2.2.2 Работа №1б. Резисторы полупроводниковых ис

Задание на работу

Выполнить проектирование и представить эскиз конструкции резистора полупроводниковых ИС с простановкой размеров и значений ёмкости резистора на несуший слой.

Значения параметров не вошедшие в таблицу, принимаются следующие:

- удельные переходные сопротивления контактов, Rob = Rok = Roe = 400 Ом_*мкм²;

-ширины ОПЗ при отсутствии смещения - Wоeb=0.1, Wocb=0.2, Wocr=0.3, Wocp=0.3 [мкм];

-контактная разность для ОПЗ, Fk=0.7 B (для всех p-n переходов);

-координата МГП ОПЗ для структур ЭПСK1 — 1, 2, 6, 8 мкм; ЭПСK2 — 1, 3, 7, 8,5 мкм; ЭПСБ1 — 1, 2, 6, 4 мкм; ЭПСБ2 — 1, 3, 7, 5 мкм;

-напряжения на переходах Ub = 4 B; Uc =Ue =5 B; Up=Ur= 0 B;

-допуск квадрата слоя R□, dR□ = 0,07;

-погрешность линии, dB = 0,2 мкм; совмещения слоёв, dC = 0.3 мкм;

-глубина зкранирования поля, dP = 0,1 мкм.

Обозначения слоёв: В-базовый, С- коллекторный, Е- эмиттерный, ВР-базовый под эмиттерным.

Расчётные соотношения приведены в в учебном пособии [4]

Таблица вариантов

№	Структура	Тип топологии	Слой, R□ [Ом]	R [Ом], d R
26	ЭПСК1	1	B — слой, 300	2000, 0.2
27	ЭПСК1	2	B — слой, 300	2000, 0.2
28	ЭПСК1	3	B — слой, 300	2000, 0,2
29	ЭПСК1	4	B — слой, 300	200, 0,2
30	ЭПСК2	1	B — слой, 500	1000, 0,2
31	ЭПСК2	2	B — слой, 500	1000, 0,2
32	ЭПСК2	3	B — слой, 500	1000, 0,2
33	ЭПСК2	4	В — слой, 500	100, 0,2
34	ЭПСК1	1	С — слой, 100	1000, 0,2
35	ЭПСК1	2	С — слой, 100	1000, 0,2
36	ЭПСК1	3	С — слой, 100	1000, 0,2
37	ЭПСК1	4	С — слой, 100	100, 0,2
38	ЭПСК1	4	Е — слой, 5	20, 0,3
39	ЭПСБ1	1	В — слой, 400	2000, 0,2
40	ЭПСБ1	2	В — слой, 400	2000, 0,2
41	ЭПСБ 1	3	В — слой, 400	2000, 0,2
42	ЭПСБ1	4	В— слой, 400	100, 0,2
43	ЭПСБ2	1	В-слой, 300	600, 0,2
44	ЭПСБ2	2	В-слой, 300	600, 0,2
45	ЭПСБ2	3	В-слой, 300	600, 0,2
46	ЭПСБ2	4	В-слой, 300	600, 0,2
47	ЭПСБ1	4	Е-слой, 3	6, 0,2
48	ЭПСБ1	1	ВР-слой, 1000	5000, 0,25
49	ЭПСБ1	2	ВР-слой, 1000	5000, 0,25
50	ЭПСБ1	3	ВР-слой, 1000	5000, 0,25

Варианты заданий контрольной работы №1 задаются по перечням вариантов работ 1а и 1б.

2.2.3 Контрольная № 2 Параметры и проектирование топологии бпт

Из множества функциональных параметров БПТ цифровых ИМС выделяются следующие параметры:

• номинальная электрическая прочность переходов, Upi, (B);

• номинальный рабочий ток БПТ, Ip, (mA);

• номинальный коэффициент передачи тока эмиттера, α;

• номинальное сопротивление БПТ как открытого ключа, Rкл, (Ом);

• номинальное время переключения, Tпер, (сек).

Часть названных функциональных параметров обеспечиваются выборомили оценкой соответствия технологической структуры. Другая часть обеспечивается топологическими формами и размерами.

Необходимо выполнить оценочные расчёты значений перечисленных параметров, исполнив эскиз структуры и топологии БПТ.