Вопрос 10.5. Каналы доступа агрессивных химических веществ к элементам конструкции микросхем, определяющим устойчивость и стабильность функциональных параметров микросхем:

1- через оболочку корпуса из внешней среды для металлостеклянных и стеклянных корпусов;

2- по стыкам соединений диэлектриков и металлов корпусных и защитных оболочек кристаллов и плат;

3-поверхностное накопление вещества и электролиты между контактами вне корпусных и защитных оболочек микросхем;

4-вместе с влагой через капилляры полимерных и керамических корпусных и защитных оболочек из внешней среды;

5- из материалов защитных покрытий через химические взаимодейст-вия с веществом функциональных элементов.

Вопрос 10.6 Повышение устойчивости микросхем к действию агрессивных сред достигается:

1-применением корпусных оболочек;

2-защитными покрытиями;

3-заполнением полостей корпусов нейтральным по химическому и электрофизическому влиянию на элементы плат и кристаллов веществом;

4-созданием повышенного давления инертных газов в пластмассовых, полимерных и металлополимерных корпусах;

5- стабилизацией пониженной температуры эксплуатации микросхем.

Вопрос 10.7 Стандартами ЕСКД конструкторская документация определяется формами исполнения:

1- как техническая;

2- как графическая;

2- как проектная;

3- как рабочая;

4- как текстовая.

Вопрос 10.8 Стандартами ЕСКД конструкторская документация по назначению определяется:

1- как техническая;

2- как графическая;

3- как проектная;

4- как текстовая.

5- как рабочая;

Вопрос 10.9 Стандартами ЕСКД КД по характеру использования определяется:

1- как подлинники;

2- как графическая;

3- как проектная;

4- как дубликаты;

5- как рабочая.

6- как копии.

Вопрос 10.10 Стандартами ЕСКД КД по способу исполнения определяется:

1- как подлинники;

2- как графическая;

3- как копии;

4- как дубликаты;

5- как рабочая.

Вопрос 10.11 Основным документом кристалла микросхемы по определениям ЕСКД является:

1- схема электрическая принципиальная;

2- сборочный чертёж кристалла:

3- топологический чертёж;

4-спецификация кристалла.

Схемная документация

Вопрос 10.12. Масштабными конструкторскими документами микро-схем являются:

1-схемы электрические;

2-топологические чертежи;

3-спецификации;

4-сборочные чертежи.

Вопрос 10.13. Для корпусов микросхем стандарты вводят нормы :

1- на форму корпуса;

2- на расположение, форму и ориентацию выводов;

3- на конструктивный состав;

4- на шаг и отступы от края корпуса выводов;

5- на применяемые материалы корпусов.

Вопрос 10.14 В основной комплект электрических схем гибридной микросхемы включаются:

1- электрические схемы микросхемы, как сборочной единицы;

2- электрические схемы применённых кристаллов;

4.2 Вопросы самоконтроля лабораторного практикума

Вопросы контроля готовности к выполнению задания работы размещены в описаниях работ лабораторного практикума [3.3.1] и применяются для самоконтроля подготовки при допуске к их выполнению.

4.3 Примерный перечень экзаменационных билетов по дисциплине

Билет № 1

1. Биполярный транзистор, как основа для ИС биполярной технологии. Варианты структур изолированных БПТ. Сравнительная характеристика.

2. Задача. Определите размеры и представьте эскиз контактного перехода резистора при следующих данных: Р_R = 0,2 вт, Р_УД = 2 вт/см², R□ = 0,4 ком, R = 4 ком, Р₀ = 0,2 ом∙мм², ∆l = ∆с = 50 мкм.

Определите погрешность R_k/R(.R_k – сопротивление контактов).

Билет № 2

1. Способы изоляции элементов п/п ИС. Оценка по технологической совместимости процессов изоляции и реализации параметров п/п приборов. Сравнительная характеристика по качеству изоляции. Зависимости качества изоляции от первичных определяющих параметров.

2. Задача. Определите напряжение пробоя и удельную емкость изоляции структуры ЭПСК по донной и боковой поверхности при следующих данных: материал Si; N_ЭПС = 10¹⁷ [см^-3]; N_P = 10¹⁶ [см^-3]; N_{разд.пов.} = 10¹⁸ [см^-3]; F_К = 0,7 в. – конт. разность, N_ЭПС = 6 мкм; Х_РАЗД = 8 мкм.

Билет № 3

1. Различия в понятиях «вариант структуры», «технологический вариант структуры»? Законы распределения примесей в слоях ИС. Параметры распределений?

