Вариант 25

Оценка параметров биполярного транзистора структуры ЭПСБ. Рабочий ток - 4 мА. Свойства слоев и размеры: Толщина слоя эмиттера – 1 мкм; Толщина слоя базы – 2 мкм. Ширина перехода коллектор-база – 1 мкм, эмиттер-база – 0.1 мкм в типовом режиме применения. Поверхностное сопротивление эмиттера – 1 Ом, базы вне эмиттера – 200 Ом. Коэффициенты потерь по инжекции и по переносу в базе сравнимы Топология двухэмиттерная однобазовая. Длина эмиттера – определить. Ширина эмиттера – 80 мкм. Иные размеры топологические выбирать для неравномерности тока по эмиттеру до 0,1. Толщина коллектора – 2 мкм. Поверхностное сопротивление коллектора – 50 Ом. Поверхностное сопротивление проводных соединений – 0,2 Ом. Все зазоры между областями на поверхности не менее 2 мкм. Удельные переходные сопротивления контактов 400 Ом*мкм2. Удельное сопротивление области разделительной диффузии- 0,02 Ом*см. Минимальный размер топологической фигуры – 2 мкм. Представить эскиз структуры и топологии, состав подлежащих оценке параметров, сценарий определения параметров по значениям.

Вариант 26

Оценка параметров биполярного транзистора структуры ЭПСБ. Рабочий ток - 8 мА. Свойства слоев и размеры: Толщина слоя эмиттера – 1 мкм; Толщина слоя базы – 2 мкм. Ширина перехода коллектор-база – 1 мкм, эмиттер-база – 0.1 мкм в типовом режиме применения. Поверхностное сопротивление эмиттера – 1 Ом, базы вне эмиттера – 200 Ом. Коэффициенты потерь по инжекции и по переносу в базе сравнимы Топология двухэмиттерная однобазовая. Длина эмиттера – определить. Ширина эмиттера – 60 мкм. Иные размеры топологические выбирать для неравномерности тока по эмиттеру до 0,1. Толщина коллектора – 2 мкм. Поверхностное сопротивление коллектора – 50 Ом. Поверхностное сопротивление проводных соединений – 0,2 Ом. Все зазоры между областями на поверхности не менее 2 мкм. Удельные переходные сопротивления контактов 400 Ом*мкм2. Удельное сопротивление области разделительной диффузии- 0,02 Ом*см. Минимальный размер топологической фигуры – 2 мкм. Представить эскиз структуры и топологии, состав подлежащих оценке параметров, сценарий определения параметров по значениям.

Вариант 27

Оценка параметров биполярного транзистора структуры ЭПСК. Рабочий ток - 8 мА. Свойства слоев и размеры: Толщина слоя эмиттера – 1 мкм; Толщина слоя базы – 2 мкм. Ширина перехода коллектор-база – 1 мкм, эмиттер-база – 0.1 мкм в типовом режиме применения. Поверхностное сопротивление эмиттера – 1 Ом, базы вне эмиттера – 200 Ом. Коэффициенты потерь по инжекции и по переносу в базе сравнимы Топология двухэмиттерная однобазовая. Длина эмиттера – определить. Ширина эмиттера – 60 мкм. Иные размеры топологические выбирать для неравномерности тока по эмиттеру до 0,1. Толщина коллектора – 2 мкм. Поверхностное сопротивление коллектора – 50 Ом. Поверхностное сопротивление проводных соединений – 0,2 Ом. Все зазоры между областями на поверхности не менее 2 мкм. Удельные переходные сопротивления контактов 400 Ом*мкм2. Удельное сопротивление области разделительной диффузии- 0,02 Ом*см. Минимальный размер топологической фигуры – 2 мкм. Представить эскиз структуры и топологии, состав подлежащих оценке параметров, сценарий определения параметров по значениям.

Вариант 28

Оценка параметров биполярного транзистора структуры КВД. Рабочий ток - 8 мА. Свойства слоев и размеры: Толщина слоя эмиттера – 1 мкм; Толщина слоя базы – 2 мкм. Ширина перехода коллектор-база – 1 мкм, эмиттер-база – 0.1 мкм в типовом режиме применения. Поверхностное сопротивление эмиттера – 1 Ом, базы вне эмиттера – 200 Ом. Коэффициенты потерь по инжекции и по переносу в базе сравнимы Топология двухэмиттерная однобазовая. Длина эмиттера – определить. Ширина эмиттера – 60 мкм. Иные размеры топологические выбирать для неравномерности тока по эмиттеру до 0,1. Толщина коллектора – 2 мкм. Поверхностное сопротивление коллектора – 50 Ом. Поверхностное сопротивление проводных соединений – 0,2 Ом. Все зазоры между областями на поверхности не менее 2 мкм. Удельные переходные сопротивления контактов 400 Ом*мкм2. Минимальный размер топологической фигуры – 2 мкм. Представить эскиз структуры и топологии, состав подлежащих оценке параметров, сценарий определения параметров по значениям.

Вариант 29

Оценка параметров биполярного транзистора структуры ЭПСБ с комбинированной изоляцией V-каналами. Рабочий ток - 8 мА. Свойства слоев и размеры: Толщина слоя эмиттера – 1 мкм; Толщина слоя базы – 2 мкм. Ширина перехода коллектор-база – 1 мкм, эмиттер-база – 0.1 мкм в типовом режиме применения. Поверхностное сопротивление эмиттера – 1 Ом, базы вне эмиттера – 200 Ом. Коэффициенты потерь по инжекции и по переносу в базе сравнимы Топология двухэмиттерная однобазовая. Длина эмиттера – определить. Ширина эмиттера – 60 мкм. Иные размеры топологические выбирать для неравномерности тока по эмиттеру до 0,1. Толщина коллектора – 2 мкм. Поверхностное сопротивление коллектора – 50 Ом. Поверхностное сопротивление проводных соединений – 0,2 Ом. Все зазоры между областями на поверхности не менее 2 мкм. Удельные переходные сопротивления контактов 400 Ом*мкм2. Удельное сопротивление области разделительной диффузии- 0,02 Ом*см. Минимальный размер топологической фигуры – 2 мкм. Представить эскиз структуры и топологии, состав подлежащих оценке параметров, сценарий определения параметров по значениям.

