Вариант 13

Оценка параметров базового слоя вне топологии эмиттера структуры ЭПСБ. Концентрация примеси в слое (р-тип) 10¹⁸см^-3 . Максимальная концентрация в скрытом коллекторном слое (n – тип) – 10¹⁹см ^–3. Толщина базового слоя – 2 мкм. Толщина ЭП слоя -3 мкм. Поверхностная концентрация разделительной области - 10¹⁹см ^–3. Глубина разделительной диффузии -3 мкм. Электрическая прочность? Удельная емкость? Сопротивление квадрата?

Вариант 14

Оценка параметров базового слоя под эмиттером структуры ЭПСБ. Концентрация примеси в слое (р-тип) 10¹⁷см^-3 . Максимальная концентрация в скрытом коллекторном слое (n – тип) – 10¹⁸см ^–3. Толщина базового слоя за пределами топологии эмиттера – 2 мкм. Толщина ЭП слоя -3 мкм. Толщина эмиттера – 1 мкм. Поверхностная концентрация разделительной области - 10¹⁸см ^–3. Глубина разделительной диффузии -3 мкм. Электрическая прочность? Удельная емкость? Сопротивление квадрата?

Вариант 15

Оценка параметров коллекторного слоя структуры ЭПСБ. Концентрация примеси в базовом слое (р-тип) 10¹⁸см^-3 . Максимальная концентрация в скрытом коллекторном слое (n – тип) – 10¹⁹см ^–3. Толщина базового слоя за пределами топологии эмиттера – 2 мкм. Толщина ЭП слоя -3 мкм. Поверхностная концентрация разделительной области - 10¹⁹см ^–3. Глубина разделительной диффузии -3 мкм. Концентрация примеси в подложке -10¹⁶см ^–3. Электрическая прочность? Удельная емкость? Сопротивление квадрата?

Вариант 16

Оценка параметров эмиттерного слоя структуры КВД. Толщина слоя – 0,5 мкм. Поверхностная концентрация примеси в слое (n-тип) 10²⁰см^-3 . Поверхностная концентрация в диффузионном базовом слое – 10¹⁸см ^–3. Глубинный переход эмиттер-база образован при концентрации доноров – 2·10¹⁷ см ³. Электрическая прочность? Удельная емкость? Сопротивление квадрата?

Вариант 17

Оценка параметров базового слоя вне топологии эмиттера структуры КВД. Поверхностная концентрация примеси диффузионного слоя базы (р-тип)-10¹⁸см^-3 . Концентрация в коллекторном монослое (n – тип) – 10¹⁷см ^–3. Толщина базового слоя вне топологии эмиттера – 2 мкм. Электрическая прочность? Удельная емкость? Сопротивление квадрата?

Вариант 18

Оценка параметров базового слоя под эмиттером структуры КВД. Концентрация примеси на поверхности базы – 10¹⁸ см^-3. Толщина слоя базы под эмиттером – 1,5 мкм. Толщина эмиттера –0,5мкм. Тип проводимости базы – дырочный. Концентрация примеси в коллекторном монослое – 10¹⁷см^-3. Электрическая прочность? Сопротивление квадрата? Удельная емкость?

Вариант 19

Оценка параметров коллекторного слоя структуры КВД. Концентрация примеси в коллекторном монослое (n-тип) - 10¹⁷см^-3. Толщина слоя коллектора вне топологии базы – 6 мкм. Концентрация примеси на поверхности базовой области –10¹⁸см^-3. Глубинный переход коллектор-база на координате 2 мкм. Диэлектрик изоляции – SiO2. Толщина слоя -0,5 мкм. Электрическая прочность? Удельная емкость? Сопротивление квадрата?

Оценка параметров скрытого ЭП коллекторного слоя структуры КВД. Концентрация примеси в слое (n-тип) - 10¹⁹см^-3. Толщина слоя –2 мкм. Диэлектрик изоляции – SiO2.. Толщина слоя -0,5 мкм. Электрическая прочность? Удельная емкость? Сопротивление квадрата?

Вариант 21

Оценка параметров разделительной области ЭПСК структуры БПТ. Поверхностная концентрация примеси на разделительной области – 1,5∙10¹⁸см ^-3. Концентрация примесей доноров в ЭПС – 10¹⁷см ^-3. Толщина ЭПС – 5 мкм. На координате 5 мкм от поверхности концентрация примесей в разделительном слое равна 2∙10¹⁷см^-3. Определите необходимый размер окна для загонки примеси разделительную область, если известно, что он равен необходимой глубине диффузии. Определите расстояние между двумя смежными разделяемыми областями коллекторов на поверхности и на глубине границы ЭПС с исходной подложкой, принимая профиль границы с ЭПС радиальным.

Электрическая прочность? Удельная емкость? Сопротивление квадрата?

Вариант 22

Оценка параметров разделительной области ЭПСБ структуры БПТ. Поверхностная концентрация примеси на разделительной области – 1,5∙10¹⁹см ^-3. Концентрация примесей акцепторов в ЭПС – 10¹⁸см ^-3. Концентрация примесей в разделительной области на границе ЭПС с исходной пластиной – 10¹⁸см^-3. Толщина ЭПС – 4 мкм. Толщина базы вне проекции топологии эмиттера – 2 мкм. Определите необходимый размер окна для загонки примеси разделительную область, если известно, что он равен необходимой глубине диффузии. Определите расстояние между двумя смежными разделяемыми областями коллекторов на поверхности подложки. Определите ширину разделительной области на поверхности подложки, принимая профиль границы с ЭПС радиальным. Электрическая прочность? Удельная емкость? Сопротивление квадрата?

Вариант 23

Оценка параметров разделительной области ЭПСБ структуры БПТ с комбинированной изоляцией коллекторных областей V- каналами. Толщина ЭПС – 4 мкм. Общая толщина скрытого коллекторного слоя 4 мкм. Определите линейный размер разделительной области между смежными коллекторными карманами, если известно:

- скрытый коллекторный слой структуры до разделения каналами является сплошным по ЭПС;

- размер окна под V-каналами 1,4 раза превосходит глубину травления канавки;

- расход кремния под образование окисла принять равным 1/3 от общего объёма заполняемой полости;

- запас по глубине разделения принять 1/5 от толщины разделяемых объектов.

Электрическая прочность? Удельная емкость? Сопротивление квадрата?

Вариант 24

Оценка параметров разделительной области ЭПСБ структуры БПТ с комбинированной изоляцией коллекторных областей слоем «толстого» окисла. Толщина ЭПС – 3 мкм. Общая толщина локального симметричного скрытого коллекторного слоя 4 мкм. Определите линейный размер разделительной области между смежными коллекторными карманами, если известно:

- размер окна под окисление 1,4 раза превосходит глубину окисления;

- расход кремния под образование окисла принять равным 1/3 от общего объёма заполняемой полости;

- запас по глубине разделения принять 1/5 от толщины разделяемых объектов.

Определите среднее значение удельной ёмкости изоляции разделительной области от ЭПС.

Вариант 25

Оценка параметров коллекторного слоя под базой диффузионной структуры (по методу тройной диффузии). Толщина слоя - 3 мкм. Поверхностная концентрация примеси в базовом слое (р-тип) 10¹⁸см^-3 . Поверхностная концентрация в коллекторном слое – 10¹⁷см ^–3. Глубинный переход коллектор-база на 3 мкм образован при концентрации доноров – 10¹⁶ см ³. Глубинный переход коллектор-подложка на 6 мкм образован при концентрации доноров – 10¹⁵ см ^-3.

Электрическая прочность? Удельная емкость? Сопротивление квадрата?