2. Задача. Определите толщину коллекторного слоя структуры с ЭПСВ (n-p-n) при следующих данных: N_ЭПС = 10¹⁸ см^-3; N_ОСНОВ = 10¹⁶ см^-3; N_{mаx коллектора} = 5∙10¹⁸ см^-3; h_эпс=3 мкм; Xкп=5мкм. Используя планшеты Ирвина, выполните расчет сопротивления квадрата слоя коллектора.

Билет № 4

1. Планарность конструкций элементов ИС. Следствия планарности конструкций. Причины перехода на планарные конструкции. Состав элементов п/п ИС и ГИС (соответственно на кристаллах и платах).

2. Для однополосковых планарных конструкций электродов к эмиттеру и базе БПТ приведите и объясните ожидаемую графическую форму зависимости плотности тока в электродах от координат Х, У. Начало системы координат на плоскости каждой из названных электродных областей предпочтительно совместить с границей начала активной области электрода.

Билет № 5

1. Электрические схемы замещения для физико-топологических моделей структур и топологий. Назначение схем для представления конструкций и применения в проектировании БПТ ИМС.

2. Задача. Определите графоаналитическим способом сопротивление квадрата слоя коллектора под базовым слоем при следующих данных: тип проводимости – n; коллектор структуры ЭПСК со скрытым n+ слоем.

N_ЭПСК = 10¹⁶ см^-3; N_{max скр.n+} = 10¹⁸ см^-3; N_{пластины} = 10¹⁵ см^-3; Х_КР – 8,5 мкМ; Х_ЭПСК = 6,5 мкМ, Xkb = 2,5 мкМ.

Используйте необходимые планшеты Ирвина.

Билет № 6

1. Удельные сопротивления п/п слоев. Зависимость от первичных параметров слоев. Определение, область применения в проектировании. Типовые значения (удельные сопротивления поверхностные и переходные).

2. Задача. Учтите в Т-образной схеме замещения элементы физико-топологической модели биполярного транзистора структуры ЭПСБ и одиночными контактами к эмиттеру, базе, коллектору.

Поясните порядок учета объемных и поверхностных областей в модели.

Билет № 7

1. Связь между первичными параметрами технологической структуры ЭПСК для БПТ. Обеспечение электрической прочности структуры на этапе проектирования. Особенности учета скрытого слоя в структуре.

2. Задача. В структуре ЭПСК n-p-n необходимо обеспечить напряжение (рабочее) изоляции коллектор – основание ≥ 10в. Известно: толщина ЭПС – 8 мкМ; глубина разделительной диффузии -10 мкМ; N_ЭПСК = 10¹⁶ см^-3.

Определите концентрации в пластине и на поверхности разделительной области, при которых требование задания удовлетворяется.

Билет № 8

1. Связь между первичными параметрами технологической структуры ЭПСВ для БПТ. Обеспечение электрической прочности структуры на этапе

проектирования.

2. Задача. В структуре ЭПСВ концентрация примесей ЭПС и исходной пластины равны N_ЭПС. Толщина ЭПС = 6 мкМ; ХКВ = 3 мкМ. Глубина разделительной диффузии - 4 мкМ. Максимальные концентрации в разделительной области и слое коллектора относятся как 1/5. Сравните напряжени см^-3е пробоя изоляции коллектора по боковой поверхности и основанию.

Билет № 9

1. Выбор первичных параметров структуры БПТ для обеспечения заданного коэффициента передачи тока в структуре. Отличия выбора для ЭПСК и ЭПСВ структур. Учет коэффициента умножения.

2. Задача. Определите коэффициент передачи тока базы в структуре БПТ (n-p-n) с ЭПС базы при рабочем напряжении U_КЭ = 4в и следующих данных: Neo = 10²⁰ см^-3; Nbo = 10¹⁷ см^-3; Nkm = 10¹⁸ см^-3; Хeb = 10 ^{– 4} см ; Хkb= 2∙10^-4 см; Xэпс = 5∙10^-4 см; Feb = Fkb = 0,7 в; Tnb= 1 мкС; Tpe = 0,1мкС; Ukb проб.> 20 в; Dnb = 5 см²/сек.

Билет № 10

1. Состав определяющих параметров назначения БПТ. Влияние параметров структуры на параметры назначения БПТ.

2. Задача. При неизменном токе эмиттера БПТ (n-p-n) типа оцените изменение коэффициента передачи тока базы при увеличении напряжения между коллектором и эмиттером с 4 до 8 вольт при следующих данных: структура – ЭПСК; Ueb = 0,6 в; Web(0)= 0,1мкМ; Wkb(0) = 0,3мкМ; Хkb = 2мкМ; Хeb =1мкМ; La = 0,3мкМ; Ld = 0,1мкМ; Dnb = 5см²/сек; Tpe= 0,1мкС; Tnb= 1мкС; Ukb проб.= 35 в;