Вопрос 7.9 Укажите положительные качества совмещённых бпт и полевых приборов с управляемым p-n-переходом каналом для применения в конструкциях имс.

1-возможность снижения входных токов совмещённых приборов;

2-возможность повышения рабочих напряжений БПТ;

3-возможность создания инжекционно-полевого (ИПЛ) аналога И²Л со сходными ресурсами повышения степени интеграции.

Вопрос 7.10 Время хранения состояния структуры пзс как регистра сдвига и памяти с последовательным доступом определяется:

1- скоростью дрейфа носителей от передающего к принимающему электроду;

2- скоростью диффузии носителей заряда под передающим электродом;

3- длительностью паузы между импульсами продвижения заряда и не зависит от длительности импульса продвижения;

4-максимальной допустимой длительностью импульса удержания заряда в потенциальной яме под электродом.

Вопрос 7.11 Выделите корректные утверждения по конструкциям, свойствам и управлению зарядовыми приборами на транзисторах с зарядовой связью (тзс):

1-топология и размеры элементов приборов на ТЭС не отличается от топологии элементов ПЗС;

2-питание приборов на ТЭС предусматривает изменение управляю-щего напряжения только на блокирующих затворах в отличие от ПЗС;

3-топология и размеры электродов ТЭС отличаются один от другого, а в ПЗС одинаковы;

4-приборы на ТЭС уступают по быстродействию приборам на классических ПЗС;

5- ТЭС при переключении повышает размер зарядового пакета, а элемент ПЗС снижает.

6- в ТЭС нельзя изменить направление транспорта зарядового пакета.

Вопрос 7.12 Выделите корректные утверждения для приборов c зарядовой связью на пожарных цепочках:

1-время транспорта заряда через элемент цепочки не зависит от ёмкости конденсатора элемента;

2-частота следования тактовых сигналов не зависит величины ёмкости в элементе цепочки;

3- ПЗС на «пожарных цепочках» не критичны к расстоянию между смежными элементами; х

Рисунок 7.11

4- прибор на пожарных цепочках изображён на рисунке 7.11,б.

Тема 8 Гибридные микросхемы

Вопрос 8.1 Выделите корректные утверждения относительно конструкций плат гимс:

1-выбор толщины плат не зависит от её габаритных размеров;

2-плоскостные размеры плат не нормируются;

3-тепловые режимы элементов и компонентов ГИМС зависят от диэлектрической проницаемости материала платы;

4-диэлектрические свойства плат не влияют на частотные свойства элементов ГИМС;

5-температурное расширение материала плат оказывает негативное влияние на механическую прочность и стабильность параметров ГИМС при действии влаги.

Вопрос 8.2 Выделите корректные утверждения относительно конструкций тонкоплёночных резисторов гимс:

1- уменьшение толщины резистивного слоя и повышение через это номинала поверхностного сопротивления резистивной плёнки следует учитывать при согласовании размеров с технологическими допусками;

2-снижение допуска на сопротивление резистора приводит к повышению частотного потолка его применения;

3-повышение проектной мощности рассеяния плёночного резистора повышает частотный потолок применения резистора;

4-проектная площадь резистора увеличивается с уменьшением допуска на сопротивление, с уменьшением поверхностного сопротивления, и увеличением рабочего тока.

Вопрос 8.3 Выделите корректные утверждения относительно параметров конструкций толстоплёночных резисторов гимс:

1-конструкции этих резисторов следует исполнять в форме прямоугольных полос без изгибов;

2-частотный потолок при равных номиналах с тонкоплёночными конструкциями выше для толстоплёночных резисторов;

3-технологическое рассеяние сопротивления толстоплёночных резисторов существенно превышает этот параметр тонкоплёночных резисторов;

4-при выборе проектных размеров толстоплёночных резисторов определяющим является критерий заданной точности исполнения.

Вопрос 8.4 Выделите корректные утверждения относительно параметров конструкций тонкоплёночных конденсаторов гимс:

1-конденсаторы тонкоплёночные ГИМС не ограничены по номиналу;

2-число обкладок тонкоплёночных не превышает двух;

3- удельная ёмкость и габариты тонкоплёночного конденсатора при выбранных материалах конструкции не зависят от рабочего напряжения;

4- для повышения добротности конденсатора на заданной частоте следует уменьшать длину и увеличивать ширину его обкладок;

5- повышением диэлектрической проницаемости изоляции обкладок при прочих равных условиях добротность конденсатора увеличивается.