Вопрос 3.6 Какому из перечисленных способов проектной оценки поверхностного сопротивления легированных полупроводниковых слоёв необходимы первичные сведения:

-тип материала;

-тип проводимости слоя;

-закон распределения примесей в слое;

-поверхностная концентрация примесей в слое;

-концентрация примесей до легирования в несущем слое;

-координаты границ легированного слоя;

-зависимости подвижности носителей заряда от концентрации:

1- графо-аналитическому;

2- аналитическому;

3- экспериментальному.

Вопрос 3.7 Укажите правильную последовательность типов p-n-переходов структуры БПТ с технологией слоёв ЭПСБ в направлении от поверхности в глубину подложки:

1- резкий, резкий, плавный;

2- квазирезкий, плавный, плавный;

3- плавный, резкий, плавный;

4- квазирезкий, плавный, плавный;

5- резкий, плавный, резкий.

Вопрос 3.8 Электрическая прочность изолирующих промежутков и слоёв характеризуется напряжением их пробоя и не зависит от:

1-критической напряжённости электрического поля на слое изоляции;

2-толщины слоя изоляции;

3-свойств материалов изолируемых электродов;

Вопрос 3.9 Напряжение лавинного пробоя резкого несимметричного p-n-перехода при слабо легированной n-области определяется по формуле:

- ε∙εo∙(Екр)²/(2q∙Nср);

- 86 ∙ ρ_n^0,65(B);

- 40*ρ_n + 8*ρ_p (B),

- 23 ∙ ρ_p^0,75(B).

Значение критической напряжённости в кремнии Екр составляет (2-5) 10 ⁵ В/см.

Вопрос 3.10 Допустимая плотность тока в направленно инжектирующем р-n-переходе определяется по:

1- снижению эффективности направленной инжекции;

2- снижению полного тока через p-n-переход;

3- уменьшению полного сопротивления p-n-перехода.

Тема 4 Проектирование биполярного транзистора.

Вопрос 4.1 Укажите проектные функциональные параметры интег-рального БПТ из приведенного набора:

1- топологические размеры БПТ, мкм;

2- номинальная электрическая прочность переходов, Upi, (B);

3- входное сопротивление БПТ, Ом;

4- номинальный рабочий ток БПТ, Ip, (mA);

5- выходная мощность БПТ, Вт;

6- номинальный коэффициент передачи тока эмиттера, α ;

7- параметры слоёв структуры БПТ, Ом, мкм;

8- номинальное сопротивление БПТ, как открытого ключа, Rкл, (Ом);

9- технологические ограничения размеров топологии БПТ, мкм;

10- номинальное время переключения, Tпер, (сек).

Вопрос 4.2 Рабочие напряжения БПТ ограничиваются:

1- напряжениями пробоя переходов и коллекторной изоляции;

2- выбором концентраций примесей в слоях структуры;

3- выбором коэффициентов запаса к напряжениям пробоя;

4- выбором толщин слоёв структуры;

5- учётом коэффициентов умножения носителей в коллекторном пере-ходе;

6- уменьшением размеров топологических областей.

Вопрос 4.3 Для проектного согласования рабочего тока БПТ с площадью его инжектирующего перехода необходимо:

1- учитывать сопротивление квадрата эмиттерного слоя;

2- учитывать допустимую плотность тока в эмиттерном переходе; х

3- учитывать ширину p-n-перехода.

Вопрос 4.4 Для проектного выбора допустимого линейного размера длины эмиттера БПТ в направлении к контакту на базовой области необходимо:

1- учитывать неравномерность плотности тока по инжектирующему переходу;

2- учитывать толщину эмиттера;

3- учитывать толщину активной области базового слоя;

4- учитывать площадь эмиттера.

Вопрос 4.5 Для проектного выбора допустимого линейного размера ширины эмиттера БПТ в направлении перпендикулярном направлению тока базы от эмиттера к контакту на базовой области необходимо:

-учитывать полную площадь эмиттера;

-учитывать длину эмиттера;

-учитывать неравномерность плотности тока в подводящих провод-никах эмиттерного перехода;

Вопрос 4.6 При несоответствии допустимых линейных размеров эмиттера БПТ заданному рабочему току необходимо;

1- изменить параметры структуры;

2- применить многоэлектродные топологические конфигурации эмит-тирующей области;

3- уменьшить номинальный рабочий ток БПТ;

4- проверить и, по возможности допустить, повышенную режимную плотность тока в эмиттере.

Вопрос 4.7 Топологические формы и плоскостные размеры эмиттера и базы БПТ с вертикальной структурой:

1-определяют влияние вклада боковой поверхности слоёв эмиттера и базы в потери переноса заряда от эмиттера к коллектору;

2-не влияют на коэффициент передачи тока эмиттера в коллектор;

3-снижают коэффициент передачи тока эмиттера в коллектор от значения, определяемого по структуре, по мере повышения площади эмиттера.

Вопрос 4.8 При известной топологической форме и размерах эмиттера, топологические формы и размеры базовой и коллекторной областей определяют:

1- выбирая форму и размеры контактов к коллектору по допустимому сопротивлению БПТ в открытом состоянии, согласуя их с формой и размерами базовой области, устанавливая зазоры между топологическими границами на коллекторной области руководствуясь технологическими допусками размеров;

2- выбирая форму и размеры базовой области по значению коэф-фициента передачи тока базы БПТ;

3- выбирая форму и размеры коллекторной области по значению рабочего тока БПТ;

4- согласуя размещение, форму и размеры контактов к базе с формой и размерами эмиттера, устанавливая зазоры между топологическими границами на базовой области руководствуясь технологическими допусками размеров и влиянием продольного переноса в базе;

Вопрос 4.9 Для удовлетворения требований к номинальному сопротивлению БПТ, как открытого ключа, выбором топологических форм и размеров, необходимо оценить соответствие требованиям по сопротивлению топологии БПТ, удовлетворяющей требованиям по рабочему току, и при несоответствии:

1- уменьшить пропорционально топологические размеры эмиттера и соответствующую общую площадь БПТ по внешним границам коллектора;

2- модифицировать топологию БПТ, не уменьшая площади эмиттера, с образованием параллельных каналов для тока от эмиттера к коллекторным контактам;

3- пропорционально увеличить площадь эмиттера и соответствующую общую площадь БПТ по внешним границам коллектора;

4- увеличить в допустимых пределах ширину эмиттера, скорректиро-вать остальные топологические размеры и проверить соответствие требованию по сопротивлению.