Вариант 1

Оценка параметров биполярного транзистора структуры ЭПСБ. Свойства слоев и размеры: Толщина слоя эмиттера – 1 мкм; Толщина слоя базы – 2 мкм. Ширина перехода коллектор-база – 1 мкм, эмиттер-база – 0.1 мкм в типовом режиме применения. Поверхностное сопротивление эмиттера – 1 Ом, базы вне эмиттера – 200 Ом. Коэффициенты потерь по инжекции и по переносу в базе сравнимы. Длина эмиттера – определить. Ширина эмиттера – определить. Размеры топологические выбрать максимально допустимые для неравномерности тока по эмиттеру до 0,1. Толщина коллектора – 2 мкм. Поверхностное сопротивление коллектора – 50 Ом. Поверхностное сопротивление проводных соединений – 0,2 Ом. Все зазоры между областями на поверхности не менее 2 мкм. Удельные переходные сопротивления контактов 400 Ом*мкм2. Удельное сопротивление области разделительной диффузии- 0,02 Ом*см. Минимальный размер топологической фигуры – 2 мкм. Представить эскиз структуры и топологии, состав подлежащих оценке параметров, сценарий определения параметров по значениям.

Вариант 2

Оценка параметров биполярного транзистора структуры ЭПСК. Свойства слоев и размеры: Толщина слоя эмиттера – 1 мкм; Толщина слоя базы – 2 мкм. Ширина перехода коллектор-база – 1 мкм, эмиттер-база – 0.1 мкм в типовом режиме применения. Поверхностное сопротивление эмиттера – 1 Ом, базы вне эмиттера – 200 Ом. Коэффициенты потерь по инжекции и по переносу в базе сравнимы. Длина эмиттера – определить. Ширина эмиттера – определить. Размеры топологические выбрать максимально допустимые для неравномерности тока по эмиттеру до 0,1.Толщина коллектора – 2 мкм. Поверхностное сопротивление коллектора – 50 Ом. Поверхностное сопротивление проводных соединений – 0,2 Ом. Все зазоры между областями на поверхности не менее 2 мкм. Удельные переходные сопротивления контактов 400 Ом*мкм2. Удельное сопротивление области разделительной диффузии- 0,02 Ом*см. Минимальный размер топологической фигуры – 2 мкм. Представить эскиз структуры и топологии, состав подлежащих оценке параметров, сценарий определения параметров по значениям.

Вариант 3

Оценка параметров биполярного транзистора структуры КВД. Свойства слоев и размеры: Толщина слоя эмиттера – 1 мкм; Толщина слоя базы – 2 мкм. Ширина перехода коллектор-база – 1 мкм, эмиттер-база – 0.1 мкм в типовом режиме применения. Поверхностное сопротивление эмиттера – 1 Ом, базы вне эмиттера – 200 Ом. Коэффициенты потерь по инжекции и по переносу в базе сравнимы. Длина эмиттера – определить. Ширина эмиттера – определить. Размеры топологические выбрать максимально допустимые для неравномерности тока по эмиттеру до 0,1.Толщина коллектора – 2 мкм. Поверхностное сопротивление коллектора – 50 Ом. Поверхностное сопротивление проводных соединений – 0,2 Ом. Все зазоры между областями на поверхности не менее 2 мкм. Удельные переходные сопротивления контактов 400 Ом*мкм2. Минимальный размер топологической фигуры – 2 мкм. Представить эскиз структуры и топологии, состав подлежащих оценке параметров, сценарий определения параметров по значениям.

Вариант 4

Оценка параметров биполярного транзистора структуры ЭПСБ с комбинированной изоляцией разделительными V-каналами. Свойства слоев и размеры: Толщина слоя эмиттера – 1 мкм; Толщина слоя базы – 2 мкм. Ширина перехода коллектор-база – 1 мкм, эмиттер-база – 0.1 мкм в типовом режиме применения. Поверхностное сопротивление эмиттера – 1 Ом, базы вне эмиттера – 200 Ом. Коэффициенты потерь по инжекции и по переносу в базе сравнимы. Длина эмиттера – определить. Ширина эмиттера – определить. Размеры топологические выбрать максимально допустимые для неравномерности тока по эмиттеру до 0,1. Толщина коллектора – 2 мкм. Поверхностное сопротивление коллектора – 50 Ом. Поверхностное сопротивление проводных соединений – 0,2 Ом. Все зазоры между областями на поверхности не менее 2 мкм. Удельные переходные сопротивления контактов 400 Ом*мкм2. Удельное сопротивление области разделительной диффузии- 0,02 Ом*см. Минимальный размер топологической фигуры – 2 мкм. Представить эскиз структуры и топологии, состав подлежащих оценке параметров, сценарий определения параметров по значениям.