Тема 9 Большие ис, планирование кристаллов

Вопрос 9.1 Степень интеграции имс это число, округлённое до целого в верхнюю сторону, равное:

1-отношению числа электрорадиоэлементов в конструкции кристалла к площади кристалла;

2- отношению числа электрорадиоэлементов в конструкции изделия к объёму изделия;

3- десятичному логарифму отношения числа электрорадиоэлементов в конструкции изделия к объёму изделия;

4- десятичному логарифму числа электрорадиоэлементов в конструк-ции изделия.

5- степень интеграции конструкции, образованной из изделий с разными степенями интеграции равна сумме степеней интеграции изделий состава.

Вопрос 9.2 Отнесение к категории больших интегральных микросхем (бис):

1- зависит от типа основного активного функционального электро-радиоэлемента;

2-зависит от «информационной ёмкости» формы сигнала в активном элементе изделия с нелинейными характеристиками;

3-не зависит ни от типа основного активного функционального электрорадиоэлемента, ни от «информационной ёмкости» формы сигнала в активных элементах изделия с нелинейными характеристиками;

4- производится по числу электрорадиоэлементов в изделии.

Вопрос 9.3 в производстве и проектировании бис имеют место:

1-повышение вероятности отказа или брака всего кристалла при уменьшении размеров электрорадиоэлемента до значений, сравнимых с размерами дефектов на подложке;

2-повышение вероятности попадания электрорадиоэлемента на дефект подложки и отказ (или брак) всего изделия при повышении габаритных размеров кристалла при фиксированной плотности дефектов на кристалле;

3- повышение относительного времени проектирования кристалла БИС в сравнении с суммарным временем проектирования набора кристаллов для того же общего функционального назначения при равном суммарном числе электрорадиоэлементов,

Вопрос 9.4 Отличие перечня этапов проектирования кристаллов бис от состава этапов проектирования кристаллов более низких степеней интеграции:

1- отсутствует;

2- имеется и связано с необходимостью специализации функций кристаллов БИС при разделении функционально сложного устройства на части без жёстких требований универсальности частей;

3–имеется и связано с повышением объёма задач подсистем структурного и функционального уровня.

Вопрос 9.5 Элементной базой кристаллов полузаказных цифровых бис являются:

1-однотипные по составу набора не соединённых злектрорадио-элементов топологические ячейки;

2-разнотипные по составу набора не соединённых электрорадио-элементов топологические ячейки;

3-однотипные топологические ячейки логических вентилей И/ИЛИ-НЕ с возможностью выбора ограниченного числа объединяемых входов, расположенные упорядоченно (матрично) относительно не подключённых шин питания и сигнальных шин;

4-расположенные упорядоченно (матрично) относительно не подключённых шин питания и сигнальных шин топологические ячейки функциональных групп (триггеры, регистры, счетчики, полусумматоры, шифраторы и дешифраторы, мультиплексоры, усилители и др.) структурных единиц устройств.

Вопрос 9.6. Библиотеки и каталоги топологий элементов, топологических ячеек с наборами не соединённых радиоэлементов, логических вентилей, функциональных групп, структурных единиц устройств позволяют:

1- осуществлять компиляцию электрических схем структурного и функционального уровней представления в схемы принципиальные, расположения, соединения, подключения и в конструктивные структурно-топологические представления и документы;

2- формализовать процесс проектирования схем и конструктивных объектов;

3- повысить требования к уровню квалификации специалистов по проектированию топологии кристаллов ИС.

Вопрос 9.7 Параметрами конструкции базового модуля кристалла БИС (ячейки) являются;

1- мощность рассеяния;

2-нормированный линейный шаг в размещении и измерении конструктивных единиц ячейки;

3- число и расположение, функциональное назначение выводов;

4- плоскостные размеры ячейки;

5- быстродействие ячейки.

Вопрос 9.8 Укажите какие из перечисленных зон и областей на плане кристалла не обязательны:

1-элементов электрических схем или их массивов;

2-контактов подключения кристаллов;

3-тестовых элементов;

4-фигур визуального контроля совмещения слоёв кристалла;

5-идентификационных указателей объектов внутреннего функцио-нального состава кристалла;

6-идентификатора отсчёта номеров выводов кристалла;

7- идентификатора функционального соответствия кристалла;

8- технологических областей по периферии кристалла.

Вопрос 9.9. Какие из приведенных способы сокращения пассивной площади кристалла являются наименее эффективными:

1- применение технологических вариантов структур, допускающих уменьшение ширины зазора между структурами;

2- выбор топологических конфигураций радиоэлементов с мини-мальным периметром при фиксированной площади элементов;

3- совмещение функций нескольких радиоэлементов в топологии интегрированного прибора (решения по функциональной интеграции);

4- расширение «нагрузки» на третье измерение в компоновке радиоэлементов.

Вопрос 9.10 Фигуры совмещения на кристалле предназначены для:

1- совмещения образов слоёв в процессе производства кристаллов;

2- контроля результатов исполнения слоёв в конструкции кристалла для разбраковки.

3-идентификации состав размерных изображений на кристалле.

Тема 10 Общие вопросы проектирования

Вопрос 10.1 Тепловой режим функциональных элементов кристаллов ИМС характеризуется:

1- допустимой температурой элементов микросхемы;

2- наличием корпуса;

3- температурой окружающей среды;

4- температурой смежных элементов;

5- перегревом элементов относительно окружающей среды;

6- теплопроводностью кристалла.

Вопрос 10.2. Укажите основные из перечисленных каналы искажения сигналов в кристаллах микросхем:

1-электрическое взаимодействие элементов кристалла;

2-магнитное взаимодействие смежных радиоэлементов кристалла;

3-электромагнитное взаимодействие и отражения сигналов в соединениях кристалла;

4- линейные искажения сигналов в соединениях элементов и в элементах кристаллов.

Вопрос 10.3 Снижение перегрева элементов кристаллов и плат относительно окружающей среды на уровне конструкции микросхемы обеспечивается:

1- уменьшением размеров кристаллов и плат;

2- выбором монтажных материалов повышенной теплопроводности, расширением площади и уменьшением длины теплового канала от элементов и компонентов к поверхности корпуса;

3- уменьшением площади поверхности корпуса микросхемы;

Вопрос 10.4 Механическая устойчивость конструкции ИС:

1- повышается при снижении массы микросхемы;

2- повышается при увеличении размеров при фиксированной массе микросхемы;

3- повышается при консольных закреплениях элементов конструкции для вибрационных воздействий;

4-при установке эластичных прокладок между поверхностями, приклеивании, заполнении полостей компаундами, применении дополнительных точек крепления элементов конструкции;

5-не зависит от длительности воздействия линейных ускорений;

6-не зависит паузы между периодическими воздействиями линейных ускорений.