Вариант 30

Оценка параметров биполярного транзистора структуры ЭПСБ. Рабочий ток - 8 мА. Свойства слоев и размеры: Толщина слоя эмиттера – 1 мкм; Толщина слоя базы – 2 мкм. Ширина перехода коллектор-база – 1 мкм, эмиттер-база – 0.1 мкм в типовом режиме применения. Поверхностное сопротивление эмиттера – 1 Ом, базы вне эмиттера – 200 Ом. Коэффициенты потерь по инжекции и по переносу в базе сравнимы Топология одноэмиттерная с двумя электродами к базе. Длина эмиттера – определить. Ширина эмиттера – 60 мкм. Иные размеры топологические выбирать для неравномерности тока по эмиттеру до 0,1. Толщина коллектора – 2 мкм. Поверхностное сопротивление коллектора – 50 Ом. Поверхностное сопротивление проводных соединений – 0,2 Ом. Все зазоры между областями на поверхности не менее 2 мкм. Удельные переходные сопротивления контактов 400 Ом*мкм2. Удельное сопротивление области разделительной диффузии- 0,02 Ом*см. Минимальный размер топологической фигуры – 2 мкм. Представить эскиз структуры и топологии, состав подлежащих оценке параметров, сценарий оценки параметров по заданным значениям.

Вариант 31

Оценка параметров биполярного транзистора структуры ЭПСК. Рабочий ток - 8 мА. Свойства слоев и размеры: Толщина слоя эмиттера – 1 мкм; Толщина слоя базы – 2 мкм. Ширина перехода коллектор-база – 1 мкм, эмиттер-база – 0.1 мкм в типовом режиме применения. Поверхностное сопротивление эмиттера – 1 Ом, базы вне эмиттера – 200 Ом. Коэффициенты потерь по инжекции и по переносу в базе сравнимы Топология одноэмиттерная с двумя электродами к базе. Длина эмиттера – определить. Ширина эмиттера – 60 мкм. Иные размеры топологические выбирать для неравномерности тока по эмиттеру до 0,1. Толщина коллектора – 2 мкм. Поверхностное сопротивление коллектора – 50 Ом. Поверхностное сопротивление проводных соединений – 0,2 Ом. Все зазоры между областями на поверхности не менее 2 мкм. Удельные переходные сопротивления контактов 400 Ом*мкм2. Удельное сопротивление области разделительной диффузии- 0,02 Ом*см. Минимальный размер топологической фигуры – 2 мкм. Представить эскиз структуры и топологии, состав подлежащих оценке параметров, сценарий оценки параметров по заданным значениям.

Вариант 32

Оценка параметров биполярного транзистора структуры КВД. Рабочий ток - 8 мА. Свойства слоев и размеры: Толщина слоя эмиттера – 1 мкм; Толщина слоя базы – 2 мкм. Ширина перехода коллектор-база – 1 мкм, эмиттер-база – 0.1 мкм в типовом режиме применения. Поверхностное сопротивление эмиттера – 1 Ом, базы вне эмиттера – 200 Ом. Коэффициенты потерь по инжекции и по переносу в базе сравнимы Топология одноэмиттерная с двумя электродами к базе. Длина эмиттера – определить. Ширина эмиттера – 60 мкм. Иные размеры топологические выбирать для неравномерности тока по эмиттеру до 0,1. Толщина коллектора – 2 мкм. Поверхностное сопротивление колле䚛тора – 50 Ом. Поверхностное сопротивление проводных соединений – 0,2 Ом. Все зазоры между областями на поверхности не менее 2 мкм. Удельные переходные сопротивления контактов 400 Ом*мкм2. Минимальный размер топологической фигуры – 2 мкм. Представить эскиз структуры и топологии, состав подлежащих оценке параметров, сценарий оценки параметров по заданным значениям.

Вариант 33

Оценка параметров биполярного транзистора структуры ЭПСБ с комбинированной изоляцией V-каналами. Рабочий ток - 8 мА. Свойства слоев и размеры: Толщина слоя эмиттера – 1 мкм; Толщина слоя базы – 2 мкм. Ширина перехода коллектор-база – 1 мкм, эмиттер-база – 0.1 мкм в типовом режиме применения. Поверхностное сопротивление эмиттера – 1 Ом, базы вне эмиттера – 200 Ом. Коэффициенты потерь по инжекции и по переносу в базе сравнимы Топология одноэмиттерная с двумя электродами к базе. Длина эмиттера – определить. Ширина эмиттера – 60 мкм. Иные размеры топологические выбирать для неравномерности тока по эмиттеру до 0,1. Толщина коллектора – 2 мкм. Поверхностное сопротивление коллектора – 50 Ом. Поверхностное сопротивление проводных соединений – 0,2 Ом. Все зазоры между областями на поверхности не менее 2 мкм. Удельные переходные сопротивления контактов 400 Ом*мкм2. Удельное сопротивление области разделительной диффузии- 0,02 Ом*см. Минимальный размер топологической фигуры – 2 мкм. Представить эскиз структуры и топологии, состав подлежащих оценке параметров, сценарий оценки параметров по заданным значениям.