Вопрос 6.5 Структуры конденсаторов полупроводниковых микросхем представлены:

1- структурами только полярных (нелинейных) конденсаторов;

2- структурами только неполярных (линейных) конденсаторов;

3- структурами полярных и неполярных конденсаторов;

4- с числом диэлектрических слоёв более одного при двух рабочих обкладках;

5- с числом диэлектрических слоёв не более одного при двух рабочих обкладках;

6- двухэлектродными (двухполюсными) структурами;

7- трёхэлектродными (трёхполюсными) структурами;

Вопрос 6.6 Форма топологии активной площади конденсаторов полупроводниковых микросхем:

1- не влияет на их добротность при прочих равных условиях;

2- влияет на производственную погрешность исполнения ёмкости;

3- не влияет на габаритные размеры;

4- влияет на выбор расположения и направление выводов от обкладок.

Вопрос 6.7 Параметрами функционального назначения конденсаторов полупроводниковых микросхем являются:

1- номинальная ёмкость;

2- одно рабочее напряжение;

3- два рабочих напряжения;

4- относительный допуск ёмкости без учёта нелинейности емкости;

5- добротность; х

6- габаритная площадь;

7- отношение рабочей ёмкости к ёмкости изоляции.

Вопрос 6.8 Отметьте согласие с утверждениями:

1- проектная площадь конденсатора не зависит от рабочего напряже-ния;

-ёмкость конденсатора не зависит от формы обкладок и расположения выводов от них:

2- на низких частотах применения;

3-всегда;

4- на высоких частотах применения;

- добротность конденсатора:

5- не зависит от частоты;

6- не зависит от формы его обкладок и относительного расположения выводов от них.

Вопрос 6.9 Структуры соединительных проводников кристаллов ИМС представлены:

- слоями металлических плёнок;

1- по полупроводниковым слоям;

2- защитному диэлектрику с контактом к полупроводниковому слою в локальных областях;

-диффузионными слоями:

2- в качестве основных соединений;

3- в качестве локальных диффузионных перемычек;

-эпитаксиальными слоями:

4- поликристаллических плёнок многослойных соединений в кристаллах МДП ИМС;

5- локальными поликристаллических плёнок электродов элементов структур МДП.

Вопрос 6.10 Укажите тип проектного размера проводного соединения, определяемого по критериям:

- соответствия ограничениям технологии:

1- минимально-допустимый линейный размер топологии;

2- минимально-допустимая толщина соединения;

3- минимально-допустимая площадь соединения;

-соответствия по тепловому режиму:

4- длина соединения;

5-ширина соединения;

6- площадь соединения.

-соответствия по ограничениям на функциональные параметры соединения, как элемента электрических цепей:

7- длина соединения;

8-ширина соединения;

9- площадь соединения.

Тема 7 Приборы, элементы полевых ИМС

Вопрос 7.1 Из перечисленных выделите параметры определяющие проектное значение порогового напряжения транзистора МДП ИМС:

1- концентрации примесей в стоке, истоке;

2- концентрация примесей в подложке под затвором;

3- толщина подзатворного диэлектрика;

4- ширина запрещённой зоны материала подложки;

5- плотность встроенного заряда подзатворного диэлектрика;

6- диэлектрическая проницаемость подзатворного диэлектрика;

7- диэлектрическая проницаемость подложки;

8 –тип проводимости подложки;

Вопрос 7.2 Из перечисленных выделите параметры определяющие прямое влияние на понижение сопротивления открытого транзистора МДП ИМС:

1-ширина канала;

2- длина канала;

3-толщина канала;

4- подвижность носителей в канале;

5-толщина диэлектрика затвора;

6- диэлектрическая проницаемость диэлектрика затвора;

7- площадь стока и истока;

8- концентрация примеси в подложке.

Вопрос 7.3 Выделите из перечисленных параметров структуры и топологии параметры определяющие прямое влияние на увеличение проектного значения крутизны транзистора МДП ИМС:

1-ширина канала;

2- длина канала;

3-толщина канала;

4- подвижность носителей в канале;

5-толщина диэлектрика затвора;

6- диэлектрическая проницаемость диэлектрика затвора;

7- площадь стока и истока.

Вопрос 7.5 Выделите из перечисленных параметры определяющие проектные значения рабочих напряжений транзисторов МДП ИМС:

1- толщина подзатворного диэлектрика;

2- параметры структуры перехода сток-подложка;

3- параметры материала подзатворного диэлектрика;

4- параметры материала подложки;

5- топологические размеры затвора.

Вопрос 7.6 Выделите из перечисленных параметры определяющие прямое влияние на снижение проектного значения времени переключения транзисторов МДП ИМС:

1-удельная ёмкость изоляции стока;

2-ширина канала;

3-поджвижность носителей в канале;

4-длина канала;

5-площадь стока.

Вопрос 7.7 Укажите для вентиля МДП ИМС на транзисторах с одним типом канала корректное соотношение размеров каналов активного и нагрузочного транзисторов с учётом обозначений: L-длина канала, В-ширина канала, н - индекс нагрузочного транзистора, а-индекс активного транзистора.

1-La>Lн, Ва=Вн;

2-La<Lн, Ва=Вн;

3-La=Lн, Ва>Вн;

4-La>Lн, Ва>Вн;

5-La<Lн, Ва>Вн;

6-La>Lн, Ва>Вн;

Вопрос 7.8 Коэффициент передачи прибора с зарядовой связью ПЗС определяется:

1- по превышению выходного сигнала над входным сигналом;

2-потерями зарядового пакета при распространении от входа к выходу прибора;

3-линейной длиной структуры не зависит от длительности импульсов продвижения пакета по элементам ПЗС;

4-отношением размера зарядового пакета на выходе прибора к размеру пакета на входе в прибор;

5-отношением суммы потерь зарядового пакета под каждым из N элементов линейной конструкции ПЗС к размеру входного пакета;

6-линейной длиной структуры не зависит от размеров элементов ПЗС;

7- при фиксированной длине структуры и длительностью импульсов продвижения и размерами топологии элементов прибора.