- •Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования
- •2 Материалы самостоятельной работы
- •2.1 Состав понятий, определений, отношений дисциплины
- •2.2 Контрольные работы по дисциплине
- •Вариант 5
- •Вариант 13
- •Вариант 14
- •Вариант 15
- •Вариант 16
- •2.2.2 Работа №1б. Резисторы полупроводниковых ис
- •2.2.3 Контрольная № 2 Параметры и проектирование топологии бпт
- •Вариант 1
- •Вариант 2
- •Вариант 3
- •Вариант 4
- •Вариант 5
- •Вариант 13
- •Вариант 14
- •Вариант 15
- •Вариант 16.
- •Вариант 21
- •Вариант 22
- •Вариант 23
- •Вариант 24
- •Вариант 25
- •Вариант 26
- •Вариант 34
- •Вариант 35
- •Вариант 36
- •Вариант 37
- •Вариант 42
- •Вариант 50
- •Вариант 51
- •Вариант 52
- •Вариант 53
- •3 Методический материал к контрольным работам
- •3.1 Расчётные соотношения и константы работы №1а
- •Напряжение лавинного пробоя Uпроб, в:
- •Nпов – поверхностная концентрация примесей;
- •3.2 Расчётные соотношения и формы к работе №1б
- •3.3 Расчётные формы и соотношения к работе №2
- •4 Контроль знаний
- •Вопрос 2.7 Комбинированной изоляции элементов кристаллов соответствует:
- •Вопрос 3.2 Условия легирования технологических слоёв при формировании бпт структуры эпсб:
- •Вопрос 3.3 Условия легирования технологических слоёв при формировании бпт структуры эпск:
- •Вопрос 3.4 Условия легирования технологических слоёв при формировании бпт структуры эпск со скрытым слоем в коллекторе:
- •Вопрос 3.5 Условия легирования технологических слоёв при формировании бпт структуры квд с дополнительным скрытым легированным слоем в коллекторе:
- •Вопрос 3.6 Какому из перечисленных способов проектной оценки поверхностного сопротивления легированных полупроводниковых слоёв необходимы первичные сведения:
- •Вопрос 4.10 Для удовлетворения требований ко времени переключе-ния бпт выбором топологических форм и размеров необходимо:
- •Тема 5 Диоды имс, модификации бпт, элементы на бпт
- •Вопрос 5.1 Укажите структурные соединения слоёв n-p-n-бпт структуры эпсб для гальванически максимально «изолированных» от подложки диодов:
- •Вопрос 5.5 Укажите среди приведенных требования, которым должны соответствовать конструкции мэт для применения в качестве входных элементов схем ттл:
- •Вопрос 5.6 Укажите актуальные требования, которым должны соот-ветствовать конструкции многоколлекторных транзисторов (мкт) для применения в качестве элементов интегральных цифровых схем:
- •Вопрос 5.7 Укажите соответствие приведенных свойств конструкциям транзисторов и барьером Шоттки (тш) для применения в качестве элементов цифровых схем:
- •Вопрос 6.5 Структуры конденсаторов полупроводниковых микросхем представлены:
- •Вопрос 7.9 Укажите положительные качества совмещённых бпт и полевых приборов с управляемым p-n-переходом каналом для применения в конструкциях имс.
