные области –неограниченный источник;

3-коллекторный слой – ограниченный источник, базовый слой – неограниченный источник, эмиттерный слой – ограниченный источник, контактные области – неограниченный источник;

4-коллекторный слой – ограниченный источник, базовый слой – ограниченный источник, эмиттерный слой – ограниченный источник, контактные области –неограниченный источник;

Вопрос 3.2 Условия легирования технологических слоёв при формировании бпт структуры эпсб:

1-коллекторный слой – неограниченный источник, коллекторный разделительный слой – неограниченный источник базовый слой – легирован квазиравномерно с перераспределением на границах при ограниченном источнике, эмиттерный слой – неограниченный источник, контактные области – неограниченный источник;

2-коллекторный слой – ограниченный источник, коллекторный разделительный слой – неограниченный источник, базовый слой – легирован квазиравномерно с перераспределением на границах при ограниченном источнике, эмиттерный слой – ограниченный источник, контактные области – неограниченный источник;

3-коллекторный слой – ограниченный источник, коллекторный разделительный слой – ограниченный источник базовый слой – легирован квазиравномерно с перераспределением на границах при ограниченном источнике, эмиттерный слой – ограниченный источник, контактные области – неограниченный источник;