- •Вопрос 7.10 Время хранения состояния структуры пзс как регистра сдвига и памяти с последовательным доступом определяется:
- •Вопрос 7.11 Выделите корректные утверждения по конструкциям, свойствам и управлению зарядовыми приборами на транзисторах с зарядовой связью (тзс):
- •Вопрос 7.12 Выделите корректные утверждения для приборов c зарядовой связью на пожарных цепочках:
- •Тема 8 Гибридные микросхемы
- •Вопрос 8.1 Выделите корректные утверждения относительно конструкций плат гимс:
- •Вопрос 8.2 Выделите корректные утверждения относительно конструкций тонкоплёночных резисторов гимс:
- •Вопрос 8.3 Выделите корректные утверждения относительно параметров конструкций толстоплёночных резисторов гимс:
- •Вопрос 8.4 Выделите корректные утверждения относительно параметров конструкций тонкоплёночных конденсаторов гимс:
- •Вопрос 8.5 Выделите корректные утверждения относительно параметров конструкций толстоплёночных конденсаторов гимс:
- •Вопрос 8.6 Выделите корректные утверждения относительно параметров конструкций резисторов с подгонкой номинала гимс:
- •Вопрос 8.7 Выделите корректные утверждения относительно пара-метров конструкций плёночных катушек индуктивности гимс:
- •Вопрос 8.8 Выделите корректные утверждения относительно конструкций пассивных компонент гимс;
- •Вопрос 8.9 Выделите корректные утверждения относительно конструкций и применяемости активных компонент гимс:
- •Вопрос 8.10 Выделите корректные утверждения относительно конструкций свч имс:
- •Тема 9 Большие ис, планирование кристаллов
- •Вопрос 9.1 Степень интеграции имс это число, округлённое до целого в верхнюю сторону, равное:
- •Вопрос 9.2 Отнесение к категории больших интегральных микросхем (бис):
- •Вопрос 9.3 в производстве и проектировании бис имеют место:
- •Вопрос 9.4 Отличие перечня этапов проектирования кристаллов бис от состава этапов проектирования кристаллов более низких степеней интеграции:
- •Вопрос 9.5 Элементной базой кристаллов полузаказных цифровых бис являются:
- •Вопрос 9.6. Библиотеки и каталоги топологий элементов, топологических ячеек с наборами не соединённых радиоэлементов, логических вентилей, функциональных групп, структурных единиц устройств позволяют:
- •Вопрос 10.5. Каналы доступа агрессивных химических веществ к элементам конструкции микросхем, определяющим устойчивость и стабильность функциональных параметров микросхем:
- •Вопрос 10.6 Повышение устойчивости микросхем к действию агрессивных сред достигается:
- •Билет № 11
- •Билет № 13
- •Билет № 14
- •Билет №19
2.2 Контрольные работы по дисциплине
2.2.1 Работа №1а Параметры слоёв ИС.
Определению подлежат следующие параметры:
-напряжение пробоя, В;
- удельные ёмкости областей изоляции слоя, Ф/см2;
-поверхностное сопротивление слоя, Ом.
В отчёте по контрольной работе следует привести:
- номер варианта задания;
-рисунок структуры с анализируемым слоем с простановкой размеров, концентраций, типа проводимости и закона распределения примесей в слое;
-мотивированную оценку параметров слоя.
Методические материалы, расчётные соотношения и константы приведены в разделе 4 руководства.
Варианты заданий
Вариант 1
Оценка параметров эмиттерного слоя диффузионной структуры (по методу тройной диффузии). Толщина слоя -2 мкм. Поверхностная концентрация примеси в слое (n-тип) 1020см-3 . Поверхностная концентрация в базовом слое – 1018см –3. Глубинный переход эмиттер-база образован при концентрации доноров – 1017 см -3. Электрическая прочность? Удельная емкость? Сопротивление квадрата?
Вариант 2
Оценка параметров базового слоя диффузионной структуры (по методу тройной диффузии). Толщина слоя -3 мкм. Поверхностная концентрация примеси в слое (р-тип) 1018см-3 . Поверхностная концентрация в коллекторном слое – 1017см –3. Глубинный переход коллектор-база образован при концентрации доноров – 1016 см 3. Электрическая прочность? Удельная емкость? Сопротивление квадрата?
Вариант 3
Оценка параметров коллекторного слоя диффузионной структуры (по методу тройной диффузии). Толщина слоя - 6 мкм. Поверхностная концентрация примеси в слое (n-тип) 1017см-3 . Концентрация примеси в подложке – 1015см –3. Электрическая прочность? Удельная емкость? Сопротивление квадрата?
Вариант 4
Оценка параметров базового слоя под эмиттером диффузионной структуры (по методу тройной диффузии). Толщина слоя -1 мкм. Поверхностная концентрация примеси в эмиттерном слое (n-тип) 1020см-3 .Поверхностная концентрация примеси в слое (р-тип) 1018см-3 . Поверхностная концентрация в коллекторном слое – 1017см –3. Глубинный переход эмиттер-база на 2мкм образован при концентрации доноров – 1017 см -3. Глубинный переход коллектор-база на 3 мкм образован при концентрации доноров – 1016 см -3. Электрическая прочность? Удельная емкость? Сопротивление квадрата?
Вариант 5
Оценка параметров коллекторного слоя под базой диффузионной структуры (по методу тройной диффузии). Толщина слоя - 3 мкм. Поверхностная концентрация примеси в базовом слое (р-тип) 1018см-3 . Поверхностная концентрация в коллекторном слое – 1017см –3. Глубинный переход коллектор-база на 3 мкм образован при концентрации доноров – 1016 см 3. Глубинный переход коллектор-подложка на 6 мкм образован при концентрации доноров – 1015 см -3. Электрическая прочность? Удельная емкость? Сопротивление квадрата?
Вариант 6
Оценка параметров эмиттерного слоя структуры ЭПСК. Толщина слоя - 1 мкм. Поверхностная концентрация примеси в слое (n-тип) 5·1020см-3 . Поверхностная концентрация в базовом слое – 1018см –3. Глубинный переход эмиттер-база образован при концентрации доноров – 2·1017 см 3. Электрическая прочность? Удельная емкость? Сопротивление квадрата?
Вариант 7
Оценка параметров базового слоя структуры ЭПСК. Концентрация примеси на поверхности – 1018 см-3. Толщина слоя – 2 мкм. Тип проводимости – дырочный. Концентрация примеси в коллекторном слое – 1017см-3. Электрическая прочность? Сопротивление квадрата? Удельная емкость?
Вариант 8
Оценка параметров базового слоя под эмиттером структуры ЭПСК. Концентрация примеси на поверхности базы – 1018 см-3. Толщина слоя – 1 мкм. Толщина эмиттера – 1 мкм. Тип проводимости базы – дырочный. Концентрация примеси в коллекторном слое – 1017см-3. Электрическая прочность? Сопротивление квадрата? Удельная емкость?
Вариант 9
Оценка параметров коллекторного слоя за пределами топологии базы структуры ЭПСК. Концентрация примеси в слое (n-тип) - 1017см-3. Толщина слоя вне топологии базы – 8 мкм. Глубина разделительной диффузии – 10 мкм, Концентрация примеси на поверхности разделительной области –1018см-3. Концентрация примеси на поверхности базовой области –1018см-3. Глубинный переход коллектор-база на координате 3 мкм. Концентрация примеси в подложке -1015 см -3. Электрическая прочность? Удельная емкость? Сопротивление квадрата?
Вариант 10
Оценка параметров коллекторного слоя под базой структуры ЭПСК. Концентрация примеси в слое (n-тип) - 1017см-3. Толщина слоя вне топологии базы – 8 мкм. Глубина разделительной диффузии – 10 мкм. Концентрация примеси на поверхности разделительной области –1018см-3. Концентрация примеси на поверхности базовой области –1018см-3. Глубинный переход коллектор-база на координате 3 мкм. Концентрация примеси в подложке -1015 см -3. Электрическая прочность? Удельная емкость? Сопротивление квадрата?
Вариант 11
Оценка параметров скрытого коллекторного слоя структуры ЭПСК со скрытым слоем в коллекторе. Максимальная концентрация примеси в слое (n -тип) - 1018см -3. Толщины ЭПСК и скрытого слоёв – по 8 мкм. Глубина разделительной диффузии – 10 мкм, Концентрация примеси в ЭПС слое – 1017см -3. Концентрация на поверхности разделительной области –1018см -3. Концентрация примеси на поверхности базовой области –1018см -3. Глубинный переход коллектор-база на координате 3 мкм. Концентрация примеси в подложке -1015 см -3. Электрическая прочность? Удельная емкость? Сопротивление квадрата?
Вариант 12
Оценка параметров эмиттерного слоя структуры ЭПСБ. Толщина слоя – 0,5 мкм. Поверхностная концентрация примеси в слое (n-тип)-1020см-3 . Поверхностная концентрация в базовом слое – 1018см –3. Глубинный переход эмиттер-база образован при концентрации доноров – 1017 см 3. Электрическая прочность? Удельная емкость? Сопротивление квадрата?